TFT ITO腐蚀原因
TFT制程中高厚度ITO残留因素的研究
TFT制程中高厚度ITO残留因素的研究王灿;陈宁;刘英伟;赵磊;薛大鹏;杜建华;郭炜;王路【摘要】氧化铟锡(ITO)是薄膜晶体管工艺中最常用的透明导电薄膜,随着OLED 技术的发展,ITO作为透明阳极材料也被广泛应用.在高厚度(尤其是大于70 nm)非晶ITO工艺过程中,由于多种因素的影响,很容易产生残留,发生残留后会严重影响产品质量和项目进度.本文通过多次实验测试,综合多种不同厚度,尤其是针对高厚度非晶ITO,分析了TFT制程中影响残留的多种因素,考察重点因素及影响规律,有效地修正工艺条件,为之后的项目和生产过程提供了很好的参考价值.【期刊名称】《液晶与显示》【年(卷),期】2016(031)003【总页数】7页(P276-282)【关键词】薄膜晶体管;非晶氧化铟锡;残留;成膜;刻蚀【作者】王灿;陈宁;刘英伟;赵磊;薛大鹏;杜建华;郭炜;王路【作者单位】京东方科技集团股份有限公司,北京100176;京东方科技集团股份有限公司,北京100176;京东方科技集团股份有限公司,北京100176;京东方科技集团股份有限公司,北京100176;京东方科技集团股份有限公司,北京100176;京东方科技集团股份有限公司,北京100176;京东方科技集团股份有限公司,北京100176;京东方科技集团股份有限公司,北京100176【正文语种】中文【中图分类】TN141.9氧化铟锡(Indium Tin Oxide,简称 ITO)薄膜是宽禁带半导体材料[1],具有高电导率和可见光范围的高透射率,被广泛应用到光电器件中[2]。
ITO薄膜的制备方法有很多,如喷涂、蒸发、射频溅射和磁控溅射等。
随着显示技术的高精细化和大型化的发展,磁控溅射法备受欢迎[3-5]。
在TFT器件制作工艺中[6],ITO工艺顺序为“薄膜沉积—图形化曝光—刻蚀—剥离”,最终形成所需的图形。
ITO根据结晶的状况可以分为非晶ITO(a-ITO)与多晶ITO(poly-ITO)[7-10]。
关于ITO相关信息的了解
析氢腐蚀:在酸性较强的溶液中发生电化腐蚀时放出氢气; 应力腐蚀开裂:是指承受应力的合金在腐蚀性环境中由于裂纹的扩展而互生
失效的一种通用术语;
点腐蚀:是一种导致腐蚀的局部腐蚀形式; 晶间腐蚀:大多数的金属和合金在特定的腐蚀介质中都可能呈现晶间腐蚀; 间隙腐蚀:是局部腐蚀的一种形式,它可能发全于溶液停滞的缝隙之中或屏蔽
如何理解Panel上的ITO腐蚀?
一、什么是ITO。 二、理解下常见的几种ITO腐蚀。 三、生产遇见ITO腐蚀图片 四、ITO腐蚀容易出现的几种不良故障。 五、针对故障查找COF上是否有ITO腐蚀技巧。 六、现场指导
一、什么是ITO
ITO 是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡,ITO薄膜即铟 锡氧化物半导体透明导电膜,通常有两个性能指标: 电阻率和透光率。
Thanks
四、针对故障查找COF上ITO腐蚀技巧。
先查看X1 或Y1 和X轴的最后一个COF,COF背面有无明显的发黑或发白的区域。 对部分竖线(带)或横线(带)对应的区域,要有针对的性的查看相对应的COF。
四、针对故障查找COF上ITO腐蚀技巧。
先查看X1 或Y1 和X轴的最后一个COF,COF背面有无明显的发黑或发白的区域。 对部分竖线(带)或横线(带)对应的区域,要有针对的性的查看相对应的COF。
简单理解下ITO就是一种在Panel内侧上敷有一层透明 线路的半导体,比较常见的叫氧化铟锡(Indium Tin Oxide)。
二、理解下常见的几种ITO腐蚀
电化学腐蚀:金属材料与电解质溶液接触,通过电极反应产生的腐蚀; 吸氧腐蚀:金属在酸性很弱或中性溶液里,空气里的氧气溶解于金属表面水膜
的表面内;
全面腐蚀:是用来描述在整个合金表面上以比较均匀的方式,由于材料腐蚀逐
LCD-ITO腐蚀分析报告原厂
表單編號:
11.客戶要求: 解析不良原因,并提供8D解析報告
3.Containment Action 立即\阻遏對策
Perform the activity to reduce the possible impact on products in customers, stock and WIP.
Action/對策內容: 取得返品後立即進行解析
Part Number: Defect Mode: Defect Rate:
035B7N1-B00 電腐蝕 不良數量:45P
Open Date:
2011/11/11
Location of Defect Found: 瀚威/勝景
Detect Station:
市場返品
Printed:11/11/21
1
PDF 文件使用 "pdfFactory Pro" ?用版本?建
Printed:11/11/21
4
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NA
NA
Team Leader 盧忠村 陳皓新
NA
NA
Remark(*) N/A
NA NA
李孟镒
歐憲璋
NA
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NA
NA
NA
NA
NA
(*)The major responsible personnel/dept, Please remark byˇ.
主要負責單位/責任人員,請打勾.
