1章 半导体二极管及其基本电路

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3. 继续扩散和漂移达到动态平衡 扩散电流 等于漂移电流，
总电流 I = 0。
此时形成的空间电荷区域称为PN结（耗尽层）
二、PN 结的单向导电性
1.定性分析
1）. 外加正向电压(正向偏置)— forward bias
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IF P 区
外电场
N区 内电场
扩散运动加强形成正向电流 外电场使多子向 PN 结移动,
自 由 电 子
空 穴
空穴
空穴可在共 价键内移动
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本征激发：
在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共 价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一 个空位(空穴)的过程。
复 合：
自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成 对消失的过程。
漂 移：
自由电子和空穴在电场作用下的定向运动。
载流子 ：
自由与动的带电粒子
反向击穿原因： 齐纳击穿：反向电场太强，将电子强行拉出共价键。 (Zener) (击穿电压 < 6 V，负温度系数)
雪崩击穿：反向电场使电子加速，动能增大，撞击 使自由电子数突增。 (击穿电压 > 6 V，正温度系数)
击穿电压在 6 V 左右时，温度系数趋近零。
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iD / mA
60 40 20 –50 –25
反向饱 和电流
温度的 电压当量
玻尔兹曼 常数
UT
kT q
电子电量
当 T = 300(27C)：
UT = 26 mV
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二、二极管的伏安特性
0 U Uth iD = 0
iD /mA
U (BR) IS
反 向
反向特性 O
正向特性 Uth uD /V
Uth = 0.5 V (硅管) 0.1 V (锗管)
平面型
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正极 引线
N 型锗片 负极 引线
铝合金 小球
正极引线 PN 结
外壳
触丝
点接触型
正极 引线
N型锗
金锑 合金
负极引线
底座
负极
面接触型
引线
P N
P 型支持衬底
集成电路中平面型
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Hale Waihona Puke Baidu
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1.2.2 二极管的伏安特性 一、PN 结的伏安方程
iD IS (euD /UT 1)
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第 1 章 半导体二极管 及其基本电路
1.1 半导体的基础知识
1.2 半导体二极管 1.3 二极管电路的分析方法 1.4 半导体二极管的应用 1. 5 特殊二极管
小结
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1.1 半导体的基础知 识
1.1.1 本征半导体 1.1.2 杂质半导体 1.1.3 PN结
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半导体的特点
1.热敏性：半导体的导电能力与温度有关 利用该特性可做成热敏电阻
2.光敏性：半导体的导电能力与光的照射有关系 利用该特性可做成光敏电阻
3.掺杂性：掺如有用的杂质可以改变半导体的导 电能力
利用该特性可做成半导体器件
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1.1.1 本征半导体
半导体 — 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 本征半导体 — 纯净的半导体。如硅、锗单晶体。
U Uth iD 急剧上升
击 穿
死区 电压
UD(on) = (0.6 0.8) V 硅管 0.7 V (0.1 0.3) V 锗管 0.2 V
U(BR) U 0 U < U(BR)
iD = IS < 0.1 A(硅)几十 A (锗) 反向电流急剧增大 (反向击穿)
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反向击穿类型： 电击穿 — PN 结未损坏，断电即恢复。 热击穿 — PN 结烧毁。
IF
。
中IF和= 部I多分子离子I少使子空间I电多子荷区变窄。
限流电阻
2）. 外加反向电压(反向偏置)— reverse bias
IR P 区
N区 内电场 外电场
漂外移电运场动使加少强子形背成离反PN向结电移流动IR， IR = I少子 空0间电荷区变宽。
PN 结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大; 反偏截止，电阻很大，电流近似为零。
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2、定量估算
I IS (eu /UT 1)
反向饱 和电流
温度的 电压当量
当 T = 300(27C)：
电子电量
玻尔兹曼 常数
UT
kT q
UT = 26 mV
加正向电压时
加反向电压时 i≈–IS
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3、伏安特性
I /mA 正向特性
反
向
O
u /V
击
穿
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1.2 半导体二极管
N型
+4
+4
+4
电子为多数载流子 空穴为少数载流子
+4
+5
+4
磷原子
自由电子
载流子数 电子数
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二、 P 型半导体
P型
+4
+4
+4
+4
+3
+4
硼原子
空穴
空穴 — 多子 电子 — 少子
载流子数 空穴数
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三、杂质半导体的导电作用
I
IP
IN
I = IP + IN
N 型半导体 I IN P 型半导体 I IP
模 拟电子技术 1、半导体的原子结构
硅(锗)的原子结构
简化 模型
惯性核
价电子 (束缚电子)
模 拟电子技术 2、本征半导体的晶体结构
硅(锗)的共价键结构
共价键 — 相邻原子共有价电子所形成的束缚。
模 拟电子技术 3、本征半导体的导电情况 当温度为绝对零度以下时，该结构为绝缘体
在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚 成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴)
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两种载流子
两种载流子的运动
电子(自由电子) 自由电子(在共价键以外)的运动
空穴
空穴(在共价键以内)的运动
结论： 1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少；
2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电；
3. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。
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1.1.2 杂质半导体 一、N 型半导体
1.2.1 半导体二极管的结构和类型 1.2.2 二极管的伏安特性 1.2.3 二极管的主要参数
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1.2.1 半导体二极管的结构和类型
构成： PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管(Diode)
符号：A (anode)
C (cathode)
分类：
硅二极管 按材料分
锗二极管
点接触型 按结构分 面接触型
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四、P 型、N 型半导体的简化图示
P 型：
负离子
多数载流子 少数载流子
N 型：
正离子
多数载流子 少数载流子
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1.1.3 PN 结
一、PN 结(PN Junction)的形成 1. 载流子的浓度差引起多子的扩散
内建电场 2. 复合使交界面形成空间电荷区
产生了一个内电场，电场的作用是阻碍多子 的扩散促进少子产生漂移 此时产生了两种电流：扩散电流和漂移电流