电子技术基础课程复习题及答案

电子技术基础(二)课程复习题及答案

一、填空

1、本征半导体中有空穴和两种载流子。自由电子

2、半导体有P型和两种类型。N型

3、PN结具有特性。单向导电

4、二极管按结构分有点接触型和接触型。面

5、差动放大电路的电路参数。对称

6、差动放大电路的目的是抑制。共模信号

7、反馈分有正反馈和反馈。负

8、功率放大器按晶体管的工作状态可分为甲类、乙类和功率放大器。甲乙类

9、复合管的类型与组成该复合管的三极管相同。第一只

10、集成功放的内部主要由前置级、中间级和组成。功率输出级

11、集成电路按功能分有数字集成电路和集成电路。模拟

12、过零电压比较器具有极高的。电压放大倍数

13、正弦波振荡器由基本放大电路、、反馈网络和稳幅电路四部分组成。选频网络

14、正弦波振荡器产生自己震荡的条件是有正反馈和。正反馈量要足够大

15、在开关稳压电源中调整管工作于状态。开关

16、逻辑代数又叫代数。二值布尔

17、基本的逻辑运算有逻辑加、逻辑乘、三种。逻辑非

18、卡诺图所有的最小项之和为。1

19、数字集成器件民用品标为系列。74

20、集成逻辑门是最基本的。数字集成器件

21、反相器就是实现的器件。逻辑非

22、编码是的逆过程。译码

23、组合逻辑电路的输出状态仅取决于。当前输入

24、最基本的时序逻辑电路有集成计数器、等。集成寄存器

25、计数器按计数步长分有二进制、十进制和。N进制

26、一个触发器可以存放位二进制数。1

27、多谐振荡器又称。方波发生器

28、555集成定时器基本应用有多谐振荡器、施密特触发器和。单稳态触发器

29、绝大多数的DAC、ADC均采用工艺。CMOS

30、读写存储简称。RAM

31、只读存储器简称。ROM

二、单选选择题

1、在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成N型半导体。D

A、二

B、三

C、四

D、五

2、在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成P型半导体。B

A、二

B、三

C、四

D、五

3、在P型半导体中，电子浓度（）空穴浓度。C

A、大于

B、等于

C、小于

D、与温度有关

4、在本征半导体中，电子浓度（）空穴浓度。B

A、大于

B、等于

C、小于

D、与温度有关

5、在N型半导体中，电子浓度（）空穴浓度。A

A、大于

B、等于

C、小于

D、与温度有关

6、锗二极管正向导通的条件是( )。B

A、U b=

B、U b =

C、U b =

D、 U b =

7、硅二极管正向导通的条件是( )。A

A、 U b=

B、U b =

C、 U b =

D、U b =

8、二极管正向导通时的电阻R D ( )。A

A、很小

B、很大

C、等于1k

D、无法确认

9、二极管反向导通时的电阻R D ( )。B

A、很小

B、很大

C、等于1k

D、无法确认

10、晶体二极管最显著的特性是( )。C

A、开关特性

B、信号放大特性

C、单向导通特性

D、稳压特性

11、稳压管的稳压区是其工作在（）。C

A、正向导通

B、反向截止

C、反向击穿

D、反向截止或击穿

12、测量某放大电路中的一只NPN型晶体三极管，各电极对地的电位是：U1=2V，U2=6V，U3=，则该三极管各管脚的名称是( )。B

A、1脚为c，2脚为b，3脚为e

B、1脚为e，2脚为c，3脚为b

C、1脚为b，2脚为e，3脚为c

D、1脚为b，2脚为c，3脚为e

13、若晶体三极管工作在截止状态，则以下符合的条件为( )。C

A、U CE < U BE

B、U CE > U BE

C、I B=0

D、I C=0

14、晶体三极管有( )种工作状态。C

A、1种

B、2种

C、3种

D、4种

15、若测得U CE > U BE，则可以判断三极管处于（）状态。A

A、放大

B、饱和

C、截止

D、短路

16、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。B

A、前者反偏、后者也反偏

B、前者正偏、后者反偏

C、前者正偏、后者也正偏

D、前者反偏、后者正偏

17、晶体三极管的重要特性是( )。A

A、电流放大作用

B、电压放大作用

C、功率放大作用

D、电能流放大作用

18、晶体三极管由（）构成。A

A、三个半导体区和两个PN结

B、两个半导体区和三个PN结

C、四个半导体区和三个PN结

D、三个半导体区和三个PN结

19、在放大电路中，三极管静态工作点用（）表示。 B

A、I

B、I

C、V CE B、 I B、I C、U CE C、 i B、i C、V CE

D、 i b、i c、u ce

20、晶体管三个电极的电流关系为（）。B

A、I C=I E+I B

B、I E = I C +I B

C、 I B =I E+ I C

D、I E =I B

21、电力场效应晶体管中主要类型是（）。B

A、P沟道增强型

B、N沟道增强型

C、P沟道耗尽型

D、N沟道耗尽型

22、场效应管三个电极中，用D表示的电极称为（）。D

A、栅极

B、源极

C、基极

D、漏极

23、在放大电路中，场效应晶体管应工作在漏极特性的（）。C

A、可变电阻区

B、截止区

C、饱和区

D、击穿区

24、集成放大器之间均采用（）耦合。A

A、直接

B、电容

C、电阻

D、变压器