教你如何调整DDR内存参数
ddr2参数详解
DDR2 controller的参数设置Memory setting:Output clock pairs: 差分时钟CK、CK#的对数，这里为1对，被两片当ddr2公用Total Memory chip selects: 片选信号CS的个数，这里为1个，被两片ddr2公用Total Memory interface DQ width: DQ信号的总数，这里为32Memory burst length: 突发读取长度，ddr2 HPC支持4、8两种，这里选择4。
需要注意的是，如果选择为半速接口，本地的突发长度是接口处得四分之一，如果是全速接口，本地的突发长度是接口处的二分之一。
Memory burst ordering:支持sequential和interleaved（交叉）两种，这里选择sequential。
Enable the DLL in the memory devices：Memory drive strength setting:Memory on-die termination(ODT) setting: handbook的glossory中的解释是A memory vendor device feature equivalent to Altera’s OCT.它是为了信号完整性在ddr2 SDRAM内建的终端匹配电阻，典型值有75、150、50om，查阅ddr2 SDRAM手册，这个值是由EMR（Extended Mode Register）命令确定的，并且该值要与FPGA的OCT相等。
这里选择50om，详细内容参考我找到的资料ODT function on DDR2 SDRAM。
Memory CAS latency setting: handbook中的定义是Sets the delay in clock cycles from the read command to the first output data from the memory.它也是与DDR2 SDRAM器件有关的参数，简称CL，它是由DDR2 SDRAM的模式寄存器中的被编程的值决定的，这里设为4。
内存BIOS优化设置
内存BIOS优化设置现在内存容量虽然增加了，但我们有时还是觉得系统可用资源很紧张，这是因为Windows对内存的管理采取了默认方式，如果你想进一步发挥大容量内存的性能和增加系统稳定性，就要采取一些必要的优化措施。
下面，笔者就根据自己的使用心得谈谈如何在BIOS中进行优化设置。
1.SDRAM Timing:内存存取时间设置通常情况下，在开机启动过程中，支持SPD的BIOS会自动读取内存SPD芯片中的信息，并按照SPD内的预设值来设置内存的存取时间。
不过，现在大多数主板都提供了自定义内存参数功能，为了让内存最大限度地发挥性能，你可以在BIOS 中对内存参数进行手工设置，方法是:进入BIOS设置程序的“Advanced Chipest Features”设置菜单，找到关于SPD的选项，选择“User Define(用户自定义)”项，即不选“By SPD”。
2.SDRAM CAS Latency:内存信号延迟对SDRAM内存而言，CAS信号延迟时间的长短对内存性能的影响很大。
普通的兼容内存一般只能在CL=3的模式下工作。
不过，如果你的内存品质比较好，则可以在CL=2下能正常工作。
这时如果BIOS没有正确读取SPD芯片中的信息，且在BIOS中的“SDRAM CAS Latency”项的设置为“3”，那内存中的数据就会以大于出厂设定值的延迟周期被读取，此种情况下会导致CL=2内存模块以CL=3的模式工作，当然系统性能也会相应下降。
3.DRAM Clock:内存异步设置采用VIA芯片组的主板可以支持内存异步工作模式，这样就可以使系统工作在100MHz外频下，而内存却工作在133MHz下，这样性能自然提高不少。
关于内存异步设置的方法很简单，在BIOS中找到“DRAM Clock”选项，该项有三种设置:“HOST CLK”代表内存的工作频率等于系统外频。
