多电子复习要点及答案
高频电子电路复习要点
分类：
•按输出波形分
正弦波振荡器 非正弦波振荡器
•按选频回路元件分 R C 振 荡 器
L
C
振
荡
器
•按原理、性质分 反 馈 振 荡 器 负 阻 振 荡 器
一、振荡的建立
各信号电压具有如下关系
《高频电子线路》
A(
j
)
Vo Vi
A( )e jA ( )
k
f
(
j
)
Vf Vo
k f ( )e jk
5、噪声系数
2.2 高频小信号调谐放大器
《高频电子线路》
高频小信号调谐放大器的电路组成： 晶体管和LC谐振回路。
晶体管高频等效电路
一是物理模拟（混合 ）等效电路。
y 另一是形式等效电路（ 参数等效电路）。
2.2
单管单调谐放大器 一、电路组成及工作原理
《高频电子线路》
《高频电子线路》
二、电路性能分析
其中 为由调制电路决定的比例系数。
ka
（2）波形图和频谱图
《高频电子线路》
图4.1.5 单频调制的DSB信号的波形图和频谱图 （a） DSB波形图 （b） DSB频谱图
(3)双边带调幅信号的产生
《高频电子线路》
D SB(t)ka (t)c(t)
带通滤波器的中心频率为 f c ，带宽为 BW AM
试计算回路电感L和 Q e 的值。若电感线圈的
Q 0 =100，问在回路上应并联多大的电阻
才能满足要求？
常见典型滤波器 石英晶体滤波器 陶瓷滤波器 表面声波滤波器
《高频电子线路》
1.3
《高频电子线路》
高频小信号调谐放大器的主要质量指标 1、增益 2．通频带 B W 0.7 3、选择性 4、工作稳定性
《电子技术基础》复习要点
《电子技术基础》复习要点课程名称：《电子技术基础》适用专业：2018级电气工程及其自动化（业余）辅导教材：《电子技术基础》张志恒主编中国电力出版社复习要点第一章半导体二极管1.本征半导体❑单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。
❑导电能力介于导体和绝缘体之间。
❑特性：光敏、热敏和掺杂特性。
❑本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。
在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。
◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。
◆在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。
当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。
2．杂质半导体❑在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
◆P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。
◆N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。
❑杂质半导体的特性◆载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。
◆体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
◆在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
3.PN结❑在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。
❑PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。
❑PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。
◆正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。
◆反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。
电力电子技术复习要点
电力电子技术复习要点第一章 电力电子器件及其应用 一、一般性概念1、什么是场控（电压控制）器件、什么是电流控制器件？什么是半控型器件？什么是全控型器件？什么是复合器件？2、波形系数的概念，如何利用波形计算相关的平均值、有效值3、什么是器件的安全工作区，有何用途？4、什么是器件的开通、关断时间，器件开关速度对电路工作有何影响？ 二、二极管1、常用二极管有哪些类型？各有什么特点？2、二极管额定电流、额定电压的概念，如何利用波形系数选择二极管额定电流？ 三、晶闸管1、晶闸管的开通、关断条件、维持导通的条件2、维持电流、擎住电流的概念3、晶闸管额定电流、额定电压的概念，如何利用波形系数选择晶闸管额定电流？ 四、GTR1、GTR 如何控制工作？2、GTR 正常工作对控制电流有何要求？为什么？3、GTR 的安全工作区有何特别？什么是二次击穿现象，有何危害？4、GTR 额定电流、额定电压的概念，如何利用波形系数选择GTR 额定电流？ 五、MOSTFET 、IGBT1、MOSTFET 、IGBT 如何控制工作？2、MOSTFET 、IGBT 正常工作对控制电压有何要求？为什么？3、MOSTFET 、IGBT 额定电流、额定电压的概念，如何利用波形系数选择MOSTFET 、IGBT 管额定电流？六、如何设计RCD 缓冲电路的参数？各个约束条件的含义？如果增加m axdtdU、瞬态冲击电流I max 限制，其约束条件如何表达？第二章直流―直流变换电路一、基本分析基础1、电路稳态工作时，一个周期电容充放电平衡原理2、电路稳态工作时，一个周期电感伏秒平衡原理3、电路稳态工作时，小纹波近似原理二、Buck、Boost、Buck-Boost、Flyback、Forward电路1、电感电流连续时，电路稳态工作波形分析2、利用工作波形分析计算输入输出关系3、开关元件（VT、VD）的峰值电流、额定电流、承受的电压如何计算？4、输出纹波如何计算？