电子俘获光存储技术
光电子技术在信息存储中的应用
光电子技术在信息存储中的应用光电子技术是指通过光子与电子相互作用产生的现象而实现信息处理和传输的技术。
在信息存储领域,光电子技术已经得到了广泛应用,并且取得了显著的成果。
一、介绍信息存储是现代社会中不可缺少的一部分。
无论是个人设备还是大型数据中心,信息存储都起着至关重要的作用。
在过去的几十年中,随着信息领域不断迭代和发展,各种新技术也逐渐涌现,其中光电子技术是最受关注的一个。
光电子技术是指通过光子与电子相互作用产生的现象而实现信息处理和传输的技术。
它将光子学、电子学和信息处理学相结合,是一种具有高速、高精度、高效率、高容量、低功耗和长寿命等特点的信息存储技术。
在信息存储领域,光电子技术已经得到了广泛应用,并且取得了显著的成果。
二、基本原理光电子储存器主要由激光、衍射光学元件和适当的光敏元件组成。
其基本原理是利用激光将数字信号以高速录制到光敏元件上,在解调后可以实现数字信号的存储和读取。
与传统的基于磁性材料的存储器相比,光电子储存器具有更高的存储密度和更快的数据传输速度。
三、应用领域1. 光盘光盘是一种采用光学记录材料进行信息录制的存储介质。
它具有存储容量大、传输速度快、稳定性好等优点,被广泛应用于音频、视频和数据存储等领域。
光盘主要分为CD、DVD和蓝光盘三种,其中蓝光盘是目前存储容量最高、保真度最好的一种。
2. 光纤通信光纤通信利用光学传输与调制技术,把数据信号转换成光信号,通过光纤进行传输,最后再将光信号转换回电信号。
光纤通信技术可以实现高速、远距离、大容量、低干扰等优点,是现代通信技术中不可或缺的一部分。
3. 光存储光存储是一种通过激光将信息记录在光敏材料上的存储技术。
它具有容量大、读写速度快、寿命长、抗磁性强等优点,被广泛应用于高速计算、安全存储、互联网数据传输等领域。
四、发展趋势未来,随着信息存储领域的不断发展,光电子技术将会得到持续的应用和拓展。
预计未来数十年内,光电子存储器的容量和读写速度还将有非常大的提升。
电子俘获光存储材料的研究进展
电子俘获光存储材料的研究进展作者:侯桂芹张颖贾志芳来源:《科技视界》2014年第17期【摘要】电子俘获光存储技术作为当今发展潜力最大的信息存储技术,已越来越引起人们的重视。
本文介绍了几类典型的电子俘获光存储材料,分析了各种材料的特点及其存在的问题,并对电子俘获光存储材料的研究进行了展望。
【关键词】电子俘获材料;光存储;信息技术随着信息技术的飞速发展和信息设备的迅速更新,各种信息载体对自身的记忆功能和存储功能提出了更高的要求。
为适应时代的发展,信息载体不仅要求其记忆材料具有信息储存量大、高存储密度的功能,而且还要其具有高数据传输率、高存储寿命、高的擦写次数及很高的重复操作性。
就拿迅速发展的计算机技术来说,电子俘获光存储技术当属发展潜力最大的信息存储技术。
1 几类典型的电子俘获光存储材料以BaFBr为代表,常用于X射线或紫外光影像存储。
读出光波长在400~700 nm之间,读出发光为380~400nm之间的蓝紫色发光。
该种材料为研究最早、具有最强实用化程度的电子俘获材料之一,其光激励发光机理的研究,奠定了电子俘获光存储机理研究的基础。
目前BaFX:Eu2+(X=C1,Br)的光激励发光机理的模型主要有以下几类:其一,以日本Takahashi K为代表的导带复合模型;其二,以德国von Seggern H为代表的隧穿模型;其三,近年新提出的导带隧穿并行模型[1]。
1.2 AES型电子俘获材料(AE= Ca,Sr )例如SrS:Eu,Sm等。
该类材料的写入光波长在紫外或蓝光区,读出光在近红外区域,读出发光波长范围从绿光到红光。
除了用于光信息存储外,该材料还广泛应用于光信息处理中。
对于SrS:Eu2+,Sm3+的电子俘获机理,一般认为: Eu2+是发光中心,Sm3+是电子陷阱,在写入读出时分别产生如下离化、复合或俘获过程: Eu2+~Eu3+ +e, Sm3++e~Sm2+,但新的研究发现将Sm3+独立地作为电子陷阱仍存在问题[2]。
光存储技术研究现状
光存储技术研究现状光存储技术研究现状光存储技术是一种基于光学原理的数据存储技术,它通过利用光的特性实现数据的存储与读取。
在过去几十年里,随着科学技术的发展和研究的深入,光存储技术已经取得了许多重要的突破和进展。
首先,光存储技术的核心是利用光的强大穿透力和高速度进行数据存储。
光存储的基本原理是在一块特殊的介质中,通过激光的照射将数据以二进制形式编码并存储在其中。
由于激光的高能量和高速度,使得光存储技术在存储密度和读取速度方面具有明显优势。
其次,传统的光存储技术主要包括光盘和光纤存储。
光盘是最早应用光存储技术的产品,它通过激光的照射将数据表面刻上微小的凹槽或凸起,表示0或1。
而光纤存储是将数据以光信号的形式通过光纤进行传输和存储。
然而,随着科技的进步,研究人员不断探索和发展新的光存储技术。
一种新兴的光存储技术是体积全息存储。
体积全息存储是利用激光束的干涉特性将数据存储在介质的三维空间中。
相比传统的二维光存储技术,体积全息存储具有更高的存储密度和更快的读取速度。
此外,研究人员还在探索其他新的光存储材料和技术。
例如,相变存储技术利用物质的相变特性进行数据的存储和读取,具有较高的可靠性和长期稳定性。
其他的研究方向还包括量子存储和超短脉冲激光存储等。
尽管光存储技术已经取得了很多突破,但仍然存在一些挑战和问题。
首先,高速度的激光束对光存储材料的要求较高,限制了技术的发展。
其次,光存储技术在成本和可靠性方面仍需进一步改进。
最后,光存储技术在商业化应用方面还存在一定的难题。
总的来说,光存储技术作为一种新兴的数据存储技术,具有许多优势和潜力。
随着科技的不断进步和研究的深入,相信光存储技术将会在未来发挥更重要的作用,并带来更多的创新和突破。
电子俘获光存储材料BaLiF3:Eu 2+的光激励发光及光存储性质研究
均在 40n l , 1 l 处 属于 E 的 5 一4 T u 厂跃迁发光 。 光激励峰位于 6 0n l 6 l,因而可以配用 简单廉价 的氦氖激 光 T 器 。根据光 谱特征 给出 了光激励发 光的简单 机理 。测量 了该材料 光激励 发光衰 减性能 ,结果表 明 B LF : a ia E 2 存储 的信息可 以方便地擦除掉 。 u+ 该材料具有优 良的光激励发 光特性 ,是一类很 有发 展前途 的电子俘 获 光存 储材料 。 主题词 电子俘获 ; 光激励发光 ;光存储
