电池片电性能参数及影响因素介绍

电性能参数及影响因素介绍

摘要： 一、电参数介绍 1、各个参数之间的关系 A.在所有参数中, 只有电压和电流是测量值，其他参数均是计算值。 B.Pmpp 为在I-V 曲线上 找一点，使改点的电压乘以电流所得最大，该点对应的电压就是最大功 …

一、电参数介绍

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1、各个参数之间的关系

A. 在所有参数中，只有电压和电流是测量值，其他参数均是计算值。

B. Pmpp为在I-V曲线上找一点，使改点的电压乘以电流所得最大，该点对应

的电压就是最大功率点电压Umpp该点对应得电流就是最大功率点电流Impp

C. Rs为在光强为1000W/M却500W/M2F所得最大功率点的电压差与电流差的比值，只是一个计算值，所以有时候会出现负值的情况

D. Rsh为暗电流曲线下接近电流为0时曲线的斜率

E. lrevl为电压为-10V时的反向电流

F. lrev2为电压为-12V时的反向电流

G. Rs和Rsh决定FF

H. Rsh和Irev1、Irev2有对应的关系

I. 计算公式：

J. Ncell= Pmpp/S （硅片面积）

K. Pmpp= Umpp*Impp= Uoc*Isc*FF

L. FF= （Umpp*lmpp / （Uoc*Isc ）

二、转换效率的影响因素

三、测试外部参数影响

正常测试温度为25±2C,随着温度的升高，开路电压急剧降低，短路电流略微增大，整体转换效率降低

正常光强为1000± 50W/M2随着光强的降低，开路电压略微降低，短路电流急剧下降，整体转换效率降低

四、串阻Rs组成

测试中的串联电阻主要由以下几个方面组成：

1. 材料体电阻（可以认为电阻率为p的均匀掺杂半导体）

2. 正面电极金属栅线体电阻

3. 正面扩散层电阻

4. 背面电极金属层电阻

5. 正背面金属半导体接触电阻

6•外部因素影响，如探针和片子的接触等

烧结的关键就是欧姆接触电阻，也就是金属浆料与半导体材料接触处的电阻可以这样考虑，上述123.4项电阻属于固定电阻，也就是基本电阻；

5则是变量电阻烧结效果的好坏直接影响Rs的最终值；

6属于外部测试因素，也会导致Rs变化

五、Rs影响因素

六、并阻Rsh组成

A. 测试中并联电阻Rsh主要主要是由暗电流曲线推算出，主要由边缘漏电和体内漏电决定

B. 边缘漏电主要由以下几个方面决定：

C. ①边缘刻蚀不彻底

D. ②硅片边缘污染

E. ③边缘过刻

F.

F. 体内漏电主要几个方面决定

G. ①方阻和烧结的不匹配导致的烧穿

H. ②由于铝粉的沾污导致的烧穿

I. ③片源本身金属杂质含量过高导致的体内漏电

J. ④工艺过程中的其他污染，如工作台板污染、网带污染、炉管污染、DI水

质不合格等

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七、Rsh影响因素

务联电暄

低

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八、Uoc影响因素

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十、网印区工艺过程常见问题处理

A. —、翘曲：

B. 1.硅片太薄--控制原始硅片厚度

C. 2.印刷铝浆太厚--控制铝浆重量

D. 3.烧结温度过高--调整烧结炉4、5、6、7区温度

E. 4.烧结炉冷却区冷却效果不好--查看风扇状况、进出水温度压力等

F. 二、铝包：

G. 1.烧结温度太高--调整烧结炉4、5、6、7区温度 H. 2.印刷铝浆太薄--印刷铝浆重量加重

I. 3.使用前浆料搅拌不充分--搅拌时间必须达到规定时间 J. 4.铝浆印刷后烘干时间不够--增加烘干时间或提高烘干温度 K. 5.烧结排风太小--增大烧结炉排风

L. 6.烧结炉冷却区冷却效果不好--查看风扇状况、进出水温度压力等 M. 三、虚印：

N. 1.印刷压力太小--增大印刷压力 02印刷板间距太大--减小板间距 P.3.印刷刮刀条不平--更换刮刀条

Q.4. 工作台板不平，磨损严重 -- 更换工作台板 R.5. 网印机导轨不平 -- 重新调整导轨 A. 四、粗线：

B. 1. 网版使用次数太多，张力不够 -- 更换网版

C. 2. 网版参数不合格 -- 核对该批网版参数，更换网版

九、Isc 影响因素

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