《半导体三极管》PPT课件
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半导体三极管课件PPT
2、温度每升高 1C,UBE将减小 –(2~2.5)mV, 即晶体管具有负温度系数。
3、温度每升高 1C, 增加 0.5%~1.0%。
1.6 光电器件
1. 6. 1 发光二极管
符号
当在发光二极管(LED)上加正向电 压,并有足够大的正向电流时,就能发 出可见的光。这是由于电子与空穴复合 而释放能量的结果。
例:在UCE= 6 V时, 在 Q1 点IB=40A, IC=1.5mA; 在 Q2 点IB=60 A, IC=2.3mA。
IC(mA ) 4
3
Q2
2
Q1
1
03 6 9
在 Q1 点,有
100A 80A
IC IB
1.5 0.04
37.5
60A 由 Q1 和Q2点,得
40A 20A IB=0
Δ Δ
IC IB
表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数,晶体 管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。
1. 电流放大系数
当晶体管接成发射极电路时,
直流电流放大系数
___
IC
注意:
IB
交流电流放大系数
Δ Δ
IC IB
和 的含义不同,但在特性曲线近于平行等
距并且ICE0 较小的情况下,两者数值接近。
常用晶体管的 值在20 ~ 200之间。
3) IC IB
把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变
化的特性称为晶体管的电流放大作用。
实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的
变化,是CCCS器件。
3.三极管内部载流子的运动规律
集电结反偏,
C
有少子形成的
反向电流ICBO。
ICBO ICE
N
3、温度每升高 1C, 增加 0.5%~1.0%。
1.6 光电器件
1. 6. 1 发光二极管
符号
当在发光二极管(LED)上加正向电 压,并有足够大的正向电流时,就能发 出可见的光。这是由于电子与空穴复合 而释放能量的结果。
例:在UCE= 6 V时, 在 Q1 点IB=40A, IC=1.5mA; 在 Q2 点IB=60 A, IC=2.3mA。
IC(mA ) 4
3
Q2
2
Q1
1
03 6 9
在 Q1 点,有
100A 80A
IC IB
1.5 0.04
37.5
60A 由 Q1 和Q2点,得
40A 20A IB=0
Δ Δ
IC IB
表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数,晶体 管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。
1. 电流放大系数
当晶体管接成发射极电路时,
直流电流放大系数
___
IC
注意:
IB
交流电流放大系数
Δ Δ
IC IB
和 的含义不同,但在特性曲线近于平行等
距并且ICE0 较小的情况下,两者数值接近。
常用晶体管的 值在20 ~ 200之间。
3) IC IB
把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变
化的特性称为晶体管的电流放大作用。
实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的
变化,是CCCS器件。
3.三极管内部载流子的运动规律
集电结反偏,
C
有少子形成的
反向电流ICBO。
ICBO ICE
N
三极管 教学ppt课件
+++
c + + +
++++ -
++++
+++
b
UBB RB UCC RC
5
1、发射区的电子大量地扩散注 入到基区,基区空穴的扩散可
忽略。
发射结正偏
集电结反偏
外电场方向
NP
N
++++
e ++++ ++++
+++
