磁控溅射镀膜机的使用流程

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磁控溅射仪操作规范

JSD450-Ⅲ型磁控溅射镀膜机
操作步骤及规范
开机
1、打开冷水机。

设定温度：冬天10-15℃，夏天5℃
2、打开放气阀破真空，然后关闭放气阀（之后整个工作过程务必保证放气
阀均是关闭状态。

本机阀门均是逆时针打开，顺时针关闭）
3、打开总控电源
4、打开真空计（电阻单元真空范围10Pa，电离单元0.1-10-6Pa）
5、打开灯，检查镀膜腔是否关紧（观察腔四周是否有光线）
6、打开机械泵电磁阀，此时务必保证放气阀已经关闭！！！
7、打开预抽阀
8、当压强达到10Pa以下打开分子泵→运行→关闭预抽阀→完全打开插板阀工作
1、当腔内压强真空度达到要求后，打开气罐（指针调至刻度1-2之间），关
小插板阀，仪器的工作气压为1-10Pa。

2、关闭电离单元按下“自动”→电离→打开进气阀→流量计（mL/min）
3、在保持输入气体比例基本不变的条件下调节进气量或者调节插板阀使气
压处于1-10Pa，最好是5Pa，流量计开关一般在“阀控”。

4、打开射频开关“ON”观察有无起灰，若无起灰再调节功率或进气量
关机
气体流量计归零→关闭状态→关闭进气阀→关闭控气阀→关闭插板阀→关闭气瓶→射频/直流功率归零→“OFF”→温度电源归零关闭→流量计关闭→分子泵停止待转速归零→关闭开关→关闭电磁阀→关闭机械泵→放气阀打开→放完气以后关闭。

磁控溅射设备操作规程

操作规程项目名称：JGP-450型双室磁控溅射沉积系统项目号：K08-0841、开机前准备工作⏹开动水阀，接通冷却水，检查水压是否足够大，水压控制器是否起作用，保护各水路畅通。

