常见存储器芯片资料(简版)
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27020
存储空间：256kx8
读写时间：55/70ns
封装：直插/贴片32脚
引脚功能：
A0~A17地址线
I/O0~7数据输入输出
CE片选
OE输出允许
PGM编程选通
VCC+5v电源
VPP+25v电源
GND地
27020读时序：
27040与之类似
RAM--6116
6116是2K*8位静态随机存储器芯片,采用CMOS工艺制造,单一+5V供电,额定功耗160mW,典型存取时间90/120ns,
2716
2716指的是Intel2716芯片，Intel2716是一种可编程可擦写存储器芯片
封装：双列直插式封装，24个引脚
基本结构：带有浮动栅的MOS管
封装：直插24脚，
引脚功能：
Al0~A0：地址信号
O7~O0： 双向数据信号输入输出引脚；
CE：片选
OE：数据输出允许；
Vcc：+5v电源，
VPP：+25v电源；
封装：直插式28脚
引脚功能：
A0~A12:地址线
WE写允许
OE读允许
CS片选
NC—Noconnection
I/O1~I/O8数据输入输出
操作模式
模式
CS1
CS2
OE
WE
I/O1~8
备用
H
X
X
X
高阻
X
L
X
X
高阻
禁止输出
L
H
H
H
高阻
读
L
H
L
H
DOUT
写
L
H
X
L
DIN
常见存储器型号规格
封装：24线双列直插式封装.
引脚功能:
A0-A10为地址线;
CE是片选线;
OE是读允许线;
WE是写允许线.
操作方式：
CE
OE
WE
方式
D0-D7
H
Biblioteka Baidu--
--
未选中
高阻
L
L
H
读
Dout
L
H
L
写
Din
L
L
L
写
Din
RAM—6264
6264是8K*8位静态随机存储器芯片,采用CMOS工艺制造,单一+5V供电,最大功耗450mW,典型存取时间70/100/120ns,
GND：地
2716读时序：
2732
相较于2716：
Intel2716存储器芯片的存储阵列由4K×8个带有浮动栅的MOS管构成，共可保存4K×8位二进制信息
封装：直插24脚
引脚功能：
A0~A11地址
E片选
G/VPP输出允许/+25v电源
DQ0~7数据双向
VSS地
VCC+5v电源
2732读时序
2764、27128、27256、27512等与之类似
存储空间：256kx8
读写时间：55/70ns
封装：直插/贴片32脚
引脚功能：
A0~A17地址线
I/O0~7数据输入输出
CE片选
OE输出允许
PGM编程选通
VCC+5v电源
VPP+25v电源
GND地
27020读时序：
27040与之类似
RAM--6116
6116是2K*8位静态随机存储器芯片,采用CMOS工艺制造,单一+5V供电,额定功耗160mW,典型存取时间90/120ns,
2716
2716指的是Intel2716芯片，Intel2716是一种可编程可擦写存储器芯片
封装：双列直插式封装，24个引脚
基本结构：带有浮动栅的MOS管
封装：直插24脚，
引脚功能：
Al0~A0：地址信号
O7~O0： 双向数据信号输入输出引脚；
CE：片选
OE：数据输出允许；
Vcc：+5v电源，
VPP：+25v电源；
封装：直插式28脚
引脚功能：
A0~A12:地址线
WE写允许
OE读允许
CS片选
NC—Noconnection
I/O1~I/O8数据输入输出
操作模式
模式
CS1
CS2
OE
WE
I/O1~8
备用
H
X
X
X
高阻
X
L
X
X
高阻
禁止输出
L
H
H
H
高阻
读
L
H
L
H
DOUT
写
L
H
X
L
DIN
常见存储器型号规格
封装：24线双列直插式封装.
引脚功能:
A0-A10为地址线;
CE是片选线;
OE是读允许线;
WE是写允许线.
操作方式：
CE
OE
WE
方式
D0-D7
H
Biblioteka Baidu--
--
未选中
高阻
L
L
H
读
Dout
L
H
L
写
Din
L
L
L
写
Din
RAM—6264
6264是8K*8位静态随机存储器芯片,采用CMOS工艺制造,单一+5V供电,最大功耗450mW,典型存取时间70/100/120ns,
GND：地
2716读时序：
2732
相较于2716：
Intel2716存储器芯片的存储阵列由4K×8个带有浮动栅的MOS管构成，共可保存4K×8位二进制信息
封装：直插24脚
引脚功能：
A0~A11地址
E片选
G/VPP输出允许/+25v电源
DQ0~7数据双向
VSS地
VCC+5v电源
2732读时序
2764、27128、27256、27512等与之类似