MOCVD法制备钯膜用的前驱体研究现状
《Co-MOF为前驱体制备的钴基金属氧化物及其甲苯催化氧化性能研究》
《Co-MOF为前驱体制备的钴基金属氧化物及其甲苯催化氧化性能研究》一、引言随着环保意识的日益增强，对有害挥发性有机化合物（VOCs）的治理成为当前研究的热点。
甲苯作为常见的VOCs之一，其高效、环保的催化氧化技术受到了广泛关注。
钴基金属氧化物因其良好的催化性能和较低的成本，在甲苯催化氧化领域具有广泛的应用前景。
近年来，以金属有机框架（MOF）为前驱体，制备钴基金属氧化物的方法受到了研究者的青睐。
本文以Co-MOF为前驱体，制备钴基金属氧化物，并对其甲苯催化氧化性能进行研究。
二、实验部分1. 材料与方法（1）Co-MOF前驱体的制备采用溶剂热法，以钴盐和有机配体为原料，合成Co-MOF前驱体。
具体步骤如下：将钴盐和有机配体溶解在适当的溶剂中，转移至反应釜中，在一定温度下进行溶剂热反应，得到Co-MOF 前驱体。
（2）钴基金属氧化物的制备将Co-MOF前驱体进行煅烧，得到钴基金属氧化物。
煅烧过程中，控制温度、时间等参数，以获得具有较好催化性能的钴基金属氧化物。
（3）甲苯催化氧化性能测试以制备的钴基金属氧化物为催化剂，进行甲苯催化氧化性能测试。
通过测定反应前后的甲苯浓度，计算催化剂的活性及选择性。
2. 样品表征采用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）等手段，对制备的钴基金属氧化物进行表征，分析其晶体结构、形貌及元素分布等信息。
三、结果与讨论1. 钴基金属氧化物的制备与表征通过XRD、SEM、TEM等表征手段，我们发现以Co-MOF 为前驱体制备的钴基金属氧化物具有较好的晶体结构和形貌。
其中，钴氧化物以纳米级颗粒的形式存在，具有较高的比表面积和孔容，有利于催化反应的进行。
2. 甲苯催化氧化性能以制备的钴基金属氧化物为催化剂，进行甲苯催化氧化性能测试。
结果表明，以Co-MOF为前驱体制备的钴基金属氧化物具有较高的催化活性。
在较低的温度下，就能实现甲苯的完全转化，且具有较好的稳定性。
2024年MOCVD设备市场前景分析
2024年MOCVD设备市场前景分析1. 引言金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术是一种重要的半导体材料制备技术，广泛应用于LED、太阳能电池、光电子器件等领域。
本文通过对MOCVD设备市场前景进行分析，旨在为相关企业和投资者提供市场参考。
2. MOCVD设备的定义与发展MOCVD设备是一种用于生长金属有机化合物气相沉积薄膜的设备，通过在高温、高压、气氛控制条件下将金属有机前驱体分解，并以化学反应来沉积材料。
MOCVD 设备的不断发展推动了光电子器件、半导体材料以及相关应用的进步。
3. MOCVD设备市场现状目前，MOCVD设备市场呈现出快速增长的态势。
LED行业的发展带动了MOCVD 设备市场的快速扩张，同时新兴领域如太阳能电池和光电子器件等的发展也对市场需求产生了积极影响。
全球范围内，亚洲地区是MOCVD设备市场规模最大的区域，其中中国是最大的市场。
4. MOCVD设备市场前景4.1 技术创新驱动市场增长MOCVD设备市场的发展主要受到技术创新的推动。
随着新材料的不断涌现以及半导体器件的不断进步，对于高质量、高效率材料的需求也在不断增加。
MOCVD设备作为关键制备工具，需要不断优化和升级以满足市场需求，并提高产能和效率。
4.2 行业竞争格局分析MOCVD设备市场竞争激烈，主要厂商包括美国的Veeco Instruments和Applied Materials，日本的Tokyo Electron等。
由于市场的高度专业性和技术要求，市场份额主要集中在少数几家大型企业。
不过，随着市场的扩大和技术的进步，新的竞争者也有可能进入市场。
4.3 市场机遇与挑战MOCVD设备市场面临着机遇和挑战并存的局面。
市场机遇主要体现在技术创新的推动下，新兴应用领域的不断发展，如显示技术、量子器件等。
然而，市场挑战也不可忽视，包括技术门槛高、成本压力大以及不断变化的市场需求等。
5. 总结MOCVD设备市场前景广阔，受新兴应用领域和技术创新的推动，市场规模不断扩大。
《Co-MOF为前驱体制备的钴基金属氧化物及其甲苯催化氧化性能研究》
《Co-MOF为前驱体制备的钴基金属氧化物及其甲苯催化氧化性能研究》一、引言随着环境保护意识的增强和工业化的快速发展，催化氧化技术在化工、环保等领域的应用越来越广泛。
其中，钴基金属氧化物因其良好的催化性能和稳定性，在甲苯等有机污染物的催化氧化中具有重要应用价值。
近年来，以金属有机框架（Metal-Organic Frameworks，MOFs）为前驱体，制备金属氧化物材料的方法受到广泛关注。
Co-MOF作为其中一种典型的MOF材料，以其结构可调、组成丰富等特点，在制备钴基金属氧化物方面展现出巨大的潜力。
本研究以Co-MOF为前驱体，制备钴基金属氧化物，并对其甲苯催化氧化性能进行系统研究。