2. Problem Description 問題描述
N/A
7. Recurrence Prevention (預防再發)
Horizontal Deployment and update the FMEA, Control plan or SOP
ITO玻璃的刻蚀(专业实验资料1)
涂胶工艺研究实验目的1、学会匀胶台的使用;2、掌握涂胶工艺技术。
实验仪器匀胶台实验步骤1.涂光刻胶涂胶是光刻的首道工序,它是在玻璃表面上涂一层光刻胶,涂胶效果控制好坏直接影响光刻质量,涂胶的质量要求是:胶与粘附良好,不能有胶脱落现象;涂层厚度均匀一致,不能有厚有薄,否则会在显影,刻蚀时会出现图形缺陷;涂层表面状态不能有条纹,针孔,突起等缺陷。
涂胶方法有浸涂,甩涂,辊涂等,其中辊涂的涂覆质量好于其它两种,它是通过胶辊将光刻胶均匀的涂在玻璃上。
为保证胶膜的质量,涂胶工序应在洁净条件下进行,它的温度是22℃±3℃,湿度低于60%,并在不含紫外光成分的黄灯条件下进行操作。
2.前烘前烘的目的是促使胶膜内溶剂充分挥发,使胶膜干燥以增加胶膜与表面的粘附性和胶膜的耐磨性。
曝光时,掩摸板与光刻胶即使接触也不会损伤光刻胶膜和沾污掩摸板,同时,只有光刻胶干燥,在暴光时,才能充分进行光化学反应。
前烘方式有两种,一种是在恒温干燥箱中烘干;另一种是用红外炉烘干。
影响前烘质量的主要因素是烘干温度和烘干时间,胶膜烘烤不足时,胶膜内的溶剂未充分挥发掉,暴光显影时,未受光的部分也被溶除形成浮胶或使图形变形,胶膜烘烤时间过长或温度过高时,会导致胶膜翘曲硬化,在显影时会显不出图形或图形留有底膜。
光刻机使用及光刻工艺研究实验原理光刻是液晶显示器制造过程中的关键工艺之一。
光刻质量的好坏对产品的性能影响很大,是影响成品率的关键因素之一。
随着高密度点阵类液晶显示器,有源矩阵液晶显示器的飞速发展,显示屏上的图形越来越复杂,精密度越来越高,光刻技术就显得特别重要。
光刻就是在导电玻璃上涂覆感光胶,并进行曝光,然后利用光刻胶的保护作用,对ITO的导电层进行选择性化学腐蚀,从而在ITO导电玻璃上得到与掩摸板完全对应的图形。
实验目的3、学会光刻机的使用;4、掌握光刻技术。
完成光刻工艺的全部流程,包括基板清洗、掩膜曝光、显影、烘干等,学会对光刻质量的测定。
TFT_ITO腐蚀原因
TFT_ITO腐蚀原因及防止在液晶显示行业即LCD和LCM行业,COG工艺过程及产品经常会有腐蚀现象发生,也有许多工厂称之为电刻蚀。
据调查,无论国内还是国外LCD行业都有不同程度的腐蚀现象存在,因为腐蚀问题,许多工厂损失巨大,单一生产COG产品的国外工厂出现腐蚀问题后损失可达百万人民币,同时此种现象不受控,工厂生产时有时一粒也不出,但有时比例高达100%。
如果对COGLCD做高温高湿实验,实验条件60℃,90%RH,腐蚀现象会更加明显且容易出现,从而利用这一实验条件可以对控制的效果进行评估和验证。
一、物质产生腐蚀的原因有哪些呢?腐蚀是工业上普遍存在的一种缺陷,尤其是在管道,建筑等等方面,COG类LCD电极腐蚀也属于这一范畴,根据腐蚀的理论,腐蚀的原因主要有以下几个方面:1、电化学腐蚀金属材料与电解质溶液接触,通过电极反应产生的腐蚀。
电化学腐蚀反应是一种氧化还原反应。
在反应中,金属失去电子而被氧化,其反应过程称为阳极反应过程,反应产物是进入介质中的金属离子或覆盖在金属表面上的金属氧化物(或金属难溶盐);介质中的物质从金属表面获得电子而被还原,其反应过程称为阴极反应过程。
在阴极反应过程中,获得电子而被还原的物质习惯上称为去极化剂。
在均匀腐蚀时,金属表面上各处进行阳极反应和阴极反应的概率没有显著差别,进行两种反应的表面位置不断地随机变动。
如果金属表面有某些区域主要进行阳极反应,其余表面区域主要进行阴极反应,则称前者为阳极区,后者为阴极区,阳极区和阴极区组成了腐蚀电池。
直接造成金属材料破坏的是阳极反应,故常采用外接电源或用导线将被保护金属与另一块电极电位较低的金属相联接,以使腐蚀发生在电位较低的金属上。
2、吸氧腐蚀金属在酸性很弱或中性溶液里,空气里的氧气溶解于金属表面水膜中而发生的电化腐蚀,叫吸氧腐蚀.例如钢铁在接近中性的潮湿的空气中腐蚀属于吸氧腐蚀,其电极反应如下:负极(Fe):Fe-2e=Fe2+正极(C):2H2O+O2+4e=4OH-钢铁等金属的电化腐蚀主要是吸氧腐蚀.3、析氢腐蚀在酸性较强的溶液中发生电化腐蚀时放出氢气,这种腐蚀叫做析氢腐蚀。
玻璃基板温度对TFT端子腐蚀的影响
玻璃基板温度对TFT端子腐蚀的影响【摘要】随着显示技术的发展,工控设备、车载装置等显示产品的市场占有率逐渐升高,然而工控、车载市场对显示器件增加的需求不仅体现在量上,对产品在极限使用环境下的信赖性也提出了全面的挑战。
由Al建成的TFT-LCD 配线区的金属线路,很容易发生端子腐蚀,Mo 以Al/Mo 或者Mo/Al/Mo的膜层结构形式将空气中的水氧与Al隔绝,但是Mo也只能在一段时间内的保护Al不被腐蚀,在RA极限测试条件下,水中氧会穿过Mo的柱状晶体缝隙,与Al发生反应。
故本文研究通过提高PVD成膜时玻璃基板温度改善Mo层膜质,通过SEM、TEM分析和盐雾测试验证不同条件对TFT端子腐蚀的影响,结果发现提高PVD 成膜时玻璃基板温度可以改善TFT 端子腐蚀。
【关键词】玻璃基板温度SEM TEM 盐雾测试一、引言随着科学技术的发展,工业设备以及自动化车载装置对多样化显示器件的需求与日俱增。
然而工控、车载市场对显示器件增加的需求不仅体现在量上,对产品在极限使用环境下的信赖性提出了全面的挑战。
金属铝(Al)由于其极低的电阻率以及广泛的保有量而导致的低成本被TFT-LCD (薄膜晶体管液晶显示器件)广泛地应用在栅极(Gate)、源极数据线(Source)等TFT 器件的导通材料。
因应玻璃与驱动线路板连接的需求,在TFT-LCD的配线区(Fan out),金属线路有可能裸露在空气中,尤其在通电的状况下发生电化学反应,容易出现金属线路(端子)腐蚀,严重影响TFT-LCD 显示性能。
为降低金属Al发生腐蚀的风险现有技术在金属Al 层上方增加耐腐蚀的Mo。
然而因Mo层薄膜是柱状晶体结构,空气中的氧可能会通过柱状界面的缝隙,扩散至Al层,跟Al发生氧化反应(如图1 )。
