教你认识内存条

SDRAM（Synchronous DRAM）即“同步动态随机存储器”。SDRAM内存条的两面都有金手指，是直接插在内存条插槽中的，因此这种结构也叫“双列直插式”，英文名叫“DIMM”。目前绝大部分内存条都采用这种“DIMM”结构。

随着处理器前端总线的不断提高，SDRAM已经无法满足新型处理器的需要了，早已退出了主流市场。

今日主流——DDR SDRAM

DDR SDRAM（简称DDR）是采用了DDR（Double Data Rate SDRAM，双倍数据速度）技术的SDRAM，与普通SDRAM相比，在同一时钟周期内，DDR SDRAM能传输两次数据，而SDRAM只能传输一次数据。

从外形上看DDR内存条与SDRAM相比差别并不大，它们具有同样的长度与同样的引脚距离。只不过DDR内存条有184个引脚，金手指中也只有一个缺口，而SDRAM内存条是1 68个引脚，并且有两个缺口。

根据DDR内存条的工作频率，它又分为DDR200、DDR266、DDR333、DDR400等多种类型：与SDRAM一样，DDR也是与系统总线频率同步的，不过因为双倍数据传输，因此工作在133MHz频率下的DDR相当于266MHz的SDRAM，于是便用DDR266来表示。

小提示：工作频率表示内存所能稳定运行的最大频率，例如PC133标准的SDRAM的工作频率为133MHz，而DDR266 DDR的工作频率为266MHz。对于内存而言，频率越高，其带宽越大。

除了用工作频率来标示DDR内存条之外，有时也用带宽值来标示，例如DDR 266的内存带宽为2100MB/ｓ，所以又用PC2100来标示它，于是DDR333就是PC2700，DDR400就是PC3200了。

小提示：内存带宽也叫“数据传输率”，是指单位时间内通过内存的数据量，通常以GB/ｓ表示。我们用一个简短的公式来说明内存带宽的计算方法：内存带宽＝工作频率×位宽/8×ｎ（时钟脉冲上下沿传输系数，DDR的系数为2）。

由于DDR内存条价格低廉，性能出色，因此成为今日主流的内存产品。

过时的贵族——RDRAM

RDRAM（存储器总线式动态随机存储器）是Rambus公司开发的一种新型DRAM。RDR AM虽然位宽比SDRAM及DDR的64bit窄，但其时钟频率要高得多。

从外观上来看，RDRAM内存条与SDRAM、DDR SDRAM内存条有点相似。

从技术上来看，RDRAM是一种比较先进的内存，但由于价格高，在市场上普及不是很实际。如今的RDRAM已经退出了普通台式机市场。

最新的内存——DDR2

DDR2是英特尔极力推动的新一代内存，DDR2构建在DDR的基础上，通过增加4位预取机制使得在核心频率不变的条件下将数据带宽提升4倍，为效能提升扫清了障碍。为提高兼容性，DDR2将终结器直接整合于内存颗粒中，这也有效降低了主板的制造成本。此外，DDR2在延迟方面的机制也有所改变，增加了AL附加延迟的概念，这不可避免导致DDR2延迟时间增加。

高频率、高带宽是DDR2最大的优点，它将有DDR2-400、DDR2-533、DDR2-667和DD R2-800等规范，最高带宽分别达到3.2GB/s、4.2GB/s、5.3GB/s和6.4GB/s，比目前的DDR 内存有大幅度提升，但它们的核心频率仍保持在很低的水平，使得产品可在更低的电压下运作（DDR工作在2.5V下，DDR2仅需要1.8V工作电压）、功耗也比DDR有了明显的降低。不过，DDR2的延迟周期反而比DDR长，后者的CL延迟一般是2、2.5和3个周期，而DDR2一般为3、4和5个周期，再加上AL附加延迟（附加延迟为0～4个周期），使得DDR2读数据的延迟时间比DDR大幅增加——显然，在带宽相同的情况下，DDR2的实际性能反而不如DDR。

表：各个版本的DDR-DDR2效能对比

目前内存的封装方式主要有TSOP、BGA、CSP等三种，封装方式也影响着内存条的性能优劣。

TSOP封装：TOSP（Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封装）的一个典型特点就是在封装芯片的周围做出很多引脚。TSOP封装操作方便，可靠性比较高，是目前的主流封装方式。

BGA封装：BGA叫做“球栅阵列封装”，其最大的特点就是芯片的引脚数目增多了，组装成品率提高了。采用BGA封装可以使内存在体积不变的情况下将内存容量提高两到三倍，与TSOP相比，它具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。

CSP封装：CSP（Chip Scale Package，芯片级封装）作为新一代封装方式，其性能又有了很大的提高。ＣＳＰ封装不但体积小，同时也更薄，更能提高内存芯片长时间运行的可靠性，芯片速度也随之得到大幅度的提高。目前该封装方式主要用于高频DDR 内存。

[摘要]

我们平常所说的“内存”大都是指“内存条”。那么什么是“内存条”呢？常见的“内存条”又有哪些类型呢？

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二、内存强档

要进一步了解内存，以下的内容一定不能错过。其中内存的时钟周期、存取时间和CAS延迟时间是衡量内存性能比较直接的重要参数，它们都可以在主板BIOS中设置，这个问题将在以后介绍BIOS的时候详细阐述。

1．时钟周期（TCK）

TCK是“Clock Cycle Time”的缩写，即内存时钟周期。它代表了内存可以运行的最大工作频率，数字越小说明内存所能运行的频率就越高。时钟周期与内存的工作频率是成倒数的，即TCK＝1/F。比如一块标有“－10”字样的内存芯片，“－10”表示它的运行时钟周期为10ns，即可以在100MHz的频率下正常工作。

2．存取时间（TAC）

TAC（Access Time From CLK）表示“存取时间”。与时钟周期不同，TAC仅仅代表访问数据所需要的时间。如一块标有“－7J”字样的内存芯片说明该内存条的存取时间是7ns。存取时间越短，则该内存条的性能越好，比如说两根内存条都工作在133MHz 下，其中一根的存取时间为6ns，另外一根是7ns，则前者的速度要好于后者。

3．CAS延迟时间（CL）

CL（CAS Latency）是内存性能的一个重要指标，它是内存纵向地址脉冲的反应时间。当电脑需要向内存读取数据时，在实际读取之前一般都有一个“缓冲期”，而“缓冲期”的时间长度，就是这个CL了。内存的CL值越低越好，因此，缩短CAS的周期有助于加快内存在同一频率下的工作速度。

4．奇偶校验（ECC）

内存是一种数据中转“仓库”，而在频繁的中转过程中，一旦搞错了数据怎么办？而E CC就是一种数据检验机制。ECC不仅能够判断数据的正确性，还能纠正大多数错误。普通PC中一般不用这种内存，它们一般应用在高端的服务器电脑中