第三章直流－交流变换电路一、单相方波逆变电路1、单相方波逆变电路控制规律、工作波形分析2、利用波形分析计算单相方波逆变电路输入电流、电压、功率和输出的电流、电压、功率3、单相方波逆变电路移相调压、矩形波调制调压的原理二、单相SPWM逆变1、SPWM调制的原理2、自然采样法、规则采样法、同步调制、异步调制、分段同步调制、幅度调制比、载波比（频率调制比）的概念3、桥式电路双极性SPWM逆变的控制方法、输入输出电压关系、如何实现输出基波的调频调压4、桥式电路单极性倍频SPWM逆变的控制方法、输入输出电压关系、如何实现输出基波的调频调压三、三相逆变1、三相方波逆变的控制原理、纯电阻负载工作波形分析2、三相方波逆变纯电阻负载输入、输出的电流、电压、功率计算3、三相SPWM逆变的控制原理，纯电阻负载工作波形分析4、三相SPWM逆变的电阻负载输入、输出的电流、电压、功率计算第四章交流－直流变换电路一、基本概念1、自然换流点、触发控制角、导通角、逆变角的概念2、如何判断自然换流点3、什么是理想条件假定，理想条件下电路分析可以作哪些简化？二、相控整流电路1、理想条件下单、三相整流电路（单相桥式、三相半波、三相桥式）触发控制规律、波形分析2、根据电路波形分析计算输入输出各个参量3、什么是有源逆变？逆变有何基本条件？什么是逆变颠覆？4、什么是APFC？单相APFC有哪些方法？三相APFC如何控制？第五章交流－交流变换电路一、相控调压电路1、相控调压电路的自然换流点判别与控制规律2、单相相控调压电路纯电阻负载波形分析计算3、单相相控调压电路阻感性负载电流连续的条件，连续、断续状态的波形分析、计算4、三相相控调压电路纯电阻负载波形分析计算复习各章例题、习题，重点掌握解题方法1、课堂例题2、课后习题1、晶闸管导通条件是什么？维持导通的条件是什么？怎样使晶闸管关断？导通条件：U AK>0，I GK>0维持导通：I AK维持在某一个值以上。
电力电子技术期末考试复习要点
电力电子技术期末考试复习要点课程学习的基本要求及重点难点内容分析第一章电力电子器件的原理与特性1、本章学习要求1.1 电力电子器件概述，要求达到“熟悉”层次。
1）电力电子器件的发展概况及其发展趋势。
2）电力电子器件的分类及其各自的特点。
1.2 功率二极管，要求达到“熟悉”层次。
1）功率二极管的工作原理、基本特性、主要参数和主要类型。
2）功率二极管额定电流的定义。
1.3 晶闸管，要求达到“掌握”层次。
1）晶闸管的结构、工作原理及伏安特性。
2）晶闸管主要参数的定义及其含义。
3）电流波形系数k f的定义及计算方法。
4）晶闸管导通和关断条件5）能够根据要求选用晶闸管。
1.4 门极可关断晶闸管（GTO），要求达到“熟悉”层次。
1）GTO的工作原理、特点及主要参数。
1.5 功率场效应管，要求达到“熟悉”层次。
1）功率场效应管的特点，基本特性及安全工作区。
1.6 绝缘栅双极型晶体管（IGBT），要求达到“熟悉”层次。
1）IGBT的工作原理、特点、擎住效应及安全工作区。
1.7 新型电力电子器件简介，要求达到“熟悉”层次。
2、本章重点难点分析有关晶闸管电流计算的问题：晶闸管是整流电路中用得比较多的一种电力电子器件，在进行有关晶闸管的电流计算时，针对实际流过晶闸管的不同电流波形，应根据电流有效值相等的原则选择计算公式，即允许流过晶闸管的实际电流有效值应等于额定电流I T对应的电流有效值。
利用公式I = k f×I d = 1.57I T进行晶闸管电流计算时，一般可解决两个方面的问题：一是已知晶闸管的实际工作条件（包括流过的电流波形、幅值等），确定所要选用的晶闸管额定电流值；二是已知晶闸管的额定电流，根据实际工作情况，计算晶闸管的通流能力。
前者属于选用晶闸管的问题，后者属于校核晶闸管的问题。
1）计算与选择晶闸管的额定电流解决这类问题的方法是：首先从题目的已知条件中，找出实际通过晶闸管的电流波形或有关参数（如电流幅值、触发角等），据此算出通过晶闸管的实际电流有效值I，考虑（1.5~2）倍的安全裕量，算得额定电流为I T = (1.5~2) I /1.57，再根据I T值选择相近电流系列的晶闸管。
PLC原理与应用试题答案及复习要点完整版
PLC试题答案及要点归纳汇总1、常用的主令电器有按钮、行程开关和转换开关等。
、交流接触器的灭弧一般采用___________、____________和______________等，直流接触器采用__________灭弧的方式。
、三相笼型异步电动机常用的降压起动方法有定子串电阻或阻抗减压起动、星形-三角形换接减压起动和延边三角形减压起动及自耦变压器减压起动等。
、实现电动机短路保护，通常采用熔断器。
、为使变速时齿轮易于啮合，X62W铣床中设置了________________控制线路。
、PLC是通过一种周期扫描工作方式来完成控制的，每个周期主要包括输入采样、程序执行、输出刷新三个阶段。
、说明下列指令意义。
MC 主控指令 ORB 模块或指令 RET 置位指令 LD 动合触头起指令MPS 进栈指令 RST 复位指令、低压电器按操作方式可分为自动电器和手动电器。
、电气控制系统中常用的保护环节有短路保护、过电流保护、过载保护和电压保护和弱磁保护等。
0、电气控制系统图主要有：电气原理图、电气元件布置图和电气安装接线图等。
1、笼型异步电动机常用的电气制动方式有能耗制动和反接制动。
2、PLC采用周期扫描的工作方式，一个扫描周期主要可分为输入采样、程序执行及输出刷新三个阶段。
3、串联触点较多的电路应编在梯形图的上方，并联触点多的电路应放在梯形图的左方。
4、PLC主控继电器指令是MC，主控继电器结束指令是MCR。
5、PLC的硬件主要由输入电路、输出电路和内部控制电路三部分组成。
6、电磁机构由吸引线圈、铁心、衔铁等几部分组成。
7、各种低压断路器在结构上都有主触头、灭弧装置、自由脱扣器和操作机构等部分组成。
8、交流接触器的触点系统分为主触头和辅助触点，用来直接接通和分断交流主电路和控制电路。
9、热继电器是利用电流流过发热元件产生热量来使检测元件受热弯曲，进而推动机构动作的一种保护电器，主要被用作电动机的长期过载保护。
多电子复习要点及答案
第五章多电子原子(1)关于氦原子光谱下列说法错误的是：A.第一激发态不能自发的跃迁到基态；B.1s2p 3P2,1,0能级是正常顺序；C.基态与第一激发态能量相差很大；D.三重态与单态之间没有跃迁(2)氦原子由状态1s2p 3P2,1,0向1s2s 3S1跃迁,可产生的谱线条数为：】A.0；B.2；C.3；D.1(3)氦原子由状态1s3d 3D3,2,1向1s2p3P2,1,0跃迁时可产生的谱线条数为：A.3；B.4；C.6；D.5(4)氦原子有单态和三重态两套能级,从而它们产生的光谱特点是:】A.单能级各线系皆为单线,三重能级各线皆为三线；B.单重能级各线系皆为双线,三重能级各线系皆为三线；C.单重能级各线系皆为单线,三重能级各线系皆为双线;D.单重能级各线系皆为单线,三重能级各线系较为复杂,不一定是三线.(5)下列原子状态中哪一个是氦原子的基态？A.1P1；B.3P1 ;C.3S1; D．1S0;(6)氦原子的电子组态为n1pn2s,则可能的原子态：A.