二、Co-MOF前驱体的制备及表征本部分详细描述了Co-MOF前驱体的制备过程，包括原料选择、反应条件等。
通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）等手段对Co-MOF的形貌、结构进行表征。
结果表明，所制备的Co-MOF具有较高的纯度和良好的结晶性。
三、钴基金属氧化物的制备及表征以Co-MOF为前驱体，通过热解、煅烧等方法制备钴基金属氧化物。
利用XRD、SEM、透射电子显微镜（TEM）等手段对钴基金属氧化物进行表征。
结果表明，所制备的钴基金属氧化物具有较高的比表面积和良好的孔结构，有利于提高催化反应的活性。
四、甲苯催化氧化性能研究本部分详细研究了钴基金属氧化物对甲苯催化氧化的性能。
通过改变反应条件（如温度、氧气流量等），考察了钴基金属氧化物对甲苯的催化氧化活性。
同时，通过对比实验，分析了不同制备方法、不同组成等因素对催化性能的影响。
结果表明，以Co-MOF为前驱体制备的钴基金属氧化物具有较高的甲苯催化氧化活性，且稳定性良好。
五、结果与讨论根据实验结果，分析了Co-MOF前驱体及钴基金属氧化物的结构与甲苯催化氧化性能之间的关系。
探讨了催化剂的活性组分、助剂等因素对催化性能的影响。
同时，结合文献资料，对钴基金属氧化物在甲苯催化氧化中的反应机理进行了初步探讨。
GaN薄膜的MOCVD制备法及其表征的开题报告
GaN薄膜的MOCVD制备法及其表征的开题报告一、研究背景氮化镓（GaN）在半导体材料中具有很高的电学性能和光学性能，因此在LED、激光器等光电领域得到广泛应用。
GaN晶体在高温高压的条件下制备困难，因此研究GaN薄膜的制备就成为了一个研究热点。
MOCVD是一种常见的半导体材料生长技术，通常用于制备复杂结构的半导体材料。
因此，研究GaN薄膜的MOCVD制备方法及其表征，对于提高GaN薄膜的光电性能具有重要意义。
二、研究内容1. MOCVD制备GaN薄膜的工艺优化通过对MOCVD生长过程中温度、流量、压力等参数的调节，优化GaN薄膜的生长条件，探究不同工艺参数对GaN薄膜生长的影响。
同时，采用原位反射光谱技术，研究生长过程中薄膜的成分和结构变化，为后续的薄膜表征提供基础数据。
2. G黏合垫层制备及GaN薄膜的生长和表征为了提高GaN薄膜的质量和降低缺陷密度，引入相应的黏合垫层能够有效地改善生长条件。
因此，采用特定工艺制备黏合垫层，并在其表面生长GaN薄膜。
利用SEM、XRD等手段对GaN薄膜的生长质量和厚度进行表征，分析其晶格结构和光电性能。
3. GaN薄膜的光学表征及应用研究通过光学技术（如激光扫描显微镜等），研究GaN薄膜的光电性能（如光谱特性、激子特性等），探索其在光电器件中的应用前景。
另外，将GaN薄膜作为LED和激光器核心部件进行测试，探究其在光电器件中的应用性能。
三、研究意义该课题对于推动GaN薄膜在LED、激光器等领域的应用具有重要的意义。
同时，优化MOCVD生长条件和制备黏合垫层的工艺，提高GaN 薄膜的生长质量和光电性能，有助于推动半导体材料的研究和发展。
全球MOCVD设备行业市场发展现状及竞争格局分析
全球MOCVD设备行业市场发展现状及竞争格局分析一、MOCVD综述MOCVD（Metal-organic Chemical Vapor Deposition）金属有机化合物化学气相沉淀，是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。
MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。
通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃,用直流加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。
因为MOCVD生长使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物质，并且要生长多组分、大面积、薄层和超薄层异质材料。
因此在MOCVD 系统的设计思想上，通常要考虑系统密封性，流量、温度控制要精确，组分变换要迅速，系统要紧凑等。
不同厂家和研究者所产生或组装的MOCVD设备是不同的。
一般由源供给系统、气体输运和流量控制系统、反应室及温度控制系统、尾气处理及安全防护报警系统、自动操作及电控系统。
二、MOCVD设备在LED产业链中概况LED 产业链由衬底加工、LED 外延片生产、芯片制造和器件封装组成。
该产业链中主要涉及的设备包括：衬底加工需要的单晶炉、多线切割机；制造外延片需要的MOCVD 设备；制造芯片需要的光刻、刻蚀、清洗、检测设备；封装需要的贴片机、固晶机、焊线台和灌胶机等。
LED 外延片的制备是LED 芯片生产的重要步骤，与集成电路在多种核心设备间循环的制造工艺不同，主要通过MOCVD 单种设备实现。
因此，MOCVD 设备是LED 芯片生产和功率器件制造过程中的关键设备。
MOCVD 设备采购金额一般占LED生产线总投入的一半以上，是LED 外延片制造中最重要的设备。