—
B, a a C ;X—C , r , 土 金 属 硫 化 物 ( S S E ,S ) lB) 碱 如 r : u i 及 n
图 1为样 品的 X射线衍射谱 ,与标 准卡 片 1—7 1有很 80 5 好 的吻合 ,主要 为 B LF a i3的相 。其 中 2 =2 . 2,3 . 8 , 0 24。 17。 3 .O , 5 5 , 1 2。 5 . 2的衍射 尖峰 分别 对 应于 晶面 92。 4.4 5.2, 65。 指数( 0 ) 1 0 ,( 1) ( 0 ) 2 0 ,( 1) 10 ,( 1 ) 1 1 , 20 ,( 1 ) 2 1 。由标 准卡 片 1 —7 1 知 B LF 80 5 可 a ia具有立 方结 构 ,其 晶格 常数 为 口 一
L 占据 了 F 的八 面 体 中 心 位 置 [ 。 目前 国 内 外 对 该 材 料 光 i 4 ]
激励发光和光存 储 性质 的研 究 还 比较少 ,因此 本文 通过 对 P L谱 、光激励谱 和光激励 发光衰减等的分析研究 了其紫外 S
收 稿 日期 : 0 50-0 2 0 -11 .修 订 日期 : 0 50-6 2 0 —50
电子 俘获 光存 储 材 料 B LF : 2 a i3Eu+的光 激 励发 光 及 光存 储 性质 研 究
光电存储技术
论光存储技术班级:姓名:学号:2013.10.8目录摘要---------------------------------------------------------------------- 关键词---------------------------------------------------------------------- 引言----------------------------------------------------------------------一、光存储技术的原理及特点---------------------------------------二、光存储技术的分类-----------------------------------------------三、光存储技术的发展及前景----------------------------------------- 参考文献论光存储技术辽宁科技大学应用物理系 2010级指导老师:王颖摘要伴随信息资源的数字化和信息量的迅猛增长,对存储器的存储密度、存取速率及存储寿命的要求不断提高。
在这种情况下,光存储技术应运而生。
光存储技术具有存储密度高、存储寿命长、非接触式读写和檫出、信息的信噪比高、信息位的价格低等优点。
关键词存储;信息;容量;介质引言信息资料迅速增长是当今社会的一大特点。
据统计,科技文献数量大约每7年增加1倍,而一般的情报资料则以每2年~3年翻一番的速度增加。
大量资料的存储、分析、检索和传播,迫切需要高密度、大容量的存储介质和管理系统。
磁存储和光存储作为当今数据存储的两种常用方式,具有各自的特点。
磁存储应用较早,适合与计算机联用,信息存取方便、可靠,技术相对成熟,得到了广泛的应用;光存储的发展及应用则是随着激光技术的发明,步入了高密度光学数据存储的新阶段,指明了未来数据存储的新方向。
一、光存储技术的原理及特点1.光存储的概念及其基本原理光存储技术是用激光照射介质,通过激光与介质的相互作用使介质发生物理、化学变化,将信息存储下来的技术。
电子俘获材料的研究现状及在红外检测方面的应用
第 2期
中 国 光学
In n s tc l e e Op is o
Vo _ No 2 l4 .
Apr 2 1 . 01
2 1 年 4月 01
文3 1 6 42 5 2 1 )20 9 —0 9
电 子 俘 获 材 料 的 研 究 现 状 及 在 红 外 检 测 方 面 的 应 用
tsi u ae u i e c n e,m ae iltp s,pr p r to eh d n e e r h p o r s ft e e e to r p i g o t lt d l m n s e c m t ra y e e a ai n m t o sa d r s a c r g e so h lcr n ta p n mae i 1. On t e b sso h p lc to so h ae il o i fae e e to tras h a i ft e a p iai n ft em t ras t n r d d tc in,i p i t u h tte d tc e r t on so tt a h e e td i ra e a e v l n t o l x s e e t hrs o d u d rt e r o tmpe au e.Fo h h rc m i so nf r d l s rwa ee gh c u d e ita d tc i t e h l n e h o m e ng rtr rt e s o t o ng f t tra si n t b epr p  ̄ya d e s o c u e e vr nme t lp lu in b hes l h d n p e a ain p o he ma ei l n u sa l o e n a y t a s n io na ol to yt u p i e i r p r to r — c s i g,i u g ss t tt e p e a a ig m eh d s o l e i r v d. M o e v r te e sn ts g e t ha h r p r t t o h u d b mp o e n r o e ,i mph sz st a h lc rn a ie h tt ee e to ta p n trasba e n ga sc r mi swilb r misn t ras a d p o pe t h u u e d v lp e to r p i g mae i l s d o l s e a c l e p o s i g mae il n r s cst e f t r e e o m n f
光存储技术原理
光存储技术原理光存储技术是一种利用激光束在存储介质上写入和读取信息的存储方式。