由于n不确定不能给出确定的J值,不能决定原子态；B.为n1pn2s 3D2,1,0和n1pn2s 1D1；C.由于违背泡利原理只存单态不存在三重态；D.为n1pn2s 3P2,1,0和n1pn2s 1P1.(7)C++离子由2s3p 3P2,1,0到2s3s 3S1两能级的跃迁,可产生几条光谱线？A.６条；B．３条；C．２条；D．１条．(8)氦原子有单态和三重态,但1s1s3S1并不存在,其原因是:A. 因为三重态能量最低的是1s2s3S1;B.泡利不相容原理限制了1s1s3S1的存在;C. 因为1s1s3S1和1s2s3S1是简并态 D 以上说法都不正确(9)泡利不相容原理说:A.自旋为整数的粒子不能处于同一量子态中；B.自旋为整数的粒子能处于同一量子态中；C.自旋为半整数的粒子能处于同一量子态中;D.自旋为半整数的粒子不能处于同一量子态中.(10)若某原子的两个价电子处于2s2p组态,利用L－S耦合可得到其原子态的个数是：A.1；B.3;C.4;D.6.(11)4D3/2 态的轨道角动量的平方值是：A.３ 2 ;B.6 2;C.-２ 2;D.２ 2(12)一个p电子与一个 s电子在L－S耦合下可能有原子态为：A.3P0,1,2, 3S1 ;B.3P0,1,2 , 1S0;C.1P1, 3P0,1,2 ;D.3S1 ,1P1(13)设原子的两个价电子是p电子和d电子,在Ｌ－Ｓ耦合下可能的原子态有：A.4个；B.9个；C.12个；D.15个；(14)电子组态2p4d所形成的可能原子态有：A．1P ３P １F ３F； B. 1P 1D 1F 3P 3D 3F;C．3F 1F; D.1S 1P 1D 3S 3P 3D.(15)硼（Z=5）的B+离子若处于第一激发态,则电子组态为：A.2s2pB.2s2sC.1s2sD.2p3s(16)铍（Be ）原子若处于第一激发态,则其电子组态：A.2s2s ；B.2s3p ；C.1s2p;D.2s2p(17)若镁原子处于基态,它的电子组态应为：A ．2s2s B.2s2p C.3s3s D.3s3p(18)今有电子组态1s2p,1s1p,2d3p,3p3s,试判断下列哪些电子组态是完全存在的:A.1s2p ,1s1pB.1s2p,2d3p C,2d3p,2p3s D.1s2p,2p3s(19)电子组态1s2p 所构成的原子态应为:A1s2p 1P 1 , 1s2p 3P 2,1,0 B.1s2p 1S 0 ,1s2p 3S 1C 1s2p 3S 1 , 1s2p 3P 2,1,0; D.1s2p 1S 0,1s2p 1P 1(20)判断下列各谱项中那个谱项不可能存在:A.3F 2;B.4P 5/2;C.2F 7/2;D.3D 1/2(21)试判断原子态：1s1s 3S 1,1s2p 3P 2,1s2p 1D 1, 2s2p 3P 2中下列哪组是完全存在的？A. 1s1s 3S 1 1s2p 3P 2 2s2p 3P 2 B .1s2p 3P 2 1s2p 1D 1C. 1s2p 3P 2 2s2p 3P 2D.1s1s 3S 1 2s2p 3P 2 1s2p 1D 1(22)在铍原子中,如果3D 1,2,3对应的三能级可以分辨,当有2s3d 3D 1,2,3到2s2p 3P 2,1,0的跃迁中可产生几条光谱线？A ．6 B.3 C.2 D.9(23)有状态2p3d 3P →2s3p 3P 的跃迁：A.可产生9条谱线B.可产生7条谱线C 可产生6条谱线 D.不能发生提示：电子组态变动定则即奇性和偶性的变化。
光电子技术复习提纲（含标准答案）要点
光电⼦技术复习提纲（含标准答案）要点第1章绪论1.半导体光电器件是利⽤什么效应制作的器件？答：利⽤半导体光电效应制成的器件。
2.半导体光电器件是哪两种粒⼦相互作⽤的器件？答：是⼀种利⽤光⼦与电⼦相互作⽤所具有的特性来实现某种功能的半导体器件。
3.半导体发光器件主要包括哪两种？答：（1）发光⼆极管；（2）半导体激光器。
4.光电器件主要有利⽤哪些效应制作的器件？答：光电器件主要有利⽤半导体光敏特性⼯作的光电导器件，利⽤半导体光伏打效应⼯作的光电池和半导体发光器件等。
5.什么是半导体发光器件？答：利⽤半导体PN结正向通过电时载流⼦注⼊复合发光的器件称为半导体发光器件。
6.光电探测器件是如何转换信号的器件？答：通过电⼦过程探测光信号的器件，即将射到它表⾯上的光信号转换为电信号。
7.光电检测器⼯作在反向偏置状态。
8.光电池是利⽤什么效应制作的？答：光伏打效应。
9. 光纤通信的两个重要窗⼝是哪些？答：1.55um和1.3um。
第2章1. 光信号的频率在哪个频段？需要⽤什么器件检测？答：光信号的频率在1014 Hz以上，常⽤的电⼦器件⽆法对这⼀频率段产⽣良好的响应，必须使⽤光电⼦器件。
2. 常⽤的光电检测器：PIN、APD3. 光电检测器的⼯作过程？答：光电检测器件的⼯作过程：（1）光吸收——（2）电⼦-空⽳对产⽣——（3）载流⼦扩散和漂移——（4）检测4. 光信号（光束）⼊射到半导体材料后，如何产⽣电⼦空⽳对？答：光信号（光束）⼊射到半导体材料后，⾸先发⽣的过程就是半导体材料对光⼦的吸收，吸收光⼦以后才能产⽣价带电⼦的跃迁，从⽽产⽣电⼦空⽳对。
5. 半导体材料中的吸收过程可以分为哪两⼤类？答：本征吸收和⾮本征吸收6. 本征吸收⼜包括哪些？答：（1）直接吸收；（2）间接吸收7. ⾮本征吸收包括哪些？答：（1）激⼦吸收；（2）带内吸收；（3）杂质吸收8．本征吸收的必要条件？9.直接吸收中参与的粒⼦是什么？遵守哪两种守恒？答：只有电⼦和光⼦的参与，没有第3种粒⼦的参与。
电工与电子技术知识点
《电工与电子技术基础》教材复习知识要点第一章：直流电路及其分析方法复习要点基本概念：电路的组成和作用；理解和掌握电路中电流、电压和电动势、电功率和电能的物理意义；理解电压和电动势、电流参考方向的意义；理解和掌握基本电路元件电阻、电感、电容的伏－安特性，以及电压源（包括恒压源）、电流源（包括恒流源）的外特性；理解电路（电源）的三种工作状态和特点；理解电器设备（元件）额定值的概念和三种工作状态；理解电位的概念，理解电位与电压的关系。
基本定律和定理：熟练掌握基尔霍夫电流、电压定律和欧姆定理及其应用，特别强调Σ I=0和Σ U=0时两套正负号的意义，以及欧姆定理中正负号的意义。
分析依据和方法：理解电阻的串、并联，掌握混联电阻电路等效电阻的求解方法，以及分流、分压公式的熟练应用；掌握电路中电路元件的负载、电源的判断方法，掌握电路的功率平衡分析；掌握用支路电流法、叠加原理、戴维宁定理和电源等效变换等方法分析、计算电路；掌握电路中各点的电位的计算。