《研磨制备前驱体及多羟基小分子钝化缺陷的钙钛矿发光二极管的研究》范文
《研磨制备前驱体及多羟基小分子钝化缺陷的钙钛矿发光二极管的研究》篇一摘要：本文致力于探讨钙钛矿发光二极管（Perovskite Light-Emitting Diodes，PeLEDs）的研磨制备技术以及通过多羟基小分子钝化缺陷的策略。
研究通过优化前驱体的制备过程和引入多羟基小分子，有效提升了钙钛矿发光二极管的性能和稳定性。
本文详细介绍了实验设计、实验过程、结果分析和结论，为钙钛矿发光二极管的研究与应用提供了新的思路。
一、引言钙钛矿发光二极管因其高亮度、高效率和低成本等优势，近年来在光电器件领域引起了广泛关注。
然而，钙钛矿材料中的缺陷问题一直是制约其性能和稳定性的关键因素。
因此，如何有效制备前驱体并钝化这些缺陷，成为当前研究的热点。
二、研磨制备前驱体1. 前驱体选择与制备研究首先关注了前驱体的选择与制备过程。
通过对比不同前驱体的物理化学性质，选择了适合研磨制备的前驱体材料。
在研磨过程中，控制研磨时间、温度和压力等参数，确保前驱体达到理想的粒度和纯度。
2. 研磨工艺优化为了进一步提高前驱体的质量，研究对研磨工艺进行了优化。
通过引入特定的添加剂和调整研磨介质，有效改善了前驱体的分散性和均匀性，为后续的成膜和发光性能提供了良好的基础。
三、多羟基小分子钝化缺陷1. 缺陷分析研究首先对钙钛矿材料中的缺陷进行了深入分析，明确了缺陷的类型和成因。
这些缺陷主要包括晶体结构缺陷和表面态缺陷等，它们严重影响了钙钛矿发光二极管的光电性能。
2. 多羟基小分子钝化策略针对这些缺陷，研究引入了多羟基小分子进行钝化。
多羟基小分子能够与钙钛矿材料中的缺陷发生相互作用，形成稳定的化学键，从而有效减少非辐射复合和电荷泄漏。
此外，多羟基小分子的引入还能改善钙钛矿材料的能级结构，提高电子和空穴的注入效率。
四、实验结果与分析1. 前驱体制备结果经过优化研磨工艺，制备的前驱体粒度均匀、纯度高，为成膜提供了良好的基础。
2. 多羟基小分子钝化效果引入多羟基小分子后，钙钛矿发光二极管的性能得到了显著提升。
MOCVD法制备锌锡氧薄膜及其特性研究的开题报告
MOCVD法制备锌锡氧薄膜及其特性研究的开题报告一、研究背景随着新能源技术的快速发展，锌锡氧（ZnSnO）薄膜材料作为一种多元化材料在逐渐受到人们的关注，它具有良好的光电性能、化学稳定性和生物相容性，在透明导电、太阳能电池和光电器件等方面具有广阔的应用前景。
目前，利用化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）等技术制备的ZnSnO薄膜多存在着制备温度高、薄膜结晶度差、掺杂成分不易调控等问题。
而金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在制备材料方面表现出了其独特的优势，具有制备温度低、材料成分均匀、精度高等优点。
因此，采用MOCVD技术制备ZnSnO薄膜，可以提高其结晶度和掺杂均匀性，为其应用提供更好的基础。
二、研究内容和目标本研究旨在采用MOCVD技术在玻璃基板上制备ZnSnO透明导电薄膜，并研究其微观形貌、光学性质和电学性质等特性。
具体内容包括：1. 优化MOCVD反应条件，制备ZnSnO薄膜；2. 研究ZnSnO薄膜的晶体结构、微观形貌和表面形貌；3. 测量ZnSnO薄膜的透光率、透射率、漏电流等光学和电学性能；4. 探究ZnSnO薄膜光电性能，并尝试在柔性衬底上制备透明导电薄膜。
本研究旨在优化MOCVD制备ZnSnO薄膜的工艺条件和研究其特性，为其在光电器件和化学传感器等领域开展进一步的应用研究提供基础。
三、技术路线1. 制备ZnSnO薄膜：采用MOCVD技术，在具有良好控制的反应条件下制备ZnSnO薄膜。
主要反应物为乙二醇锌（Zn(C2H5O)2）、三甲基锡（Sn(CH3)4）和氨（NH3）。
采用旋转涂覆法在高温环境下将反应物转化为ZnSnO沉积到基板表面上，形成ZnSnO薄膜。
2. 材料表征：采用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）等手段，对所得ZnSnO薄膜的晶体结构、微观形貌和表面形貌进行表征。
3. 测量薄膜光学性能：采用紫外可见光谱仪（UV-Vis）、反射率仪、激光扫描电子显微镜（CLSM）等手段，测量ZnSnO薄膜的透光率、透射率和反射率等光学特性。
《Co-MOF为前驱体制备的钴基金属氧化物及其甲苯催化氧化性能研究》
《Co-MOF为前驱体制备的钴基金属氧化物及其甲苯催化氧化性能研究》一、引言随着环境问题的日益严重，甲苯等挥发性有机化合物的治理已成为当前研究的热点。
钴基金属氧化物因其良好的催化性能和稳定性，在甲苯催化氧化领域具有广阔的应用前景。
近年来，以金属有机框架（MOF）为前驱体，通过合理的设计和制备工艺，可获得具有特定结构和性能的钴基金属氧化物。
本文以Co-MOF 为前驱体，研究其制备的钴基金属氧化物及其甲苯催化氧化性能，为实际应用提供理论依据。
二、实验部分1. 材料与试剂实验所需材料包括Co-MOF前驱体、氧化钴等。