增加Mo的膜厚,可在一定程度上延长扩散距离从而延长Al被腐蚀需要的时间,以达到保护Al 层的作用。
对于更高信赖性要求的产品,需要更好的杜绝腐蚀。
ITO镀膜玻璃的介绍
TFT-LCD特点 TFT的引入使产品的显示容量显著提高: 可以在VGA、XVGA等模式下工作 用于笔记本电脑的显示屏 需要在玻璃基片上制作数量庞大的TFT
多次镀膜和多次光刻 生产工序很多,必须极严格控制质量
3-4
第三讲 ITO玻璃及基本参数
第三讲
ITO玻璃的基本参数
① 尺寸及尺寸公差
规格 1.1mm 0.7mm 0.55mm 0.50mm 0.4mm 长宽 ±0.2mm ±0.2mm ±0.2mm ±0.2mm ±0.2mm 厚度 ±0.05mm ±0.05mm ±0.05mm ±0.05mm ±0.05mm 垂直度 L ≤0.10% ≤0.10% ≤0.10% ≤0.10% ≤0.10%
180°~ 270°
STN -LCD特点 扭曲角度的增加,使下列性能得到改善: 显示对比度提高 显示容量增加 视角变宽
对电阻相当敏感,基片需要抛光 高容量显示要求ITO的电阻低,膜要厚
3-3
第二讲
ITO玻璃简介
TFT-LCD
TFT=Thin Film Transistor 薄膜晶体管 每一个点阵都由薄膜晶体管来控制
● 透明 ● 导电
应用范围
● 易酸刻蚀
● 耐碱腐蚀
液晶显示、触摸屏、电子纸、 有机发光二极管、太阳能电池、 抗静电膜、EMI屏蔽膜、光学 镀膜、红外反射膜等。
缺点——铟在地壳中含量少:0.049 ppm (百万分之一) 全球预估铟储量仅5万吨,其中可开采的占50% 。中国是
主要产出国,保有储量为13014吨。
2. 产品表面存在难以洗净的污迹 光刻胶涂不匀,电极开路 3. 面电阻过大 4. 膜厚不匀 5. 玻璃平整度不良 6. 没镀SiO2膜 施加于液晶层的有效电压降低 酸刻控制难度变大 出现彩虹 字肥、扩散、鬼影
ito腐蚀不良分析报告
ITO腐蚀不良分析报告1. 引言ITO(Indium Tin Oxide)是一种广泛应用于透明导电材料的氧化铟锡化合物。
它具有高透明度和良好的导电性能,被广泛应用于液晶显示器、触摸屏和太阳能电池等领域。
然而,在某些特定环境下,ITO薄膜可能会发生腐蚀不良,导致其性能下降。
本报告旨在对ITO腐蚀不良进行分析和评估。
2. 实验方法我们采用了以下实验方法对ITO腐蚀不良进行分析:•样品制备:选择具有ITO薄膜的玻璃基片作为实验样品。
确保样品表面清洁,并进行必要的预处理。
•腐蚀试验:在特定腐蚀介质中,将ITO样品置于一定温度和湿度条件下进行腐蚀试验。
记录腐蚀时间和观察腐蚀程度。
•表征分析:使用光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪等设备对腐蚀后的ITO样品进行表征分析。
•数据分析:对实验结果进行统计和分析,以确定腐蚀不良的原因和机制。
3. 实验结果经过腐蚀试验和表征分析,我们得到了以下实验结果:•腐蚀程度评估:根据光学显微镜观察和比较腐蚀前后的样品表面,我们评估了腐蚀程度的变化。
发现在特定腐蚀介质中,ITO薄膜表面出现了均匀的腐蚀现象。
•表征分析结果:使用SEM观察腐蚀后的ITO样品表面,发现腐蚀区域出现了微小的凹陷和裂纹。
能谱仪分析进一步确认了腐蚀区域的化学成分变化。
4. 分析与讨论基于实验结果,我们对ITO腐蚀不良进行了分析和讨论:•腐蚀机制:通过对腐蚀区域的观察和化学成分分析,可以推断腐蚀机制为电化学腐蚀。
特定腐蚀介质中的离子和氧化还原反应导致ITO薄膜的表面溶解和腐蚀。
•腐蚀影响: ITO薄膜的腐蚀不良会导致其透明度和导电性能下降,进而影响到相关器件的性能和寿命。
因此,对ITO腐蚀不良进行分析和预防具有重要意义。
•预防策略:针对ITO腐蚀不良,我们可以采取以下预防策略:选择合适的腐蚀介质、改进ITO薄膜的制备工艺、增加薄膜的保护层等。
5. 结论通过对ITO腐蚀不良的实验分析和讨论,我们得出以下结论:•ITO腐蚀不良是一种电化学腐蚀现象,会导致其透明度和导电性能下降。
TFT-LCD返工IC端子腐蚀行为研究
TFT-LCD返工IC端子腐蚀行为研究高洪波【摘要】TFT-LCD端子区黏合玻璃芯片(COG)、柔性印刷电路板(FPC)时会出现显示异常,需要对集成电路(IC)进行返工并重新黏合,返工时异方性导电胶(ACF)去除液极易造成端子区腐蚀.实验对腐蚀位置进行扫描电子显微镜(SEM)表面像和断面像分析,确认了膜层结构与膜层厚度,验证了多种ACF去除液在不同时间的去除效率.实验表明,由于氧化铟锡(ITO)和M2刮伤,引起去除液渗透到各膜层,造成端子腐蚀,而采用G-430型去除液涂抹且静置1 min后再用丙酮去除的方法,则可有效去除ACF且无腐蚀现象.该方法返工效率高,且棉签代替竹签操作方便,减少刮伤隐患,间接增强了端子耐腐蚀性能.【期刊名称】《光学仪器》【年(卷),期】2018(040)003【总页数】5页(P71-75)【关键词】TFT-LCD;端子腐蚀;去除液;膜层结构【作者】高洪波【作者单位】广东顺德工业设计研究院(广东顺德创新设计研究院),广东佛山528311;中山大学电子与信息工程学院,广东广州 510006【正文语种】中文【中图分类】TN873.93Abstract: When TFT-LCD display becomes abnormal after terminal area bonding with chip on glass(COG),flexible printed circuit(FPC),it requires re-bonding the integrated circuit(IC) and anisotropic conductive film(ACF) removal fluid can easily lead to corrosion of the terminal area.In the experiment,the scanning electronic microscopy(SEM) surface image and cross-sectional image were used for the analysis of corrosion location,the film structure