三极管及三极管放大电路(英文)
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(a) The dc equivalent circuit (b) The ac equivalent circuit
半2.3导.2 体BJ三T 放极大管电及路其的直放流大分电析路
2.3.2 DC Analysis of BJT Amplifiers 一、Algebraic calculation 二、Graphical determination
(a) Basic Q-point stable CE amplifier (b) Most-common-used Q-point stable CE amplifier (c) DC equivalent circuit of (b)
半导体2.三2.2极基管本及共射其放放大大电电路路
2.2.2 Basic Common-Emitter Amplifier ＋ U CC
Rc
C2
＋
Rb iB
I BQ
iC iC
I CQ
c＋O
＋ t
C1 ＋
＋
O
iB
u BE
t b
＋
u CE U CEQ
uo
O
t
ui
O －
U BEQ O
t
O e－ t －
(a) Structure
e PNP型
c b
V
半导体2三.1.1极B管JT及的结其构放和大符电号路
c
b V
e N PN 型
e PN P型 ( b ) Symbol
Figure 2.1
2.1.2 The Characteristics of BJT
半导体三极管2.1及.2 B其JT放的大特电性路
Rc mA
半2.3导.2 体BJ三T 放极大管电及路其的直放流大分电析路
半2.3导.2 体BJ三T 放极大管电及路其的直放流大分电析路
半2.3导.2 体BJ三T 放极大管电及路其的直放流大分电析路
半2.3导.3 体BJ三T 放极大管电及路其的交放流大分电析路
2.3.3 AC Analysis of BJT Amplifiers 一、Graphical analysis
Amplification region(active region):
b-e junctions is forward-biased
b-c junctions is reverse-biased
10 uCE / V
iC iB
Cut-off region: b-e junctions is reverse-biased
半2.3导.3 体BJ三T 放极大管电及路其的交放流大分电析路 Cutoff distortion
半2.3导.3 体BJ三T 放极大管电及路其的交放流大分电析路 Saturation distortion
半2.3导.3 体BJ三T 放极大管电及路其的交放流大分电析路
二、Simplified model for small signal
半导体三极管2.1及.2 B其JT放的大特电性路
3． Temperature Effects on BJT(温度对三极管的影响)
iB
50℃
20℃
IB
O
U B E2 U B E1
uBE
(a )
Effect on input characteristics
半导体三极管2.1及.2 B其JT放的大特电性路
＋ Rb
U BB －
iB A
＋ V uBE
－
iC
＋
iE
V uCE
－
＋
U CC －
Figure 2.2 Testing Circuit
半导体三极管2.1及.2 B其JT放的大特电性路
1．The Input Characteristics(输入特性曲线)
iB / A 100
80 25℃
60
40
20
0 0 .2 0 .4 0 .6
t －
2.3 三极管放大电路的分半析 导体2.3三.1 极直流管和及交其流放等效大电电路路
2.3 Analysis of BJT Amplifiers
2.3.1 DC and AC Equivalent Circuits
A CE amplifier
半导体2.3三.1 极直流管和及交其流放等效大电电路路
第半二章导体三三极管极及管三及极其管放放大大电电路路
Chapter 2 Bipolar Junction Transistor
and BJT Amplifiers
• 2.1 Bipolar Junction Transistor • 2.2 Basic BJT Amplifiers • 2.3 Analysis of BJT Amplifiers • 2.4 Multi-Stage BJT Amplifiers • 2.5 Frequency Response of Amplifiers
u ＝0
CE
u ≥1 V
CE
0 .8 u BE / V
(a)
半导体三极管2.1及.2 B其JT放的大特电性路
2． The Output Characteristics(输出特性曲线)
iC / m A
饱和区
100
80
放
60
大
40
区
20
iB＝ 0A
02
4
6
8
截止区
(b)
Saturation region: b-e and b-c junctions are both forward-biased
2.1 双极型三半极管导体2三.1.极1 B管JT及的其结构放和大符电号路
2.1 Bipolar Junction Transwk.baidu.comstor
2.1.1 The Structure and Symbol of BJT
c
c
集电区
集电区
基区
N
集电结
基区
P
b
P
发射区
N
b
N
发射结
发射区
P
集电结 发射结
e NPN型
半2.3导.3 体BJ三T 放极大管电及路其的交放流大分电析路
三、Gain, input resistance and output resistance
Av
U U
o i
R
i
Ui Ii
Ro U o I o R L
U i 0
2.3.4 The Stability of Q-Point
半导体2三.3.极4 静管态及工其作放点的大稳电定路
iC
200 A
IC ′
150 A
IC
100 A
50 A
0
O
uCE
(b)
Effect on output characteristics
2.2 基半本三导极体管三放极大电管路及其2放.2.1大放电大路