试剂包括甲苯、氧气等。
所有试剂均为分析纯，使用前未经进一步处理。
2. 实验方法（1）Co-MOF前驱体的制备：采用溶胶凝胶法合成Co-MOF。
（2）钴基金属氧化物的制备：将Co-MOF前驱体在一定温度下煅烧，得到钴基金属氧化物。
（3）甲苯催化氧化性能测试：在固定床反应器中，以氧气为氧化剂，考察钴基金属氧化物对甲苯的催化氧化性能。
三、结果与讨论1. Co-MOF前驱体的表征通过XRD、SEM等手段对Co-MOF前驱体进行表征，结果表明成功合成了具有特定结构的Co-MOF。
2. 钴基金属氧化物的表征对制备的钴基金属氧化物进行XRD、SEM、TEM等表征，分析其晶体结构、形貌和粒径等。
结果表明，钴基金属氧化物具有较高的比表面积和良好的孔结构，有利于提高其催化性能。
3. 甲苯催化氧化性能测试结果在固定床反应器中，考察钴基金属氧化物对甲苯的催化氧化性能。
结果表明，钴基金属氧化物具有良好的甲苯催化氧化性能，且具有较高的活性和稳定性。
通过对比不同制备条件下的钴基金属氧化物，发现适当煅烧温度和煅烧时间有利于提高其催化性能。
4. 催化性能分析分析钴基金属氧化物催化氧化甲苯的机理，发现其具有良好的氧化还原性能和电子传递能力，有利于提高甲苯的转化率和选择性。
此外，钴基金属氧化物还具有较好的抗中毒能力，可在较宽的甲苯浓度范围内保持较高的催化性能。
液态源MOCVD法制备热释电薄膜工艺研究的开题报告
液态源MOCVD法制备热释电薄膜工艺研究的开题报告一、选题背景热释电材料被广泛用于热成像、热辐射、传感器、电源等领域，其应用前景十分广阔。
而热释电薄膜的制备则是提高其性能的一种有效手段。
目前，热释电薄膜的制备方法有很多种，而液态源MOCVD法以其优异的优点而备受关注。
本文旨在探究液态源MOCVD法制备热释电薄膜的工艺，为热释电薄膜的应用提供技术支持。
二、研究目的与意义本研究旨在通过液态源MOCVD法制备热释电薄膜，探究其生长机制、膜层结构性质及性能，对于提高热释电薄膜的性能具有重要的理论和实践意义。
三、研究内容和方法1.分析热释电薄膜的制备工艺、性能和应用现状，明确本次研究的重点和难点。
2.设计合适的合成方案，根据合成方案合成出所需要的材料。
3.利用液态源MOCVD法将材料生长于衬底表面，探究生长过程中所需要的实验条件和其对膜层结构和性质的影响。
4.通过实验测试，分析热释电膜的物理性质，如结晶度、热释电性能、光学性质等，探究液态源MOCVD法制备的热释电薄膜的性质。
5.分析液态源MOCVD法制备热释电薄膜的制备工艺，明确其制备优缺点，并提出优化方法。
四、预期成果1.通过液态源MOCVD法制备出符合预期要求的热释电薄膜，并对其生长过程进行详细的分析和探究。
2.分析热释电薄膜的物理性质、热释电性能及光学特性，为热释电薄膜的应用提供理论基础和实验支持。
3.分析工艺优良的液态源MOCVD法制备热释电薄膜的特点，并提出优化方法，为热释电薄膜的应用提供技术支持。
四、参考文献[1] H. Khánh Ngoc, N. Thanh Tung. New process for synthesis of BiFeO3 thin films using a modified MOCVD technique. Journal of Alloys and Compounds, 2014, 611: 184-189.[2] Y. N. Peng, C. C. Liu, Z. R. Huang, H. C. Kuo. The growth of BiFeO3 thin films by the spray pyrolysis-deposition method. Journal of Electroceramics, 2013, 31(3): 153-157.[3] J. Y. Lu, H. S. Wang, J. B. Zhu. Fabrication of High-Performance BST Thin Films with HfO2 Capping Layer by Sol-gel Method. Journal of Electronic Materials, 2016, 45(5): 3411-3418.。
钯膜制备新技术
钯膜制备新技术宁英男 张海燕 匡洞庭(大庆石油学院石油化工系,安达,151400)摘 要 介绍了钯膜的制备方法及在载体上制备超薄钯膜的改进技术。
由无电子电镀过程制备的钯膜对氢渗透速率高,对氢有良好的选择性。
由金属有机气相沉积法(MOCVD )在载体孔内沉积钯膜有助于防止氢的脆化作用。
利用渗透压的新技术可控制膜的微观结构和孔隙率。
将多孔不锈钢作为载体时,利用不同的技术能克服氢的脆化作用,减少钯膜厚度以及防止钯-银层与不锈钢间金属原子的相互扩散。
由光催化沉积可在半导体载体上制备超薄钯膜。
关键词 钯膜,制备,膜分离,氢渗透率中图分类号 TQ 138 文献标识码 A 文章编号 1000-6613(2002)05-0342-03 氢气广泛应用于化学工业、石油化工、金属冶炼、玻璃工业、食品加工以及火箭燃料等领域,各种工艺过程对氢的纯度都有很高的要求。