c + + +
++++ -
++++
IE
b
+++
UBB RB UCC RC
6
1、大量电子N2通过很 薄1、的发射基区极的被电子集大电量极地扩吸散注 收入忽到略,基。少区量,基电区子空穴N的1在扩基散可 极与空穴复合。N2和 N2、1的电子比扩例散由的同三时极,在管基内区将 部与空结穴构相决遇产定生。复合在。不由考于基 虑区薄空,IC穴因BO浓此时度,低复:,合且的基电区子做是得极很 少 数。 IC/IB=N2/N1=β 2、以上公式是右方电 路3扩、散满绝到大足集多发电数结射到处基结,区并正的在偏电集子、电均结能 集电场电作结用反下到偏达时集电得区到。的,
工作状态
放大 截止 饱和 倒置
发射结电压
正向 反向 正向 反向
集电结电压
反向 反向 正向 正向
• 由放大状态进入截止状态 的临界情况是发射结电压 为零,此时基区的反向电 流分别流入发射极和集电 极。
3半导体三极管ppt课件
(3〕集电区收集扩散过来的电子 集电极所加的是反向电压,这样集电结
形成一个由集电区指向基区的电场,使集 电区的电子和基区的空穴很难通过集电结, 但这个电场对基区扩散到集电结边缘的电 子却有很强的吸引力,可使电子很快地漂 移过集电结为集电区所收集,形成集电极 电流IC。
另一方面,根据反向PN结的特性,当集电结加反 向电压时,基区中少数载流子电子和集电区中少数载 流子空穴在结电场作用下形成反向漂移电流,这部分 电流决定了少数载流子浓度,称为反向饱和电流ICBO, 它的数值是很小的,这个电流对放大没有贡献,而且 受温度影响很大,容易使管子工作不稳定,所以在制 造过程中要尽量设法减小ICBO。
iC VCC Rc
ICQ
斜率
1
R c// R L
斜率 - 1
Q
IBQ
Rc
V C EQ
VCC vCE
载流子的传输过程
(1〕发射区向基区注入电子
由于发射结外加正向电压,因此这时发射区的多数 载流子电子不断通过发射结扩散到基区,形成发射 极电流IE,其方向与电子流动方向相反。
(2〕电子在基区中的扩散与复合 由发射区来的电子注入基区后,在基区中
形成了一定的浓度梯度,靠近发射结附近浓 度最高,离发射结越远浓度越小。因而,电 子就要向集电结的方向扩散,在扩散过程中 又会与基区中的空穴复合,同时接在基区的 电源VEE的正端则不断从基区拉走电子,好 像不断供给基区空穴。电子复合的数目与电 源从基区拉走的电子数目相等,使基区的空 穴浓度基本维持不变。这样就形成了基区电 流IB,所以基极电流就是电子在基区与空穴 复合的电流。
三极管的结构与符号:
• 3.1.2 BJT的电流分配与放大原理
• 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制 下,通过载流子传输体现出来的。 • 外部条件:发射结正偏,集电结反偏。 • 1. 内部载流子的传输过程
半导体三极管放大电路基础课件
第2章 半导体三极管放大电路基础
§2.1 三极管工作原理 §2.2 共射极放大电路 §2.3 图解分析法 §2.4 微变等效电路分析法 §2.5 工作点稳定的放大电路 §2.6 共集电极放大电路和共基极放大电路
1
§2.1 三极管工作原理
BJT全称为双极型半导体三极管,内部有自由电子 和空穴两种载流子参与导电。种类很多:有硅管和锗管, 有高频管和低频管,有大、中、小功率管。
2
2.1.1 三极管的结构与符号:
NPN型 c 集电极
集电极
c PNP型
N
b
P
基极
N
P
B
N
基极
P
e
b c 发射极
e
几微米至 几十微米
e
发射极
c b
e
3
c 集电极
集电结
N
b
P
基极
N
发射结
e
发射极
4
集电区: 面积较大
b
基极
c
集电极
N P N
e
发射极
基区:较薄, 掺杂浓度低
发射区:掺 杂浓度较高
5
2.1.2 三极管放大的工作原理
0.061mA
I B 50 0.061mA 3.05m Icmax
Ic Icmax 2mA
Q 位于饱和区,此时IC 和IB 已不是 倍的关系。
二、共基极连接时的V-I特性曲线