如果系统外频是100MHz，那么会看到“HOST CLK+33MHz”选项，选中即可设置内存的工作频率为133MHz。
内存时序的调节
由于CPU外频锁定在200(倍频20)，那么对于我所选用的内存条，根据几种既定的频率比(FSB:RAM)比较合适的频率为:1600(2：8)和2000(2：10)。
发个我自己的图， [ /cache/banner/1027841.png ]
，如图可以看到内存在1600频率下时序为7-7-7-20 1T(7-7-7-20-5-89
1T)，个人建议主要调整前6个参数值，其它的参考之前的解释微调，或者直接AUTO。
1.DRAM CAS Latency(tCL)：内存CAS
Latency是指“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”，该参数设置对内存带宽影响较大，数值越小内存性能越高，反之越低，内存运行频率越高该参数通常需要设置越大，根据DDR3内存体质不同，保守设置通常是7-9，也可根据自己内存体质设置不同的Cl值。
上面已经说过，当内存频率提高，特别是过了标称值的时候，就需要以增加内存小参值为代价。
(1)若你内存工作的频率是小于等于你的内存标称值的，那么可以认为你的内存工作时序可以至少跑到标称的水平，比如我选择的内存在1600频率之下，先设定内存时序为7-7-7
1T，其他AUTO，若能成功进入系统并且通过memory test，那说明你的内存时序是OK的，我当时貌似是7-7-7-24-5-89
11.DRAM Timing
Mode：内存首命令延迟设定用选项，对内存性能影响较大，放宽到2N(2T)可适当提升内存超频频率，通常设置为1N(1T)。
-1T拥有较少的延迟，较佳的系统内存效能。却较差的兼容性。
-2T拥有较久的延迟、差很多的系统内存较能。较高的兼容性、稳定性。推荐将内存设定为1T能让内存达到最佳效能。
DDR2内存时序调节方法
DDR2内存时序调节方法DDR2内存已经成为目前绝大部分用户的标配产品，而如何合理设置DDR2的参数就成为了不少用户（尤其是菜鸟用户）的最想了解的地方。
当你超频的时候，如何平衡内存频率和参数之间的关系；究竟如何合理选取内存频率，什么参数才是带来最高性能呢？相信这些问题是目前最多用户最想了解。
其实要了解这些东西，首先要明白DDR2内存在BIOS中的参数设置情况。
因为要提高系统整体性能，并不只是简单超频CPU外频，调高内存频率这么简单，将一大堆数字合理地分配和组合才是最为重要的。
目前市场上销售的DDR2内存主要按频率来划分，譬如DDR2 533、DDR2 667、DDR2 800就是消费者最常见的产品（注：部分厂商推出DDR2 1000高频DDR2内存，但这些DDR2内存在市场上并不多见，而价格昂贵，所以我们就暂时不讨论一些超频型DDR2内存）。
在这三款内存产品当中，就数DDR2 667内存最为多人购买，因为它同时具备了性能、价格、兼容性这些特点，而DDR2 533已经逐步被DDR2 667所取代。
如果您的内存为镁光D9颗粒，请直接参考本站《镁光小D9内存超频调教全攻略》，如果您是DDR内存，请参考本站《教你如何调整DDR内存参数》 至于目前频率较高DDR2 800也逐渐成为玩家购买的对象，因为Intel双核心平台对高频DDR2内存有着极大需求，要发挥酷睿2最大威力，一条高频率、可运行高参数的DDR2内存是非常重要的。
鉴于AMD AM2处理器内置了DDR2内存控制器，所以AM2平台的DDR2设置方法与Intel平台有着不同。
最稳当的DDR2内存设置方法，就是在主板BIOS当中将DDR2的设置参数设为By SPD，而这个选项也是最安全的DDR2内存设置方法。
不过这个设置最大缺点是，没有将内存的潜力发挥出来，只是用安全换来相对较低的性能。
如果你想超频手中的DDR2，那么By SPD选项将不是你的设置的地方，手动调整才是你的手段。
bios里怎么调整内存频
bios里怎么调整内存频以下是店铺为你整理的如何在bios里调整内存频率的方法，供大家学习和使用。