⏹检查总供电电源配线是否完好，地线是否接好，所有仪表电源开关全部处于关闭状态，将各电源的旋钮打到停止位置或关闭位置。

⏹检查分子泵、机械泵油是否标注到刻线处，如没有达到刻线标记应及时加油。

⏹检查系统所有阀门是否全部处于关闭状态，确定溅射室完全处在抽真空前为封闭状态。

提示：注意保持洁净的预真空环境，严禁杂物和灰尘落入真空室内或粘在胶圈上；对真空室内零部件的操作要带无尘手套。

样品和靶材需严格清洗后放入真空室内。

2、开机（大气状态下泵抽真空）确认所有电源开关都在关闭状态后，按下总电源开关，此时电源三相指示灯全亮，供电正常。

提示:如果电源三相指示灯没有全亮，应检查供电电源是否缺相。

在确认电源正常之后方可进行下一步工作。

将“断水报警”拨扭拨到“报警”，给分子泵提供冷却水。

（此时冷却水已经循环流动，无论分子泵是否运转。

当启动分子泵运转时，如果“断水报警”无翁鸣，说明供水正常；若翁鸣，则需要检查水路是否连接正常，直至翁鸣消失方可启动分子泵。

）大气状态下溅射室泵抽真空：✓启动溅射室复合真空计，将其电源开关拨到“开”位置，电阻规开始工作并显示相应真空度。

✓按下机械泵R1开关，机械泵指示灯亮，此时机械泵工作，打开旁抽阀V1,粗抽真空。

观察真空度是否有变化，当真空有继续上升的趋势时，进行下一步操作。

✓打开电磁阀DF1，机械泵R1预抽分子泵T1，并在闸板阀G2两端形成相同气压。

✓当真空计显示的真空度高于20Pa时，关闭旁抽阀V1，打开闸板阀G2。

✓打开分子泵T1电源开关，打开启动按钮，其加速指示灯亮，电源控制面板上显示频率，约8分钟，加速指示灯灭，正常灯亮，分子泵进入正常工作状态。

此时机械泵R1只充当分子泵T1的前级泵。

✓当真空度达到1.0×10-1Pa时真空计自动转换为电离规测量，读数自动跳转电离显示屏显示。

磁控镀膜操作规程

磁控镀膜操作规程磁控镀膜是一种利用磁控溅射技术对材料进行薄膜涂覆的方法。

磁控镀膜具有膜层致密、附着力强、膜层均匀、沉积速率快等优点，广泛应用于光学薄膜、电子器件、半导体材料等领域。

下面是磁控镀膜操作规程，供参考。

一、设备操作前的准备工作：1. 检查设备的供电电源、压缩空气、冷水循环等系统是否正常运行。

2. 检查镀膜材料及其靶材是否准备齐全，确保没有污染和损坏。

3. 检查真空泵的油位是否足够，真空泵是否正常运转。

4. 检查电极、靶材和工件的接触端是否干净，如有污染需用无尘纱布擦拭。

二、设备操作步骤：1. 打开设备电源，保持设备通电正常。

检查密封装置是否正常，如有漏气现象需要及时修复。

2. 打开水冷却系统，确保冷却水流量正常。

检查冷水机的工作状态，如温度是否稳定，流量是否充足。

3. 打开真空泵的开关，启动泵机，观察真空度是否逐渐上升。

如真空度没有上升或上升缓慢，需检查真空系统是否有漏气情况。

4. 打开底部旋转架的开关，控制旋转速度。

根据工艺要求，调整合适的旋转速度。

5. 打开磁控镀膜的开关，调节磁控功率。

根据镀膜工艺要求，调节合适的磁控功率，确保膜层的均匀性和致密性。

6. 打开闸门，将待镀膜的工件放置在旋转架上。

确保工件与电极、靶材的接触良好，避免电弧和放电现象。

7. 控制镀膜时间，根据工艺要求设定合适的镀膜时间。

8. 镀膜完成后，关闭磁控镀膜的开关，停止供电。

关闭底部旋转架的开关，停止旋转。

9. 关闭闸门，取下已镀膜的工件。

检查工件的膜层质量，如有问题需要及时进行维修或重新镀膜。

10. 关闭真空泵的开关，停止运转。

检查真空泵的油位是否足够，如不足应及时补充。

11. 关闭水冷却系统的开关，停止冷却水流动。

三、设备操作后的收尾工作：1. 清理设备内部的残留杂质和污染物，保持设备的清洁。

2. 停止供电和冷却系统，关闭设备的电源和水冷机。

3. 对设备进行定期保养和维护，清洁真空泵、更换滤网和密封圈等易损件。

溅射镀膜操作过程

溅射镀膜操作过程镀膜操作过程磁控溅射开启1开总电源，开冷却水2开总控制柜电源开关，开机械泵开关，开V6阀初抽真空（初抽3分钟后可打开复合真空计测真空）3当真空度<10Pa时，可打开电磁阀DF4当真空度<5Pa时即关V6阀，开分子泵（先开电源，等到显示屏显示不断跳跃的450时按下Start）5打开闸板阀G开始抽真空，（30分钟后）当真空度<10-2Pa时可以打开程控真空计测真空6大约抽30分钟看一下真空计读数，真空达到10-4时就可以开始烘烤（切记：烘烤时不能开程控真空计）7烘烤30分钟后关闭烘烤按钮，继续抽真空到所需真空度气体通入1关闭程控真空计，检查气路正常，然后打开（流量计面板上气路控制）电源开关2打开所用气路的截止阀，抽出气路中的残余气体3关闸板阀G（实际上不完全关闭，调到很小）4打开气瓶（先逆时针开主旋钮），再顺时针轻开压力表的次级压力旋钮（气压表气压0.1MPa）5打开所用气路的计量计（对Ar气，对应MFC4）开关，拨至阀控，用调节旋钮调节气路流量大小（如20sscm）6调节闸板阀G使之到所需的工作气压（如一般3Pa）（气压基本稳定时可结合流量计微调，波动范围0.05Pa）溅射1开射频控制柜总电源2开射频电源预热5分钟3开始反溅射（起清洗真空室的作用）。

操作时(拨到反溅档)，先把溅射电压调至50V。

量程按钮调到最大（2000，保护仪表不超过量程），调节功率到设定功率，反射读数调到最低。

按量程到200按钮，调节功率（电压）起辉反溅10分钟，关闭溅射电源4调节闸板阀到所需工作气压（如0.3Pa），开射频电源，电压调至50V，重复步骤3调节到所需功率，起辉预溅5～10分钟（转动挡板挡住样品）清洗靶材。

5移开挡板，打开偏压（设定好）开始溅射（注意把握好时间，到时间旋转挡板）溅射关闭1关射频功率源（旋钮至最低，OFF）2关偏压电源3关基片旋转控制电源（注意顺序）4关射频总控制电源5把旋钮打到反溅关闭气体1先将调节旋钮旋到最低，当流量显示<1.0时再把流量计开关档打到关闭2关闭气路的截止阀（对Ar气是V5）3打开闸板阀，关闭气瓶（先逆时针关次分压）真空系统关闭1关闭闸板阀G2继续抽真空到10-4数量级，关闭分子泵。