其原理主要基于光学干涉、光学散射、光学调制等原理,将信息以二进制的形式编码为激光束的强度、相位、偏振等物理量,从而实现信息的存储和读取。
一、光存储技术的原理光学干涉光学干涉是光波相遇时产生明暗条纹的现象。
在光存储中,通过将两束激光束干涉,可以形成明暗条纹,从而将信息编码为这些条纹的形状和分布。
在读取信息时,通过检测这些条纹的形状和分布,可以恢复原始信息。
光学散射光学散射是指光波在遇到微小颗粒时发生偏离的现象。
在光存储中,利用光学散射可以将信息编码为散射光的强度和相位等物理量。
在读取信息时,通过检测散射光的强度和相位等物理量,可以恢复原始信息。
光学调制光学调制是指利用光波的物理特性对信息进行编码和解码的过程。
在光存储中,利用光学调制可以将信息编码为激光束的强度、相位、偏振等物理量。
在读取信息时,通过检测激光束的强度、相位、偏振等物理量,可以恢复原始信息。
二、光存储技术的实现方式1、CD光存储CD光存储是最早的光存储技术之一,它利用激光束在铝质光盘上烧制出凹坑,从而将信息编码为凹坑的形状和分布。
在读取信息时,通过检测凹坑的形状和分布,可以恢复原始信息。
CD光存储的存储容量较小,已经被DVD等更先进的存储技术所取代。
2、DVD光存储DVD光存储是一种利用激光束在塑料光盘上烧制出微小凹槽的光存储技术。
它利用光学散射原理将信息编码为凹槽的形状和分布。
与CD光存储相比,DVD光存储的存储容量更大,可以存储更多的信息。
3、BD光存储BD光存储是一种利用激光束在蓝光光盘上烧制出微小凹槽的光存储技术。
它利用光学散射和光学干涉原理将信息编码为凹槽的形状和分布。
与DVD光存储相比,BD光存储的存储容量更大,可以存储更多的信息。
4、Holographic Memory全息存储是一种利用激光束在晶体材料中烧制出全息图的光存储技术。
它利用光学干涉原理将信息编码为全息图的形状和分布。
新一代光存储技术概述
新一代光存储技术概述在信息技术高速发展的时代,存储技术也在不断创新和进化。
随着数据量的迅速增长和对存储速度、稳定性和安全性的要求不断提高,传统的存储技术已经面临着许多挑战。
为了满足这些需求,新一代光存储技术应运而生。
本文将对新一代光存储技术进行概述,包括其基本原理、发展情况和应用前景。
光存储技术是一种使用光学技术记录和读取数据的存储方式。
相比于传统的磁存储技术,光存储技术具有容量大、快速读写、高稳定性、非易失性等优势。
光存储技术的基本原理是利用激光器发射出的光束对介质进行记录,通过改变介质的光学性能来记录和存储信息。
典型的光存储介质包括光盘、蓝光盘、DVD光盘等。
新一代光存储技术在传统光存储技术的基础上进行了创新。
一项重要的创新是发展了基于高密度存储的技术,从而大幅提高了存储容量。
新一代光存储技术还引入了更高频率的激光器和更敏感的光学介质,使其具有更快的读写速度和更高的存储密度。
除了高密度和高速度的特点,新一代光存储技术还具有很高的稳定性和长期保存性。
相比于磁存储技术,在恶劣环境和长时间存储条件下,光存储技术更不容易受到磁场、温度和湿度等因素的影响。
这使得新一代光存储技术成为长期数据存储和归档的理想选择。
新一代光存储技术在各个领域都有广泛的应用前景。
在云计算、大数据和人工智能等领域,数据的存储和处理需求巨大。
光存储技术凭借其高速度、高密度和高稳定性的特点,能够满足这些领域的需求,并推动其发展和应用。
此外,新一代光存储技术还可以在光学存储器、移动存储器和数据中心等领域发挥重要作用,提升存储性能和效率。
目前,新一代光存储技术还在不断发展和完善中。
一些创新性的光存储介质正在研究和开发当中,以进一步提高存储容量和读写速度。
此外,新一代光存储技术在节能和环保方面也有不可忽视的优势,将为未来的可持续发展做出更大的贡献。
总之,新一代光存储技术是一种创新的存储方式,具有高密度、高速度、高稳定性和长期保存性的特点。
光电子技术在光存储系统中的应用
光电子技术在光存储系统中的应用随着现代科技的不断进步,光电子技术已经成为了当前最为前沿的研究领域之一。
其中,光存储系统是光电子技术中应用广泛的一个重要领域,也是日常使用的光盘、DVD、蓝光光盘等媒介的基础技术。
本文将简要介绍光存储系统的基本概念及相关光电子技术的应用。
一、光存储系统的基本概念光存储系统是将数据以光信号的形式记录在介质中,将其固定下来,而后再通过光信号的方式来读取的系统。
其工作原理基于光束脉冲信号和相干干涉效应,通过在介质中利用光线关闭和打开材料中的光敏杂质来实现数据的读写操作。
光存储介质主要有两种类型,一种是基于可见光的红光光盘和蓝光光盘,一种是基于紫外光的写一次读许多(WORM)和多次写多次读(Mw-MR)光存储介质。
其中红光光盘使用的是0.78μm波长的激光,其特点是高容量、长寿命、可反复刻录,可重写;而蓝光光盘使用的是0.405μm波长的激光,其特点是储存密度更高,容量更大,但价格较高。
二、光电子技术在光存储系统中的应用1.激光器技术光存储系统中最基本的光电子技术是激光器技术。
激光器是光存储系统中的光源,其发出的光束能够激发光敏杂质,实现数据的读写操作。
红光光盘使用的是半导体激光器,而蓝光光盘则使用激光二极管。
2. 光学镜头技术光学镜头技术是光存储系统中的核心技术。
光存储系统实现数据读取的关键是光学镜头的调制和聚焦精度。
因此,光学镜头的精度对光存储系统的读取速度和数据传输速度至关重要。
目前,高质量的聚焦光学镜头已经可以在数码相机、手持设备等领域广泛应用,并且随着技术的不断提升,聚焦精度持续提高。
3. 光学模式分析技术光学模式分析技术是利用计算机对控制模式进行分析和处理,从而实现光存储系统中的数据读取和传输。
在红光光盘和蓝光光盘中均应用了光学模式分析技术,其中最为常见的就是射频信号处理技术。
4. 光传感技术光传感技术是光存储系统中实现数据读取、写入和传输的另一种关键技术。
光传感技术利用了光的特殊性质,可实现光敏杂质的调制和聚焦,从而实现数据读取和传输。
电子俘获材料SrS:Eu,Sm,Er的光谱特性和光存储特性
中图分c a l S t o r a g e a n d S pe c t r u m Pr o p e r t i e s o f
El e c t r o n Tr a pp i ng Ma t e r i a l s S r S: Eu,Sm ,Er