基本公式：欧姆定理和全欧姆定理Rr E I R U I +==0, 电阻的串、并联等效电阻212121,R R R R R R R R +=+=串串 KCL 、KVL 定律0)(,0)(=∑=∑u U i I 分流、分压公式U R R R U U R R R U I R R R I I R R R I 2122211121122121,;,+=+=+=+= 一段电路的电功率ba ab I U P ⨯= 电阻上的电功率R U R I I U P 22=⨯=⨯= 电能tP W ⨯=难点：一段电路电压的计算和负载开路（空载）电压计算，注意两者的区别。
常用填空题类型：1.电路的基本组成有电源、负载、中间环节三个部分。
2.20Ω的电阻与80Ω电阻相串联时的等效电阻为 100 Ω，相并联时的等效电阻为 16 Ω。
3.戴维南定理指出：任何一个有源二端线性网络都可以用一个等效的 电压 源来表示。
电力电子装置 2021复习要点
2021电力电子装置考试复习要点：1.电力电子装置与系统的基本组成及各部分功能要求能够画出系统图并说明各个部分功能。
☐（功率）输入输出☐信号变换/反馈回路☐控制系统☐驱动电路☐保护吸收电路☐主电路（含滤波电路）☐人机/通信（可选）2.各种开关器件的特性及适用范围；常用器件：SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT频率、功率特性及其使用范围。
3.开关器件选型依据；器件: 电压、电流、频率、功率4.电力电子变换器几种基本拓扑原理及分析拓扑结构：AC/DC(SCR、IGBT/MOSFET整流)、DC/DC(基本斩波电路：BUCK、BOOST等)、DC/AC(有源逆变、无源逆变)、AC/AC(基于SCR)5.电力电子变换器串并联组合变换器的多重化：减小谐波、提高电压、电流、功率。
6.电力电子装置为什么要高频化？高频化：减小体积、重量。
高频损耗及软开关技术。
7.硬开关与软开关的区别，它们典型的开通/关断电压电流波形，开关损耗的产生机理，与哪些因素有关；如何减小开关损耗；硬开关与软开关：开关损耗由开关电压、电流重叠及导通压降引起。
开关损耗四种类型。
采用软开关。
8.软开关按电压电流的不同可分为哪几类？软开关类型：零电压开通/零电流关断(效果好)、零电压关断/零电流开通(效果差)并分别说明。
9.ZVS PWM与ZVT PWM的异同点？哪种更优？为什么？ZVS PWM：零开关PWM：电路中引入了辅助开关来控制谐振的开始时刻，使谐振仅发生于开关过程前后。
ZVT PWM：零转换PWM：电路中采用辅助开关控制谐振的开始时刻，所不同的是，谐振电路是与主开关并联的，因此输入电压和负载电流对电路的谐振过程的影响很小，电路在很宽的输入电压范围内和从零负载到满载都能工作在软开关状态，而且电路中无功功率的交换被削减到最小，这使得电路效率有了进一步提高。
10.使用隔离型变换器的原因，有哪些典型的隔离型变换器？它们分别由哪个非隔离型变换器推演的隔离型变换器：电位隔离、电压变换。
《电子技术基础》复习要点
《电子技术基础》复习要点课程名称：《电子技术基础》适用专业：2018级电气工程及其自动化（业余）辅导教材：《电子技术基础》张志恒主编中国电力出版社复习要点第一章半导体二极管1.本征半导体❑单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。
❑导电能力介于导体和绝缘体之间。
❑特性：光敏、热敏和掺杂特性。
❑本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。
在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。
◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。
◆在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。
当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。
2．杂质半导体❑在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
◆P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。
◆N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。
❑杂质半导体的特性◆载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。
◆体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
◆在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
3.PN结❑在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。
❑PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。
❑PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。
◆正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。
◆反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。
《电力电子技术》复习资料
《电力电子技术》复习资料一 电力电子器件1. 要点：① 半控器件：晶闸管（SCR ）全控器件：绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）、电力晶体管（GTR ）、 门极关断晶闸管（GTO ）、电力场效应管（MOSEFT ） 不可控器件：电力二极管各器件的导通条件、关断方法、电气符号及特点。
②注意电流有效值与电流平均值的区别： 平均值：整流后得到的直流电压、电流。
有效值：直流电压、电流所对应的交流值。
波形系数：K f =有效值/平均值 。
③电力电子技术器件的保护、串并联及缓冲电路： du /dt ：关断时，采用阻容电路（RC ）。
di/dt ：导通时，采用电感电路。
二 整流电路1. 单相半波电路：① 注意电阻负载、电感负载的区别： ② 有效值与平均值的计算：平均值：整流后得到的直流电压、电流。
21cos 0.452d U U α+=d d U I R=有效值：直流电压、电流所对应的交流值。
U U =U I R = 波形系数：电流有效值与平均值之比。