磁控溅射仪操作手册

磁控溅射仪操作手册一．设备开机：1.确认室内工作环境适合磁控溅射仪工作。

2.开电源。

在总闸打开的情况下，打开控制磁控溅射仪用电的设备开关②；开磁控溅射仪的电源开关。

3.等显示屏上能看见炉腔真空度开冷却循环水。

4.将空气阀开关调至半开状态,开氩气瓶，氧气瓶和氮气瓶至0.1MPa。

5.开分子泵。

显示屏进入正常模式之后，调制AUTO档点“AUTO PUMP”自动开启机械泵和分子泵。

然后仪器自动抽取分子泵待。

前级阀（Backing Valve）和高阀（Hi-Va）依次变绿开始抽取主真空室真空。

二．放样Ⅰ.进样1）在Arm@Home是绿色的情况下，点击“LL AUTO VENT”，送样室开始放气。

2）放完气之后，开送样室的大门，将放有待镀膜的样品的工件盘放入送样线的机械手上，关上送样室的大门，合上大门的开关。

3）点击“LL AUTO PUMP”（根据需要可能需要两次），开始给送样室抽取真空。

待LL AUTO PUMP由绿变红时，抽取真空完毕。

Ⅱ.送样1）点击“LL ISOLATION VALVE”,将进样室和主真空室的阀门打开即可开始送样。

2）传送样品时，将控制进样的“UP-DOWN”开关调到“UP”档,逆时针转动转盘，当带有工件盘的机械手到达主真空室的对应位置。

3）将控制进样的“UP-DOWN”开关调到“DOWN”档，即将工件盘送入主真空室对应工的件台上。

4）顺时针转动转盘，直至机械手移至送样室对应的部位，这时能听到进样室和主真空室的阀门关闭的响动信号，此时机械手已经归位。

三．样品清洗（AUTO模式）1.选择自动模式，依次点击“Navigate”,“AUTO CONFIGURATION”进入自动挡的电源选择界面。

2.在自动挡的电源选择界面选取偏压溅射，设置偏压溅射的参数，可以参考如下图。

设置好偏压功率，溅射时间，工件盘旋转速率，本地真空，气体流量。

3.点击“Overview”进入主界面，观察腔室的真空度，如果真空度未达到5×10-6Torr需要灌液氮辅助抽真空。

磁控溅射的使用流程

磁控溅射的使用流程1. 简介磁控溅射是一种常用于薄膜制备的物理气相沉积技术，通过在真空环境中使用外加磁场来控制离子在固体表面的击穿行为，从而实现材料沉积。

本文档将介绍磁控溅射的使用流程。

2. 实验准备在进行磁控溅射实验前，需要进行以下准备工作：•准备目标材料：选择适合溅射的材料目标，并确保其表面质量良好。

•真空室准备：检查真空室的密封性，确保真空度符合要求。

•溅射设备：检查溅射设备的机械结构和电气系统是否正常工作。

3. 开始实验以下是磁控溅射的基本使用流程：3.1 设置工艺参数在开始实验之前，需要设置以下工艺参数：1.气体流量：根据实验需求设置工艺气体的流量，通常使用氩气作为惰性气体。