and thickness.The efficiency of various ACF removal fluids for different processing time was confirmed.The experimental results showthat due to the scratch on indium tin oxide(ITO) & M2,removal fluid is easy to penetrate into the layers after scratching,causing corrosion on the terminal.After applying G-430 removal fluid for 1 min,acetone can be removed.It can effectively remove the glue without corrosion.The efficiency is greatly improved.It is easy to operate with cotton swab instead of bamboo sticks for reducing the risk of scratches and enhancing the performance for the corrosion proof.Keywords: TFT-LCD; terminal corrosion; cleaning fluid; film structure引言薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor-liquid crystal display,TFT-LCD)凭借良好的性能、较低的功耗、时尚的外形已逐渐替代黑白阴极射线管(CRT)显示器[1]。
解决单层多点TP产品制造中ITO残留问题的方法
解决单层多点TP产品制造中ITO残留问题的方法作者:王岩陆建刚李延辉来源:《科学与财富》2014年第11期摘要:研究了单层多点TP产品工艺中ITO残留问题的解决方法。
在现有清洗→成膜→图形→刻蚀→剥离→退火这一系列工艺流程的基础上增加了一次退火和一步草酸刻蚀,此改进大大降低了ITO残留的可能性,并降低了电阻率,增大了蓝光穿透率,相对提高了产品的良率和性能。
关键词:ITO残留;单层多点TP;退火;草酸刻蚀;蓝光穿透率1 引言锡掺杂氧化铟(ITO)薄膜是一种n型半导体材料,它具有较宽的带隙(3.5~4.3eV),较高的载流子密度(1021cm-3)[1~4]。
另外,ITO薄膜还具有许多其它优异的物理、化学性能,例如高的可见光透过率和电导率,与大部分衬底具有良好的附着性,较强的硬度以及良好的抗酸、碱及有机溶剂能力。
因此,ITO薄膜被广泛应用于各种光电器件中,如LCDs、太阳能电池、能量转换窗口、固态传感器和CRTs等应用中。
随着手机,平板等消费市场对轻薄化和触控感的更高追求,现在市场上发展出了很多触摸屏技术,比如on-cell, G+G,OGS等,其中on-cell等采用单层多点设计技术的TP产品在窄边框,轻薄化等方面有一定优势。
现在而且随着单层多点触控方案成本续降,中国大陆白牌及中低阶手机品牌厂纷纷计划于2014年新一代产品线中扩大导入,藉此开发出轻薄且低价的智能型手机,加速拱大市场渗透率,可望带动单层多点触控方案需求量激增。
TFT—LCD生产过程中,由于存在很多会影响ITO沉积与蚀刻的因素。
如基板温度改变、ITO沉积速率改变、ITO厚度改变以及ITO沉积时水汽量的调整都会造成ITO结晶形态改变;另一方面,在ITO蚀刻过程中,不同结晶形态的ITO对蚀刻溶剂有不同的要求,a-ITO使用草酸即可以蚀刻,对poly-ITO则必须使用硝酸系甚至王水才能得到较好的蚀刻效果与蚀刻速率。
而在实际制程中,蚀刻所用的溶剂是一定的草酸,当ITO多晶化后,蚀刻液就无法将这一部分蚀刻掉,造成ITO残留现象的产生。
TFT-LCD面板玻璃减薄工艺流程及不良简介
瀑布流
优点: 1.表面最光滑,甚 至可以不用抛光
8
减薄流程
T清e洗xt in here
蚀刻
Slimming
清洗
9
减薄设备
Loader 单元
预清洗单 元
蚀刻单元
清洗单元
干燥单元
Unloader 单元
其余组件: 供酸装置 HF酸浓度计 温度控制器 洗气装置
10
减薄工艺参数
1.反应时间与玻璃质量损失的关系
适应产品 可修复不良
CAPA
Polishing
自动研磨
清洗
外观检查
手动研磨
无破损产品 不良率高发,严重不良 Q-panel抛光,效率高
所有产品 不良率较低的轻微不良 针对单点不良修复,效率低
15
减薄工艺自身不良
1.不可擦拭脏污
2.薄化不匀
16
减薄工艺自身不良
玻璃本身
玻璃被蚀刻 时局部蚀刻不一 致
6HF+SiO2->H2SiF6+2H2O
液体+固体(玻璃)->液体
1
2
原理及方式
4 3
7
三种方式优缺点
多片直立浸泡
优点: 1.可以同时间处理 多片玻璃。 缺点: 1.装置大型。 2.外围产生沉淀物, 白色粉沫,容易粘 附在Glass上。
单片直立喷洒
优点: 1.可以满足两面不 同蚀刻要求。多片 缺点: 1.蚀刻表面易产生 凹点。
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6、意志坚强的人能把世界放在手中像 泥块一 样任意 揉捏。 2020年 12月10 日星期 四上午 2时39 分34秒0 2:39:34 20.12.1 0
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7、最具挑战性的挑战莫过于提升自我 。。20 20年12 月上午 2时39 分20.12. 1002:3 9December 10, 2020
TFT_ITO腐蚀原因
TFT_ITO腐蚀原因及防止在液晶显示行业即LCD和LCM行业,COG工艺过程及产品经常会有腐蚀现象发生,也有许多工厂称之为电刻蚀。
据调查,无论国内还是国外LCD行业都有不同程度的腐蚀现象存在,因为腐蚀问题,许多工厂损失巨大,单一生产COG产品的国外工厂出现腐蚀问题后损失可达百万人民币,同时此种现象不受控,工厂生产时有时一粒也不出,但有时比例高达100%。