f dIk I =② 注意计算功率、容量、功率因数时要用有效值。
③ 晶闸管的选型计算：Ⅰ求额度电压：2TM U =，再取1.5~2倍的裕量。
Ⅱ 求额度电流（通态平均电流I T （AV ）） 先求出负载电流的有效值（f d I k I =）； →求晶闸管的电流有效值（I T =I ）；→求晶闸管的电流平均值（()/T AV T f I I k =），再取1.5~2倍裕量。
2. 单相全桥电路负载：①注意电阻负载、电感负载和反电动势负载的区别： ② 电阻负载的计算：α移相范围：0~π负载平均值：整流后得到的直流电压、电流。
（半波的2倍）21cos 0.92d U U α+=d d U I R=负载有效值：直流电压、电流所对应的交流值。
U U =U I R = 晶闸管:电流平均值I dT 、电流有效值I T :dT d12I I =T I =③ 电感负载的计算：Ⅰ加续流二极管时，与电阻负载相同。
EDA复习要点全
主要知识点1、从执行方式看VHDL的描述语句包括那些描述语句？用VHDL语言进行设计时，按描述语句的执行顺序进行分类，可将VHDL语句分为顺序执行语句（Sequential）和并行执行语句（Parallel）。
2、目前流行的硬件描述语言有那些？常用的硬件描述语言有ABEL-HDL AHDL.VHDL和Verilog-HDL.而VHDL和Verilog-HDL是当前最流行的并成为IEEE标准的硬件描述语言。
3、MAX+PLUS2中各种文件的扩展名有哪些？*.vhd *.sym *.gdf *.scf4、基于MAX+PLUS2的设计流程设计输入、编译处理、验证（包括功能仿真、时序仿真、和定时分析）和器件编程5、目前较流行的EDA设计软件有那些？ALTERA公司： MAX+PLUS IIQUARTUS II（全新的EDA软件，正在逐步替代 MAX+PLUS) LATTICE莱迪思公司： isp EXPERT SYSTEMisp DesignExpert SYSTEM XILINX西林公司： FOUNDATIONISE（全新的EDA软件，正在逐步替代FOUNDATION）6、可编程逻辑器件的分类？按照变成工艺分哪些类？SPLD 简单可编程逻辑器件CPLD 复杂可编程逻辑器件FPGA 现场可编程门阵列ISP 在系统（线）可编程逻辑器件按编程工艺分为：熔丝开关（一次可编程，要求大电流）可编程低阻电路元件（多次编程，要求中电压）EPROM型（紫外线擦除电可编程逻辑器件）E PROM型（电可擦写编程器件）基于SRAM的编程元件7、VHDL程序设计中常用的库有那些？哪些库是显式（默认打开的）的，哪些是隐式的？P159VHDL程序设计的常用库：IEEE库、STD库、WORK库、VITAL 库、用户定义库。
显示库：IEEE库用户定义库 VITAL库隐式库：、STD库、WORK库8、程序包由那两部分组成？分别有什么作用？ P161程序包由两部分组成：程序包首和程序包体，程序包首为程序包定义接口，声明包中的类型、元件、函数和子程序。
微电子工艺技术复习要点答案(完整版)
微电子工艺技术复习要点答案(完整版)晶圆制造1．CZ法提单晶的工艺流程。
说明CZ法和FZ法。
比较单晶硅锭CZ、MCZ和FZ三种生长方法的优缺点。
答：1、溶硅2、引晶3、收颈4、放肩5、等径生长6、收晶。
CZ法：使用射频或电阻加热线圈，置于慢速转动的石英坩埚内的高纯度电子级硅在1415度融化（需要注意的是熔硅的时间不宜过长）。
将一个慢速转动的夹具的单晶硅籽晶棒逐渐降低到熔融的硅中，籽晶表面得就浸在熔融的硅中并开始融化，籽晶的温度略低于硅的熔点。
当系统稳定后，将籽晶缓慢拉出，同时熔融的硅也被拉出。
使其沿着籽晶晶体的方向凝固。
籽晶晶体的旋转和熔化可以改善整个硅锭掺杂物的均匀性。
即悬浮区融法。
将一条长度50-100cm 的多晶硅棒垂直放在高温炉反应室。
加热将多晶硅棒的低端熔化，然后把籽晶溶入已经熔化的区域。
熔体将通过熔融硅的表面张力悬浮在籽晶和多晶硅棒之间，然后加热线圈缓慢升高温度将熔融硅的上方部分多晶硅棒开始熔化。
此时靠近籽晶晶体一端的熔融的硅开始凝固，形成与籽晶相同的晶体结构。
当加热线圈扫描整个多晶硅棒后，便将整个多晶硅棒转变成单晶硅棒。
CZ法优点：①所生长的单晶的直径较大，成本相对较低；②通过热场调整及晶转，坩埚等工艺参数的优化，可以较好的控制电阻率径向均匀性。
缺点：石英坩埚内壁被熔融的硅侵蚀及石墨保温加热元件的影响，易引入氧、碳杂质，不易生长高电阻率单晶。
①可重复生长，提纯单晶，单晶纯度较CZ法高。
②无需坩埚、石墨托，污染少③高纯度、高电阻率、低氧、低碳④悬浮区熔法主要用于制造分离式功率元器件所需要的晶圆。
缺点：直径不如CZ法，熔体与晶体界面复杂，很难得到无位错晶体，需要高纯度多晶硅棒作为原料，成本高。
改进直拉法优点：较少温度波动，减轻溶硅与坩埚作用，降低了缺陷密度，氧含量，提高了电阻分布的均匀性2．晶圆的制造步骤答：1、整形处理：去掉两端，检查电阻确定单晶硅达到合适的掺杂均匀度。
2、切片3、磨片和倒角4、刻蚀5、化学机械抛光3. 列出单晶硅最常使用的两种晶向。
模拟电子技术期末考试复习要点(12电气信息类)
模拟电子技术期末考试复习要点第一章晶体二极管1、杂质半导体P型半导体：多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子；N型半导体：多数载流子是自由电子，少数载流子是孔穴；2、PN结形成的物理过程；伏安特性：正向特性：外加正向电压即正偏，空间电荷区变窄（或变薄），形成较大的正向扩散电流。
反向特性：外加反向电压即反偏，空间电荷区变宽（或变厚），形成很小的反向漂移电流；击穿特性：稳压二极管；3、晶体二极管主要特性：单向导电性。
当外加电压大于导通电压时，晶体二极管导通；当外加电压小于导通电压时，晶体二极管截止。