摘要 : 提出一种 E r 改进的电子俘获光存储材料S r S : E u 。 , S m 。 。 。 , E , 其中, 0 ≤ ≤ 0 . 0 0 6 。通过水热反
应, 研究 了不 同退火温度对荧光粉 晶相形成 的影响 , 以及 不同含量的 E r “对荧光粉 的发光性 质以及光存储特 性的影响。结 果表明 , E r 3 的引入导致荧光增强及光存储特性提高 。当 E r 3 的摩 尔分 数 = 0 . 0 0 3时 , 荧光强 度、 光激励发光强度及光存储量 出现最大值 , 分别为不含 E r “ 时的 1 . 9倍 、 2倍 和 3 . 5倍 。同时 , E r 的掺 人 不改变样 品的晶体结构和衰减特性。 关 键 词: S r S ;电子俘获 ; 光存储 ; 光激励 文献标识码 : A DOI : 1 0 . 3 7 8 8 / f g x b 2 0 1 3 3 4 0 3 . 0 2 5 1
o p t i c a l s t o r a g e a nd l u mi ne s c e n c e p r o p e r t i e s a r e s t u d i e d .I t i s r e v e a l e d t h a t t h e Er i n d u c e d l u mi n e s — c e n t e n h a n c e me n t a n d t he o p t i c a l s t o r a g e p r o pe r t i e s i mp r o v e d.Th e ma x i mu m l u mi n e s c e n c e i n t e n s i t y, P h o t o s t i mu l a t e d l u mi n e s c e n c e i n t e n s i t y a n d o p t i c a l s t o r a g e a r e o b t a i n e d a t =0. 0 0 3.wh i c h i s a s h i g h a s 1 . 9 t i me s,2 t i me s a n d 3. 5 t i me s o f t h e Er f r e e p h o s p h o r ,r e s pe c t i v e l y .Th e i n t r o d u c t i o n o f Er di d n’ t c ha n g e t he c r y s t a l s t r u c t ur e a n d P h o t o s t i mu l a t e d l u mi n e s c e n c e d e c a y c u r v e p r o p e r t i e s o f t h e s a mp l e .Th e ph o t o s t i mu l a t e d l umi n e s c e n c e d e c a y c u r v e c a n b e wi l l — it f t e d i n t o a d o u b l e e x p o n e n t i a l
第六章光存储技术
第六章光存储技术光存储技术是一种利用激光在光盘上记录和读取信息的技术。
这种技术最早出现在20世纪70年代,经过几十年的发展,已经成为信息存储领域的重要分支。
光存储技术具有存储容量大、数据保存时间长、读写速度快等优点,广泛应用于计算机、消费电子、医疗、教育等多个领域。
光存储技术的基本原理是通过激光在光盘上烧蚀出凹坑或改变光盘表面材料的性质,形成信息的记录。
读取时,激光照射到光盘上,通过检测反射光的变化来还原信息。
光存储技术的核心设备是光盘驱动器,它负责控制激光的发射、聚焦、读取等过程。
目前,光存储技术主要包括CD、DVD、蓝光等几种类型。
CD是最早出现的光存储介质,容量为650MB,主要应用于音乐、软件等领域。
DVD是CD的升级版,容量为4.7GB,广泛应用于电影、游戏等领域。
蓝光则是最新的光存储技术,容量可达25GB,适用于高清电影、大容量数据存储等需求。
随着科技的不断进步,光存储技术也在不断创新。
例如,holographic storage(全息存储)技术、MDISC(Millennium Disc)技术等新型光存储技术正在研发中,这些技术有望在未来提供更大的存储容量和更长的数据保存时间。
光存储技术作为一种成熟的信息存储技术,在现代社会中发挥着重要作用。
未来,随着科技的不断发展,光存储技术将会继续创新,为人类提供更高效、更便捷的信息存储解决方案。
光存储技术的发展历程光存储技术的起源可以追溯到20世纪60年代,当时科学家们开始研究利用激光来记录和读取信息。
1972年,荷兰飞利浦公司推出了第一张CD(Compact Disc),这标志着光存储技术的正式诞生。
CD的出现极大地改变了音乐和软件的存储方式,它具有高保真、可重复播放等优点,迅速在全球范围内普及。
随着技术的进步,光存储技术不断升级。
1995年,DVD(Digital Versatile Disc)正式上市,其容量是CD的7倍,不仅能够存储更多的数据,还支持高质量的音视频播放。
光电子技术在光储存中的应用
光电子技术在光储存中的应用随着科技的不断进步,光电子技术的应用范围也越来越广泛,其中光储存技术也是一个非常重要的领域。
光储存是一种能够将光信息转化为电信号或储存为其他形式的技术,可以用于数字存储、数据传输等领域。
其中,光电子技术在光储存中的应用尤为重要。
一、光储存的概念和发展光储存,指的是以光为载体的储存技术,在传统的数字存储领域,主要是通过硬盘、闪存、磁带等物理介质进行数据储存,而光储存则是将信息直接转化为光信号,通过光玻璃等物理或化学介质储存并传输信息。
近年来,随着数字信息技术的快速发展,光储存也在不断壮大,将逐渐取代传统物理介质的数字存储方式。
美国IBM公司已经研制出名为“5D存储”的光存储技术,能够将1TB数据存储在一个石英盘片上并保持1000年不变。
二、光电子技术在光储存中的应用在光储存技术中,光电子技术是至关重要的一环,除传统的光学部件外,光电子器件的应用也日益普及。
1、激光与光纤光储存技术的核心是激光与光纤,它们是传输光信号的关键。
