半导体后道工艺简介

光 阻
掩背膜金
背 金
漏
蜡
栅蜡
源
研磨用衬盘
谢谢！
减薄工艺介绍
上蜡
减薄
下蜡
工艺流程如上。减薄工艺是根据不同材料（如Si，SiC，Al2O3等）选择不同 磨料与材料接触并摩擦，摩擦的过程中磨料对材料产生切削作用，从而到 达减薄或抛光的目的。
常用的磨料根据材料及目的不同而不同。
减薄目的：砂轮，磨盘加磨料（金刚石粉等） 抛光目的：粗抛常用磨盘加磨料（高目数磨料），精抛常用磨盘加抛光垫加磨料
半导体后道流程简介
目录
后道工艺流程总体简介 减薄工艺介绍 背孔工艺介绍 划片工艺介绍 后道工艺动画展示
后道工艺流程总体简介
上蜡
减薄
下蜡
背面 掩膜 制备
背孔 刻蚀
背金 制备
划片
最终 测试 分选
1. 后道流程主要为以上8个步骤； 2. 后道使用的设备分别有：上蜡设备，减薄设备，热板，光刻
设备，蒸镀设备，电镀设备，刻蚀设备，划片设备及测试分 选设备。 3. 其中减薄工艺及划片工艺为后道工艺特有工艺。减薄设备与 划片设备也成为后道工艺的特有设备。
工艺要点：
刻蚀孔道定位：若发生偏差将影响背金与源极接触。 刻蚀掩膜选择：要求选择刻蚀选择比大的材料做掩膜。 刻蚀孔道：要求孔壁与孔底平整（前道减薄抛光工艺将对孔底平整度有
影响），避免被刻蚀物残留。
划片工艺介绍
贴片
划片
劈裂（可 选）
倒膜
扩张
划片工艺：为将单个器件分离开来，根据材料不同（Si，SiC，
Al2O3，陶瓷等） ，可选择不同划切方式。
工艺要点：
贴片：需平整，避免贴合区有气泡，导致划片时掉片。
划切方式选择：滚刀切割，激光表面切割，激光改质切割，根据选 择的方式不同后续配合可能需要劈裂工艺。
扩张：扩张比例应固定，避免破膜。
后道工艺流程动画展示
ຫໍສະໝຸດ Baidu
源
栅
漏
外延 掩背膜金 衬底
衬底 衬衬底底 外延 外延
（精抛磨料如高目数的SiO磨料或Al2O3磨料等）。
工艺要点：
上蜡平整度：关系到最终晶圆厚度均匀性。 移除率确认：关系到制程时间，同时影响下蜡时的破片率。 下蜡手法：关系到破片率。 工艺面平整度：关系到后续通孔工艺实施难易程度。
背孔工艺介绍
背面掩膜制备
背孔刻蚀
背金制备
背孔工艺流程如上。背孔工艺：因器件特性需求，背孔工艺可 减少因源极接地时引入的加大串联电感，从而减少一定量因此 而产生的负反馈。