IB
A
RE
V UEB
IC
mA R
C
V UCB EC
EE
实验线路
26
1、输入特性:
UCB=5V
8
UCB =1V
=(ICN+ICBO)+(IBN+IEP-ICBO) IE =IC+IB
§2.1 三极管工作原理 §2.2 共射极放大电路 §2.3 图解分析法 §2.4 微变等效电路分析法 §2.5 工作点稳定的放大电路 §2.6 共集电极放大电路和共基极放大电路
1
§2.1 三极管工作原理
BJT全称为双极型半导体三极管,内部有自由电子 和空穴两种载流子参与导电。种类很多:有硅管和锗管, 有高频管和低频管,有大、中、小功率管。
2
2.1.1 三极管的结构与符号:
NPN型 c 集电极
集电极
c PNP型
N
b
P
基极
N
P
B
N
基极
P
e
b c 发射极
e
几微米至 几十微米
e
发射极
c b
e
3
c 集电极
集电结
N
b
P
基极
N
发射结
e
发射极
4
集电区: 面积较大
b
基极
c
集电极
N P N
e
发射极
基区:较薄, 掺杂浓度低
发射区:掺 杂浓度较高
5
2.1.2 三极管放大的工作原理
0.061mA
I B 50 0.061mA 3.05m Icmax
Ic Icmax 2mA
Q 位于饱和区,此时IC 和IB 已不是 倍的关系。
二、共基极连接时的V-I特性曲线
IB
A
RE
V UEB
IC
mA R
C
V UCB EC
EE
实验线路
26
1、输入特性:
UCB=5V
8
UCB =1V
=(ICN+ICBO)+(IBN+IEP-ICBO) IE =IC+IB
半导体三极管及放大电路PPT精品课件
截止区
图3-20
饱和区: 输出特性的上升和弯曲部分
动态:当放大电路输入信号后(vi0), 电路中各处的电压、电流处于变动 状态,这时电路处于动态工作情况, 简称动态。
1. 估算法确定静态工作点
见图3-14(b)
IB
V CC V BE Rb
VBE:硅管约为0.7V。 锗管约为0.2V。
Rb
300k
Rc 4k Cb2
Cb1 IB
c IC
vi
e
12V
BJT的放大作用,按电流分配实现,称 之为电流控制元件;
电流放大系数
共基电路: 共射电路:
IC 1
IE
IC
IB
三、BJT的特性曲线(共射连接)
iC
iB
N
P
N
vCE
vBE
图3-8
1. 输入特性曲线
iB f (vBE ) vCE 常数
iB(mA)
vCE=0V VCE 1V
80
25 C
60
40
满足放大的外部条件。
b. 下面推导IC和IB的关系
IE = IB + IC
I C αI E I CBO
代入
IC αI B αI C ICBO
整理 式得
IC
α 1
IB
I CBO
1
令 α 1
则 I C I B (1 ) I CBO
令 I CEO (1 ) I CBO
ICEO:基极开路,c流到e的电流,称穿透电流
4k
图3-18 (a)
ib
+ vi Rb
ic +
Rc RL v0
图3-18 (b)
13半导体三极管课件
3. 集电结面积大。
e
三极管放大的外部条件:外加电源的极性应使发射 结处于正向偏置状态,而集电结处于反向偏置状态。
1. 载流子的传输过程
三极管中载流子运动过程
c
IB
(1). 发射 发射区的 电子越过发射结扩散到
基区,基区的空穴扩散
到发射区—形成发射极 Rc 电流 IE (基区多子数目较
少,空穴电流可忽略)。
c
A
e ICEO
(b)ICEO 测量电
路
三、 极限参数
1. 集电极最大允许电流 ICM
当 IC 过大时,三极管的 值要减小。在 IC = ICM 时, 值下降到额定值的1/3~2/3。
2. 集电极最大允许功率损耗 PCM
将 IC 与 UCE 乘积等于 IC
PCM = ICUCE
规定的 PCM 值各点连接起
ΔIC
Δ IB
ΔIC
Δ IE
2. 共射直流电流放大系数
忽略穿透电流 ICEO 时,
IC
IB
4. 共基直流电流放大系数
忽略反向饱和电流 ICBO 时,
IC
IE