随着数字信息技术的普及,激光与光纤的品质要求也逐渐提高。
目前,一些知名的光纤生产商已经研制出特殊的光纤,用于传输高容量、高速度的光信号,为光储存技术的应用打下了坚实的基础。
2、光电子器件光电子器件是将光信号转化为电信号或将电信号转化为光信号的重要器件,它在光储存技术中有着广泛的应用。
其中,CCD、CMOS是两种常用的光电子器件。
CCD可以将光信号转化为电荷信号存储在其特殊结构中,并在需要时读取出来,是拍摄数字照片的核心器件,也可以用于数字光盘的制造。
CMOS是一种微电子器件,适用于集成光电子功能电路的制造。
使用CMOS技术制造的光电芯片可以具有高速度、高灵敏度、低噪声等优点,是许多高端光储存系统不可或缺的一部分。
3、光纤通信技术光纤通信技术是光储存技术的基础,其中光纤光学器件和光纤耦合技术的研发是推动光储存技术快速发展的基础。
光纤光学器件不仅涉及到激光、光电二极管、衰减器等器件的应用,还涉及到波长分复用、光频传输等技术的研究。
电子俘获材料在光存储技术中的应用_范文慧 (1)
收稿日期:2000-11-10.基金项目:国家自然科学基金资助项目(69978018);西安交通大学科研基金和理科基金资助项目.第22卷第3期半 导 体 光 电Vol .22No .32001年6月Semiconductor OptoelectronicsJune 2001文章编号:1001-5868(2001)03-0161-05电子俘获材料在光存储技术中的应用范文慧1,叶孔敦2,光 昕3,朱 键1,王永昌1(1.西安交通大学理学院现代物理研究所,陕西西安710049;2.安庆师范学院,安徽安庆246003;3.西安交通大学能源与动力工程学院,陕西西安710049)摘 要: 阐述了电子俘获光存储技术原理,进行了图像写/读/擦除及图像加/减等实验,探讨了电子俘获光存储中的动力学机制,研究了电子俘获材料中读出光、写入光和发射光三者之间的关系。
实验表明,电子俘获材料以其写/读/擦速度快、存储密度高以及无限的读写循环寿命等优点,在光存储、光信息处理领域具有非常广阔的应用前景。
关键词: 电子俘获材料;光存储;光信息处理中图分类号: TP333.4 文献标识码: AApplication of Electron Trapping Material to Optical Storage TechnologyFAN Wen -hui 1,YE Kong -dun 2,GUANG Xin 3,ZHU Jian 1,WANG Yong -chang1(1.Institute of Modern Physics ,Faculty of Science ,Xi 'an Jiaotong University ,Xi 'an 710049,C hina ;2.Anqing Norm al College ,Anqing 246003,China ;3.School of Energy and Power Engineering ,Xi 'an Jiaotong University ,Xi 'an 710049,China )A bstract : The optical storage mechanism is analyzed in detail according to the energy -level structure of electron -trapping material .Based on a series of experiments on w riting /reading /erasing and addition /subtraction of im ages ,the optical storage dynamics of electron -trapping material is dis -cussed .The dependence of intensity on the emission lig ht ,stimulatio n light and excitation light of electron -trapping material is investigated .It is shown that electro n -trapping material has such attrac -tive advantages as high speed ,high density and long life time ,w hich w ill ensure a brighter future for its applicatio n in optical data storage and optical info rmation processing .Key words : electron trapping material ;optical data sto rage ;optical info rmation processing1 引言随着知识爆炸和计算机技术的飞速发展,迫切需要一种适于大容量计算系统的理想存储器来替代磁带、磁盘等磁性存储介质,光存储器因其具有高存储密度、高数据传输速率、长存储寿命和低信息位价格等显著特点而受到重视。
电子俘获光存储技术
什么是电子俘获?
电子俘获是一种光激励发光现象。 光激励发光是指材料受到辐照时,产 生的自由电子和空穴被俘获在晶体内部的陷 阱中,从而将辐照能量存储起来,当受到光 激励时(波长比辐照光长),这些电子和空 穴脱离陷阱而复合发光。
电子俘获光存储写入与读出的简单原理
电子俘获光储存原理
电子俘获材料是一类有着巨大应 用潜力的光存储材料,主要有以下几 种主要类型:
1 、MFX类型X光影像存储
2 碱土金属硫化物红外读出存储
3 碱金属卤化物紫外光存储
MFX类型X光影像存储
• 这是一种典型的X光影像存储材料,用做光 存储时,写入使用X射线,读出光波长范围 是400~700nm,读出发光波长范围是 380~400nm。
• 写入波段是紫外,读出绿光波段,读出发 光在蓝光波段。一般认为这类材料中电子 陷阱是阴离子空位,发光中心是Eu离子。
电子俘获材料以其写/读/擦速度快、 存储密度高以及无限的读写循环寿命 等优点,在光存储、光信息处理等领域 具有非常广阔的应用前景。
电子俘获电子俘获光存 储技术还有待继续的发展
谢பைடு நூலகம்!
