模电答案(第三版)高教版杨素行主编P1~2

本文给出了1~2章的课后习题答案，仅供参考

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。

解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A A

μμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A A

μμ⨯=

习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？

答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。

一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。

100B i A

μ=80A

μ60A

μ40A μ20A μ0A

μ0.993

3.22

安全工作区

习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A

βμ=+=50℃时，8CBO I A

μ≈()

()

()0

5020

011%3011%301301%39

t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mA

βμ=+==

习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？

②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。解：①查图可知，I CE O =0.5mA ，死区电压约为0.2V ；

②为了使三极管工作在放大区，对PNP 型：u BE <0，u BC >0；对NPN 型：u BE >0，u BC <0。

F

D 、E

A

B

C

DS GS m u DS =15V

由图可得，开启电压U GS(th)=2V ，I DO =2.5mA ，

4 1.2 2.84.

5 3.5

D m i g mS

u ∆-===∆-

习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P 型沟道或N 型沟道，增强型或耗尽型）。如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ；如为增强型，标出其开启电压U GS(th)。

(a)绝缘栅型N 沟道增强型；(b)结型P 沟道耗尽型；

(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P 沟道增强型。

习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS 场效应管的开启电压U

GS(th)= +3V ，I DO =4mA

，请示意画出其转移特性曲线。

习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ，夹断电压U GS(off)=4V ，请示意画出其转移特性曲线。

习题1-18图

习题1-19图

习题2-1试判断图P2-1中各电路有无放大作用，简单说明理由。

答：(a)无放大作用（发射结反偏）；

(b)不能正常放大（发射结无直流偏臵）；

(c)无放大作用（集电结无直流偏臵）；

(d)无放大作用（发射结无直流偏臵）；

(e)有放大作用（是射极跟随器）；

(f)无放大作用（输出交流接地）；

(g)无放大作用（输入交流接地）；

(h)不能正常放大（栅极无直流偏臵）；

(i)无放大作用（电源极性接反）；

习题2-3在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数时，试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 和U CE Q 将增大、减少还是基本不变。①增大R b ；②增大V CC ；③增大β。

答：①增大R b ，则I BQ 减少，I CQ 减少，U CE Q 增大。

②增大V CC ，则I BQ 增大，I CQ 增大，U CE Q 不确定。③增大β，则I BQ 基本不变，I CQ 增大，U CE Q 减少。

(b)

解：①可先用近似估算法求I BQ

100.7

0.0220510

CC BEQ

b V U mA A

R μ--=

=

≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1

Q 1

Q 2

Q 1

Q 2

因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k Ω，R b ＝250Q 3

放大电路如图P2-7(a)所示，试按照给定参数，P2-7(b)中：

(b)

P2-7