和 这两个参数不是独立的,而是互相联系,关系为:
或
1
1
二、极间反向电流
1. 集电极和基极之间的反向饱和电流 ICBO
(1)
当 ICBO IC 时,可将其忽略,则
IC
IE
三个极的电流之间满足节点电流定律,即
IE = IC + IB
代入(1)式,得
IC ( IC IB ) ICBO
1
1
IB
1
I CBO
IB (1 )ICBO
其中:
三极管ppt课件完整版
常见故障现象及诊断方法
诊断方法
测量三极管的耐压值是否降低,观察电路是否有过载现象,若确认 损坏则更换三极管。
故障现象3
三极管漏电流过大。
诊断方法
测量三极管的漏电流是否超过规定值,若过大则检查电路是否存在漏 电现象,并更换三极管。
常见故障现象及诊断方法
故障现象4
三极管热稳定性差。
诊断方法
检查三极管的散热条件是否良好,测量其热稳定性参数是否在规定范围内,若异常则改善散热条件或 更换适合的三极管型号。
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源。
工作原理
共基放大电路的特点是输入回路与输出回路共用一个电极,即基极。输入信号加在三极管的发射极和基极之间, 输出信号从集电极取出。由于共基放大电路的输入阻抗低,输出阻抗高,因此具有电压放大倍数大、频带宽等优 点。
共集放大电路组成及工作原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源 。
真加剧。而截止频率则限制了三极管能够放大的信号频率范围。
03
三极管基本放大电路分析
共射放大电路组成及工作原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源。
工作原理
利用三极管的电流放大作用,将输入信号放大并输出。输入信号加在三极管的基 极和发射极之间,输出信号从集电极取出,经过耦合电容与负载相连。
共基放大电路组成及工作原理
偏置电路类型及其作用
固定偏置电路
01
提供稳定的基极电流,使三极管工作在放大区。
分压式偏置电路
02
通过电阻分压为基极提供合适的偏置电压,使三极管具有稳定
的静态工作点。
集电极-基极偏置电路
03
利用集电极电阻的压降为基极提供偏置电压,适用于某些特殊
半导体三极管讲解课件
PART 03
半导体三极管的应用
在电子设备中的应用
01
02
03
放大器
半导体三极管作为放大元 件,用于信号的放大和处 理,如音频放大器、视频 放大器等。
开关电路
三极管作为开关元件,用 于控制电路的通断,如逻 辑门电路、继电器等。
振荡器
三极管用于产生高频振荡 信号,如石英晶体振荡器、 LC振荡器等。
详细描述
极间反向电流的大小反映了三极管的反向隔 离性能,对三极管的稳定性、噪声和功耗等 都有影响。在选择三极管时,应尽量选择极 间反向电流较小的型号。
噪声系数
总结词
噪声系数是指三极管在工作时产生的内部噪声与输入 信号之间的比值。
详细描述
噪声系数的大小反映了三极管内部噪声对信号的影响 程度。在选择三极管时,应尽量选择噪声系数较小的 型号,以确保信号的传输质量和稳定性。
封装与测试
封装
将制作好的三极管进行封装,以保护其免受外界环境的影响。
测试
对封装好的三极管进行电气性能测试,确保其满足设计要求。
PART 05
半导体三极管的特性参数
电流放大系数
总结词
电流放大系数是衡量三极管放大能力 的重要参数,表示基极输入电流对集 电极输出电流的控制程度。
详细描述
电流放大系数也称为β值,表示集电 极电流的变化量与基极电流变化量之 比。它是衡量三极管放大能力的重要 参数,数值越大,表示三极管的放大 能力越强。
PART 02
半导体三极管的工作状态
截止状 态
总结词
电流几乎为零
详细描述
当三极管基极无输入信号时,由于基极没有电流,因此集电极和发射极之间的电 流几乎为零,三极管处于截止状态。此时,三极管相当于一个断开的开关。
半导体器件半导体三极管幻灯片PPT
和
iC随uCE变化很大?
区
为什么进入放大
放大区
状态,iC曲线几乎 是横轴的平行线?