碱土金属硫化物红外读出存储
• 利用IIa~Vib化合物中某些杂质离子的电子 在光的作用下被陷阱俘获和释放来实现可 擦除光存储系统
• 一般的材料有双稀土掺杂,也有单稀土离 子掺杂的。
• 这类材料的写入波长在绿光波段,读出光 在近红外波段,读出发光在红光波段。因 此具有很广阔的利用空间。
碱金属卤化物紫外光存储
• 随着计算机和信息产业的发展,越来越多的 信息内容以数字化的形式存在、传输和保存。 因此对大容量信息存储技术的研究就逐渐升 温。
光电俘获效应在能源中的应用
光电俘获效应在能源中的应用光电俘获效应是描述半导体材料中电子被光线俘获而被激发成能量的效应。
这是一种非常重要的光电转换技术,已经广泛应用于太阳能和其他能源应用中。
在本文中,我们将探讨光电俘获效应在能源中的应用,并介绍一些最近的技术进展。
光电俘获效应的基本原理光电俘获效应的基本原理很简单:一个电子吸收了光子,并被激发成一个高能量态,例如从导带到价带。
这个激发的电子可以在材料中漫游,并与另一个电子重新组合,产生一个带有电荷的空穴。
这些电子和空穴可以合并,释放出被吸收的光子,并再次产生电能。
太阳能电池中的光电俘获效应太阳能电池是目前最广泛使用光电俘获效应的应用之一。
太阳能电池中的光电子将太阳能转化为电能。
在太阳能电池中,半导体材料被放置在两个电极之间。
当阳光照在半导体上时,光能使半导体中的电子激发并从价带跃迁到导带,形成电流。
最近的技术进展是使用纳米结构改善太阳能电池的效率。
纳米结构可以提高光电效率,因为它们能够限制电子和空穴的运动,从而减少能量损失。
同时,这些结构可以提高太阳电池的热稳定性,从而提高其寿命和可靠性。
LED中的光电俘获效应光电俘获效应也被广泛应用于LED, LED的产生是在半导体材料中利用光电俘获效应产生的光子。
LED朝着将其应用于照明途径发展,高功率白光依旧是其研究的重点。
如何提高其发光效率、提高色纯度、同时满足人眼对颜色的需求等问题,都是要被攻克的技术瓶颈。
在LED照明中,采用发射发光技术(EEL,Emission Eletronique en Radieuse),采用微细图案化的光电极,大幅提高了发光效率和亮度。
同时,这种技术还能够提高LED的制造效率和可靠性,从而降低成本。
结语光电俘获效应是将光转化为电能的重要技术,已经被广泛应用于太阳能和其他能源领域。
最近的技术进展表明,纳米结构和发射发光技术可以进一步提高这种技术的效率和可靠性。
未来的研究将继续探索如何将光电俘获效应应用于其他领域,并进一步改善太阳能电池和LED的性能。
光储基本知识点详解
光储基本知识点详解
光储是一种新兴的能源储存技术,通过将光能转化为其他形式的能量来实现能源的储存。
它可以将太阳能转化为电能或化学能,以便在需要时使用。
光储的基本原理是利用光能来激发材料中的电子,从而产生电能。
这一过程通常通过光伏效应或光催化效应来实现。
光伏效应是指光能被光伏电池吸收后,通过半导体材料中的电子传导带到外部电路,产生电能。
而光催化效应是指光能被催化剂吸收后,催化剂能够吸收或释放电子,从而产生电能或化学能。
光储的优势在于其高效率和可持续性。
太阳能作为一种广泛可利用的可再生能源,具有充足的资源,并且不会产生二氧化碳等温室气体。
通过将光能转化为其他形式的能量来储存,可以实现能源的可持续供应。
光储的应用领域非常广泛。
在家庭层面,光储可以用于太阳能发电系统中,将白天产生的太阳能储存起来,以供夜间使用。
在工业领域,光储可以用于储存太阳能以供工业生产使用。
此外,光储还可以应用于电动车辆和移动设备中,以提供持久的电力支持。
然而,光储技术还存在一些挑战和限制。
首先,光储设备的成本较高,
使得其在商业化应用中仍然面临一些困难。
其次,光储设备的效率还有待提高,尤其是在光伏效应和光催化效应方面。
此外,光储技术还需要解决能量密度、寿命和稳定性等方面的问题。
总的来说,光储作为一种新兴的能源储存技术,具有巨大的潜力。
随着材料科学和能源技术的发展,相信光储技术将会取得更大的突破和进展,为可持续能源的发展做出重要贡献。
磁存储技术 半导体技术 光存储技术-概述说明以及解释
磁存储技术半导体技术光存储技术-概述说明以及解释1.引言1.1 概述磁存储技术、半导体技术和光存储技术是当前信息存储领域中的三种重要技术手段。
它们在现代社会的各个领域都有着广泛的应用,并在不断发展与创新中推动着信息存储技术的进步。
磁存储技术是利用磁性材料的特性对信息进行存储和读取的技术。
它已经有着较长的历史,并且在计算机硬盘、磁带等设备中得到了广泛应用。
磁存储技术的特点是存储密度高、读写速度快以及数据可靠性强。
它的原理是利用磁性材料中的微小磁性颗粒的磁性翻转来表示信息的0和1,通过磁头读写信息。
随着科技的进步,磁存储技术也在不断发展,磁盘容量不断增大,速度和可靠性也得到了提升。
半导体技术是利用半导体材料的电子特性进行信息存储和处理的技术。
它是现代电子工业的基础,广泛应用于计算机内存、移动设备以及各种集成电路中。
半导体技术的特点是存储密度高、速度快并且功耗低。
它的原理是通过控制半导体材料中的晶体管的导电性来存储和读取信息。
随着技术的进步,半导体技术不断发展,存储密度和速度得到了大幅提升,同时功耗也逐渐降低。
光存储技术是利用激光技术实现信息的存储和读取的一种技术。
它具有非接触性、非磁性并且读写速度快的特点,在光盘、光存储卡等设备中得到了广泛应用。
光存储技术的原理是利用激光在光敏材料上进行烧蚀或改变材料光学性质来存储和读取信息,通过光学头进行读写。
光存储技术的发展也非常迅速,近年来出现了许多新型光存储材料和设备,存储容量和读写速度也不断提高。
综上所述,磁存储技术、半导体技术和光存储技术是当前信息存储领域中的三个重要技术。
它们各自具有独特的特点和优势,在各自的应用领域中发挥着不可替代的作用。
随着技术的不断发展和创新,这些技术也将不断迭代和进化,为信息存储领域带来更多可能性和发展机遇。
1.2 文章结构文章结构部分的内容:本文将从磁存储技术、半导体技术和光存储技术三个方面探讨存储技术的发展。
