Forward电路架构及其电流路径分析
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310Vdc
R2 Q1
I
V1 = 0 V2 = 12v
10
V2
IRF820V
百度文库
TD = 0.1u
TR = 0.1u
TF = 0.1u
PW = 20u
PER = 50u
C3
I1n D8
0
MUR890 R3
I 500
D5
L4
1
2
MUR890 500uH
I
I
D6 MUR890
I
C2 1000u
R1 100
图2.1
7.3366ms
4.消磁线圈(LP1)消磁结束后的主电流路
径如图4.1。
TX1
Lp1 Ls
Lp2
V3 MUR890
XFRM_LIN/CT-PRI
310Vdc
D7
R2 Q1
IC1n3
I
10
D8
V1 = 0
V2
IRF820V
MUR890
V2 = 12v
R3
TD = 0.1u TR = 0.1u
I 500
Forward电路架构及其电流路径分析
-邹家兵
1.Forward电路架构如图1.1
储能电感
MUR890 D7
消磁线圈
TX1
Lp1 Ls
Lp2
V3
XFRM_LIN/CT-PRI
310Vdc
V1 = 0 V2 = 12v TD = 0.1u TR = 0.1u TF = 0.1u PW = 20u PER = 50u
TF = 0.1u
PW = 20u
PER = 50u
D5
L4
1
2
MUR890 500uH
I
I
D6 MUR890
I
C2 1000u
R1 100
0
图4.1
0
5.储能电感L4，释能后的电流路径如下
图5.1。
V3 MUR890
D7 I
310Vdc
V1 = 0 V2 = 12v TD = 0.1u TR = 0.1u TF = 0.1u PW = 20u PER = 50u
0A
-20A 20A
I(D5)
0A
-20A 20A
I(D7)
0A
-20A ID(Q1)
10
SEL>> -6
7.6424ms V(R2:2)
7.6500ms
7.6600ms
7.6700ms Time
7.6800ms
ID6 ID5 ID7 IQ1-DS VQ1-GS
7.6900ms 7.6955ms
谢谢！
0
20A
ID5
0A
-20A 20A
I(D5)
0A
IQ1-DS
-20A 20V
ID(M1)
10V
0V
SEL>> -12V
7.2200ms V(R2:2)
7.2400ms
7.2600ms Time
7.2800ms
VQ1-G
7.3000ms 7.3096ms
3.Q1 Turn off时主电流路径如图3.1。
R2 Q1 V2 10 IRF820
C3
1n D8
0
MUR890 R3
500
0
图1.1
D5
L4
1
2
MUR890 500uH
C2 D6
MUR890
1000u
R1 100
飞轮二极管
2. Q1 Turn on时主电流路径如图2.1。
MUR890 D7
TX1
Lp1 Ls
Lp2
V3
XFRM_LIN/CT-PRI
MUR890 D7
TX1
Lp1 Ls
Lp2
V3
XFRM_LIN/CT-PRI
310Vdc
R2 Q1
I
V1 = 0 V2 = 12v TD = 0.1u TR = 0.1u TF = 0.1u PW = 20u PER = 50u
V2 10 IRF820V
IC1n3 D8 MUR890 R3 I 500
TX1
Lp1 Ls
Lp2
XFRM_LIN/CT-PRI
R2 Q1 V2 10 IRF820V
IC1n3 D8 MUR890 R3 I 500
D5
L4
1
2
MUR890 500uH
I
I
C2 D6
MUR890
I
I 1000u
R1 100
0
图5.1
0
6.Q1驱动与主电流时序关系
20A
0A
-20A 20A
I(D6)
D5
L4
1
2
MUR890 500uH
I
I
D6 MUR890
I
C2 1000u
R1 100
0
图3.1
0
20A
ID6
0A
-20A 20A
I(D6)
0A
SEL>> -20A
20V
I(D7)
10V
0V
-10V
7.2464ms V(R2:2)
7.2600ms
7.2800ms
7.3000ms
ID7
VQ1-G
7.3200ms