找到“Advanced Chipset Features” 选项然后会看到一个“DRAM Clock”选项，将鼠标光标定位到这里并回车，然后会出现内存频率设置选项200是 DDR400的实际频率同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。
这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。
换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。
也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。
这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。
举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。
实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
其他bios里调整内存频率的问题。
1.内存同步超频对于内存超频而言，根据不同主板，可以采用不同的超频方案，同时内存超频又与CPU有着直接或间接的关系，一般来说，内存超频的实现方法有两种：一是内存同步，即调整CPU外频并使内存与之同频工作;二是内存异步，即内存工作频率高出CPU外频。
2.内存异步超频在内存同步工作模式下，内存的运行速度与CPU外频相同。
而内存异步则是指两者的工作频率可存在一定差异。
该技术可令内存工作在高出或低于系统总线速度33MHz或3:4、4:5(内存:外频)的频率上，这样可以缓解超频时经常受限于内存的“瓶颈”。
3.增加电压帮助超频内存频率提升了，所以内存功耗也随之增加，但在默认情况下，主板BIOS中内存电压参数是被设置为内存标准频率的数值，通常来说，为了确保内存超频的稳定性，我们需要增加内存电压，很多主板BIOS 设置中都提供了内存电压调节功能，同时内存电压调节级别一般以0.05V或0.1V为档次逐渐调节，内存电压参数调节越细微，对超频越有帮助。
内存超频tref等小参设置
内存超频tref等小参设置
对于超频和调整内存方面的设置，涉及到硬件和操作系统级别的调整，建议在进行这些设置之前谨慎操作，并确保您具有相应的硬件知识和经验。
以下是一些常见的设置和注意事项：
1. 超频设置：
- 在BIOS或UEFI设置中启用超频功能。
- 设置CPU主频、倍频、电压等参数进行超频。
- 注意超频可能会增加组件的温度和功耗，需要合理降低风险。
2. 内存频率和时序设置：
- 进入BIOS或UEFI设置，找到内存设置选项。
- 设置内存频率为所需的数值（以MHz为单位）。
- 调整内存时序参数，如CAS延迟等，以优化性能。
3. 系统稳定性测试：
- 在进行超频和内存设置后，进行系统稳定性测试，例如使用Prime95、MemTest86+等工具。
- 检查系统是否运行稳定，没有过热或崩溃问题。
- 如果出现问题，可能需要降低设置或增加散热措施。
4. 温度和散热管理：
- 进行超频和提升内存频率后，组件的温度可能会升高。
- 确保计算机有良好的散热系统，如风扇、散热器等。
- 检查CPU和GPU的温度，确保在安全温度范围内运行。
请注意，超频和调整内存设置可能会导致硬件损坏、数据丢失等风险。
建议
事先备份重要数据，并谨慎操作。
此外，超频和修改内存设置可能会违反某些硬件保修条款，请查阅相关硬件制造商的指南和支持文档。
ddr4时序参数
ddr4时序参数（原创版）目录1.DDR4 时序参数简介2.DDR4 时序参数的组成3.DDR4 时序参数的作用4.DDR4 时序参数的调整5.总结正文一、DDR4 时序参数简介DDR4（Double Data Rate 4）是第四代内存模块的标准，具有更高的数据传输速率和更低的功耗。
在 DDR4 内存模块中，时序参数是一个重要的概念，它直接影响到内存模块的性能。
二、DDR4 时序参数的组成DDR4 时序参数主要包括以下几个部分：1.延迟（Delay）：延迟是指内存模块在接收到读写请求后，需要等待的时间。