通过对这三种存储技术的原理、应用和发展趋势的分析,旨在全面了解不同存储技术的特点和优势。
微型电子器件中的能量捕捉和储存技术
微型电子器件中的能量捕捉和储存技术一、引言微型电子器件的迅猛发展,使得我们的生活和工作变得更加便捷和高效。
然而,这些微型电子器件也需要稳定和持续的能源供应才能正常运行。
与此同时,传统的能源供应方式对于微型电子器件来说往往过于笨重和不可行。
因此,为了解决这一问题,研究人员开始关注微型电子器件中的能量捕捉和储存技术。
二、能量捕捉技术的研究与应用能量捕捉技术是指通过某种方式从环境中提取能量,并转换为可用的电能。
目前,研究人员尝试了多种能量捕捉技术来满足微型电子器件的能源需求。
1. 光能捕捉技术光能捕捉技术是利用多晶硅或其他半导体材料将光能转化为电能的一种方法。
研究人员将微型电子器件和太阳电池结合,设计了一种微型太阳能光伏系统。
利用这种系统,微型电子器件可以在光照条件下捕获太阳能,并将其转化为可用的电能。
2. 振动能捕捉技术振动能捕捉技术是利用微型电子器件自身的振动或来自环境的振动能量来产生电能。
研究人员利用压电材料和微型发电机将振动能转化为电能。
这种技术尤其适用于可穿戴设备和传感器等微型电子器件,它们经常处于振动环境中。
3. 热能捕捉技术热能捕捉技术是通过利用微型电子器件周围的热能来产生电能的一种方式。
研究人员设计了一种基于热电效应的微型热能捕捉系统,它可以将微型电子器件周围的热能转换为电能。
这种技术特别适用于微型电子器件的储能需求较低的场景。
三、能量储存技术的研究与应用能量储存技术是指将能量存储起来,以备以后使用。
为了满足微型电子器件的能源需求,研究人员开始关注如何将捕捉到的能量有效地储存起来。
1. 超级电容器技术超级电容器是一种具有高能量密度和高功率密度的电能储存装置。
它具有充电快、寿命长、自放电低等优点,正逐渐被应用于微型电子器件中。
研究人员通过改进超级电容器的电极材料和结构,提高了其能量密度和循环寿命,使其更适用于微型电子器件的能源储存。
2. 锂离子电池技术锂离子电池是目前应用最广泛的电池类型之一。
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2 碱 土金 属硫 化 物 红井读 出存 储
并 没有得 到推 广 。可 见 这其 中还有 技 术 问题 没有
一 l8 9 6年 l d y r首 先 提 出 利 用 Ia~Ⅵ b化 解 决 。这 不 仅 需 要 各 个 , 家 和 研 究 机 构 在 技 术 上 i ma e n I 台 物 中 某 些 杂 质 离 子 的 电子 在 光 的 作 用 下 被 陷 阱 的 投 人 , 必 要 的 时候 还 需 要 联 台 起 来 形 成 一 个 行
高 ( W 量 级 ) 响应 快 ( 达 几十 m ) , 可 。而 更 多 的 材 料 多 数 对 环 境 有 害 , 如 硫 化 物 , 在 生 产 中 也 的 应 用 是 利 用 它 可 擦 除 , 响 应 快 , 做 非 线 性 光 学 极 易 造 成 污 染 ; 其 四 , 从 长 远 角 度 考 虑 , 比如 利 元 件 , 或 者 做 布 尔 运 算 元 件 用 于 神 经 网 络 和 光 计 用 电子 俘 获 结 合 其 他 技 术 发 展 三 维 存 储 , 以 及 其 算 机 中 。这 类 材 料 缺 点 是 热 稳 定 性 不 好 信 号 衰 他 形 式 的 存 储 等 。 总 之 虽 然 有 些 类 型 的 电 子 俘 获 减 得 快 。 管 有 报 道 使 用这 种 材 料 与 CcD耦 台 的 材 料 的 研 究 还 刚 刚 开 始 , 但 是 新 材 料 的 开 发 仍 需 尽 红 外 探 测 仪 的 研 究 工 作 ,但 是 因 为 各 种 技 术 细 节 进 行 。 一 方 面 需 要 在 材 料 制 备 摸 索 , 另 一 方 面 对 现 有 材 料 的 存 储 机 制 和 细 节 问题 的 清 楚 认 识 和 归 问题 也 只停 留在 实验 室 阶段 。 纳总 结 将对 新材料 的开 发 起到 指导 性 的 作用 。 3 碱 金属 卤化 物肇 蚪 光存储 电 子 俘 获 材 料 在 光 存 储 方 面 有 无 可 比 拟 的 优 最 近 碱 金 属 卤 化 物 也 开 始 作 为 光 存 储 的 电 子 俘 获 材 料 研 究 起 来 。 典 型 的 有 K ClEu , KBr 势 , 虽 然 人 们 在 材 料 的 机 理 、 制 备 、 器 件 以 及 新 : : Eu 等 。辐 照 ( 人 ) 段 是 紫 外 ,激 励 ( 出 )绿 材 料 等 方 面 做 了 很 多 有 益 的 探 讨 , 但 要 达 到 全 面 写 波 读 光 波 段 , 读 出 发 光 在 蓝 光 波 段 。 一 般 认 为 这 类 材 使 用 仍 需 要 做 一 些 工 作 。 机 理 方 面 还 需 要 对 整 个 料 中 电 子 陷 阱 是 阴 离 子 空 位 , 发 光 中 心 是 Eu离 过 程 进 行 详 细 的 认 识 , 这 样 才 能 有 的 放 矢 地 改 进 子 。 要 应 用 于 x光 影 像 存 储 或 者 紫 外 影 像 存 储 , 材 料 的 某 方 面 的 特 眭 , 如 提 高 效 率 、 增 加 稳 定 性 主 这 种 材 料 的 持 续 读 出 信 号 随 时 间 的 衰 减 不 大 , 因 等 , 进 而 可 指 导 新 材 料 的 开 发 。 实 用 化 需 要 尽 此 可 以用 做 经 常 读 出 的 存 储 。 可 能的 利用 现有 的光 源条 件 , 以降 低实 用 化 的成
Ⅸ . 耄号煮品t摹 2 1 0. 0I
维普资讯
光
电
子
日本 和 美 国 的 一 些 公 司 已 经 推 出 使 用 M FX 型 电 化 学 合 成 、 生 长 晶 体 等 方 法 来 制 备 , 这 还 需 要 通 子 俘 获 材 料 做 成 像 、 存 储 器 件 的 医 用 x 光 透 视 仪 过 与现 有 制 备 方 法 的 比 较 来 摸 索 等 产 品 。使 用 M Fx型 材 料 的 存 储 优 点 是 灵 敏 可 反 复 使 用 、易 于 集 成 数 字 系 统 。 缺 点 是 读 出 信 号
