单片机存储器扩展

+5V
VGM
O7 O6 O5 O4 O3 O2
O1 O0
地址范围的确定
❖ 取决于CE（片选）和地址线的接法，本例 中CE接74LS138译码器的输出/Y0。
5.2 数据存储器RAM的扩展
片内资源
➢8031片内RAM的容量：128B ➢片外最大可扩展64K RAM。 认识芯片
❖可用来扩展的存储器芯片：SRAM 6116，6264，62256等 也要用到锁存器芯片：例74LS373。
可用来扩展的存储器芯片： EPROM：2716（2K*8），2732，2764，27256等 EEPROM：2816 （2K*8） ，2864，28128等 ❖还要用到锁存器芯片：例74LS373。
存储器
2716
2816
❖ 其引脚功能如下： ❖ A0～Ai 地址输入线。 ❖ Q1～Q8 三态数据线； ❖ ＣＥ 片选信号输入线，低电平有效； ❖ ＯＥ 读选通信号输入线，低电平有效； ❖ ＶＣＣ 工作电源，电压为＋５ Ｖ； ❖ GND 线路地。
单片机存储器扩展
单片机与嵌入式系统
第五章 单片机：存储器扩展 王浩 副教授
中南大学信息科学与工程学院
第
Single Chip Microcomputer
章
本章内容
单
程序存储器ROM的扩展
片
机
数据存储器RAM的扩展
系
统
扩
展
5.1 程序存储器ROM的扩展
片内资源
➢8051有片内ROM的容量：4K ➢片外最大可扩展64K ROM。 ➢有关的管脚：EA
I/O 1 I/O 0
存储器
U25
A0 10 A1 9 A2 8 A3 7 A4 6 A5 5 A6 4 A7 3 A11 25 A12 24 A14 21 A13 23 A9 2 A10 26 A8 1
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12 A13 A14
读/写外部数据存储器时序
图8－28 89C51访问片外RAM操作时序图
WR RD P 2 .7 P 2 .6 P 2 .5
P 2 .4 P 2 .3 P 2 .2 P 2 .1 P 2 .0 P 0 .7 P 0 .6 P 0 .5 P 0 .4 P 0 .3 P 0 .2 P 0 .1 P 0 .0 8 0 51 ALE
EA
7 4 LS
138 Y1
+5V
D7
D D
6 5
Q7 Q6 Q5
D4 D3 D2
Q4 Q3 Q2
D D
1
0
G
Q1 Q0 OE
WE OE
C E1 C E2
A 12 A 11 A 10 A9 A8
A7
A6
A5
A4
A A
3 2
6 2 64
A1
A0
I/O 7 I/O 6 I/O 5 I/O 4 I/O 3 I/O 2
图8－27 常用静态RAM芯片引脚图
❖ 其引脚功能如下： ❖ A0～Ai 地址输入线，i=10(6116),12(6264),14(62256)。 ❖ D0～D7 双向三态数据线； ❖ ＣＥ 片选信号输入线，低电平有效，当6264的26脚(CS)
为高电平，且ＣＥ为低电平时。才选中该片； ❖ ＯＥ 读选通信号输入线，低电平有效； ❖ ＷＥ 写允许信号输入线，低电平有效； ❖ ＶＣＣ 工作电源，电压为＋５ Ｖ； ❖ GND 线路地。 ❖ 这3种RAM电路的主要技术特性见表8－5。
8031 P0.3 P0.2 P0.1 P0.0
ALE
EA
7 4 LS 138 Y0
74LS 373
D D
7 6
D5
D4
D3
D2
Q7
Q Q
6 5
Q4
Q3
Q2
D D
1
0
G
Q1 Q0 OE
OE CE
A 12 A 11 A 10 A9 A8
A7
A6
A5
A4
A3 2764 A 2 (8K*8)
A1
A0
Vpp
R29 R30
VCC 51K 51K
8
7
6
SCL
5
SDA
24LC16B
数据存储电路
THANK YOU!
存储器读访问时序
图8－25 89C51扩展的 并行三总线
图8－26 89C51地址总线 扩展电路
74LS373
读外部程序存储器时序
注意：上述时序是在取指令过程中自动产生
在8031单片机上扩展4KB EPROM
PSEN P2.7 P2.6 P2.5 P2.4 P2.3 P2.2 P2.1 P2.0 P0.7 P0.6 P0.5 P0.4
VCC
D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7
/WE
A15 20 14
Βιβλιοθήκη Baidu/OE /CS GND
61256
VCC 28
11 D0 12 D1 13 D2 15 D3 16 D4 17 D5 18 D6 19 D7
27 WR 22 RD
VCC VCC
U3
1 2 3 4
A0 VCC A1 WP A2 SCL GND SDA