几种常用IGBT单体缓冲吸收电路的原理

几种常用IGBT单体缓冲吸收电路的原理

RS单体吸收电路

（1）抑制关断浪涌电压效果好

（2）最适用于斩波器

（3）IGBT容量较大时，R1，R2阻值选取小，开通时增加了IGBT集电极的容性开通电流，损耗增加，IGBT的功能受到限制。

充电RCD单体吸收电路

（1）可抑制关断浪涌电压

（2）充放电型RCD缓冲电路由于增加了二极管V DS，可使R3、R4增大，避免了IGBT功能受限制

（3）缓冲电路的损耗相当大

（4）因损耗大而不适用于高频开关用途

放电阻止型单体吸收电路

（1）具有较好抑制关断浪涌电压效果（2）缓冲电路产生的损耗小

（3）最适合于高频开关用途

C整体吸收电路

（1）线路最简单

（2）利用C7旁路浪涌尖峰电压

（3）C7取值不当，易与主回路电感LS构成谐振而产生振荡

（4）C7的取值根据能量守恒原理可求取

RCD整体吸收电路

（1）线路相当简单

（2）适用于各种逆变器

（3）VDS要示正向恢复电压VFM小，反向恢复时间短，软恢复的二极管，以降低Vcep值。关断损耗，避免引起振荡