原子层沉积(ALD)操作说明介绍

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上一个沉积完成后继续做下一个原子层沉积Al2O3配方调控范例:
序号
类型
步数
数值(s)
1
Dose
2
0.040
2
Reaction
5.000
3
Purge
40.000
4Leabharlann Baidu
Dose
7
0.025
5
Reaction
5.000
6
Purge
40.000
7
Goto
1
50.000
8
End
3.编辑配方:--读取模式
Dose(0.02S)通入前驱体;沉积前编辑选择配方,读取;
配方编辑程序:
【Dose—Purge—Dose—Reaction—Purge—Goto—End】
注:1.正常只开泵、加热器,不关设备;
2.运行沉积过程中不可调配方页面;
3.看压力实时趋势—前驱体是否吹走来Purge时间;
4.压力0.2T(可通过调节流量计使其两端的MFCe与其匹配);
5.可同时进行多样品沉积;
原子层沉积Al2O3配方调控范例:
序号
类型
步数
数值(s)
1
Dose
2
0.020
2
Purge
20.000
3
Dose
7
0.015
4
Reaction
5.000
5
Purge
20.000
6
Goto
1
300.000
7
End
原子层沉积
操作:
1.开机—gy01(不能手动/自动调节)
wh02(可手动/自动调节)
2.进入页面自动模式:打开泵、流量计、加热器—工艺参数配置全部打开—稳定之后—关闭泵、流量计,打开充气阀—关充气—(压力760T左右)—开腔体、放基底—关闭腔体、打开充气—关充气、打开泵、流量计—待稳定,开前驱体源阀,打开沉积【几个circle后,关闭Vg(配置页面)】—完成循环后,打开Vg。
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