模型：简化电路模型（理想模型、恒压降模型）；电路分析方法：简化分析法（估算法、画输出信号波形方法）；（重点）应用：整流电路、限幅电路；（重点）作业：1-13、1-16第二章晶体三极管1、类型：NPN和PNP；2、基本结构三个区：基区、发射区、集电区；三个极：基极、发射极、集电极；两个结：发射结、集电结；3、工作模式放大模式：发射结正偏，集电结反偏——正向受控特性；饱和模式：发射结正偏，集电结正偏——受控开关特性；截止模式：发射结反偏，集电结反偏——受控开关特性；4、放大模式下的工作原理内部载流子传输过程；直流电流传输方程；直流简化电路模型；5、伏安特性曲线输入特性曲线族；输出特性曲线族：分为四个区——放大区、饱和区、截止区、击穿区；6、小信号电路模型：简化小信号电路模型；7、电路分析方法直流分析法：工程近似分析法——估算法；（P72-74：2-3-3 分压式偏置电路）交流分析法：小信号等效电路分析法；第四章放大器基础1、偏置电路和耦合方式偏置电路要求：提供合适的静态工作点，保证器件工作在放大模式；当环境温度等因素变化时，能稳定电路的静态工作点；分压式偏置电路；（重点）耦合方式：电容耦合、直接耦合（级间直流电平配置问题、零点漂移问题）；2、 基本组态放大器（共发、共集）（重点）直流通路、直流等效电路、交流通路、交流等效电路、静态工作点的计算（I BQ 、I CQ 、V CEQ ）、性能指标（输入电阻、输出电阻、电压增益）的计算、三种组态放大器的性能比较（P162）；3、 差分放大器（重点）差模信号和共模性号：大小相等、极性相反；大小相等、极性相同；（P178：例1、2）差模性能分析（双端输出电路、单端输出电路）：半电路差模交流通路、差模性能指标（差模输入电阻、差模输出电阻、差模电压增益）计算；共模性能分析（双端输出电路、单端输出电路）：半电路共模交流通路、共模性能指标（共模输入电阻、共模输出电阻、共模电压增益）计算；共模抑制比；作业：P254：4-1（a ）（b ）、4-15、4-20、4-27、4-37第五章 放大器中的负反馈1、 正反馈和负反馈正反馈：使净输入量增大；负反馈：使净输入量减小；2、 反馈极性与类型的判别（*）判断反馈类型：短路法；判断极性：瞬时极性法；3、 负反馈对放大器性能的影响：降低增益、减小增益灵敏度（提高增益稳定性）、改变输入、输出电阻（如何改变的？）；4、 引入负反馈的原则：要稳定直流量（如静态工作点）：引入直流负反馈；要稳定交流量（如电压放大倍数）：引入交流负反馈；要稳定输出电压：引入电压负反馈；要稳定输出电流：引入电流负反馈；要增大输入电阻：引入串联负反馈；要减小输入电阻：引入并联负反馈；要增大输出电阻：引入电流负反馈；要减小输出电阻：引入电压负反馈； 作业：第5章课件 例3第六章 集成运算放大器及其应用电路1、 理想条件下的两条重要法则：虚短：v v +-=、虚断：0i i +-==；2、 基本应用电路：反相放大器（虚地：0v v +-==）、同相放大器（同相跟随器）；3、 运算电路：反相加法器、同相加法器、减法器、积分器、微分器；作业：P382：6-1、6-3如有侵权请联系告知删除，感谢你们的配合！。
数字电子技术基础总复习要点
数字电子技术基础总复习要点一、填空题第一章1、变化规律在时间上和数量上都是离散是信号称为数字信号。
2、变化规律在时间或数值上是连续的信号称为模拟信号。
3、不同数制间的转换。
4、反码、补码的运算。
5、8421码中每一位的权是固定不变的，它属于恒权代码。
6、格雷码的最大优点就在于它相邻两个代码之间只有一位发生变化。
第二章1、逻辑代数的基本运算有与、或、非三种。
2、只有决定事物结果的全部条件同时具备时，结果才发生。
这种因果关系称为逻辑与，或称逻辑相乘。
3、在决定事物结果的诸条件中只要有任何一个满足，结果就会发生。
这种因果关系称为逻辑或，也称逻辑相加。
4、只要条件具备了，结果便不会发生；而条件不具备时，结果一定发生。
这种因果关系称为逻辑非，也称逻辑求反。
5、逻辑代数的基本运算有重叠律、互补律、结合律、分配律、反演律、还原律等。
举例说明。
6、对偶表达式的书写。
7、逻辑该函数的表示方法有：真值表、逻辑函数式、逻辑图、波形图、卡诺图、硬件描述语言等。
8、在n变量逻辑函数中，若m为包含n个因子的乘积项，而且这n个变量均以原变量或反变量的形式在m中出现一次，则称m为该组变量的最小项。
9、 n变量的最小项应有2n个。
10、最小项的重要性质有：①在输入变量的任何取值下必有一个最小项，而且仅有一个最小项的值为1；②全体最小项之和为1；③任意两个最小项的乘积为0；④具有相邻性的两个最小项之和可以合并成一项并消去一对因子。
11、若两个最小项只有一个因子不同，则称这两个最小项具有相邻性。
12、逻辑函数形式之间的变换。
（与或式—与非式—或非式--与或非式等）13、化简逻辑函数常用的方法有：公式化简法、卡诺图化简法、Q-M法等。
14、公式化简法经常使用的方法有：并项法、吸收法、消项法、消因子法、配项法等。
15、卡诺图化简法的步骤有：①将函数化为最小项之和的形式；②画出表示该逻辑函数的卡诺图；③找出可以合并的最小项；④选取化简后的乘积项。
电子技术复习要点
电子技术复习要点第14章1、晶体管工作于放大区的条件。
2、通过给出的晶体管的电极电位，判别三个电极的名称，及三极管的类型。
3、会使用电流判别法对三极管的工作状态进行判别。
4、二极管的单向导电性，对于含有单个二极管电路的分析。
5、稳压二极管的工作状态。
第15章1、非线性失真的定义及原因。
2、如果设计性能较好的放大电路，对于输入电阻和输出电阻的要求。
3、分压式的偏置放大电路，带旁路电容CE和不带旁路电容CE时，放大倍数的变化。
4、差分放大电路的主要作用。
5、阻容耦合多级放大电路的特点。
6、对于稳定静态工作点的分压式共射极放大电路的静态分析和动态分析。
（重点）第16章1、集成运算放大器中多级放大电路的耦合方式，反相输入、同相输入端和输出端相位的关系。
2、用集成运算放大器构成信号运算电路和电压比较器时，所引入的反馈类型。
3、集成运算放大器所构成的信号运算电路的求解，重点掌握比例、加法、减法运算。
（重点）第17章1、集成运算电路中，会用瞬时极性法判别正、负反馈。
2、各种类型的负反馈的作用。
第20章1、二进制编码器的构成，输入端和输出端的个数确定。
2、在门电路中对于多余输入端的处理。
3、常用的门电路的逻辑符号和逻辑功能。
4、常用的组合逻辑电路的种类。
5、门电路和组合逻辑电路特点。
6、用逻辑代数的运算法则化简逻辑函数。
（重点）7、简单的组合逻辑电路的设计。
（重点）第21章1、可控的RS触发器的动作特点（什么时刻翻转）。
2、D触发器的动作特点及逻辑功能。
3、常用的时序逻辑电路的种类。
4、触发器之间的逻辑功能转换。
4、JK触发器的动作特点及逻辑状态表和逻辑功能，会画输出波形。
（重点）。
数字电子技术复习题及参考答案
数字电子技术复习题一、单选题1、以下式子中不正确的是（ ）A. 1A A •=B. A A A +=C. B A B A +=+D. 11A +=2、在数字电路中，稳态时三极管一般工作在( )状态。
在图示电路中，若0i u <，则三极管T( ),此时uo =( )A ．放大，截止，5VB ．开关，截止，C ．开关，饱和，D ．开关，截止，5V3、N 个变量可以构成（ ）个最小项。
A. NB. 2N C 、 2ND 、 2N-1 TTL 门电路，为了使输出等于，4、图中电路为选择正确答案（ ）。