如果对COGLCD做高温高湿实验,实验条件60℃,90%RH,腐蚀现象会更加明显且容易出现,从而利用这一实验条件可以对控制的效果进行评估和验证。
一、物质产生腐蚀的原因有哪些呢?腐蚀是工业上普遍存在的一种缺陷,尤其是在管道,建筑等等方面,COG类LCD电极腐蚀也属于这一范畴,根据腐蚀的理论,腐蚀的原因主要有以下几个方面:1、电化学腐蚀金属材料与电解质溶液接触,通过电极反应产生的腐蚀。
电化学腐蚀反应是一种氧化还原反应。
在反应中,金属失去电子而被氧化,其反应过程称为阳极反应过程,反应产物是进入介质中的金属离子或覆盖在金属表面上的金属氧化物(或金属难溶盐);介质中的物质从金属表面获得电子而被还原,其反应过程称为阴极反应过程。
在阴极反应过程中,获得电子而被还原的物质习惯上称为去极化剂。
在均匀腐蚀时,金属表面上各处进行阳极反应和阴极反应的概率没有显著差别,进行两种反应的表面位置不断地随机变动。
如果金属表面有某些区域主要进行阳极反应,其余表面区域主要进行阴极反应,则称前者为阳极区,后者为阴极区,阳极区和阴极区组成了腐蚀电池。
直接造成金属材料破坏的是阳极反应,故常采用外接电源或用导线将被保护金属与另一块电极电位较低的金属相联接,以使腐蚀发生在电位较低的金属上。
2、吸氧腐蚀金属在酸性很弱或中性溶液里,空气里的氧气溶解于金属表面水膜中而发生的电化腐蚀,叫吸氧腐蚀.例如钢铁在接近中性的潮湿的空气中腐蚀属于吸氧腐蚀,其电极反应如下:负极(Fe):Fe-2e=Fe2+正极(C):2H2O+O2+4e=4OH-钢铁等金属的电化腐蚀主要是吸氧腐蚀.3、析氢腐蚀在酸性较强的溶液中发生电化腐蚀时放出氢气,这种腐蚀叫做析氢腐蚀。
tft器件过孔腐蚀机理研究及改善
摘 要 :通过原电池反应模型模拟,研究了 TFT 器件过孔腐蚀的机理。从材料的选择、过孔的形貌、金属间界面及表面防护四
个方面,提出了提升过孔抗腐蚀能力的方向和详细措施。减少金属间的电势差和去除界面电解质溶液残留,是提升 TFT 器件过
孔抗腐蚀能力的主要方向。
关键词 :过孔腐蚀 ;TFT 器件 ;原电池腐蚀反应模型 ;电势差
2 机理分析 TFT 器件过孔的腐蚀是一个很复杂的化学反应,加上 TFT
器件制程工艺复杂,影响因子也非常复杂。为了更清楚的描述这 个复杂的反应,有利于我们寻找改善的关键因子,我们引入一个 原电池腐蚀模型来解释过孔腐蚀的机理。在这个模型中,我们将 过孔整体看做一个原电池构造,上下两层接触的金属看做原电 池的阳极和阴极,金属间残留的溶液看做电解质。如图 3 所示。 在原电池腐蚀的模型中,要发生腐蚀,需要三个必备的构成条 件。首先有两种活泼性不同的电极材料,一般而言,较为活泼的 材料为负极,也是最容易溶解腐蚀 ;二是,存在电解质溶液,一 方面传导电子形成闭合回路,另一方面与电极发生反应 ;最后, 要能够形成闭合的回路,即两个电极要能够接触一起,保持电路 回路的完整性,从而形成一个完整的原电池结构。
善的方向和详细措施。
象,结果如表 1 所示,过孔在 12h 后开始出现腐蚀现象,并且随
图 1 TFT 6Mask 工艺流程 表 1 不同放置时间下腐蚀结果
收稿日期 :2019-12 作者简介 :董康旭,男,生于 1987 年,山西人,本科,资深高级工程师,研究方 向 :TFT-LCD Array 技术方面。
TFT 基 板 使 用 通 用 的 6mask 制 作 工 艺,借 用 合 肥 京 东
要求能够适应寒冷和酷热的环境等等,因此薄膜晶体管(TFT) 方 G6 世 代 线 设 备 进 行 TFT 器 件 制 作,测 试 玻 璃 基 板 尺 寸 为
铟锡氧(ITO)和氟锡氧(FTO)透明导电薄膜的表征与分析
films.
Key words: transparent conductive oxide; magnetron sputtering; annealing; surface topography; X-ray photoelectron
research objects. Ultraviolet-visible spectrophotometer was used to characterize the film transmittance of the samples. The
results show that both ITO and FTO films exhibit good optical transmittance. Scanning electron microscope ( SEM) was used to
observe the surface morphology of the films, and the surface of all the films was relatively uniform. X-ray photoelectron
spectroscopy ( XPS) was used to characterize the elemental, composition, valence and electronic state information of the
针对特定的应用领域,ITO 和 FTO 薄膜展现出各自的优缺点。 首先,ITO 薄膜具有优良的光学透明性,
ITO电极腐蚀现象及防护的研究
ITO电极腐蚀现象及防护的研究2019-06-17摘要:ITO电极腐蚀是LCD⾏业中普遍存在的难题。
本⽂对腐蚀的机理进⾏阐述,并对涂TOP层的防护措施做分析,为⽣产过程中腐蚀的控制和防护做理论参考。