它包括 tDQ（数据传输延迟）、tRCD（行到列延迟）、tRP（预充电延迟）等。
2.插槽（Row）和列（Column）：插槽和列是指内存模块中的存储单元。
插槽是指内存模块的物理排列方式，列是指存储单元的物理位置。
在 DDR4 中，每个插槽可以包含多个列。
3.读写操作（Read and Write Operations）：DDR4 时序参数还包括读写操作的相关参数，如 tRD（读取延迟）、tWR（写入延迟）等。
三、DDR4 时序参数的作用DDR4 时序参数对于内存模块的性能至关重要。
它们决定了内存模块在执行读写操作时所需的时间，直接影响到系统的运行速度和效率。
正确的时序参数设置可以提高内存模块的稳定性和性能，而错误的设置可能导致系统崩溃或性能下降。
四、DDR4 时序参数的调整为了获得最佳的性能，需要根据实际硬件和应用需求，合理调整 DDR4 时序参数。
通常，可以通过主板的 BIOS 或内存控制器的软件工具进行调整。
调整时序参数需要一定的专业知识和技巧，不当的调整可能导致系统不稳定或性能下降。
五、总结DDR4 时序参数是内存模块性能的关键因素，它包括延迟、插槽和列、读写操作等参数。
合理的时序参数设置可以提高内存模块的稳定性和性能，而不当的设置可能导致系统崩溃或性能下降。
内存条频率怎么调
内存条频率怎么调
调整内存条频率可以使用BIOS设置或者专业的超频工具。
具体步骤如下：
1. 进入电脑的BIOS界面，通常可以通过按下电脑开机时显示的按键（如DEL、F2等）来进入BIOS。
2. 在BIOS界面中，找到相关的频率或超频选项，可能被称为"DRAM Frequency"、“Memory Clock”、“Memory Frequency”等。
3. 选择合适的频率值，通常以MHz为单位，可以根据内存条的规格来选取。
注意，内存条频率不能超过其规格所支持的最大频率，否则可能会导致系统不稳定。
4. 保存设置并退出BIOS界面，电脑将会重新启动并应用新的内存条频率设置。
需要注意的是，频率调整可能会导致电脑运行不稳定甚至崩溃，所以在进行频率调整前，请确保了解自己的设备和内存条的规格，并谨慎操作。
教你如何调整DDR内存参数
教你如何调整DDR内存参数日期：2006-07-08 上传者：赵磊来源：同样的CPU，同样的频率设置，为什么别人的运行效率就比我的高呢？为什么高手能以较低CPU频率跑出更好的测试成绩呢？问题的关键就是内存参数的调校。
在一般的超频中，只会调整一些基本参数，比如某超频报告中会说到内存运行状态为“520MHz、3-4-4-8 1T”，那么除频率外后5个数字就是基本参数。
还有一系列参数被称之为“小参”，能起到辅助调节作用，当调节基参后仍无法提高频率，或者性能提升不明显后，调整“小参”往往会得到令人意外的惊喜。
以下我们根据基本参数与小参分别介绍调校方法。
基本参数介绍目前的内存还是使用类电容原理来存储数据，需要有充放电的过程，这个过程所带来的延迟是不可避免的。
在BIOS中，所有关于内存调节的参数其实都是在调整这个充放电的时序。
受颗粒品质影响，每种内存的参数几乎都不完全一样。
面对这些参数，我们必须先了解其原理才能在以后的调节中做到信手拈来。
以下我们讲解一些重点参数的含义。
CLCL全称CAS Latency，是数据从存储设备中输出内存颗粒的接口之间所使用的时间。
一般而言是越短越好，但受于制造技术和内存控制器所限，目前的最佳值是2。
从图中，我们能够直观的看到CL值变化，对数据处理的影响。
虽说在单周期内的等待的时间并不长；但在实际使用时，内存每秒要400M次以上的周期循环，此时的性能影响就相当明显了。
RAS与CAS内存内部的存储单元是按照行（RAS）和列（CAS）排成矩阵模式，一个地址访问指令会被解码成行和列两个信号，先是行地址信号，然后是列地址信号，只有行和列地址都准备好之后才可以确定要访问的内存单元。
因此内存读写第一个延迟是RAS到CAS的延迟，从行地址访问允许到读、写数据还有一个准备时间，被称为RAS转换准备时间。
这也就是为什么RAS to CAS参数对性能影响要大于RAS Precharge的原因。
Tras内存预充电和有效指令之间的时间差。