近年来,随着膜分离技术的发展,多孔和致密的氢分离膜均已成为深入研究的目标,氢分离膜研究的重要指标是氢的渗透性和选择性,在以努森扩散为主要传递过程的中等孔隙率膜中,氢的渗透选择性很低,使用分子筛膜可将渗透选择性提高两个数量级,但其渗透率很低,使用致密的钯膜则可得到惟一的氢渗透[1]。
因此,钯膜的研究在氢气提纯方面具有重要的意义,本文介绍钯膜的制备方法及其改进技术。
1 钯膜的制备方法钯在常温下能溶解大量的氢气,在真空中加热至100℃时,又能将溶解的氢释放出来,如果钯膜两侧存在氢分压差,则氢就会从压力较高的一侧向较低的一侧渗透。
为使氢的渗透性和选择性高,对分离膜的基本要求是膜的厚度在几十微米以内,膜连续、无损伤。
制备钯膜的方法可分为传统卷轧(conventional rolling )、物理气相沉积(physical vapor deposi 2tion )、化学气相沉积(chemical vapor deposition )、电镀或电铸(electroplating or electroforming )以及无电子电镀(electroless plating )。
mocvd法异质外延gap／si薄膜的研究
mocvd法异质外延gap／si薄膜的研究本文旨在研究利用金属有机化学气相沉积法（Metal-OrganicChemicalVaporDeposition，MOCVD）制备的异质外延GaP／Si薄膜的性能。
MOCVD法利用高温反应提供的大量能量和高浓度的原料气体，可以控制薄膜的厚度、形貌和结构，以及突出表面和界面的光学和电学性能。
为了阐明MOCVD法异质外延GaP／Si薄膜的研究进展，本文重点讨论GaP／Si膜的基本性能，如表面形貌、光学性能和电学性能，以及如何提高这些性能。
首先，简要介绍MOCVD法制备异质外延GaP／Si膜的基本原理和工艺参数。
MOCVD法是一种源式外延中比较重要的技术，它可以改变源材料的物理参数，消除发射源粒子的大小和数量，改变比特材料的结构，在外延成膜过程中形成可靠的界面，提高薄膜的耐久性、稳定性和可靠性。
其次，讨论MOCVD法制备的GaP／Si膜的表面形貌、光学性能和电学性能。
MOCVD法制备的GaP／Si膜有良好的表面形貌，凹凸不平度和尺寸精度均达到一定水平，可以以很小的损失反映表面形貌。
此外，MOCVD法可以控制GaP／Si膜的光学性能，其传输率高，可用来制备可视红外光学元件和多色薄膜。
此外，MOCVD法制备的GaP／Si 膜具有良好的电学性能，如低介电常数、高线密度和低相对电容、低自由电子数量等，可以应用于电子元器件中。
最后，重点介绍如何改善MOCVD法制备的GaP／Si薄膜的性能。
MOCVD法制备GaP／Si薄膜的性能可以通过改变源材料的类型、改变源材料的原子比例、改变反应温度和反应时间、控制蒸汽化温度、控制反应气体、控制薄膜厚度和表面形貌等措施来改善，以提高GaP／Si膜的表面形貌、光学性能和电学性能。
综上所述，MOCVD法制备的GaP／Si膜具有良好的表面形貌、光学性能和电学性能，并且可以通过改变工艺参数和发射源粒子的大小和数量来提高这些性能，为光学设备和电子元器件的设计提供有益的参考。
透氢用钯复合膜(十一)：发展现状及趋势
透氢用钯复合膜(十一)：发展现状及趋势2016-08-15 13:22来源：内江洛伯尔材料科技有限公司作者：研发部透氢用钯复合膜由于具备选择性透氢以及良好的化学与热稳定性等,钯复合膜在氢气分离与纯化、钯膜反应器等方面有广泛的应用前景。
近年来无论是钯膜的透氢原理、制备方法,还是膜反应器的开发与应用均取得了明显进展,很多研究结果具有划时代意义。
使用密度泛函理论分析预测不同微观结构钯膜的透氢速率、在超临界条件下制备金属钯膜,以及通过氢和氧在钯膜表面接触形成羟基自由基实现苯一步转化制苯酚过程的钯膜反应器开发等是具有代表性的研究结果。
根据近年来国内外的研究结果与发展趋势,使用化学镀法和CVD法制备钯合金膜仍将是今后的研究热点。
对于SFD法,现在还只局限于使用几种特定的前驱体,未见制备合金膜研究工作的报道,特别是膜的透氢能力还有待进一步深入研究。
另外,在制备和使用钯膜过程中,膜的在线修复也具有重要的实际意义。
此外,钯膜的制备方法与钯膜反应器的研究工作将得到进一步加强。
利用钯膜反应器制氢和反应过程耦合等将越来越多受到重视。
应该着重解决的问题包括: (1) 进一步研究透氢原理,以便能准确和简捷地预测具有不同微结构钯膜的透氢性能; (2) 降低钯膜制备成本,特别是环境友好制备工艺的开发对钯膜的实际应用至关重要; (3) 钯膜反应器中传热、传质与放大规律的研究仍很缺乏,有待加强。
但需要指出的是,目前合成出的钯复合膜仍极其脆弱,稳定性较差。
特别是对厚度在10μm以下的钯膜,在500℃以上高温条件下使用时,寿命十分有限。
此外,金属钯的成本较高。
所以,目前钯膜反应器的使用还仅限于中、小型装置,尚未达到工业化规模。
如果能够解决超薄钯膜的制备与稳定性等关键技术问题,钯膜在氢气分离与纯化、膜反应器等方面的应用必将得到迅猛发展。