用 方 便 灵 活 等 优 点 。本 文 综 合 介 绍 了 近 年 来 在 电 及 掺 杂 , 得 到 了 不 同 波 段 的 存 取 。 电 子 俘 获 材 料 子俘 获材 料领 域 内的一些 研究 和 应用 进展 。 的读 写 波 长 由材料 中的 发 光 中心决 定 的 。
技 术 原 理
空间。
约 了 推 广 使 用 ; 其 二 , 目前 研 究 得 比较 成 熟 的 几
碱 土 金 属 硫 化 物 的 主 要 读 出 波 段 的 近 红 外 , 种 材 料 都 存 在 性 质 不 太 稳 定 的 问 题 , 主 要 的 是 潮
因此 除 了可 以用 做存 储 外, 也 是一 种 很好 的实现 解 . 而且 受 热后 存储 的 内容 不 稳定 , 易丢 失 。这 红 外 光 激 励 材 料 。 而 且 电 子 俘 获 材 料 探 测 灵 敏 度 需 要 考 虑 比较 简 单 适 用 的 封 装 ; 其 三 , 目 前 使 用
同 俘 获 和 释 放 的 现 象 , 发 展 了 一 种 新 的 可 擦 除 光 存 业 的 协 议 , 时 与 信 息 产 业 的 相 关 协 议 规 范 结 合 ,
储 系 统 。 提 出 了 电 子 俘 获 材 料 这 个 概 念 。 型 的 更 有 利 于 实 用 化 推 广 。 并 典 材 料 有 S S: , m , Ca Eu C [ 等 双 稀 土 掺 杂 , r Eu S S: , e I 也 有 报 道 单 稀 土 离 子 掺 杂 的 ,如 C S Ce等 。这 类 a:
光 技 术 的 不 断 成 熟 , 尤 其 是 半 导 体 激 光 器 的 成 熟 时 ( 读 出 光 ,能 量 小 于 写 人 光 ) 阱 中 的 载 流 子 即 ,陷 应用 ,使得 光存 储从 最 初 的微 缩 照相 发展 成 为快 ( 电子 和 空 穴 ) 离 陷 阱 而 与 发 光 中 心 复 合 发 光 。 脱 图 捷 、方 便 、容 量 巨 大 的 存 储 技 术 ,各 种 光 RoM 纷 1中 ,过 程 l 示 晶 体 受 电 离 辐 射 产 生 跃 过 禁 带 的 表
纷 亮 像 , 到 最 近 的 DVD-ROM 发 布 之 时 , 双 面 自 由 电子 和 空 穴 ,过 程 2 4表 示 自 由 电 子 被 俘 获 52 .5英 寸 大 小 已 经 可 以 存 储 1 G 比 特 的 数 据 。 0
并 暂 时 存 储 在 陷 阱 中 ,过 程 3、5存 储 在 陷 阱 中 的
的 优 点 外 , 还 具 有 响 应快 , 写 次数 多, 擦 制 备 方 便 , 造 价 低 , 应
圈 1 电子 俘获 光存储 碌理 示 意固
o 0 0
可 能 在 禁 带 中形 成 一 些 定 域 能 级 ,定 域 能 级 的 不 同 , 直 接 影 响 了 激
发 、激 励 以 及 激 励 发 光 的 不 同 。电 子 俘 获 材 料 正 是 选 择 了不 同 基 质 以
这个 问题 展开 研 究 ,先 后 提 出 了光 致 变 色存 储 ,
写 人 过 程 。 电 子 俘 获 光 存 储 的 写 人 ( 发 ) 读 出 激 ,
( 励 ) 波 长 范 围 , 受 激 的 基 质 的 晶 格 影 响 ,也 受 杂质 原子,晶格缺 陷, 以及 一 些 破 坏 晶 格 周 期
光 谱 烧 孔 材 料 光 存
储 , 电子 俘 获材料 光 存 储 等 新 型 存 储 方 珐 、 ,其 中 电子俘 获光
存 储材 料 的研 究 比较
突 出 ,在某 些 方 面几 .
性 的 界 面 等 的 影 响 。破
坏 了 晶 格 的 周 期 性 ,就
乎 达 到 了实 用 化 。 电子 俘 获 光 存 储 技 术 除 了高 密 度 存 储
2实 用 化改 进
目前 对 于 这 种 材 料 的 实 用 还 处 于 开 发 阶 段 。
祛 的 持 续 读 出 衰 减 快 , 重 复 读 的 次 数 有 限 重 复 需 材 料 的 封 装 , 制 成 器 件 的 方 l 工 艺 , 与 之 配 套 的 要 使 用 较 高 温 度 热 漂 白 加 光 漂 白 , 在 配 套 技 术 方 生 产 、 试 设 备 研 制 等 具 体 技 术 问题 还 有 待 解 决 。 测 面 仍 需要 突破 。 目前 仅 有 美 国 和 日本 几 家 公 司有 少 量 实 验 室 样 品 ,
与 磁 介 质 存 储 相 比 光 存 储 技 术 寿 命 长 , 非 接 电子 和 空 穴 在 受 可 见 光 或 红 外 光 激 励 时 跃 迁 出 陷 触 式 读 /写 , 信 息 的 载 噪 比 ( CNR )高 , 信 息 位 阱 ,叉 处 于 自 由状 态 ,过 程 6、7 表 示 这 些 自 由 、8 的 价 格 低 , 但 是 不 足 也 是 明 显 的 : 光 盘 机 价 格 较 电子 和 空 穴 可 以在 材 料 中 的 某 些 发 光 中 心 离 子 的 贵 , 传 输 速 率 低 , 重 复 擦 写 技 术 尚 不 成 熟 。 主 要 局 域 能 级 上 发 生 复 合 , 而 把 它 们 所 带 的 能 量 队一 的 问 题 集 中在 了 重 复 擦 写 技 术 上 , 研 究 人 员 针 对 定 波 长 的 能量 ( 释 放 出来 从 而 完 成 整 个 读 出 及 h u)
被 俘 获 在 晶 体 内 部 的 陷 阱 中 , 从 而 将 辐 照 能 量 存 存 储 时 , 典 型 的 Ba FC]EU 材 料 写 人 使 用 x 射 : 储 起 来 , 当 受 到 光 激 励 时 ( 长 比 辐 照 光 长 ) g 线 ,读 出 光 波 长 范 围 是 4 0~7 0 m,读 出 发 光 波 波 ,i_ 0 0n 些 电 子 和 空 穴 脱 离 陷 阱 而 复 合 发 光 。 因 而 这 种 材 长 范 围 是 3 0~4 0 m。 8 0n