内存超频时序设置参数
内存超频时序设置参数
内存超频时序设置是一项比较高级的操作，需要了解一定的电脑硬件知识和技能，因此在进行内存超频时序设置之前，需要先备份重要的数据和系统文件。
以下是内存超频时序设置参数的中文说明：
1. 内存频率：即DDR3、DDR4等内存频率设置，一般情况下选择最高频率即可。
2. CAS时序：CAS时序是指列寻址延迟时间，一般情况下，越小越好，但是太小会影响内存稳定性。
4. 时序1、时序2、时序3：这三个参数是内存超频时序设置中比较重要的参数，需要根据硬件配置和软件环境进行调整。
5. Command Rate：即指写入时序，一般情况下选择较低值即可，但也要考虑内存稳定性。
6. DRAM Voltage：即内存电压，一般情况下，可以适当增加电压提升内存频率和运行稳定性。
但是过高的电压也会损坏内存条和主板等硬件。
7. Termination Voltage：即终端电压，也是一个比较重要的参数，对内存超频和运行稳定性都有较大的影响。
总之，在进行内存超频时序设置之前，需要充分了解自己的硬件配置和软件环境，同时也要不断地进行实验和测试，以确保内存超频设置的稳定性和安全性。
内存参数DDR怎么优化
内存参数DDR怎么优化 电脑内存少导致运⾏变慢，那如何对内存参数进⾏优化设置呢?下⾯是店铺为⼤家介绍内存参数DDR优化的⽅法,欢迎⼤家阅读。
优化内存的延迟参数对PC性能的提⾼有很⼤帮助。
优化内存是通过调节BIOS中⼏个内存时序参数来实现的。
内存参数DDR优化的⽅法 ⼀、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置 ⾸先，需要在BIOS中打开⼿动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”(视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable)，如果要调整内存时序，应该先打开⼿动设置，之后会⾃动出现详细的时序参数列表： 1、CL(CAS Latency)：“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”(可能的选项：1.5/2/2.5/3) BIOS中可能的其他描述为：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。
这个参数很重要，内存条上⼀般都有这个参数标记。
在BIOS设置中DDR内存的CAS参数选项通常有“1.5”、“2”、“2.5”、“3”⼏种选择，SDRAM则只有“2”、“3”两个选项。
较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提⾼内存的⼯作效率。
因此只要能够稳定运⾏操作系统，我们应当尽量把CAS参数调低。
反过来，如果内存运⾏不稳定，可以将此参数设⼤，以提⾼内存稳定性。
2、tRCD(RAS-to-CAS Delay)“⾏寻址⾄列寻址延迟时间”(可能的选项：2/3/4/5) BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。
数值越⼩，性能越好。
(新)教你如何调整DDR内存参数
教你如何调整DDR内存参数日期：2006-07-08 上传者：赵磊来源：同样的CPU，同样的频率设置，为什么别人的运行效率就比我的高呢？为什么高手能以较低CPU频率跑出更好的测试成绩呢？问题的关键就是内存参数的调校。
在一般的超频中，只会调整一些基本参数，比如某超频报告中会说到内存运行状态为“520MHz、3-4-4-8 1T”，那么除频率外后5个数字就是基本参数。
还有一系列参数被称之为“小参”，能起到辅助调节作用，当调节基参后仍无法提高频率，或者性能提升不明显后，调整“小参”往往会得到令人意外的惊喜。
以下我们根据基本参数与小参分别介绍调校方法。
基本参数介绍目前的内存还是使用类电容原理来存储数据，需要有充放电的过程，这个过程所带来的延迟是不可避免的。
在BIOS中，所有关于内存调节的参数其实都是在调整这个充放电的时序。