《Co-MOF为前驱体制备的钴基金属氧化物及其甲苯催化氧化性能研究》范文
《Co-MOF为前驱体制备的钴基金属氧化物及其甲苯催化氧化性能研究》篇一一、引言随着环境问题的日益严重，甲苯等挥发性有机化合物的治理已成为当前研究的热点。
钴基金属氧化物因其优异的催化性能，被广泛应用于甲苯等有机污染物的催化氧化过程中。
而以Co-MOF（金属有机框架）为前驱体制备的钴基金属氧化物，因其具有高比表面积、良好的孔结构和优异的催化活性，成为了当前研究的重点。
本文旨在研究以Co-MOF为前驱体制备的钴基金属氧化物在甲苯催化氧化中的应用及其性能。
二、材料制备与表征1. 材料制备本研究采用Co-MOF为前驱体，通过热解法制备钴基金属氧化物。
具体步骤为：首先合成Co-MOF，然后在一定温度下进行热解，得到钴基金属氧化物。
2. 材料表征利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）等手段对制备的钴基金属氧化物进行表征。
结果表明，所制备的钴基金属氧化物具有较高的比表面积和良好的孔结构，且晶体结构清晰，无杂质。
三、甲苯催化氧化性能研究1. 催化活性测试在固定床反应器中，以所制备的钴基金属氧化物为催化剂，进行甲苯催化氧化实验。
实验结果表明，该催化剂在较低的温度下即可实现甲苯的高效催化氧化。
2. 催化性能分析通过对比不同条件下催化剂的活性，发现催化剂的活性与其比表面积、孔结构以及钴离子的价态密切相关。
高比表面积和良好的孔结构有利于提高催化剂的活性，而钴离子的价态则影响催化剂的氧化还原性能。
此外，催化剂的活性还受到反应温度、空速等因素的影响。
3. 催化剂稳定性测试对所制备的钴基金属氧化物进行多次循环实验，发现该催化剂具有良好的稳定性。
经过多次循环使用后，催化剂的活性基本保持不变，表明该催化剂具有较好的抗失活性能。
四、结论本研究以Co-MOF为前驱体制备了钴基金属氧化物，并对其在甲苯催化氧化中的应用进行了研究。
结果表明，所制备的钴基金属氧化物具有较高的比表面积、良好的孔结构和优异的催化活性，能在较低的温度下实现甲苯的高效催化氧化。
MOCVD工艺制备Y2O3涂层的研究
MOCVD工艺制备Y2O3涂层的研究MOCVD工艺制备Y2O3涂层的研究摘要：随着科学技术的进步和应用领域的不断拓宽，高温涂层技术逐渐成为高端领域中不可或缺的一部分。
本文以MOCVD工艺为基础，研究了制备Y2O3涂层的相关实验，通过改变反应气体种类和流量，优化反应条件，对Y2O3涂层进行了分析与评估。
结果表明，通过控制反应条件，制备出的Y2O3涂层具有良好的耐热、耐腐蚀性能以及优异的氧化还原性能。
该研究为提高涂层性能、拓宽应用领域提供了参考依据。
关键词：MOCVD工艺；Y2O3涂层；耐热性能；耐腐蚀性能；氧化还原性能1. 研究目的和意义高性能涂层技术是现代科技领域中的一个重要研究方向，其在能源、材料、航空航天等高端领域拥有广泛的应用。
而Y2O3涂层作为一种重要的高温涂层材料，其良好的耐热性能、耐腐蚀性能以及氧化还原性能使其备受关注。
MOCVD工艺以其制备涂层的优异性能受到广泛关注。
本研究旨在探究MOCVD工艺制备Y2O3涂层的反应机制，以实现涂层在高温、高压环境下的优异性能。
2. 实验方法2.1 实验材料本实验所使用的前驱体为Y(tmhd)3、O3和Ar。
实验设备为MOCVD反应器。
2.2 实验步骤（1）制备前驱体在实验前，以乙醇为溶剂，将Y(tmhd)3稀释到0.025mol/L，将O3气体通过液氮冷却后，制备出前驱体。
（2）涂层制备将反应器温度升至700℃，反应前5min在反应室加入惰性气体Argon，使压力达到0.2atm，之后向反应器中导入前驱体，反应时间为60min，160sccm的Ar气体被用作载气。
反应后冷却至室温，制得Y2O3涂层。
（3）涂层性能测试对制备出的涂层进行表面形貌、化学成分和晶体结构等性能的测试。
3. 实验结果3.1 Y2O3涂层分析通过SEM、EDS、XRD等技术手段对制备出的Y2O3涂层进行了分析。
SEM照片表明，Y2O3涂层表面平整，无颗粒杂质。
EDS测试表明，Y2O3涂层化学成分纯净，无杂质。
矿产
矿产资源开发利用方案编写内容要求及审查大纲
矿产资源开发利用方案编写内容要求及《矿产资源开发利用方案》审查大纲一、概述
㈠矿区位置、隶属关系和企业性质。
如为改扩建矿山, 应说明矿山现状、
特点及存在的主要问题。
㈡编制依据
(1简述项目前期工作进展情况及与有关方面对项目的意向性协议情况。
(2 列出开发利用方案编制所依据的主要基础性资料的名称。
如经储量管理部门认定的矿区地质勘探报告、选矿试验报告、加工利用试验报告、工程地质初评资料、矿区水文资料和供水资料等。
对改、扩建矿山应有生产实际资料, 如矿山总平面现状图、矿床开拓系统图、采场现状图和主要采选设备清单等。
二、矿产品需求现状和预测
㈠该矿产在国内需求情况和市场供应情况
1、矿产品现状及加工利用趋向。
2、国内近、远期的需求量及主要销向预测。
㈡产品价格分析
1、国内矿产品价格现状。
2、矿产品价格稳定性及变化趋势。
三、矿产资源概况
㈠矿区总体概况