A ．正确，错误，错误B ．正确，错误，正确C ．正确，正确，正确D ．正确，正确，错误5、TTL 门电路输入端悬空时，应视为（ ）；(高电平，低电平，不定）。
此时如用万用表测量其电压，读数约为（ ）（，0V ，）。
A ．不定B ．高电平，C ．低电平，0VD ．高电平， 6、一个64选1的数据选择器有（ ）个选择控制信号输入端。
A ．6B ．16C ．32D ．64 7、设计计数器时应选用（ ）。
A ．锁存器B ．边沿触发器C ．同步触发器D ．施密特触发器8、欲将频率为f 的正弦波转换成为同频率的矩形脉冲，应选用（ ）。
A ．多谐振荡器B ．施密特触发器C ．单稳态触发器D ．'T 触发器 9、一片64k ×8存储容量的只读存储器（ROM ），有（ ）。
条地址线和8条数据线 条地址线和16条数据线 条地址线和8条数据线 条地址线和16条数据线10、ROM 必须在工作（ ）存入数据，断电（ ）数据；RAM 可以在工作中（ ）读写数据，断电（ ）数据。
A.中，不丢失；随时，将丢失B.前，不丢失；随时，将丢失C.前，不丢失；随时，不丢失D.前，丢失；随时，将丢失 11、若逻辑表达式F A B =+,则下列表达式中与F 相同的是( ) A.F AB = B.F AB = C. F A B =+ D.不确定 12、下列电路中，不属于组合电路的是：（ ） A.数字比较器； B.寄存器； C.译码器； D.全加器；13、不能用来描述组合逻辑电路的是：（ ）A.真值表；B.卡诺图；C.逻辑图：D.驱动方程；14、利用中规模集成计数器构成任意进制计数器的方法有( ) A.复位法 B.预置数法 C.级联复位法 D.以上都不是15、施密特“非”门和普通“非”门电路的阈值电压分别是（ ）个。
电力电子技术(2学分)复习要点及答案
一、填空题1、电子技术包括信息电子技术和电力电子技术两大分支。
通常所说的模拟电子技术和数字电子技术都属于信息电子技术。
2、电力电子技术就是应用于电力领域的电子技术，就是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。
3、信息电子技术主要用于信息处理，而电力电子技术主要用于电力变换。
4、电力包括交流和直流两种。
从公用电网直接得到的是交流，从蓄电池和干电池得到的是直流。
5、电力变换通常可分为四大类：交流变直流、直流变交流、直流变直流和交流变交流。
进行电力变换的技术称为变流技术。
6、通常把电力电子技术分为电力电子器件制造技术和变流技术两大分支。
变流技术也称为电力电子器件的应用技术，它包括用电力电子器件构成各种电力变换电路和对这些电路进行控制的技术。
7、电力电子器件应用技术：用电力电子器件构成电力变换电路和对其进行控制的技术，及构成电力电子装置和电力电子系统的技术，是电力电子技术的核心，理论基础是电路理论。
8、电力电子器件制造技术：是电力电子技术的基础，理论基础是半导体物理。
9、对于信息电子，器件既可工作在放大状态，也可处于开关状态；而电力电子总处在开关状态，为避免功率损耗过大。
这是电力电子技术的一个重要特征。
10、电力电子装置广泛用于高压直流输电、静止无功补偿、电力机车牵引、交直流电力传动、电解、励磁、电加热、高性能交直流电源等电力系统和电气工程11、通常把电力电子技术归属于电气工程学科。
它在电气工程学科中是一个最为活跃的分支，其不断进步给电气工程的现代化以巨大的推动力。
12、控制理论广泛用于电力电子技术，使电力电子装置和系统的性能满足各种需求。
13、电力电子技术可看成“弱电控制强电”的技术，是“弱电和强电的接口”，控制理论是实现该接口的强有力纽带。
14、控制理论和自动化技术密不可分，而电力电子装置是自动化技术的基础元件和重要支撑技术。
15、以计算机为核心的信息科学将是21世纪起主导作用的科学技术之一，而电力电子技术和运动控制一起，将和计算机技术共同成为未来科学技术的两大支柱。
高教版《模拟电子技术基础(第五版)课程讲义复习要点第2章教案4(2.5)
（8） Ri 1K (√)
（9） RO 5K (√)
（10）RO 2.5K (× )
（11） US 20mV (× )
（12） US 60mV (√)
2、 电路如图所示，已知晶体管＝50，在下列情况下，用直流
电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设VCC＝12V，
即从晶体管输入端看 进去等效为一个电阻 ：
rbe
uBE ＝ ube
iB
ib
近似计算得：
rbe
rbb
(1
)
26(mV) IEQ (mA)
式中: rbb ——为晶体管基区的体电阻，一般取100～300Ω。
IEQ ——是发射极电流的静态值，单位为mA。
⑵ 输出端口
观察：在静态工作点Q附近一个微小的范围内，输出特性曲 线具备什么特点？
• Au
式中 Ri Rb // rbe rbe
【例2-5-3】 在如图2.5.4（a）所示放大电路中，已知VCC=12V ，RB=370kΩ，RC=2kΩ，RE=2kΩ，RL=3kΩ，电流放大系数 β=80，rbe=1KΩ，UBEQ=0.7V，试求：
1、静态工作点； 2、动态参数：A&u、Ri 和 Ro
0.22mA
ICS
VCC UCES RC
2.2mA
I BS
ICS
0.045mA
T饱和，UC＝UCES＝0.5V。
（5）RC短路 UC＝VCC =12V。
晶体管简化微变等效电路
2、用微变等效电路法分析放大电路动态参数
动态参数
（Au、Ri、Ro）
用交流等效电路法解题的步骤：
（1）画出交流通路；
（2）画出放大电路的微变等效电路；
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
第五章多电子原子
(1)关于氦原子光谱下列说法错误的是：
A.第一激发态不能自发的跃迁到基态；
B.1s2p 3P2,1,0能级是正常顺序；
C.基态与第一激发态能量相差很大；
D.三重态与单态之间没有跃迁
(2)氦原子由状态1s2p 3P2,1,0向1s2s 3S1跃迁,可产生的谱线条数为：】
A.0；
B.2；
C.3；
D.1
(3)氦原子由状态1s3d 3D3,2,1向1s2p3P2,1,0跃迁时可产生的谱线条数为：
A.3；
B.4；
C.6；
D.5
(4)氦原子有单态和三重态两套能级,从而它们产生的光谱特点是:】
A.单能级各线系皆为单线,三重能级各线皆为三线；
B.单重能级各线系皆为双线,三重能级各线系皆为三线；
C.单重能级各线系皆为单线,三重能级各线系皆为双线;
D.单重能级各线系皆为单线,三重能级各线系较为复杂,不一定是三线.