2.溅射功率：控制溅射功率调节器，根据目标材料和膜层要求设置溅射功率值。

3.前驱体材料：如有需要，设置前驱体材料的流量和温度。

3.2 准备目标材料1.首先，将目标材料固定在溅射装置的靶架上，并确保目标材料与靶架之间的接触良好。

3.3 抽真空1.打开真空泵，将气体抽出真空室，直到达到所需真空度。

2.检查真空度指示器的读数，确保真空度稳定在所需范围内。

3.4 开始溅射1.打开溅射控制器的电源开关。

2.选择合适的溅射参数，并在控制界面上设置相应的数值。

3.打开氩气罩上的气体流量调节阀，调节气体流量。

4.打开氩气阀门，使气体进入溅射室。

5.打开溅射源的开关，开始溅射过程。

3.5 结束实验1.当达到所需的膜层厚度后，关闭溅射源和气体流量。

2.关闭溅射控制器的电源开关。

3.关闭氩气阀门，停止气体流入溅射室。

4.关闭真空泵，打开气阀，将气体重新充入真空室。

5.等待真空室恢复常压后，打开真空室，取下目标材料。

4. 实验注意事项在进行磁控溅射实验时，需要注意以下事项：•操作人员需要戴好防护眼镜和手套，确保安全。

•在操作溅射源和气体阀门时，需轻拧。

•在实验过程中，注意监控溅射功率和气体流量的稳定性，及时调整工艺参数。

5. 结论磁控溅射是一种重要的材料制备技术，在薄膜制备、材料研究等领域有广泛应用。

磁控溅射操作规程

磁控溅射设备操作规程开机过程1.开电柜A水阀（注意有两水路，阀门上标签为电柜左(A)，电柜右(B)）.2.开电柜A总控制电源.3.开机械泵，打开旁抽角阀V1,开低真空计电源，用机械泵抽至机械泵抽压极限(或5Pa以下).4.开闸板阀G，开电磁阀（DF1），关闭旁抽角阀V1.5.观察低压真空计示数是否稳定(稳定时即为系统不漏气)，待稳定后开分子泵(KYKY)总电源.6.观察分子泵显示窗口为闪动的600Hz时，按下分子泵启动按钮，分子泵加速.7.当分子泵转速稳定，窗口显示为600Hz后，按下高真空计DL-7电源按钮，观察真空室真空度，等待达到溅射所需的本底真空度(一般为10-4Pa).溅射过程1.关闭高真空计DL-7 (!进气之前一定要关闭，否则高真空计会被损坏)，然后打开V2，再打开V5.2.开氩气瓶总阀，开减压阀，观察其指示小于1.5格(三个大气压)即可.3.开质量流量计电源，将MFC1打到阀控位4.关小闸板阀G，此调节过程配合旋动旋钮调节气体流量，使低压真空计示数（直流溅射一般为2~5Pa之间，射频一般在5-8Pa之间）.5.开电柜B水阀，开电柜B总控制电源.(1). 直流溅射：开电柜B中相对应靶位直流溅射电源，调节功率使使靶上方氩气电离启辉.旋转功率调节旋钮，使溅射功率达到所需要的数值. 待板压和板流稳定后，转动挡板和转盘，转动挡板和转盘到相应的靶上，开始溅射并计时.溅射完毕后，将功率调节旋钮逆时针调到最小，按下停止按钮. 然后关闭电柜B的总控制电源.(2). 射频溅射：按下电柜B中射频功率源的Uf按钮，电子管预热5-10分钟.按下Ua的开始按钮，通过Ua粗调和细调增大板压，使靶上方氩气电离启辉. 调节SP-II 型射频匹配器的C1,C2(调节一个时，另一个不动)，使反射功率最小，驻波比小于1.5. 增大Ua,调节匹配器的电容使反射功率始终最小，如此反复调节使溅射功率达到所需要的数值. 预溅射几分钟后，转动挡板和转盘到相应的靶上，即可开始溅射.(3). 溅射完毕后，将Ua调到最小，按下Ua的停止按钮.等待几分钟后按下Uf按钮.然后关闭电柜B的总控制电源.（如果需要给衬底加热，方法同退火过程的5，6步骤）.靶挡板和转盘的转动：可通过电脑上的控制软件或手动转动.注意转盘和样品挡板同时转动前一定要检查定位插销，不能使转盘被卡住；只对样品进行转动操作前，需要将样品挡板卡住；为了不使加热电缆缠绕，不能大角度转动转盘.6.溅射完毕后，关闭氩气的过程：先关气瓶总阀，后关减压阀，再将MFC1打到关闭，待流量计显示为0后关闭流量计电源. 先关V5后关V2，开大闸板阀G，让分子泵将真空室抽至高真空.退火过程1.开加热控温电源，调节设定退火温度，加热电流初始调至2A，过2分钟左右依次调至4A,6A,8A，注意不要使电流太大.2.温度显示为设定温度时开始计时(退火时间).关机过程1.待真空室抽到高真空（10-4帕），关闭闸板阀G.2.按下分子泵停止按钮，分子泵减速，当频率显示低于50Hz时，关闭电磁阀.3.按机械泵按钮，停止机械泵. 当分子泵停止频率显示为闪动的600Hz时,关闭分子泵总电源. 分子泵显示窗口显示P.OFF后关闭总控制电源.4.关闭水阀，放回排气管，关严窗户.更换样品过程1.打开放气阀(V4)，使真空室和外界压强相等后，关闭V4.2.打开电柜A水阀及电柜A总控制电源，确保拔出定位插销后，按下升按钮，升起真空室盖到适当高度..3.取下样品托，更换样品.4.将真空室顶盖小心推至真空室正上方，按下“降”按钮. 小心缓慢的将真空室顶盖降下，真空室顶盖降到不能自动再降电动机会自动停止.更换靶材过程（起始过程同上述1.2.）1．用螺丝刀拧开固定靶挡板的四个螺丝，将靶挡板小心取出. 旋起靶罩并将其取出，后用内六角螺丝刀将靶盖的固定螺丝拧松，取出靶罩和靶材. 将新的靶材放在铜靶托上，盖上靶盖，拧上螺丝. 重新旋上靶罩，使靶罩和靶盖间留有一定的间隙(1-3mm或稍大)，两者不能接触，因为在溅射电源开时，靶罩为阳极，靶和靶盖为阴极(对直流溅射而言)；对射频溅射电源来说，两极一直在交替. 靶罩和靶盖相接触的话，即为短路(这一步骤必须戴布手套操作，避免手汗及油脂对真空室引入污染).5.放入靶挡板，用螺丝刀拧紧固定螺丝.6.将真空室顶盖小心推至真空室正上方，按下“降”按钮. 小心缓慢的将真空室顶盖降下，真空室顶盖降到不能自动再降时电动机会自动停止.！！请各位实验操作人员严格按照此规程操作，如有失误造成损失自行负担责任.磁控溅射设备实验室2006.4.7。

磁控溅射操作步骤新

磁控溅射操作步骤（有下划线为着重注意）一、抽真空1.循环水开，总电源开2.检查所有阀门必须关闭3.总电源开4.开（2个）“镀膜室机械泵”，“样品室机械泵”5.打开（2个）35角阀，开到最大（35角阀是机械泵的开口）6.看真空显示表，开“热偶”，DL-70 镀膜室DL -90样品室7.当热偶真空计显示数（当压强﹤10pa时，关闭2个35角阀）（当压强长时间不减小时，可能是封闭不严）8.打开（2个）“镀膜室前级阀”，“样品室前级阀”9.分子泵显示，启动分子泵（2个），按绿色“运行”10.打开镀膜室和样品室闸板阀（2个）开到底（逆时针转）等到分子泵频率到稳定状态（镀膜室400Hz，样品室450HZ）11.打开真空显示窗中的“电离”（2个）两室工作时压强都要达到5.0×10-4pa，真空度最高可达：镀膜室6.0×10-6pa。

二、镀膜1.通气体前，关闭真空显示计“电离”开关2.打开射频匹配器开关，进行预热3.打开16进气阀，开一圈，看显示计示数变化，要求气体流入时，气压平衡增大，不能大于100pa4.打开蓝色Ar气的截止阀，开一圈5.打开流量控制电源“开关”，打开Ar流量的“阀控”，旋转调节旋钮，顺时针旋转，至示数20（30）6.打开Ar气瓶开关阀，控制输出气压0.1～0.2Pa之间7.调节镀膜室的真空度，关（镀膜室）闸板阀（顺时针转是关），转到最后时微调，看显示器热偶的数字达到要求（0.5～5Pa）（注意：气压显示会出现延迟，并且溅射开始时气压可能还会变化，故溅射时应注意气压的大小要与设定的数据一致）8.射频匹配器打开一段时间后，预热好则Ua的红灯亮9.再打开Ua的绿灯开关，调节“Ua粗调”至20，观察SWR仪表，调C2、C1旋钮，使REFLECTED指针到“0”，则可发生辉光放电。