关键词:LCD;LCM;ITO电极腐蚀;TOP层对ITO电极腐蚀的防护中图分类号:TN141⽂献标识码:ADiscussion of ITO Corrosion Phenomenon and ProtectionWANG Fang,YANG Chang-yong ,WANG Xiao-yan,SUN Li-qian(Hebei Jiya Electronics Co.,Ltd,Shijiazhuang 050071,China)Abstract: ITO corrosion is a difficult problem in the LCD production. The principles of ITO corrosion are discussed in this article, and TOP layer is analyzed as a protection method. It provided a theories reference to control and prevent ITO corrosion in the process.Keywords: LCD;LCM;ITO corrosion; protection of ITO corrosion by TOP layer前⾔当今显⽰领域中LCD(液晶显⽰器件)被⼴泛应⽤,ITO电极腐蚀问题是LCD制造和LCM(液晶显⽰模块)加⼯质量控制中⾯临的难题。
许多⼯⼚都有控制的⽅法,有的实现了很好的效果,但很多⼯⼚对此还没有⾜够的认识,在⽣产过程中ITO电极腐蚀的问题仍是困扰产品可靠性的难题。
本⽂对ITO腐蚀问题进⾏探讨,希望能为解决问题提供参考。
ITO电化学腐蚀
ITO电化学腐蚀规律研究材料科学系蒋程捷顾雄指导老师:蒋益明摘要:建立电化学极化曲线扫描方法,表征ITO(氧化铟锡)透明导电薄膜电化学腐蚀现象,发现ITO薄膜阴极极化下发生严重电化学腐蚀。
利用SEM和XRD分析了ITO腐蚀产物,并通过极化曲线和四探针法测方块电阻得到ITO的腐蚀随电压、pH值、氯离子浓度的变化规律。
结果表明,ITO经腐蚀后三价的铟转化为单质的铟,且ITO腐蚀的强度随电压、酸度(或碱度)、氯离子的浓度的增大而增强。
该研究对理解氧化物腐蚀特殊规律,促进低腐蚀率优良ITO薄膜制备技术发展就有重要意义。
关键词:ITO薄膜极化曲线电化学腐蚀引言In2O3:Sn(ITO)透明导电氧化物薄膜具有电阻率低、高可见光率、高红外光反射率、易刻蚀和易低温制备等优点,是平板显示器件三大关键材料之一,广泛应用于光电信息显示产业,对平板显示器件的质量和成本起着至关重要的作用。
一般而言,ITO是空气稳定性的材料,但是近年来随着制备工艺日趋多样化及使用条件日趋复杂化,由于ITO腐蚀而导致器件失效的问题日渐突出,众多的平板显示生产线上已经不同程度出现了ITO腐蚀问题。
例如在加工制备过程中,主流ITO象素电极的制造工艺均采用湿法刻蚀,刻蚀液是由HCl、HNO3和H2O组成的混酸,这种刻蚀的本质就是电化学腐蚀[1],因版图设计的电极走线不当而产生缝隙腐蚀等;在使用过程中,由于受到空气中水氧[2-4]、杂质(如氯离子)等因素影响,电极之间存在的电压差引的起电化学腐蚀导致器件性能下降[5];在返修过程中,数据线金属成膜可能会引入一些灰尘杂质和盐酸、硝酸混合刻蚀液,灰尘杂质、金属膜和刻蚀液就构成了微观原电池,产生电化学腐蚀。
由此可见,ITO薄膜电化学腐蚀是个极其重要的问题,它在平板信息显示产业的各个环节都不可避免地存在着。
深入系统地研究ITO电化学腐蚀规律和机理,可以为平板显示器件腐蚀失效分析、寿命评估、防腐抗蚀以及功能薄膜的制备提供重要理论依据和应用指导,对低缺陷TFT-LCD平面显示器件的实现、提高平面显示阵列基板的良品率、器件的可靠性与失效分析以及寿命评估都具有显著的科学意义和实际意义。
TFT缺陷分析报告060626
12、点缺陷-内污
现象:光台下检查发现与底色不同的点。 可能原因:(1)在制程过程中,灰尘或异物落在TFT基板上; (2)sputter metal时出现splash现象,使得熔融金属落在TFT阵 列基板上;(3)spacer抱团;(4)CF异物(异物比较大);
13、点缺陷-亮点
现象:快检时发现某一颜色画面下某个象素点的亮度比周围的点要高。 直接原因:(1)TFT管充放电流的能力有问题。(2)TFT 管的S/D端断路。 根本原因:(1)蚀刻硅岛时可能n+切断不够。(2)蚀刻S/D时overetch或ESD damage。(3)pixel与Cs短路;(4)pixel ITO之间短路;
14、快检显示异常
To IC
To IC
现象:快检时多条data线漏笔。 直接原因:快检Tr通孔处ITO可能腐蚀导致快检出现漏笔。
附录:
15、Hillock现象
现象:Al金属表面出现凸起的小丘。 可能原因:Al与下层膜的应力差异导致的。
16、侧蚀
现象:PR下的薄膜被腐蚀。 可能原因:蚀刻速率过快或质量传送速度过慢。
17、crack
现象:crossover short,gate与channel短路 可能原因:taper控制不好
7、交叉断笔
To IC
现象:快检时有纵横亮线交叉。 根本原因:SiOx剥离、灰尘、gate和S/D金属断路等;
8、快检串笔
To IC
To IC
现象:快检时横向发现固定黑线 根本原因:快检TFT管的switch gate金属与S/D金属(通过 打孔到gate层金属)短路导致,用激光可以修复
9、点缺陷-白点
3、S-断笔缺陷
现象:电测时纵向上有亮线,漏笔的 颜色与data线open的位置有关,特征 为在不良处出现RGB亮线 直接原因:pixel 内data输入线断路 根本原因:由于某种原因造成短 路或阵列膜划伤等
TDDI产品Mo-Al-Mo膜层腐蚀原因分析及改善
TDDI产品Mo-Al-Mo膜层腐蚀原因分析及改善李森;张学智;尚建兴;张大伟;田露;张鹏曲;肖红玺;郝金刚;黄东升;王威【摘要】In order to reduce the incidence rate of Lead Open-type line defects in the TDDI products, the mechanism of the Lead Open was studied and validated .Meanwhile ,the improved solution for the defects was determined and put verification based on the results coming from the TDDI production da-ta comparison and the investigation on SD film of the Mo-Al-Mo structure .Three parts of the whole research process were contained .The relationship