电子线路_陈其纯版_第一章
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课题1.1 晶体二极管
课型
新课
授课班级授课时数 1
教学目标1.熟识二极管的外形和符号
2.掌握二极管的单向导电性
3.理解二极管的伏安特性、理解二极管的主要参数4.会检测二极管
教学重点
二极管的单向导电性教学难点
二极管的反向特性学情分析
教学效果
新课
教后记
引入
1.观察二极管的外形
2.得出共性特征:具有两个电极,将其拉入电路中会出现何种特性
呢?
3.演示实验
(1)实验电路
(2)现象
灯亮或不亮,说明电路导通或不通。
结论:有一类器件能单方向导电,这类器件是晶体二极管。 1.1.1 晶体二极管的单向导电性 1.结构:一个是正极,一个是负极 2.符号:
3.文字:V 4.结论:
a .外加电压为正极高电位,负极低电位时二极管导通,正偏。
(展示各种二极管)
(观察灯的发光情况)
b.外加电压为负极高电位,正极低电位时,二极管截止,反偏。
单向导电性:晶体二极管加一定正向电压时导通,加反向电压时截止。
随堂练习
判断二极管是否导通
1.1.2PN结
1.本征半导体:不加杂质的纯净半导体,如硅、锗。
2.载流子:半导体中存在的两种导电的带电物体。
(1)自由电子:带负电。
(2)空穴:带正电。
特性:在外电场的作用下具有定向移动的效应,能形成电流。
3.P型半导体:在本征半导体中掺三价元素。
空穴数大于自由电子数。
即:多数载流子为空穴,少数载流子为电子。
4.N型半导体:在本征半导体中掺入五价元素。
即:多数载流子为电子,少数载流子为空穴。
注意:无论是P型、N型半导体,其正、负电荷总是相等的,整个半导体保持电中性。
5.PN结
采用掺杂工艺,使硅或锗的一边形成P型半导体,另一边形成N型半导体区域,在P区和N区的交界面形成一个具有特殊电性能的薄层,称为PN结。
将PN结加封装成二极管,从P区引出为正极,N区引出为负极。
结论:
(1)PN结正向偏置时,电阻很小,导通。
(2)PN结反向偏置时,电阻很大,截止。(引导)
(讨论、回答、评析)
(讲解)(讲解)
(图形模拟)(引导)
练习
1.画一个可使灯发光的二极管电路。
2.将以下器件串联,使二极管导通。(学生完成)
3.画出图中的电流通路。
小结
半导体材料:硅、锗→P型、N型→PN结→单向导电性→二极管
布置作业习题一
1-1、1-2、1-3、1-4;
判断下图中二极管是否导通。
课题
1.1.3~1.1.5 二极管的伏安特性、简单
测试、分类、参数课型
新课
授课班级授课时数 1
教学目标1.熟悉二极管的伏安特性
2.会简单测试二极管
3.理解二极管的分类、型号及参数
教学重点
伏安特性、测试方法教学难点
二极管的反向特性
学情分析教学效果
教后记
新课
A.复习
1.二极管的特性是,具体体现为加电压导通,加电压截止。
2.判断下列电路中二极管导通情况。
B.引入
从以上第1题来看,V是否能导通,需进一步研究二极管的伏安特性。
C.新授课
1.1.3 伏安特性
实验:二极管伏安特性测试
目的:得出二极管电流随二极管电压的变化关系
实验电路:
调节触头,使加于二极管两端的电压变化,观察毫安表的变化情况有以下结论:
(1)当正向电压较小时,正向电流极小,称为死区,死区电压:硅0.5 V,锗0.2 V。
(2)当正向电压大于死区电压时,电流随电压增大而急剧增大,二极管导通。
(3)二极管导通后,两端电压基本稳定,一般硅为0.7 V,锗为0.3 V。
反向特性:
(1)当加反向电压时,二极管反向电阻很大,电流极小,此时电流为反向饱和电流。
(2)当反向电压不超过反向击穿电压时,反向饱和电流几乎与反向电压无关。
(3)当反向电流在反向电压增大到一定时突然增大,此时反向电压为反向击穿电压。击穿:电击穿——可恢复;
热击穿——不可恢复。
注意:二极管正向电流不能过大,为限制电流,应在二极管电路中加串联电阻起限(填空)(练习)
(讨论)(引导)
(演示实验、观察变化)
(讲解)
(引导分析伏安特性)
流作用。
1.1.4 二极管的简单测试
一、测试基本原理 (1)二极管的伏安特性:正向时,电阻小,导通; 反向时,电阻大,截止。 (2)万用表电阻挡用万用表内部电源。 注意:表内电池的正极与黑表笔相连,不能与万用表面板的“+”、“-”相混。 二、测试方法 1.选用万用表R ×100、R ×1k 挡 问题:为什么不选用R ×1挡(电流较大) R ×10k 挡(电压较高,二极管损坏) 2.接线
3.结论 (1)一次电阻较大(大于几百千欧),一次电阻较小(几百欧、几千欧),说明二极管正常。 (2)阻值小的,与黑笔相接的为二极管的正极。 1.1.5 二极管的分类、型号和参数
1.分类 (1)材料:硅二极管、锗二极管 (2)结面积:点接触型、面接触型 (3)用途:整流、稳压、发光、光电、变容 2.主要参数 (1)最大整流电流I FM :二极管允许通过的最大正向工作电流平均值。 (2)最高反向工作电压V RM :二极管允许承受的反向工作电压峰值,
⎪⎭
⎫ ⎝⎛≈31~21RM V 反向击穿电压。 (3)反向漏电流I R :规定的反向电压和环境温度下的二极管反向电流值。I R 越小,二极管的单向导电性能越好。
(引导)
(提问,引起思考)
(实操)