截止区
3、晶体管的三个工作区域
状态 截止 放大
发射结
<UBE(th) ≥ UBE(th)
集电结 反偏 反偏
饱和
≥ UBE(th)
正偏
IC 0(ICEO)
βiB
<βiB
硅:UCES ≈0.3V 锗: UCES ≈0.1V
例:测得工作在放大电路中几个晶体管三 个电极的电位U1、U2、U3分别为: 1〕U1=3.5V、U2=2.8V、 U3=12V 2〕U1=6V、 U2=11.8V、 U3=12V 判断它们是NPN型还是PNP型?是硅管还 是锗管?并确定e、b、c。
NP 放 N大 V CV : BV E PN 放 P:大 V CV BV E
穿透电流
ICIB(1) ICBO ICEO (1) ICBO
3、极限参数:ICM、PCM、U
〔BR〕CEO
最大集电极耗散
功率PCM=iCuCE
最大集电 极电流
平安工作区
c-e间击穿电 压
五、温度对三极管的影响
T(℃ ) ICE O
uB不 E 变 iB, 时iB 即 不 变 uB E 时
六、电路模型 1、大信号模型
半导体器件半导体三极管 幻灯片PPT
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一、三极管的构造和符号 c
b
集电极c
NPN e 基极b c
三极管ppt课件
生变化。
晶体管截止频率影响
晶体管的截止频率限制了其放大高频信号 的能力,当输入信号频率接近或超过截止 频率时,晶体管放大倍数急剧下降。
负载效应影响
在高频段,负载效应对信号产生较大的影 响,使得输出信号的幅度和相位发生变化 。
05
三极管功率放大电路设计 与应用
功率放大电路类型及特点
甲类功率放大电路
采用单电源供电,输出端通过大容量电容与负载耦合,具 有电路简单、成本低等优点,但电源功率利用率较低且存 在较大的非线性失真。
集成功率放大器简介与应用
集成功率放大器概述
将功率放大电路与必要的辅助电路集成在同一芯片上,具 有体积小、重量轻、可靠性高等优点。
集成功率放大器的应用
广泛应用于音响设备、电视机、计算机等电子设备中,用 于驱动扬声器、耳机等负载,提供足够的输出功率和良好 的音质效果。
工作点设置在截止区,主要用于高频功率放大,效率很高但非线性失 真严重。
OCL和OTL功率放大电路设计实例
要点一
OCL(Output Capacitor Less )功…
采用双电源供电,输出端与负载直接耦合,具有低失真、 高效率等优点,但需要较大的电源功率和输出电容。
要点二
OTL(Output Transformer Less…
02
三极管基本放大电路
共射放大电路组成及原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直 流电源
特点
电压放大倍数大,输出电阻较大,输 入电阻适中
原理
利用三极管的电流放大作用,将输入 信号放大并
共基放大电路组成及原理
01
02
03
组成
输入回路、输出回路、耦 合电容、直流电源
晶体管截止频率影响
晶体管的截止频率限制了其放大高频信号 的能力,当输入信号频率接近或超过截止 频率时,晶体管放大倍数急剧下降。
负载效应影响
在高频段,负载效应对信号产生较大的影 响,使得输出信号的幅度和相位发生变化 。
05
三极管功率放大电路设计 与应用
功率放大电路类型及特点
甲类功率放大电路
采用单电源供电,输出端通过大容量电容与负载耦合,具 有电路简单、成本低等优点,但电源功率利用率较低且存 在较大的非线性失真。
集成功率放大器简介与应用
集成功率放大器概述
将功率放大电路与必要的辅助电路集成在同一芯片上,具 有体积小、重量轻、可靠性高等优点。
集成功率放大器的应用
广泛应用于音响设备、电视机、计算机等电子设备中,用 于驱动扬声器、耳机等负载,提供足够的输出功率和良好 的音质效果。
工作点设置在截止区,主要用于高频功率放大,效率很高但非线性失 真严重。
OCL和OTL功率放大电路设计实例
要点一
OCL(Output Capacitor Less )功…
采用双电源供电,输出端与负载直接耦合,具有低失真、 高效率等优点,但需要较大的电源功率和输出电容。