先调C2使指针至最小值，再调C1使指针至最小值，如此反复至指针为“0”10.预溅射10分钟左右，打开样品台控制电源，按“启动”，样品台开始旋转。

磁控溅射操作流程及注意事项

磁控溅射操作流程及注意事项磁控溅射操作流程及注意事项一、打开冷却水箱电源（注：水箱电源是设备的总电源。

）检查水压是否足够大（0.1MPa），水压控制器是否起作用。

二、放气2.1 确认磁控溅射室内部温度已经冷却到室温；2.2 检查所有阀门是否全部处于关闭状态；2.3 磁控溅射室的放气阀是V2，放气时旋钮缓慢打开，这能够保证进入气流不会太大；2.4 放气完毕将气阀关紧。

三、装卸试样与靶材3.1 打开B柜总电源（在B9面板上），电源三相指示灯全亮为正常。

3.2 提升或降落（B4“升”或“降“）样品台要注意点动操作，不要连续操作。

3.3 装卸试样与靶材要戴一次性薄膜手套，避免油污、灰尘等污染。

3.4 磁控靶屏蔽罩与阴极间距为2-3毫米，屏蔽罩与阴极应该为断路状态。

3.5 装载试样要注意试验所用样品座位置与档板上溅射孔的对应，并记录样品座的编号及当前所对应的靶位。

3.6 降落样品台时要注意样品台与溅射室的吻合，并用工业酒精擦洗干净样品台与溅射室的配合面。

四、抽真空4.1 确认D面板“热电偶测量选择”指示“Ⅰ”时；4.2 确认闸板阀G2、G4已经关闭；4.3 打开B4上“机械泵Ⅰ”，再打开气阀V1，开始抽低真空。

4.4 打开B3面板的电源开关，同时关闭“复合”键。

能够从B3－1处观察低真空度。

(低真空测量下限为0.1Pa）。

当真空度小于5Pa能够开始抽高真空。

4.5 关闭气阀V1，打开B4上“电磁阀Ⅰ”（确认听到响声表示电磁阀已开）4.6 打开B8面板的磁控室分子泵电源，按下“START”键，按下FUNC/DATA键，数字开始逐步上升，等大于H100.0后打开闸板阀G1，随后分子泵速上升并稳定到H400.0。

4.7 磁控室的高真空度在B2面板显示，不要一直开着高真空的测量，也不要频繁开关, 一般每隔1-2小时可打开观察一次，等示数稳定后再关闭（一般不超过3分钟）。

五、充气5.1确认高真空度达到了-4、-5的数量级，在充气之前必须关闭高真空计；5.2 打开A1面板上MFC电源，预热3分钟；5.3 稍关闭闸板阀G1到一定程度，但不要完全关紧5.4 打开V4、V6（若是二路进气，V5应和V6同时打开）阀门5.5 将控制阀扳到“阀控“位置5.6 打开气瓶阀门，稍旋紧减压阀至压力示数为0.1MPa即可；5.7 调节MFC阀控的设定（一般在30左右），再进一步关紧闸板阀使得低真空（B3－1）读数接近所需的溅射压强，然后经过微调MFC阀控得到所需的溅射压强。

磁控溅射操作步骤同济

磁控溅射操作步骤
开机步骤：
1、检查各处阀门开闭情况，真空规位置，各仓内真空度。

2、打开总控电源，照明电源。

3、插上抽水泵插头，开启冷却水系统。

4、打开机械泵
5、5分钟后打开电磁阀
6、打开闸板阀
7、打开真空计开关
8、真空到达10Pa后打开分子泵
9、分子泵抽至5X10-4后可，开机完成
溅射镀膜步骤：
1、在电脑中设定基底温度及挡板开闭的程序。

镀膜开始前挡板保持关闭的状态。

2、用磁力拉杆把基片架放入
3、加直流负偏压，从0V慢慢加至-100V
4、关高真空规
5、通入氩气，打开充气阀，流量从0慢慢加至50sccm（流量计使用前需预热10分钟）
6、关闭溅射室闸板阀15圈左右，使室内气压至5Pa
7、打开射频电源，功率根据不同靶材不同，调试功率：50%（射频电源使用前需预热10
分钟）
8、启动挡板及加热程序，开始镀膜
关机步骤：
1、关闭挡板
2、关闭流量计
3、关闭直流偏压
4、关闭射频电源
5、用磁力拉杆将基片架拉到处理室
6、关闭两个闸板阀
7、关闭分子泵
8、分子泵停稳后关闭电磁阀
9、关闭机械泵和冷却水
10、待处理室冷却后缓慢打开处理室通气阀
11、取出基片架。

