2019年磁控溅射说明书-推荐word版 (8页)

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磁控溅射说明书
篇一：溅射台说明书
超高真空磁控溅射设备
使用说明书
沈阳奇汇真空技术有限公司
一设备简介
该设备是用于在真空状态下进行磁控溅射试验的科学仪器。

设备的密封采用金属密封与氟胶圈密封相结合的方式，电极采用陶封技术，运动采用金属焊接波纹管结构。

设备整体用优质不锈钢制造，系统可靠，运动灵活，定位准确。

1 设备的主要结构及介绍
设备按外观结构可分为三部分，磁控溅射室、磁控靶、工作台如图（一）
2.1磁控溅射室
磁控溅射室由加热水冷样品架、真空获得及测量系统等组成。

如图（二）。

2.1.1 加热及其水冷样品台
加热样品台安装在磁控溅射室的上方，采用陶瓷炉盘及高温炉丝盘制而成，升温与降温速度快，温度均匀性良好。

可加热到600℃，长时间在500℃条件下工作，控温精度±2℃。

水冷样品台可以和加热样品台更换使用，安装在磁控溅射室上方，采用不锈钢焊接而成，冷却效果良好。

（如图三）
加热样品台（图三）水冷样品台
2.1.2真空获得系统
由2X—4B机械泵1台，620C分子泵（中科科仪KYKY 620C）1台，上海三井的100L离子泵一台，K-100扩散泵一台，CF150超高真空闸板阀1台，CF100超高真空闸板阀1台，CF35超高真空角阀1只。

通断蝶阀一只，KF40电磁真空阀3只，Ф32金属波纹管路3段，(总长6.5米)构成。

详见配套部分的《插板阀说明书》《110A分子泵说明书》《2XZ-4B机械泵使用说明书》，《三井离子泵使用说明书》
2.1.3真空获得系统
真空测量系统由测量规管和超高真空真空计组成。

该机配有KF电阻规、超高真空金属电离规。

详见《正华真空计说明书》。

2.2 磁控靶
3寸磁控溅射靶，靶体采用无氧铜加工而成，无磁力干扰，磁场部分模拟，提高靶材利用率，内置水冷结构，保证靶材使用寿命，水冷结构特殊设计，抗污染能力强（建议还是要使用纯净水，水中的杂质太多，大大的缩短靶水道清洗的周期。

），靶上方固定混气环，可充如掺杂气体。

2.3工作台
工作台整体由方管焊接打磨而成，四周安装可拆卸门板，底部安装有脚轮与地角，可方便移动。

二主要技术参数
1 极限真空度：单开分子泵系统时，8.5x10-6Pa
开离子泵系统时，8.5x10-7Pa
扩散泵系统，8x10-4 Pa
2．真空抽速：从大气达到7x10-4 Pa，<40分钟。

3. 可制备最大为φ100mm的薄膜样品
4.加热与水冷样品台升降距离为30mm。

三设备的安装
安装步骤如下：
１打开包装后将主机和机械泵平稳移动到安装位置，移动过程中严禁搬扶样品架顶部及阀柄、管路等部位，整机严禁磕碰、撞击。

２设备与其它设备或墙壁的距离不得小于０.６米。

３安装位置确定后将主机下的支撑脚旋紧，使活动轮稍离地面。

旋紧力要均匀。

使用水平仪,调整工作台的水平度。

4 安装各部件。

5 连接水源，接好各部件的冷却水路。

6 电控、电源的连接见电器说明书。

5 设备操作流程
5.1准备工作
1 检查冷却水路,确保水路密封,启动水箱。

观察冷却水循环情况，是否有漏水
之处，及时解决。

2 检查真空室的手动放气阀是否关闭，如未关闭请先关闭。

3 检查插板阀柄运动是否有阻碍物，确保无阻碍物的情况下方能操作。

4 将总电源面板上的总开关扳上。

观察面板上电源相序指示灯。

如
篇二：磁控溅射镀膜的简介及其实际操作
磁控溅射镀膜的简介及其实际操作
作者：徐超群
作者单位：乐山师范学院物理与电子工程系
【摘要】溅射技术的最新成就之一是磁控溅射。

对于二级溅射、偏压溅射、三
级或四级溅射和射频溅射而言。

它们的缺点是沉积速率较低，特别是阴极溅射。

因为它们在放电过程中只有大约0.3~0.5%的气体分子被电离。

为了在低气压下
进行高速溅射，必须有效的提高气体的离化率。

由于在磁控溅射中引入了正交
电磁场使离化率提高到5~6%。

于是溅射速率比三级溅射提高10倍左右，对许
多材料，溅射速率达到了电子束蒸发的水平。

【关键字】溅射电子电场磁场高速
1.磁控溅射的工作原理：电子e在电厂E的作用下在飞向基板的过程中与Ar
原子发生碰撞使其电离Ar和一个新的电子e，电子飞向基片，Ar在电场的作用下加速飞向阴极靶，并以高能能量轰击靶表面使靶材发生溅射，在溅射粒子中，中性的靶原子或分子则由于不显电性而直接沉积在基片上形成薄膜。

二次电子
e一旦离开了靶面，就会同时受到电场和磁场的作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。

若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很。