复习提纲

1.描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标及其物理含义

2.简述集成电路发展的摩尔定律及其你的理解。

3.集成电路常用的材料有哪些？

4.什么是特征尺寸CD？

5.半导体产业发展方向?

6.解释一些英文缩写词

1)IC、VLSI、ULSI、CD、CMP、CVD、LPCVD、RIE等

2)Wafer 晶圆关键尺寸

3)active region 有源区

4)active component有源器件

5)Anneal退火

6)deposition淀积

7)Oxidation氧化

8)diffusion 扩散

9)dopant concentration掺杂浓度

10)epitaxial layer 外延层

11)ion implant 离子注入

12)magnetron sputtering 磁控溅射

13)silicon on insulator绝缘体上硅（SOI）

14)polish 抛光

15)chemical vapor deposition (CVD) 化学气相淀积

16)plasma enhanced CVD(PECVD) 等离子体增强CVD

17)atmospheric pressure CVD (APCVD) 常压化学气相淀积

18)BiCMOS双极CMOS

19)BPSG 硼磷硅玻璃

20)channel length沟道长度

21)chemical mechanical planarization (CMP)化学机械平坦化

22)dry/wet etch 干/湿法刻蚀

23)etch rate 刻蚀速率

24)gate oxide 栅氧化硅

25)IC reliability 集成电路可靠性

26)RF sputtering 射频溅射

7.集成电路工艺（integrated circuit technique ）概念

8.IC 制造的５个步骤

9.集成电路工艺划分

10.集成电路按工艺方法分为:

11.简述晶圆制备的九个工艺步骤

12.比较硅单晶锭CZ、MCZ和FZ三种生长方法的优缺点

13.SiO2在IC中的用途有哪些？

14.硅器件为避免芯片沾污，可否最后热氧化一层SiO2作为保护膜？为什么？

15.SiO2作为保护膜时为什么需要采用低温工艺?目前低温SiO2工艺有哪些方法?它们

降低制备温度的原理是什么？

16.硅的热氧化动力学模型：Deal－Grove模型（线性－抛物线模型）

17.画出热氧化过程中，杂质在Si-SiO2界面的分凝现象图。

18.掺氯氧化对提高氧化层质量的作用

19.SiO2中杂质有哪些类型？

20.描述干氧、水汽氧化、湿氧过程，说明各自特点。

21.影响氧化速率的因素主要有哪些？

22.热生长SiO2时，线性速率常数B/A和抛物线速率参数B与氧化分压、硅衬底晶向、

掺杂类型和浓度、掺氯的关系？

23.2D热氧化现象及原因

24.何谓掺杂？

25.掺杂工艺一般分为哪两步？

26.热扩散机制有哪些？

27.扩散源有哪些存在形态？

28.结深的定义

29.两步扩散

30.如何判断对费克定律用何种解析解：

31.什么是离子注入

32.与扩散源相比，离子注入有哪些优点？

33.离子注入后为何退火？

34.LSS理论:核阻止本领与电子阻止本领

i.核阻止本领在低能量下起主要作用（注入分布的尾端）

ii.电子阻止本领在高能量下起主要作用

35.离子注入的杂质分布及退火后的杂质分布

36.损伤退火的作用及注意事项

37.什么是沟道效应？如何降低沟道效应？

38.磷（P）、砷（As）—N型硅

39.硼（B）—P型硅

40.列举3种以上淀积薄膜的主要技术

41.质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工艺的区别

42.选择性外延Selective epitaxial growth (SEG)和非选择性外延Non-selective

epitaxial growth (NSEG)

43.LPCVD：降低气压的作用：

44.比较APCVD、LPCVD和PECVD三种方法的主要异同和主要优缺点？

45.如果一个工艺过程依靠对硅片的离子轰击，应会将硅片置于连接腔壁的接地电极上

还是与腔壁隔离的电极上?

46.采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜？这层膜的优点是什么？能否淀积在金属铝上？

若要在Al上生长氧化硅，可以采用什么工艺？

47.CVD生长几种主要薄膜工艺

48.等离子体是如何产生的？PECVD是如何利用等离子体的？

49.与蒸发Evaporation相比，溅射的优点？

50.溅射Sputtering概念与分类：

51.SiO2的制备方法

52.什么是图形转移技术

53.IC工艺对光刻的要求有哪些？

54.硅片曝光模式有哪三种？

55.解释正性光刻和负性光刻的区别？

56.接触式光刻、接近式光刻及投影式光刻的优缺点

57.光刻三要素：

58.光刻胶的作用

59.正胶和负胶的区别

60.列出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解释

61.描述曝光波长和图像分辨率之间的关系

62.光学光刻中影响图像质量的两个重要参数是什么？

63.提高分辨率的方法有哪些？

64.超细线条光刻技术

65.常见的光刻对准曝光设备：

66.去胶溶液：

67.干法去胶（Ash)：

68.刻蚀工艺有哪两种类型？简单描述各类刻蚀工艺