基本上没有什么问题，注意闸板阀打开与关闭时两端的真空要小于50PA。

磁控溅射仪操作步骤

磁控溅射仪操作步骤（C114）1.溅射前检查设备各电源连接是否正常；各开关是否置于“关”的位置；各旋转按钮是否归零；各个阀门有没有关闭。

2.开水泵给设备送水（室外放置）。

3.开启总电源送电（西墙电源盒左下角的上下开关）。

4.开腔、取样、放样1)调靶位至最高位置2)开溅射仪设备总电源3)降下样品库4)打开放气阀（听不到进气声后，再停1分钟左右升起上盖）5)升起上盖、取样、换样；降下上盖，关闭放气阀（一定记得关闭！！）5.抽真空6)启动机械泵7)打开CF35角阀8)打开分子泵总电源（预热）9)打开热偶计10)热偶计读数在5Pa左右，关闭角阀11)打开分子泵前级阀（旁抽阀Ⅱ），抽1-2分钟左右12)按下分子泵“启动”按钮13)分子泵转速高于100后，开启闸板阀（缓慢开启，至全开）14)打开电离计，真空度达到所需气压值，记下基底气压值，准备溅射6.充Ar气16)调靶位17)打开所需要的电源（预热）和冷水增压泵A：流量计电源、样品台电源、挡板电源；B：灯丝电源（射频溅射）、排风扇+励磁电源+直流电源Power（直流溅射）18)关闭电离真空计（溅射期间不可打开电离真空计！）19)关闭闸板阀27~28圈20)打开热偶计21)打开Ar瓶、减压器旋钮，打开混气阀（缓慢开启，观察气压）22)流量计拨到“阀控”，设定电位器（缓慢调节，气压读数有滞后）7.溅射23)检查Ua粗、细调是否置0，功率量程是否200W打开靶Ⅱ24)开启射频按钮“On”（进气后灯丝预热基本结束）25)先调Ua粗调，后调细调，同时调节C1、C2，观察输出功率和反射功率指针读数（反射Pf接近0）26)观察是否有自偏压起辉（*若不起辉，开挡板或增大气压值）23)打开靶Ⅱ（开/关），调整励磁电流（1.6A）24)按蓝色按钮“SETPT”,调Level设定所需功率25)按下OUTPUT的蓝色“On”挡（开始处于Off档），使其起辉26)打开“Right Display”的Autual,查看工作功率、工作电压和工作电流（*如不起辉，开挡板或者增大气压或者增大励磁电流或者增大功率）27)预溅10~30分钟起辉稳定后，打开样品台“正转/反转”按钮，旋钮旋至2.5圈以上，打开样品挡板，立即计时。

磁控溅射镀膜机使用说明

磁控溅射镀膜机使用说明磁控溅射镀膜机是一种广泛应用于材料科学、电子制造领域的设备，通过磁控溅射技术，可以在各种基底材料上沉积一层或多层金属、非金属或半导体薄膜。

该设备主要由真空室、磁控溅射源、进样室、控制系统等部分组成。

（1）确认电源连接正常，检查真空泵、冷却循环水等设备是否正常工作。

（2）打开真空室门，将基底材料放置在样品台上。

（3）关闭真空室门，启动真空系统，将室内抽至高真空状态。

（4）打开磁控溅射源，进行预溅射清洗靶材。

（5）调整工艺参数，如溅射功率、时间、气压等，开始进行溅射镀膜。

（6）镀膜过程中，监控各种参数，如气压、电流、功率等，确保设备正常运行。

定期检查和维护设备部件，如真空泵、冷却循环水系统等。

避免在镀膜过程中触摸设备内部部件，以免造成人身伤害。

如遇设备故障或异常情况，请立即停机检查，并专业人员进行维修。

保持设备清洁和整洁，定期进行清洁和维护。

磁控溅射镀膜技术的研究始于20世纪70年代，最初是为了满足空间电子器件对抗辐射损伤的需求。

随着科技的发展，磁控溅射镀膜技术的应用领域越来越广泛，然而也存在一些问题，如薄膜应力大、耐磨性差等，需要进一步研究和改进。

磁控溅射镀膜技术的基本原理是利用磁场控制下的电场放电，使靶材表面上的原子或分子被激发后沉积到基材表面，形成一层薄膜。

具体工艺过程包括：真空泵抽气、加热靶材、加磁场、加电场、溅射沉积等步骤。

该技术的特点在于沉积速度快、薄膜质量高、适用范围广等。

磁控溅射镀膜技术在光电领域的应用主要是在太阳能电池上制备减反射膜和抗反射膜。

在光学领域，磁控溅射镀膜技术可以用来制备各种光学薄膜，如增透膜、反射膜、滤光片等。

在电子领域，磁控溅射镀膜技术可以用来制备各种电子薄膜，如半导体薄膜、绝缘薄膜、导电薄膜等。

未来，磁控溅射镀膜技术的发展趋势主要体现在以下几个方面：一是进一步完善磁控溅射镀膜技术的工艺参数，提高薄膜的质量和性能；二是研究磁控溅射镀膜技术在新型材料制备中的应用，如纳米材料、石墨烯等；三是探索磁控溅射镀膜技术在生物医学、环境治理等领域的应用可能性。

磁控溅射镀膜工艺流程

磁控溅射镀膜工艺流程
《磁控溅射镀膜工艺流程》
磁控溅射镀膜是一种常用的薄膜制备技术，它能够通过控制磁场来实现精确的膜层沉积，广泛应用于光学、电子和材料科学领域。

下面将介绍磁控溅射镀膜的工艺流程。

1. 基材清洗：首先，需要对待处理的基材进行清洗，以去除表面的杂质和油污，保证膜层的附着力和稳定性。

2. 蒸发源准备：将目标物质打磨成块状，放置在磁控溅射装置的蒸发源中。

通常情况下，蒸发源是通过电子束加热或者电阻加热来升温，使得目标物质蒸发。

3. 真空抽气：将蒸发源放置在真空室中，通过抽气系统将真空室内的空气抽走，以确保在沉积过程中不存在氧气等杂质气体。

4. 溅射：施加磁场并使用离子轰击目标物质，使其蒸发并沉积在基材上。

通过调节磁场的大小和方向，可以控制沉积膜的成分和结构。

5. 膜层分析：最后，使用光学显微镜、扫描电镜等仪器对沉积的膜层进行分析，检测其厚度、成分和结构等特性。

通过以上的工艺流程，磁控溅射镀膜可以实现对薄膜的精确控制，得到具有特定功能和性能的材料薄膜。

该工艺不仅在电子
器件和光学器件制备中得到广泛应用，还在材料科学研究和新材料开发中具有重要意义。

磁控溅射操作流程及注意事项

磁控溅射操作流程及注意事项一、打开冷却水箱电源（注：水箱电源是设备的总电源。

）检查水压是否足够大（0.1MPa），水压控制器是否起作用。

二、放气2.1 确认磁控溅射室内部温度已经冷却到室温；2.2 检查所有阀门是否全部处于关闭状态；2.3 磁控溅射室的放气阀是V2，放气时旋钮缓慢打开，这可以保证进入气流不会太大；2.4 放气完毕将气阀关紧。