要点二
OTL(Output Transformer Less…
02
三极管基本放大电路
共射放大电路组成及原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直 流电源
特点
电压放大倍数大,输出电阻较大,输 入电阻适中
原理
利用三极管的电流放大作用,将输入 信号放大并
共基放大电路组成及原理
01
02
03
组成
输入回路、输出回路、耦 合电容、直流电源
2半导体三极管37页PPT
1、输入特性曲线 IBf(UBE )UCE 常 数
特点:非线性
IB(A) 80 60 40
20 O 0.4
UCE1V
正常工作时发射结电压: NPN型硅管
UBE 0.6~0.7V PNP型锗管
UBE 0.2 ~ 0.3V
0.8 UBE(V)
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第2章 半导体三极管
IE = IB + IC
0.10 3.95 4.05
把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性 称为晶体管的电流放大作用。
总目录 章目录 返回 上一页 下一页
第2章 半导体三极管
二、晶体三极管的特性曲线
即管子各电极电压与电流的关系曲线,是管子内部载流子 运动的外部表现,反映了晶体管的性能,是分析放大电路的 依据。
少子运动形成反
向电流ICBO。
C IC
ICBO
N
IBB
P
RB
EB
进入P 区的电子少 部分与基区的空穴
复合,形成电流IB ,
多数扩散到集电结。
N E IE
从基区扩散来的电 子进入集电区和集 电区多子的运动一
块形成ICE。
EC
发射结正偏,发 射区多子电子大量 的向基区运动,并
形成发射极电流IE。
总目录 章目录 返回 上一页 下一页
C B
注意: 和 的含义不同,但在特性曲线近于平行等距并且
ICE0 较小的情况下,两者数值接近。
常用晶体管的 值在20 ~ 200之间。
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第2章 半导体三极管
(2).共基极电流放大系数
以三极管的基极作为输入回路和输出回路的公共端,称为共
半导体三极管和场效应管-PPT文档资料
β又可写成
IC IB
elecfans 电子发烧友
(2-9)
第二章 半导体三极管
则
I I ( 1 ) I I I C B CBO B CEO
其中ICEO称为穿透电流,
ICE O ( 1)ICB O
一般三极管的β约为几十~几百。β太小, 管子的放大能 力就差, 而β过大则管子不够稳定。
后者是由集电区和基区的少数载流子漂移运动形成的 , 称为反向饱和电流。 于是有
IC=ICn+ICBO
(2 - 1)
elecfans 电子发烧友
第二章 半导体三极管
发射极电流 I E 也由两部分组成: I En 和 I Ep 。
IEn为发射区发射的电子所形成的电流 , IEp 是由基
区向发射区扩散的空穴所形成的电流。因为发射区是重
elecfans 电子发烧友
第二章 半导体三极管
表2 - 1 三极管电流关系的一组典型数据
IB/mA -0.001 IC/mA IE/mA
0.001 0
0 0.01 0.01
0.01 0.56 0.57
0.02 1.14 1.16
0.03 1.74 1.77
0.04 2.33 2.37
0.05 2.91 2.96
第二章 半导体三极管
2. 电流分配
c ICn ICBO b IB R U
b
IC N
R
c
P IBn e IE U
N
CC
BB
图 2 - 5 三极管电流分配
elecfans 电子发烧友
Hale Waihona Puke 第二章 半导体三极管集电极电流 I C 由两部分组成: I Cn 和 I CBO ,
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(3) 饱和区。
曲线靠近纵轴附近, 各条输出特性曲线的上升部分属于饱和