1、矿区总体规划情况。
2、矿区矿产资源概况。
3、该设计与矿区总体开发的关系。
㈡该设计项目的资源概况
1、矿床地质及构造特征。
2、矿床开采技术条件及水文地质条件。
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Ｃ Ｅ ａｆｎ ，Ｃ Ａ Ｇ Ｑａｗ ｎ Ｈ Ｎ Ｘ ｚｕ Ｅ Ｑ ｎ ｓｎ ， Ｈ Ｎ Ｌｑａ ，ＬＵ Ｗｅ ｉ Ｈ Ｎ Ｇ ｏ ｇ Ｈ Ｎ ｉｏ ｅ ，Ｃ Ｅ ｉ ，Ｙ ｉｇｏ ｇ Ｃ Ｅ ｉｉ ａ ｈ ｏ Ｉ ｉ ｎ ｐｇ
（ ｔｔ Ｋ ｙＬ ｂ ｒｔ ｙｏ ｄ ａ ｃ ｄ Ｔ ｃ ｎ ｌｇ ｓ ｏ ｏ ｒｈ ｎ ｉ ｔ ｉ ｔ ｎ ｏ Ｐ ａ ｎ ｍ Ｍｅ ｌ ， Ｓａ ｅ ａ ｏａ ｒ ｆ ｖ ｎ ｅ ｅ ｈ ｏｏ ｉ ｒ ｍｐｅ ｅ ｓ ｅ Ｕ ｉｚ ｉ ｆ ｌｔ ｕ ｔ ｓ ｅ ｏ Ａ ｅｆ Ｃ ｖ ｌａ ｏ ｉ ａ
制法 制备 钯膜 的主要 问题 在于 初始 原 料 的纯 度对 薄 膜 的质量 影 响极 大 ， 且膜 的厚度 大 于 ５ ｍ； 学镀 ０ 化 的缺 陷是 活化 与敏 化 过程 繁琐 ， 易 引入 杂 质 ， 极 而且 不易控 制 膜 的厚 度 ； 理气 相沉 积 需要 很 高 的热 量 ， 物
ａ ｐ ｉａ ｉｎｓｉ ｎ ｅ ｄ ｃ ｕ ｅ ｏ ｔ ｘ ｅｌｎｔｐ ｙ ｉａ ｎ ｃ ｍｉａ ｒ ｐ ｒｉ ｓ ｓ ｃ ｓ ｒ ｔｃ ｉｅ ｐ ｌｃ ｔｏ ｎ ｍａ ｙ ｆ ｌ ｓ ｂｅ ａ ｓ ｆ ｉ ｅ ｃ ｌｅ ｈ ｓｃ ｌａ ｄ ｈｅ ｃ ｌ ｐ ｏ ｅ ｅ ， ｕ ｈ ａ ｐ ｏ ｅ ｔｖ ｉ ｓ ｔ ｃ ａｉ ｇ ｏ ｉ ｈ ｔ ｍｐｅ ａｕ ｅ，ｄ ｅ ｅ ｔｉ ｉｍｓ ｉ ｃ ｏ ｌ ｃｒ ｎ ｃ ｎ ａａｙ ｉ ．Ｉ ａ ｔｒ ｃｅ ｃ ｔ ｏ ｔｎ ｓｆ ｒｈ ｇ ｅ ｒｔｒ ｉ ｌｃ ｒｃ ｆｌ ｎ ｍｉ ｒ ｅｅ ｔｏ ｉ ｓ ａ ｄ ｃ ｔ ｌｓｓ ｔｈ ｓａ ｔａ ｔ ｄ ｍｕ ｈ ａ—
ｔ ｎ ｉｎ ｉ ｅ ｅ ｔｙ ａｓ ｄ ｅ ｔ ｔ ｘ ｅｌ ｎ ｒ ｐ ｒｉ ｓａ ｏｅ ｔａ ｐ ｌｃ ｔｏ ． Ｉ ｈ ｓａ ｔｃｅ，ｈ ｒ ｇ ｅ ｓ ｅ ｔｏ ｎ ｒ ｃ ｎ ｅ ｒ ｕ ｏｉｓｅ ｃ ｌｅ ｔｐ ｏ ｅ ｔｅ ｎｄ ｐ ｔｎ ｉｌａ ｐ ｉ ａｉｎｓ ｎ ｔ ｉ ｒｉｌ ｔ ｅ ｐ ｏ ｒ ｓ ａ ｄ ｓｔ ａｉ ｎ ｏ ｅ ｅ ｒ ｈ ｏ ｒ ｃ ｒｏ ｓｆ ｒｐ ｌ ｄ ｕ ｔ ｉ ｌ ｙ Ｍ ＯＣＶＤ ｒ ｎ ｒ ｄ ｅ ｎ ｉｕ ｔｏ ｎ ｒ ｓ ａ ｃ ｆｐ ｅ ｕ ｓ ｒ ａｌ ｉ ｍ ｈ ｎ ｆ ｍｓ ｂ ｏ ａ ｉ ｗｅ ｅ ｉ ｔｏ ｕｃ ｄ．Ｔｈｅ ａ ｖ ｎ ａ ｄ ａ ｔ—
７ ９
ｐａｉｇ Ｅ ） 物理 气 相沉 积 法 （ ｈｓ ａ ｖｐ ｒｄｐ ｓ ｌｔ ， Ｐ 、 ｎ ｐ ｙｉ ｌ ａ ｏ ｅｏｉ ｃ — ｔ ｎ Ｐ Ｄ） 电镀 法 （ ｌ ｔ ｐａ ｎ ， Ｐ 、 子 层外 延 ｉ ，Ｖ 、 ｏ ｅｅ ｒ ｌ ｉｇ Ｅ ） 原 ｃｏ ｔ 法 （ ｔ ｃｌ ｅ ｐｔ ｙ Ａ Ｅ） 超 临 界条 件 下 制备 钯 ａｏ ａ ｒ ｉ ｘ ， Ｌ 、 ｍｉ ｙ ｅ ａ
收 稿 日期 ：０ ｌ一 ６—２ ２１ ０ ７
第 一作者简介 ： 陈高芳 ， ， 女 硕士研究生 ， 研究方 向： 贵金属化学合成 Ｅ—ｍａ ：ｈ ｗ ０ ＠１３ ｃｍ ｉ Ｃ ｗ ２ ９ ６ ．ｏ ｌ
第 １ 期
陈 高 芳 等 ： Ｃ Ｄ法 制 备 钯 膜用 的 前驱 体 研 究 现 状 ＭＯ Ｖ
（ 昆明贵金属研究所 稀 贵金 属综 合利用新技术 国家重 点实验室 ，昆明 ６００ ） ５ １６
摘
要 ： 属 钯 薄 膜作 为一 种新 型 的稀 贵 金 属低 维材料 ， 金 因为其 优 异 的物 理 和化 学性 能 ， 耐 高 温 在
涂 层 、 电子 、 微 膜反 应 器、 催化 等领 域 有 着 非 常 重要 的应 用 。钯 薄 膜优 异 的性 能 及 广 阔的 应 用前 景
不 能得 到成 分 均 匀 的膜 ； Ｃ Ｄ技 术 沉 积 速 率 快 ， ＭＯ Ｖ
制备 钯膜 主要 包括 以下 的过程 ： 态反 应 物 的传 气 送 一 反应 物扩 散 到基体 表 面 一 反 应物 吸 附在基体 上 一 吸附在 基体 表 面 的物质发 生化 学分 解反 应 ， 生
出金 属 核 ， 进一 步反 应得 到金 属薄 膜 一 化 学反应 核
体 ， 如 传 统 的钯 无 机 前 驱 体 Ｐ Ｃ， Ｐ Ｎ ， 例 ｄ １、 ｄ（ Ｏ ） 、 Ｐ Ｃ： Ｎ ， Ｎ ｄ １ 等 ， ｄ １（ Ｈ ） 、 ａＰ Ｃ 由于 它们 的化 学 性 质 不 活 泼 ， 易 分 解 ， 发 性 差 ， 体 温 度 至 少 需 要 不 挥 基
产 生 的气体从 基 体表 面 解 吸 出来 一 气 体 从 镀 膜 层 扩散 出来 一 气 体 排 出体 系 。
具有 成膜 面 积大且 面 积 和厚度 可 控 ， 薄膜 均 匀性 好 ，
