教你如何调整DDR内存参数

教你如何调整DDR内存参数

日期：2006-07-08 上传者：赵磊来源：

同样的CPU，同样的频率设置，为什么别人的运行效率就比我的高呢？为什么高手能以较低CPU频率跑出更好的测试成绩呢？问题的关键就是内存参数的调校。在一般的超频中，只会调整一些基本参数，比如某超频报告中会说到内存运行状态为“520MHz、3-4-4-8 1T”，那么除频率外后5个数字就是基本参数。还有一系列参数被称之为“小参”，能起到辅助调节作用，当调节基参后仍无法提高频率，或者性能提升不明显后，调整“小参”往往会得到令人意外的惊喜。以下我们根据基本参数与小参分别介绍调校方法。

基本参数介绍

目前的内存还是使用类电容原理来存储数据，需要有充放电的过程，这个过程所带来的延迟是不可避免的。在BIOS中，所有关于内存调节的参数其实都是在调整这个充放电的时序。受颗粒品质影响，每种内存的参数几乎都不完全一样。面对这些参数，我们必须先了解其原理才能在以后的调节中做到信手拈来。以下我们讲解一些重点参数的含义。

CL

CL全称CAS Latency，是数据从存储设备中输出内存颗粒的接口之间所使用的时间。一般而言是越短越好，但受于制造技术和内存控制器所限，目前的最佳值是2。

从图中，我们能够直观的看到CL值变化，对数据处理的影响。虽说在单周期内的等待的时间并不长；但在实际使用时，内存每秒要400M次以上的周期循环，此时的性能影响就相当明显了。

RAS与CAS

内存内部的存储单元是按照行（RAS）和列（CAS）排成矩阵模式，一个地址访问指令会被解码成行和列两个信号，先是行地址信号，然后是列地址信号，只有行和列地址都准备好之后才可以确定要访问的内存单元。因此内存读写第一个延迟是RAS到CAS的延迟，从行地址访问允许到读、写数据还有一个准备时间，被称为RAS转换准备时间。这也就是为什么RAS to CAS参数对性能影响要大于RAS Precharge的原因。

Tras

内存预充电和有效指令之间的时间差。对于DDR内存而言，一般是预充电命令至少要在行有效命令50000ns（BIOS中显示为5）之后发出，标准是在70000ns～80000ns，此数值不可过大或过小，否则就会影响到内存运行的稳定性。

总结一下就是：CAS Latency 决定了接收寻址命令到数据进行真正被读取所花费的时间。RAS to CAS决定了行寻址至列寻址之间的延迟。RAS Precharge则决定了相同行寻址中不同工作的转换间隔。Tras控制了内存预充电和有效指令之间的时间差。而真正关系到内存性能的也就是CAS Latency、RAS toCAS和RAS Precharge三个延迟参数。在很多超频报告中，一般会说明内存参数为X-X-X-X，例如3-4-4-8，就是表明这个系统的内存参数设置为CL=3，RAS to CAS=4，RAS Precharge=4，Tras=8。

Command Rate

K8处理器的出现使得内存控制器第一次被整合进了CPU，其控制能力也得到了最大化加强。这就使得一些以前鲜为人知的延迟选项得以公开，最引人注目的就是“首命令延迟” Command Rate。DDR内存在寻址时，先要接收CPU的指令，然后才是行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指内存在接收CPU的指令之前的等待时间（此时间过后就是CL 延迟），单位是时钟周期T。很显然，这个等待时间是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。至于Comma nd Rate对系统性能能产生多大的影响，我们会在后面进行详细的对比测试。

教你如何调整DDR内存参数

日期：2006-07-08 上传者：赵磊来源：

CPC Enable这个参数就是大家所说的Command Rate 1T。Tcl 2对于其他颗粒来说，放宽会达到更好的稳定性以求更高的频率，而BH5/UTT颗粒设为3会导致无法开机；Trcd 2、Tras 5、Trp 2、Tref Auto，上述为BH5/UTT的标准设置。如果这样可以稳定的话，我们还可以把Trfc进一步调低，BH5/UTT最低为12，设置为15会更加稳定，这个参数对Su perPI的影响很大。此外，没有提到的参数请不要擅自改动。

教你如何调整DDR内存参数

日期：2006-07-08 上传者：赵磊来源：

为了帮助初涉超频的玩家尽快熟悉超频内存要用到的参数，我们以G.SKILL 1GB GH 内存参数设置为例进行讲解，希望能给大家在超频过程中带来些许帮助。

测试选用了NF4平台，主板为DFI Lanparty NF4-D。LanParty系列是DFI专为超频玩家打造的主板，可谓K8平台超频最强板。而Opteron146 采用90nm的工艺制程，大多在风冷状态下达到2.8G堪比AMD单核王者FX57。性能自不用说，DFI主板的品质也是十分有保证的，这种组合可以保证测试的稳定性。

下面我们来看下这次测试的主角――G.SKILL 1GB GH 512MB×2双通道包装采用华邦UTT颗粒，在默认2.7V～2.9V的超低电压下有着默认DDR400 2-2-2-5的低延迟的时续。

启动进BIOS后，首先要调节HyperTransport（下文简称HT）频率，HT频率与CPU 频率类似，分为倍频和外频两部分。HT总被很多人误解成系统总线FSB，所以不少人总是希望能够尽可能的把HT超至一个比较高的状态。HT超频对于性能的影响微不足道，而且HT频率的提高会影响整个超频的成败。事实上许多超频失败的情况，都是由于在超频时没有降低HT倍频造成的。

为了超频的稳定，我们首先将HT倍频降为x3，C&Q关闭，CPU电压请根据体质设定为1.450v，内存电压加至3.3v，“DRAM+03V If it’s not 3.2V”设为Enabled。高压是BH5/ UTT颗粒独有的特性，你不用担心3.3v会太高，这才是刚刚起步。电压对内存超频至关重要，很多时候并不是越高越好，有时候甚至是违反常理的。比如早期的BH5在2-2-2-5 4V 可以稳定运行所有测试软件，而近期的UTT加到3.9v反而不能进系统，这些只有自己多试验才会发现。BH5/UTT推荐3.3v～3.6v电压，BH5上限可到4v，UTT略低为3.8v。超频过程中请做好内存散热，以烧毁硬件设备,而且不建议在高电压下长期超频运行。

教你如何调整DDR内存参数

日期：2006-07-08 上传者：赵磊来源：