区。 在这个区域, 不同IB值的各条特性曲线几乎重叠在一起, 即当 UCE较小时, 管子的集电极电流IC基本上不随基极电流IB而变化,
这种现象称为饱和。此时三极管失去了放大作用,
IC=βIB或ΔIC=βΔIB关系不成立。
一般认为UCE=UBE, 即UCB=0时, 三极管处于临界饱和状态, 当UCE<UBE时称为过饱和。三极管饱和时的管压降用UCES表示。在深
通过图解分析可得如下 结论:
1. vi vBE iB iC vCE |vo| 2. vo与vi相位相反;
3. 可测出电路的电压 放大倍数 4. 可确定最大不失真 输出幅度
(3) 最大不失真输出幅度
波形的失真
饱和失真
由于放大电路的工作点达到了三极管 的饱和区而引起的非线性失真。对于NPN管, 输出电压表现为底部失真。
度饱和时, 小功率管管压降通常小于0.3V。
三极管工作在饱和区时, 发射结和集电结都处于正向偏置状
态。对NPN三极管,UBE>0, UBC>0。
四、 三极管的主要参数
1. 电流放大系数 (1) 共发射极交流电流放大系数β。β体现共射极接法之下的电流
放大作用。
IC I B
UCE 常数
(2) 共发射极直流电流放大系数β。忽略穿透电流ICEO
(a)直流通道
(b)交流通道
直流通道 交流通道
若流信B直电号、R向c/流源而E外/向R电时言看L外和源,,能,看即偏内没其通有,能置过阻有上直有通电交为压的流等过阻流零降交负效直R的,。流载b的流电。交设压电交的路流降C阻流1通、通电近,负道C道流似2载。R。流为足c电从、如过零够阻CR从直。大、b,C在,B。、、交对E 流通道中,可将直流电源和耦合电容短路。
截止失真
由于放大电路的工作点达到了三极管 的截止区而引起的非线性失真。对于NPN管, 输出电压表现为顶部失真。
注意:对于PNP管,由于是负电源供电,失真的表 现形式,与NPN管正好相反。
三、放大电路的工程估算--动态计算分析法
(1)三极管的微变等效电路
ic
ib b
c
uce
u
e
输
入
回
路
ib
b
等
效
ube
作用: 1. 放大电路主要用于放大微弱信号,输出电压或电流在幅度上得 到了放大,输出信号的能量得到了加强。 2. 输出信号的能量实际上是由直流电源提供的,只是经过三极管 的控制,使之转换成信号能量,提供给负载。
一、 放大电路的组成
放大电路的结构示意框图
实际放大电路
1 电路元件及组成
(1)三极管T:放大电路的核心部件。
mA
-
Rb
IB
A
+
+
UBB
输入 回路
uBE
V -
V UCE -
三极管共发射极特性曲线测试电路
输出 回路
UCC
1.输入特性
当UCE不变时, 输入 回路中的电流IB与电压UBE之 间的关系曲线称为输入特性, 即
IB / mA
UCE= 0 V UCE> 1 V
IB f (UBE ) UCE 常数
0 0.2 0.4 0.6
rbe
为
e
一
个 电
ib
b
c
ic
阻
ube
rbe
ib uce
e
输出回路等校为 一个受控电源
c
ic
ib uce e
u u rbe
BE
常数 uCE
be
i i B
b
根据三极管输入回路结构分析,rbe的数值可以用下
列公式计算:
r r be
bb (1 )
26(mV ) (mV )
I EQ
三极管集(电)-(发)
2.1.1 晶体三极管的工作原理
一、晶体三极管的结构和符号
箭头方向表示发 射结加正向电压
时的电流方向
无论是NPN型或是PNP型的三极管,它们均包含三个区: 发射区、基 区和集电区, 并相应地引出三个电极:发射极(Emitter) 、基极(Base) 和集电极(Collector) 。同时,在三个区的两两交界处, 形成两个PN结: 分别称为发射结和集电结。
(3)温度对β的影响:温度升高,三极管的β增大。
IB/ mA 0
0.2 0.4 0.6 UBE/ V
三极管的三种连接方式:
IE
IC
e
c
IB b
c
b
IC
IB IE e
b
IB IC
e
IE c
(a) 共基极
(b) 共发射极
(c) 共集电极
第2节 共射极放大电路
组成:基本放大电路一般是指由一个三极管与相应元件组成的三种 基本组态放大电路。