受颗粒品质影响，每种内存的参数几乎都不完全一样。
面对这些参数，我们必须先了解其原理才能在以后的调节中做到信手拈来。
以下我们讲解一些重点参数的含义。
CLCL全称CAS Latency，是数据从存储设备中输出内存颗粒的接口之间所使用的时间。
一般而言是越短越好，但受于制造技术和内存控制器所限，目前的最佳值是2。
从图中，我们能够直观的看到CL值变化，对数据处理的影响。
虽说在单周期内的等待的时间并不长；但在实际使用时，内存每秒要400M次以上的周期循环，此时的性能影响就相当明显了。
RAS与CAS内存内部的存储单元是按照行（RAS）和列（CAS）排成矩阵模式，一个地址访问指令会被解码成行和列两个信号，先是行地址信号，然后是列地址信号，只有行和列地址都准备好之后才可以确定要访问的内存单元。
因此内存读写第一个延迟是RAS到CAS的延迟，从行地址访问允许到读、写数据还有一个准备时间，被称为RAS转换准备时间。
这也就是为什么RAS to CAS参数对性能影响要大于RAS Precharge的原因。
Tras内存预充电和有效指令之间的时间差。
技嘉主板bios设置内存的方法
技嘉主板bios设置内存的方法
技嘉主板bios设置内存，这个步骤对于新手来说是一个基础知识，很多老手肯定都已经会了，下面就由小编来跟你们介绍一下该如何设置内存吧，由需要的朋友可以看过来哦!
技嘉主板bios设置内存
首先，我们就进入主板BIOS中进行内存频率方面的设置：
高级内存设定菜单
我们可以在主板BIOS上的高级内存设定(AdvancedMemorySitting)中进行调整，打开后如上图所示。
大家可以看到第一行就是XMP开启/关闭选项，如果大家的内存是普条的话，菜单中就没有这个选项了。
将内存XMP选项打开
笔者使用的就是一款XMP内存条，我们将XMP选项打开，我们可以看到内存频率就从原先默认的1333MHz调高到1600MHz 了。
而不同的频率，实际的性能表现又有多大差距呢，我们选用了AIDA64中的memorybenchmark来测试内存频率调整前后的性能：
测试内存型号：威刚8GBDDR31600G(XPGV1.0DRAM)
内存默认频率1333MHz：
内存1333MHz实测截图
开启XMP后内存频率为1600MHz：内存1600MHz实测截图。
技嘉主板bios设置内存频率方法
本文整理于网络，仅供阅读参考
技嘉主板bios设置内存频率方法
技嘉主板bios设置内存频率的方法：
进入bios后，选择第二项高级频率设置
这个设置不仅能调节内存频率，还可以对处理器进行调节。
首先将内存频率设置打开成手动
然后从下图看出，分频器一共可以分为6-18共七个档，对应的内存频率为ddr3-800到ddr3-2400，具体算法就是上图cpu外频为133，通过内存分频后，将两者相乘就是最后的频率。
分别调至10，显示内存频率为ddr33-1333
当然，笔者的主板是通过这种方式计算的，而且分频档位比较多，而一般主板则没有太多的选择，所以还需要对cpu的外频进行超频，这样可以提升内存的频率，不过不建议菜鸟这么做，因为一般主板支持ddr3-1600还是不成问题的。
另外，有的amd主板在频率选择上比较直接，就标识ddr3-800、ddr3-1333、ddr3-1600等等，所以用户直接选择即可。
主板DDR内存时序设置(全)
挖掘电脑潜在动力主板DDR内存时序设置指南DDR内存既然叫做双倍速率SDRAM（Dual date rate SDRSM），就是说是SDRAM的升级换代产品。
从技术上分析，DDR SDRAM最重要的改变是在界面数据传输上，其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速率为传统SDRAM的两倍。
那么大家就应该知道了，我们所说的DDR400，DDR333，DDR266，他们的工作频率其实仅为那些数值的一半，也就是说DDR400工作频率为200MHz。
FSB与内存频率的关系首先请大家看看表一：FSB(Front Side Bus：前端总线)和内存比率与内存实际运行频率的关系。