图 １ ＭＯ Ｖ Ｃ Ｄ法制 备钯 膜 的主要 过程
Ｆｉ ． Ｔ ｉ ｒ ｃ ｓ ｏ ａ ｌｄ ｕ ｆｌ ｐ ａ ａｉ ｎ ｂ ｇ１ ｈｅ ｍａ ｎ ｐ ｏ ｅ ｓ ｆｒｐ ｌａ ｉ ｍ ｍ ｒ ｒ ｔｏ ｙ ＭＯＣＶＤ ｉ
用， 特别 是在 微 电子 和 均 相催 化 剂 领 域 中 的应 用 尤
效 的技术 ， 用 ＭＯ Ｖ 在 Ｃ Ｄ法 制 备 钯 膜 中 ， 驱 体 是 至 前
关 重要 的。 国外有关 ＭＯ Ｖ Ｃ Ｄ法 制 备 钯 膜 的 前 驱 体 研 究报 道很 多 。
为 显著 ｊ 。在微 电子 领域 ， 良好 的可 焊 性 、 电 钯 低
引起 人 们 广泛 的 关注 。介 绍 了金 属 有 机 化 学 气相 沉 积 （ Ｃ Ｄ） ＭＯ Ｖ 法制 备钯 膜 用前 驱 体 的研 究进 展
以及 ＭＯ Ｖ Ｃ Ｄ工 艺 中各 类前 驱 体 的优 缺 点 ， 述 了其 目前研 究 的热点 和进 一 步研 究的 方 向。 概
关键 词 ： 金属 材 料 ； 薄膜 ；前驱体 ； 属 有机 化 学 气相 沉积 钯 金
阻率 （ ０ ８×１ Ｑｍ） １． ０ 和低 接 触 电阻特 性 使 其 成 为 微型 电子器 件材 料和 特殊 用途 的电接 触 材 料 。钯催 化剂 对加 氢 、 化 、 氢 、 氢 分 解 反 应 等 显示 出 良 氧 脱 加
ｌ 制 备 方 法
目前 钯薄膜 （ 层 ） 涂 的制 备 方 法 主 要 有 ： 统 扎 传
气 相 沉积 （ ｈｍｉ ｌ ａ ｏ ｅ ｏｉｏ ， Ｖ 及 在此 基 ｃ ｅ ｃ ｐ ｒｄ ｐ ｓｉ Ｃ Ｄ） ａｖ ｔｎ
ＭＯ Ｖ Ｃ Ｄ的基 本原 理 就 是 将 金 属 有 机 前 驱 体 进 行汽 化 ， 然后 通 过 载气 携 带 到 载 体 表 面 或 者 孔 道 中
础上 发展 起来 的有机 金 属 化 学 气 相 沉 积 （ ｔ ｌ ｍｅ ｌｃ— ａｉ
Ｋ ｎ ｉｇＩｓｔｔ ｏ ｒｃ ｕ ｔ ｓ ｕ ｍｉｇ ５ １６ ｈｎ ） ｕ ｍ ｎ ｔｕｅ ｆ ｅｉ ｓＭｅ ｌ，Ｋ ｎ ｎ ０ ０ ，Ｃ ｉａ ｎｉ Ｐ ｏ ａ ６
Ａ ｂ ｔ ａ ｔ Ｐ ｌａ ｉ ｍ ｈ ｎ ｆｌ ａ ｗ ｒ ｃ ｏ ｔｌｍ ａｅ ｉｌ ｈ ｓ ａ ｖ ｒｅ ｙ ｏ ｍｐ ｒａ ｔｔｃ ｎ ｌｇ ｃ ｌ ｓ ｒ ｃ ： ａ ｌｄ ｕ ｔｉ ｍ ｓ ａ ｎｅ ｐ ｅ ｉｕｓ ｍｅ ａ ｔ ｒａ ａ ａｉ ｔ ｆ ｉ ｏ ｔ ｎ ｅ ｈ ｏ ｏ ｉ ａ ｉ
８ ０Ｃ， 化 物 的沉 积 温度更 高 ， 机离 子 Ｃ 一 Ｎ ０ｏ 氧 无 １、Ｏ 一
等 的存 在影 响 了薄 膜 的纯 度 ， 些 自身 的 因素 限 制 这 了它们 的应用 。 目前 用 于 ＭＯ Ｖ Ｃ Ｄ法 制备 钯 膜 的
适 的制 膜工 艺 是 目前 的研 究 热 点 ， 金 属 有 机 化 学 而
气相 沉 积 （ Ｃ Ｄ） ＭＯ Ｖ 是一 种 制 备 高 质 量 薄 膜 非 常 有
性 ， 肿瘤 活 性 以及 高催化 活性 ， 年来 在 膜 催 化反 抗 近
应器 、 高 温 涂 层 、 肿 瘤 药 物 领 域 有 着 广 泛 的３卷 期
贵 金 属
Ｐｒ ｃｏ ｅ ａｓ ｅ ｉｕｓＭ ｔ ｌ
Ｆｅ ｂ．２０１ ２
Ｖｏ． １３３． ．１ Ｎｏ
ＭＯＣ ＶＤ 法 制 备 钯 膜 用 的 前 驱 体 研 究 现 状
陈 高芳 ，常桥稳 ，谌喜 殊 ，叶青松 ，陈 立桥 ，刘伟 平
因此 ， 在用 Ｃ Ｄ或 ＭＯ Ｖ Ｖ Ｃ Ｄ法 制 备 钯 薄 膜 涂 层 的过程 中 ， 前驱 体 的选 择 对 钯 涂层 的 性 能 有决 定 的 作用 。适 用 于 ＭＯ Ｖ Ｃ Ｄ工艺 的前 驱体 必须 满 足 热 稳 定性 好 、 挥发 性 高 、 性 高 、 率 高 、 性 小 、 于 运 活 收 毒 易 输 与储存 等 基本要 求 以保 证得 到 高质 量 的薄膜 。
ｏ ａ ｉ ｃ ｅ ｉ ｌ ａ ｏ ｅ ｏｉｏ ， Ｃ Ｄ） ｒ ｎｃ ｈ ｍ ｃ ｐ ｒ ｐ ｓｉｎ ＭＯ Ｖ 等 。扎 ｇ ａｖ ｄ ｔ
成核 、 大 ， 终覆 盖 于整个 载体 表 面成 膜 。该 技 术 长 最
是一 种 比较 复杂 的工 艺 ， 图 １所 示 ， Ｃ Ｄ技术 如 ＭＯ Ｖ
制 法 （ ｏｖ ｎｉ ａ ｒｌｎ ） 化 学 镀 法 （ ｌｃ ｏ ｓ ｃｎ ｅ ｔ ｎ ｌ ｏ ｉｇ 、 ｏ ｌ ｅ ｔｌ ｓ ｅ ｒｅ
基金项 目： 云南 省科 研 院所 技 术 开 发 研 究 专 项 （ ｏ２０ Ｃ ０ １ Ｎ ０７ Ｆ ０ ）
好 的活性 ， 有 机 合 成 和 石 油化 工 中得 到广 泛 的应 在 用 ］ 。随着钯 薄 膜 的应 用 范 围 的扩 大 ， 找 一 种 合 寻
Ｋｅ ｙ ｗｏｒ ｄｓ：ｍｅ ａ ａｅ ｉｌ ａ ｌｄ ｕ ｆｌ ｓ ｐ ｅ ｕ ｓ ｒ Ｍ ＯＣＶＤ ｔｌｍ ｔｒａ ；ｐ ｌａ ｉ ｍ ｍ ； ｒ ｃ ｒｏ ｓ； ｉ
金 属钯 及 其 薄 膜 不仅 具 有 很 高 的 氢 渗 透 率 和
透氢选 择 性 ， 且 具 有 较 好 的 机 械 、 学 和热 稳 定 而 化