号ui时,电路中各电极的电压、电流都是由直流量和交流量叠加而成的。
(1)交流负载线
A 通过输出特性曲线上的Q点做 一条直线,其斜率为-1/R‘L
B R’L= RL∥Rc,是交流负载
电阻 C 交流负载线是有交流输入信
号时Q点的运 动轨迹
D 交流负载线与直流负载线相
交Q点
放大电路动态工作状态图解分析
(2)交流工作状态的图解分析
u i r i b be
i R R b L
L
Au
i r r b be
be
式中“-”表示输入信号与输出信号相位反相。
(b)求空载电压放大倍数Au′。即不接负载RL,RL→∞,
RL RC // RL RC
R C AL
rbe
2)输入电阻ri
ri
ui Ii
R r// b be
R R R ( // )
三极管的三种连接方式:
IE e
IC c
IB b
c
b
IC
IB IE e
b
IB IC
e
IE c
(a) 共基极
(b) 共发射极
(c) 共集电极
二、 三极管的电流分配和放大原理 实验电路示意图
c IC N
b IB Rb
UBB
P
N e
IE
Rc UCC
图 2 – 4 三极管中载流子的传输过程
实验电路接线图
Rb
UBB
输入 回路
Rc IC +
mA
- IB
A
+
+
uBE
V -
V UCE -
输出 回路
UCC
三极管电流关系的一组典型实验数据
IB/mA -0.001 0 IC/mA 0.001 0.01
I6 0.57
0.02 0.03 0.04 0.05 1.14 1.74 2.33 2.91 1.16 1.77 2.37 2.96
IC
IB
2. 极间反向电流
ICBO A
(a ) ICBO
A ICEO
( b ) I CEO
3 极限参数 (1) 集电极最大允许电流ICM。
2/3
O
ICM
β与IC关系曲线
集电极IC电流超 过一定值时, β 要下降。当β值
下降到正常值的 2/3时,对应的集 电极电流称为集 电极最大允许电
流ICM。
IC
b
ib
+
ui
Rb
rbe
ic
c
+
ib Rc
RL
uo
- ri
(a)
- ro
(b)考虑信号源内阻时的等效电路
b
ib
+ rs
+
ui Rb
rbe
us
-
-
ri
ic
c
+
ib Rc
RL
uo
- ro
(b)
(3)共射放大电路基本动态参数的估算
1)
(a)求有载电压放大倍数Au。
uo
ic
RL
ib
R
L
RL RC // RL
直流电源和耦合电容对交流相当于短路
二、 放大过程.原理 1 直流分析—静态工作点
▪直流分析即静态(ui=0)分析。 ▪静态分析的目的是通过直流通路分析放大电路中三极管的工作状态。 ▪静态分析有计算法和图解分析法两种。
(1)静态工作状态的计算分析法 根据直流通道可对放大电路的静态进行计算
IB
VCC VBE Rb
b
B1
b2
当Rb>>rbe时
r R r r //
i
b
be
be
3)输出电阻ro 在图3-11中,根据戴维南定理可得:
ro RC
4) 考虑信号源内阻时所画出的微变等效电路,可以得出
(2) 放大区。
此时发射结正向运用, 集电结反向运用。 在曲线上是比较平坦的部分, 表示当IB一定时, IC的值基本上不随UCE而变化。在这个区域内,当基极电 流发生微小的变化量ΔIB时, 相应的集电极电流将产生较大的变化量ΔIC, 此时二者的关系为
ΔIC=βΔIB 该式体现了三极管的电流放大作用。 对于NPN三极管, 工作在放大区时UBE≥0.7V, 而UBC<0。
(2) 集电极最大允许功率损耗PCM。当三极管工作时, 管子两端电压为UC E, 集电极电流为IC, 因此集电极损耗的功率为:
PCM ICUCE
4. 反向击穿电压
U(BR)CBO——发射极开路时, 集电极-基极间的反向击穿电压。 U(BR)CEO——基极开路时, 集电极-发射极间的反向击穿电压。 U(BR)CEO——集电极开路时, 发射极-基极间的反向击穿电压,
其实IB=0时, IC并不等于零, 而是等于穿透电流ICEO。 一般硅三极管的穿透电流小于1μA, 在特性曲线上无法表示出来。锗