between the Lead Open incidence and Delay Time was firstly determined ,and then the microstructure of SD film was characterized .Finally ,according to the electrochemical property and film structure of different metals ,a galvanic corrosion model of SD film was also established .The results show that a potential difference (PD) of 1 .47V exists be-tween Mo and Al ,and the PD has a strong galvanictendency .In addition ,some penetrating holes with the size of ~ 10 nm are found in the Top Mo ,which can be easily infiltrated by water with the size of ~ 0 .4 nm and thus leading to the galvaniccorrosion .Nevertheless ,compared to the existing productionconditions ,the corrosion rate can decrease by ~ 30% when adding ~ 25% Top Mo .More importantly ,the incidence rate of Lead Open is found decrease by 1 .4% and maintain the low level of 0 .1% at this time ,which meets the requirement for the defect incidence rate of the TDDI products .%为降低TDDI产品Lead Open型线不良发生率,本文对Lead Open的发生机理进行了研究及改善验证.对TDDI产品生产数据进行了对比,对Mo-Al-Mo结构的SD 膜层进行研究,根据以上结果确定改善方案并投入验证.首先,明确了Lead Open发生率与Delay Time的关系.接着,对SD膜层的微观结构进行了表征.然后,根据膜层结构和不同金属的电化学特征,建立了SD膜层电偶腐蚀模型.分析表明:Mo、Al两种金属间存在1.47 V的电极电位差,具有很强的电偶腐蚀倾向性,且表层Mo中存在10 nm级别的贯穿性孔洞,直径为0.4 nm的水分子可轻易渗入,进而引发电偶腐蚀.表层Mo厚度增加25%后,其腐蚀速度较量产条件降低30%,Lead Open发生率降低1.4个百分点,维持在0.1%的较低水平,满足TDDI产品量产对该类不良发生率的要求.【期刊名称】《液晶与显示》【年(卷),期】2017(032)011【总页数】6页(P847-852)【关键词】TDDI;LeadOpen;电偶腐蚀;电化学;Mo-Al-Mo【作者】李森;张学智;尚建兴;张大伟;田露;张鹏曲;肖红玺;郝金刚;黄东升;王威【作者单位】北京京东方光电科技有限公司,北京 100176;北京京东方光电科技有限公司,北京 100176;北京京东方光电科技有限公司,北京 100176;北京京东方光电科技有限公司,北京 100176;北京京东方光电科技有限公司,北京 100176;北京京东方光电科技有限公司,北京 100176;北京京东方光电科技有限公司,北京 100176;北京京东方光电科技有限公司,北京 100176;北京京东方光电科技有限公司,北京100176;北京京东方光电科技有限公司,北京 100176【正文语种】中文【中图分类】TP394.1;TH691.9金属Al由于其高电导率、低成本等诸多优势而被广泛应用于TFT-LCD行业中[1]。
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在液晶显示行业即LCD和LCM行业,COG工艺过程及产品经常会有腐蚀现象发生,也有许多工厂称之为电刻蚀。
据调查,无论国内还是国外LCD行业都有不同程度的腐蚀现象存在,因为腐蚀问题,许多工厂损失巨大,单一生产COG产品的国外工厂出现腐蚀问题后损失可达百万人民币,同时此种现象不受控,工厂生产时有时一粒也不出,但有时比例高达100%。
如果对COGLCD做高温高湿实验,实验条件60℃,90%RH,腐蚀现象会更加明显且容易出现,从而利用这一实验条件可以对控制的效果进行评估和验证。
一、物质产生腐蚀的原因有哪些呢?
腐蚀是工业上普遍存在的一种缺陷,尤其是在管道,建筑等等方面,COG类LCD电极腐蚀也属于这一范畴,根据腐蚀的理论,腐蚀的原因主要有以下几个方面:
1、电化学腐蚀
金属材料与电解质溶液接触,通过电极反应产生的腐蚀。
电化学腐蚀反应是一种氧化还原反应。
在反应中,金属失去电子而被氧化,其反应过程称为阳极反应过程,反应产物是进入介质中的金属离子或覆盖在金属表面上的金属氧化物(或金属难溶盐);介质中的物质从金属表面获得电子而被还原,其反应过程称为阴极反应过程。
在阴极反应过程中,获得电子而被还原的物质习惯上称为去极化剂。
在均匀腐蚀时,金属表面上各处进行阳极反应和阴极反应的概率没有显著差别,进行两种反应的表面位置不断地随机变动。
如果金属表面有某些区域主要进行阳极反应,其余表面区域主要进行阴极反应,则称前者为阳极区,后者为阴极区,阳极区和阴极区组成了腐蚀电池。
直接造成金属材料破坏的是阳极反应,故常采用外接电源或用导线将被保护金属与另一块电极电位较低的金属相联接,以使腐蚀发生在电位较低的金属上。
2、吸氧腐蚀
金属在酸性很弱或中性溶液里,空气里的氧气溶解于金属表面水膜中而发生的电化腐蚀,叫吸氧腐蚀.例如钢铁在接近中性的潮湿的空气中腐蚀属于吸氧腐蚀,其电极反应如下:
负极(Fe):Fe-2e=Fe2+
正极(C):2H2O+O2+4e=4OH-
钢铁等金属的电化腐蚀主要是吸氧腐蚀.