(5)下列原子状态中哪一个是氦原子的基态？
A.1P1；
B.3P1 ;
C.3S1; D．1S0;
(6)氦原子的电子组态为n1pn2s,则可能的原子态：
A.由于n不确定不能给出确定的J值,不能决定原子态；
B.为n1pn2s 3D2,1,0和n1pn2s 1D1；
C.由于违背泡利原理只存单态不存在三重态；
D.为n1pn2s 3P2,1,0和n1pn2s 1P1.
(7)C++离子由2s3p 3P2,1,0到2s3s 3S1两能级的跃迁,可产生几条光谱线？
A.６条；B．３条；C．２条；D．１条．
(8)氦原子有单态和三重态,但1s1s3S1并不存在,其原因是:
A. 因为三重态能量最低的是1s2s3S1;
B.泡利不相容原理限制了1s1s3S1的存在;
C. 因为1s1s3S1和1s2s3S1是简并态 D 以上说法都不正确
(9)泡利不相容原理说:
A.自旋为整数的粒子不能处于同一量子态中；
B.自旋为整数的粒子能处于同一量子态中；
C.自旋为半整数的粒子能处于同一量子态中;
D.自旋为半整数的粒子不能处于同一量子态中.
(10)若某原子的两个价电子处于2s2p组态,利用L－S耦合可得到其原子态的个数是：
A.1；
B.3;
C.4;
D.6.
(11)4D3/2 态的轨道角动量的平方值是：
A.３ 2 ;
B.6 2;
C.-２ 2;
D.２ 2
(12)一个p电子与一个 s电子在L－S耦合下可能有原子态为：
A.3P0,1,2, 3S1 ;
B.3P0,1,2 , 1S0;
C.1P1, 3P0,1,2 ;
D.3S1 ,1P1
(13)设原子的两个价电子是p电子和d电子,在Ｌ－Ｓ耦合下可能的原子态有：
A.4个；
B.9个；
C.12个；
D.15个；
(14)电子组态2p4d所形成的可能原子态有：
A．1P ３P １F ３F； B. 1P 1D 1F 3P 3D 3F;
C．3F 1F; D.1S 1P 1D 3S 3P 3D.
(15)硼（Z=5）的B+离子若处于第一激发态,则电子组态为：
A.2s2p
B.2s2s
C.1s2s
D.2p3s
(16)铍（Be ）原子若处于第一激发态,则其电子组态：
A.2s2s ；
B.2s3p ；
C.1s2p;
D.2s2p
(17)若镁原子处于基态,它的电子组态应为：
A ．2s2s B.2s2p C.3s3s D.3s3p
(18)今有电子组态1s2p,1s1p,2d3p,3p3s,试判断下列哪些电子组态是完全存在的:
A.1s2p ,1s1p
B.1s2p,2d3p C,2d3p,2p3s D.1s2p,2p3s
(19)电子组态1s2p 所构成的原子态应为:
A1s2p 1P 1 , 1s2p 3P 2,1,0 B.1s2p 1S 0 ,1s2p 3S 1
C 1s2p 3S 1 , 1s2p 3P 2,1,0; D.1s2p 1S 0,1s2p 1P 1
(20)判断下列各谱项中那个谱项不可能存在:
A.3F 2;
B.4P 5/2;
C.2F 7/2;
D.3D 1/2
(21)试判断原子态：1s1s 3S 1,1s2p 3P 2,1s2p 1D 1, 2s2p 3P 2中下列哪组是完全存在的？
A. 1s1s 3S 1 1s2p 3P 2 2s2p 3P 2 B .1s2p 3P 2 1s2p 1D 1
C. 1s2p 3P 2 2s2p 3P 2
D.1s1s 3S 1 2s2p 3P 2 1s2p 1D 1
(22)在铍原子中,如果3D 1,2,3对应的三能级可以分辨,当有2s3d 3D 1,2,3到2s2p 3P 2,1,0的跃迁中可产生几条光谱线？
A ．6 B.3 C.2 D.9
(23)有状态2p3d 3P →2s3p 3P 的跃迁：
A.可产生9条谱线
B.可产生7条谱线
C 可产生6条谱线 D.不能发生
提示：电子组态变动定则即奇性和偶性的变化。
(24)已知Cl （Z=17）原子的电子组态是1s 22s 22p 63p 5,则其原子基态是：
A.2P 1/2;
B.4P 1/2 ;
C.2P 3/2;
D.4P 3/2
(25)试确定D 3／2谱项可能的多重性：
A.1，3，5，7；
B.2，4，6，8； C ．3，5，7； D.2，4，6. 提示：s l s l s l J -⋅⋅⋅-++=,,1,s ⇒而能级的重数12+s
(26)某系统中有三个电子分别处于s 态.p 态.d 态,该系统可能有的光谱项个数是：
A ．7； B.17； C.8； D.18
(27)钙原子的能级应该有几重结构？
A ．双重； B.一、三重； C.二、四重； D.单重
28．试指出多重性相同都等于5，而简并度都等于7的所有谱项。
由512=+S
712=+J
得：32==J S
而S L S L S L J -⋅⋅⋅-++=,1,
得：5,4,3,2,1=L
光谱项为：3535353535,,,,H G F D P
3．简答题
（1）简要解释下列概念：泡利不相容原理、洪特定则、朗德间隔定则.
（2）L-S耦合的某原子的激发态电子组态是2p3p，可能形成哪些原子态？若相应的能级顺序符合一般规律，应如何排列？并画出此原子由电子组态2p3p向2p3s可能产生的跃迁.（首都师大1998）
（3）写出两个同科p电子形成的原子态，那一个能级最低？
（4）写出5个同科p电子形成的原子态，那一个能级最低？
（5）写出4个同科p电子形成的原子态，那一个能级最低？
(7)汞原子有两个价电子,基态电子组态为6s6s若其中一个电子被激发到7s态（中间有6p态）由此形成的激发态向低能级跃迁时有多少种可能的光谱跃迁？画出能级跃迁图.
(8)某系统由一个d电子和一个2P3/2原子构成,求该系统可能的光谱项.。