三、装卸试样与靶材3.1 打开B柜总电源（在B9面板上），电源三相指示灯全亮为正常。

3.2 提升或降落（B4“升”或“降“）样品台要注意点动操作，不要连续操作。

3.3 装卸试样与靶材要戴一次性薄膜手套，避免油污、灰尘等污染。

3.4 磁控靶屏蔽罩与阴极间距为2-3毫米，屏蔽罩与阴极应该为断路状态。

3.5 装载试样要注意试验所用样品座位置与档板上溅射孔的对应，并记录样品座的编号及目前所对应的靶位。

3.6 降落样品台时要注意样品台与溅射室的吻合，并用工业酒精擦洗干净样品台与溅射室的配合面。

四、抽真空4.1 确认D面板“热电偶测量选择”指示“Ⅰ”时；4.2 确认闸板阀G2、G4已经关闭；4.3 打开B4上“机械泵Ⅰ”，再打开气阀V1，开始抽低真空。

4.4 打开B3面板的电源开关，同时关闭“复合”键。

可以从B3－1处观察低真空度。

(低真空测量下限为0.1Pa）。

当真空度小于5Pa可以开始抽高真空。

4.7 磁控室的高真空度在B2面板显示，不要一直开着高真空的测量，也不要频繁开关, 通常每隔1-2小时可打开观察一次，等示数稳定后再关闭（一般不超过3分钟）。

磁控镀膜操作规程

磁控镀膜操作规程《磁控镀膜操作规程》一、设备准备1. 检查磁控镀膜设备的各项功能是否正常，如真空系统、控制系统、电源系统等。

2. 清洁设备表面，确保无杂物影响操作。

二、镀膜工艺参数设置1. 根据所需镀层材料，设定合适的工作压力、工作温度和镀层厚度等参数。

2. 确定镀膜目标和生产量，设置时间参数，确保生产效率和镀层质量。

三、镀膜前处理1. 将待镀物清洁干净，去除表面油污和杂质。

2. 确保基材表面光洁度和粗糙度符合镀膜要求。

四、真空抽气1. 打开真空系统，将系统内的气体抽出，建立所需的真空环境。

2. 监测真空度，确保达到镀膜所需的真空度。

五、镀膜操作1. 将基材放置于镀膜室内，确保均匀分布。

2. 打开镀膜源和辅助源，开始镀膜过程。

3. 定时监控镀膜厚度和表面质量，调整工艺参数确保镀层均匀、致密。

六、室内排气1. 镀膜结束后，关闭镀膜源和辅助源，开始排气。

2. 确保室内气体排净，避免对环境造成影响。

七、镀膜后处理1. 将镀好的物品取出，进行表面检查和包装2. 清理设备，做好设备保养和维护。

八、安全注意1. 操作人员需穿戴好相关防护用具。

2. 遵守设备操作规程和安全操作流程。

九、记录和报告1. 记录镀膜工艺参数和设备运行情况。

2. 发现异常情况及时报告并做好记录。

十、设备关机1. 关闭设备电源和真空系统，确保设备安全关机。

2. 清理操作区域，确保整洁。

以上即为《磁控镀膜操作规程》，请操作人员严格遵守规程，确保镀膜操作顺利进行，生产出优质的镀层产品。

磁控溅射镀膜操作流程

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1. 准备工作。

清洁镀膜基底，去除氧化层和其他污染物。

磁控溅射操作流程

开循环冷却水（仅供参考，具体需根据实际）起降温作用，避免腔体在高温下工作；摁下按钮，两绿灯发亮，表示工作正常。

开电源（左边）相序，循环水两灯亮时，表示供电正常。

依次打开样品转动控制电源。

靶挡板电机控制电源和电脑软件。

开腔体（开V2，开N2（气压计），到大气压，关N2，开腔，关V2）先开V2（与空气相同）使腔内气压与大气压平衡，再摁升腔按钮打开腔体。

这时便可以进行装取靶材和基片。

装完后检查样品与靶位是否正对，以及转盘与靶位是否正对（如果出现偏移，则需关闭软件以及样品转动控制电源和靶挡板电机控制电源的开关，将彼此位置手动调整为正对）关闭V2关腔体摁降腔关闭腔体，注意：此过程中避免发生任何碰撞。

腔体关闭后，确认与电流源A、B、C、D、E对应的靶位是否正确。

第二部分：抽真空进行此步骤前要确保V1、V2、V3、V4、和G都已关闭旁抽:1 打开复合真空计2 摁下机械泵开关3 打开旁抽阀V1，逆时针开两圈，10秒后再开5圈（缓慢打开V1，防止油泵返油，污染腔室，损坏高真空计）4 观察气压，当腔内气压低于5Pa时，可进行主抽。