2.2 Basic BJT Amplifiers
2.2.1 Amplification
Amplifier
半2.3导.2 体BJ三T 放极大管电及路其的直放流大分电析路
2.3.2 DC Analysis of BJT Amplifiers 一、Algebraic calculation 二、Graphical determination
(a) Basic Q-point stable CE amplifier (b) Most-common-used Q-point stable CE amplifier (c) DC equivalent circuit of (b)
半导体2.三2.2极基管本及共射其放放大大电电路路
2.2.2 Basic Common-Emitter Amplifier ＋ U CC
Rc
C2
＋
Rb iB
I BQ
iC iC
I CQ
c＋O
＋ t
C1 ＋
＋
O
iB
u BE
t b
＋
u CE U CEQ
uo
O
t
ui
O －
U BEQ O
t
O e－ t －
(a) Structure
e PNP型
c b
V
半导体2三.1.1极B管JT及的结其构放和大符电号路
c
b V
e N PN 型
e PN P型 ( b ) Symbol
Figure 2.1
2.1.2 The Characteristics of BJT
半导体三极管2.1及.2 B其JT放的大特电性路
Rc mA
半2.3导.2 体BJ三T 放极大管电及路其的直放流大分电析路
半2.3导.2 体BJ三T 放极大管电及路其的直放流大分电析路
半2.3导.2 体BJ三T 放极大管电及路其的直放流大分电析路
半2.3导.3 体BJ三T 放极大管电及路其的交放流大分电析路
2.3.3 AC Analysis of BJT Amplifiers 一、Graphical analysis
Amplification region(active region):
b-e junctions is forward-biased
b-c junctions is reverse-biased
10 uCE / V
iC iB
Cut-off region: b-e junctions is reverse-biased
半2.3导.3 体BJ三T 放极大管电及路其的交放流大分电析路 Cutoff distortion
半2.3导.3 体BJ三T 放极大管电及路其的交放流大分电析路 Saturation distortion
半2.3导.3 体BJ三T 放极大管电及路其的交放流大分电析路
二、Simplified model for small signal
半导体三极管2.1及.2 B其JT放的大特电性路
3． Temperature Effects on BJT(温度对三极管的影响)
iB
50℃
20℃
IB
O
U B E2 U B E1
uBE
(a )
Effect on input characteristics
半导体三极管2.1及.2 B其JT放的大特电性路
＋ Rb
U BB －
iB A
＋ V uBE
－
iC
＋
iE
V uCE
－
＋
U CC －
Figure 2.2 Testing Circuit
半导体三极管2.1及.2 B其JT放的大特电性路
1．The Input Characteristics(输入特性曲线)
iB / A 100
80 25℃
60
40
20
0 0 .2 0 .4 0 .6
t －
2.3 三极管放大电路的分半析 导体2.3三.1 极直流管和及交其流放等效大电电路路
2.3 Analysis of BJT Amplifiers
2.3.1 DC and AC Equivalent Circuits
A CE amplifier
半导体2.3三.1 极直流管和及交其流放等效大电电路路
第半二章导体三三极管极及管三及极其管放放大大电电路路
Chapter 2 Bipolar Junction Transistor
and BJT Amplifiers
• 2.1 Bipolar Junction Transistor • 2.2 Basic BJT Amplifiers • 2.3 Analysis of BJT Amplifiers • 2.4 Multi-Stage BJT Amplifiers • 2.5 Frequency Response of Amplifiers
u ＝0
CE
u ≥1 V
CE
0 .8 u BE / V
(a)
半导体三极管2.1及.2 B其JT放的大特电性路
2． The Output Characteristics(输出特性曲线)
iC / m A
饱和区
100
80
放
60
大
40
区
20
iB＝ 0A
02
4
6
8
截止区
(b)
Saturation region: b-e and b-c junctions are both forward-biased
2.1 双极型三半极管导体2三.1.极1 B管JT及的其结构放和大符电号路
2.1 Bipolar Junction Transwk.baidu.comstor
2.1.1 The Structure and Symbol of BJT
c
c
集电区
集电区
基区
N
集电结
基区
P
b
P
发射区
N
b
N
发射结
发射区
P
集电结 发射结
e NPN型
半2.3导.3 体BJ三T 放极大管电及路其的交放流大分电析路
三、Gain, input resistance and output resistance
Av
U U
o i
R
i
Ui Ii
Ro U o I o R L
U i 0
2.3.4 The Stability of Q-Point
半导体2三.3.极4 静管态及工其作放点的大稳电定路
iC
200 A
IC ′
150 A
IC
100 A
50 A
0
O
uCE
(b)
Effect on output characteristics
2.2 基半本三导极体管三放极大电管路及其2放.2.1大放电大路
2.2 Basic BJT Amplifiers
2.2.1 Amplification
Amplifier