3、析氢腐蚀
在酸性较强的溶液中发生电化腐蚀时放出氢气,这种腐蚀叫做析氢腐蚀。
在钢铁制品中一般都含有碳。
在潮湿空气中,钢铁表面会吸附水汽而形成一层薄薄的水膜。
水膜中溶有二氧化碳后就变成一种电解质溶液,使水里的H+增多。
是就构成无数个以铁为负极、碳为正极、酸性水膜为电解质溶液的微小原电池。
这些原电池里发生的氧化还原反应是
负极(铁):铁被氧化Fe-2e=Fe2+;
正极(碳):溶液中的H+被还原2H++2e=H2↑
这样就形成无数的微小原电池。
最后氢气在碳的表面放出,铁被腐蚀,所以叫析氢腐蚀。
4、应力腐蚀开裂(SCC)
是指承受应力的合金在腐蚀性环境中由于烈纹的扩展而互生失效的一种通用术语。
应力腐蚀开裂具有脆性断口形貌,但它也可能发生于韧性高的材料中。
发生应力腐蚀开裂的必要条件是要有拉应力(不论是残余应力还是外加应力,或者两者兼而有之)和特定的腐蚀介质存在。
型纹的形成和扩展大致与拉应力方向垂直。
这个导致应力腐蚀开裂的应力值,要比没有腐蚀介质存在时材料断裂所需要的应力值小得多。
在微观上,穿过晶粒的裂纹称为穿晶裂纹,而沿晶界扩图的裂纹称为沿晶裂纹,当应力腐蚀开裂扩展至其一深度时(此处,承受载荷的材料断面上的应力达到它在空气中的断裂应力),则材料就按正常的裂纹(在韧性材料中,通常是通过显微缺陷的聚合)而断开。
因此,由于应力腐蚀开裂而失效的零件的断面,将包含有应力腐蚀开裂的特征区域以及与已微缺陷的聚合相联系的“韧窝”区域。
5、点腐蚀:是一种导致腐蚀的局部腐蚀形式。
6、晶间腐蚀:晶粒间界是结晶学取向不同的晶粒间紊乱错合的界城,因而,它们是钢中各种溶质元素偏析或金属化合物(如碳化物和δ相)沉淀析出的有利区城。
因此,在某些腐蚀介质中,晶粒间界可能先行被腐蚀乃是不足为奇的。
这种类型的腐蚀被称为晶间腐蚀,大多数的金属和合金在特定的腐蚀介质中都可能呈现晶间腐蚀。
7、间隙腐蚀:是局部腐蚀的一种形式,它可能发全于溶液停滞的缝隙之中或屏蔽的表面内。
这样的缝隙可以在金属与金属或金属与非金属的接合处形成,例如,在与铆钉、螺栓、垫片、阀座、松动的表面沉积物以及海生物相接触之处形成。
8、全面腐蚀:是用来描述在整个合金表面上以比较均勺的方式所发生的腐蚀现象的术语。
当发生全面腐蚀时,材料由于腐蚀而逐渐变薄,甚至材料腐蚀失效。
不锈钢在强酸和强碱中可能呈现全面腐蚀。
全面腐蚀所引起的失效问题并不怎么令人担心,因为,这种腐蚀通常可以通过简单的浸泡试验或查阅腐蚀方面的文献资料而预测它。
二、COG类LCD出现腐蚀的现象分类
根据业界出现的腐蚀现象,COG类LCD出现腐蚀的现象主要有以下四类:
1、com电极腐蚀
其腐蚀现象发生在屏沿上的ITO处,如果在显微镜下观察,则会发现在发生腐蚀的部位有脏物存在。
2、ACF下腐蚀
ACF下腐蚀,其腐蚀现象一般发生在控制端电极的ACF下,且观察不到明显的脏物,电压较高的V0和VOUT容易发生,一般是在做高温高湿加电试验中发现。
3、夹缝电极腐蚀
夹缝腐蚀,其腐蚀现象发生在夹缝处,从显微镜下观察,夹缝处存在黑色物质。
其产生的机理可能为清洗不干净,或者跟清洗液的成分有很大的关系。
4、COG电极表面腐蚀:
腐蚀在电极ITO表面,呈现一个点位置的腐蚀,其它位置正常,在此腐蚀的位置可以见到污染物。
三、COG腐蚀的产生原因归类:
1、COM电极腐蚀:属于电化学腐蚀和应力腐蚀,电化学腐蚀是由于不同金属具有不同的电化学电位,或者是同样的材料但其电位存在势差,而每个COM电极间存电势差。
由于COM电极在LCD制程中需要进行切割作业,切割过程中如果遇到刀痕破坏COM电极造成裂纹,产生应力,在出现腐蚀的环境中就会出现COM电极腐蚀。
2、ACF下腐蚀:电化学腐蚀和间隙腐蚀,除了电化学腐蚀外,间隙腐蚀是发生于间隙及有停滞溶液之遮蔽表面处的局部电化学腐蚀。
若要产生间隙腐蚀,必须有一个间隙其宽度足够让液体进入,但却也可使液体停滞不流出,ACF与ITO接触的位置形成间隙,存有液体等污染离子后加电产生腐蚀。
3、夹缝腐蚀:玻璃夹缝未清洗干净,留有水份,间隙腐蚀,电化学腐蚀。
4、ITO电极表面腐蚀:点腐蚀,ITO表面存在污染物造成加电过程中存在电化学腐蚀。
根据以上的分析,按照腐蚀方面的理论,COG腐蚀只是按产生腐蚀的不同侧面做了分类,但其基本均属于电化学腐蚀,其发生时腐蚀基本条件有:溶液,加电,污染,应力。
对于COG的工艺控制来说,如果没有将ITO上的脏物清理干净,或者是某种溶液存在于电极处,或者LCD制程中造成COG电极损伤,将会造成LCD加电显示或一段时间后COG电极腐蚀。
四根据腐蚀原因的控制措施及实验分析
根据以上分析,制定如下控制措施,并进行实验验证,实验条件可以参照LCD可靠性实验条件执行,实验条件可参照《》,可以加速LCD腐蚀现象的出现。
1、COM电极腐蚀:属于电化学腐蚀和应力腐蚀,由于应力的作用存在。
所以针对应力的存在进行如下实验:
1)刀痕压力控制在0.2kgf/mm2
2)刀痕压力控制在0.1kgf/mm2
在切割产品时进行控制如下:将刀痕的压力控制在0.1kgf/mm2以下。
2、ACF下腐蚀:电化学腐蚀和间隙腐蚀,主要是ACF与ITO接触的位置形成了间隙,规范ACF 的使用宽度,使之控制间隙进行实验。
1)ACF宽度大于IC1mm.
2)ACF宽度大于IC2mm.
3、夹缝腐蚀:间隙腐蚀,电化学腐蚀。
这种原因主要是LCD存在缝隙,缝隙内存有残存的液体,在加电过程中造成电化学腐蚀,因此实验主要是
1)、LCD清洗后直接压COG
2)、LCD清洗后用烘箱烘干再COG
4、ITO电极表面腐蚀:点腐蚀,ITO表面存在污染物造成加电过程中存在电化学腐蚀,这种现象主要是COG的ITO表面存在污染粒子造成的电化学腐蚀,主要实验如下:
1)、LCD压COG前擦拭
2)、LCD压COG前不擦拭
五结论
根据以上分析及实验结果,COG类产品腐蚀是可以控制的,主要采取如下控制措施:
1、LCD制程切割时控制切割压痕,压力控制在一定范围内,避免出现应力现象。
2、LCD夹缝清洗完后进行烘干处理,有条件的企业可以用PlasmaCleaner清洁,将不会有残留液体存在。
3、绑定IC前要进行擦拭,擦拭最好用电子纯的酒精或相似专用清洗液,清洗完成后烘干,有条件的企业最好使用PlasmaCleaner清洁。
4、控制好ACF的使用。
经过严格的工艺控制,COG产品的电极腐蚀现象是可控的,认真执行好电极腐蚀的预防控制办法,COG生产过程中就不会出现电极腐蚀,产品的可靠性将会大大提高。