主抽:1 关V12 开电磁阀：气压示数会增大，当气压计示数变化缓慢时可进行下一步3 启动分子泵（绿灯由闪亮变为常亮，若出现红灯则工作不正常）；屏幕上会依次显示‘▽’，‘▽▽’，‘▽▽’，当出现‘▽▽’时表示分子泵已处于较高速度，出现‘▽▽’表示分子泵已达到最高转速（约49000 rad/min）.4 打开闸板阀G时，要特别注意平衡阀门两侧的气压（若真空计示数超过10Pa，则应该关闭电磁阀，打开V1，使腔内真空度降低，而后关闭V1，打开电磁阀，再打开闸板阀），当两侧气压相差不大时，出现‘▽▽’时即可打开闸板阀，开闸板阀时转到底后回转两圈。

等待约6小时，完成抽真空。

如需升温则进行此步骤：先将加热控温模块调至所需温度，长摁run至相应绿灯亮，再调节电流至合适大小（2A）开始进行升温，升温完成后关闭闸板阀G（）。

磁控溅射镀膜机使用说明

磁控溅射镀膜机使用说明
磁控溅射镀膜机使用说明
1、检查水箱液面高于冷却管，三相电指示灯，出气管放到窗外。

（推荐用纯净水）
2、放样品
a、打开放气阀，打开侧门，关闭放气阀。

（或看真空计示数）
b、升顶盖
c、放靶材，放样品，用万用表检查靶材与外壳是否短路
d、降顶画，关侧门
3、抽真空
a、手按住侧门，开机械泵，开电磁阀，开预抽阀
b、清洗Ar气管，将Ar气减压阀关闭（逆时针），将Ar气开关打向（D08－1F）清洗，示数降为零（0.1－0.2）打到关闭，打开Ar 气瓶上减压阀0.2Mpa
c、当气压计小于5pa，开分子泵（先合上电源，再按运行，运行一段时间后自动停止），关预抽阀，开抽板阀
d、烘烤（约半小时），关烘烤（未做）
e、等待真空至要求值。

4、溅射
关小抽板阀，打开Ar气开关至阀控，流量设置为要求值（文献），调节抽板阀令腔内气压至工作气压（文献Ar气压）20pa
打开偏压电源（直流），打开基底挡板，清洗基底（清洗完关基底挡板）。

恒电流：
打开射频电源，调节功率至要求值，打开靶材挡板，开始溅射。

射频电源要令Pr尽可能至零（调节LOAD，TUNE调占空比）。

打开基底挡板，开始溅射。

5、停机
溅射完，关射频电源off,流量调至0，关Ar气至关闭，打开抽板
阀，抽真空1小时。

关抽板阀，关分子泵（先按STOP，一直到示数为0，再关闭电源），关电磁阀，关机械泵。

6、关气瓶（主）
注意：
1、不允许真空状态下，打开顶盖升降。

2、不允许分子泵，运行时，打开充气阀。

3、Ar气减压阀，一定逆时针关闭后才能清洗Ar气管。

多工位磁控溅射镀膜机安全操作及保养规程

多工位磁控溅射镀膜机安全操作及保养规程1. 引言多工位磁控溅射镀膜机是一种用于在物体表面形成薄膜的设备。

本文档旨在说明多工位磁控溅射镀膜机的安全操作规程和保养规程，以确保操作人员的安全，并延长设备的使用寿命。

2. 安全操作规程2.1 检查设备 - 在操作前，必须仔细检查多工位磁控溅射镀膜机的各个部件是否完好无损。

- 确保设备的电源和其他电气设备都处于正常工作状态。

2.2 穿戴个人防护装备 - 在操作多工位磁控溅射镀膜机时，所有操作人员必须穿戴个人防护装备，包括护目镜、手套和防护服等。

-进入操作区域前，务必将头发束起，以免被机械部件卷入。

2.3 操作步骤 - 在启动多工位磁控溅射镀膜机前，仔细阅读并理解设备的操作手册。

- 按照正确的步骤操作设备，切勿随意更改设置。

- 在使用过程中，确保保持设备清洁，并及时清理溅射物。

- 在清洁或维护设备前，务必切断电源或将设备置于安全状态。

2.4 紧急情况处理 - 在发生紧急情况时，立即切断电源并通知相关责任人。

- 遇到火灾时，使用灭火器进行扑灭，并尽快撤离人员。

3. 设备保养规程3.1 日常清洁 - 每日使用后，对多工位磁控溅射镀膜机进行清洁，包括清理外表面和吸尘器。

- 清洁过程中，切勿将水或其他液体直接喷洒到设备上，以免损坏电路。

3.2 维护保养 - 定期对多工位磁控溅射镀膜机进行维护保养，包括检查设备内部电路、电源连接线和冷却系统。

- 如果发现任何异常情况，应及时联系专业维修人员进行维护。

3.3 零部件更换 - 根据设备说明书中的保养计划，定期更换多工位磁控溅射镀膜机的零部件，以确保设备的正常运行。

- 零部件更换时，务必使用原厂配件，并按照说明书中的步骤进行操作。

4. 安全培训和监督•在操作多工位磁控溅射镀膜机前，需要进行相关的安全培训，并获取相关的操作资格证书。

•操作人员需要定期接受安全知识的培训和更新，以确保对操作规程的熟悉程度。

•设备的操作和保养应有专人监督，以避免操作失误和忽视保养工作。