FSB/MEM比率实际运行频率1/01200MHz1/02100MHz2/03133MHz3/04150MHz3/05120MHz5/06166MHz7/10140MHz9/10180MHz对于大多数玩家来说，FSB和内存同步，即1:1(DFI 用1/01表示)是使性能最佳的选择。
而其他的设置都是异步的。
同步后，内存的实际运行频率是FSBx2，所以，DDR400的内存和200MHz的FSB正好同步。
如果你的FSB为240MHz，则同步后，内存的实际运行频率为240MHz x 2 = 480MHz。
表2更详尽列出了FSB与不同速度的DDR内存之间正确的设置关系强烈建议采用1：1的FSB与内存同步的设置，这样可以完全发挥内存带宽的优势。
Command Per Clock(CPC)可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。
由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。
DDR参数详细解释和流程学习
作者：Havis.WangLPDDR5 DRAM工作流程详解 11. 发送地址和命令CPU发送地址和命令：当CPU需要访问LPDDR5中的数据时，首先发送一个地址和相应的命令（读取或写入命令）到内存控制器。
2. 地址解码和行选通行地址选择： LPDDR5根据接收到的行地址（RAS信号）选择特定的行。
行选通延迟（tRCD）：从RAS信号发出到CAS信号发出之间的时间延迟。
这段时间内，LPDDR5准备选中的行开始处理。
3. 选中行并准备数据列地址选择和数据准备： LPDDR5接收到列地址（CAS信号），选中特定的列以准备读取或写入数据。
CAS延迟（CL）：从CAS信号发出到可以读取或写入数据之间的时间延迟。
这个时间取决于LPDDR5的CL值。
数据传输准备：•DQS（Data Strobe）：用于在数据传输时同步和锁存数据的信号。
•DQM（Data Mask）：数据屏蔽信号，指示哪些数据位应该被忽略或不处理。
•CK（Clock）：时钟信号，用于同步数据传输的时序。
•PREFETCH： LPDDR5采用了32倍prefetch技术，每个存储周期内能够同时传输32个数据位，提高了数据吞吐量。
4. 数据传输和操作时序数据传输和操作时序：•DLL（延迟锁存器）：用于控制数据信号的延迟，以确保数据的正确读取和写入。
•SKEW（数据偏移）：不同数据信号到达时间的差异，需要通过调整来保持同步。
•Setup Time：数据在有效触发沿到来之前数据保持稳定的时间。
•Hold Time：数据在有效触发沿到来之后数据保持稳定的时间。
5. 预充电和刷新过程预充电和刷新：•预充电（Precharge）：在进行下一次读取或写入操作之前，LPDDR5会对未使用的存储单元进行预充电，清空存储单元中的电荷状态。
• 1.2VCC比较刷新过程： LPDDR5在工作时会定期进行行的刷新操作，以保持存储单元的电荷状态，防止数据丢失。
6. 特殊信号处理ODT（On-Die Termination）和ZQ（ZQ Calibration）：•ODT：内存总线终端，用于匹配信号阻抗以减少反射和功耗。
i.MX6DDR参数设置-电脑资料
i.MX6DDR参数设置-电脑资料DDR Stress Test Tool 提供了两种用途，。
首先，它可以用来对校准DDR3，以便于MMDC PHY delay settings和PCB配对，来达到最佳的DRAM新能。
整个过程是全自动的，因此客户可以在较短的时间内让他们的DDR3工作起来。
另外，该工具可以运行内存压力测试，用来验证DDR3的功能和可靠性。
压力测试可以用来验证硬件连接、MMDC寄存器参数和DDR3模式寄存器设置。
测试最重要的目的是让客户验证DDR3在他们的自己的板子上运行稳定。
Calibration在i.MX6处理器上，DDR3需要4个校准过程，这些校准过程微调MMDC PHY等待寄存器校正会在DDR Stress Test Tool 键入DDR3配置。
首先，校准测试会提示DRAM频率。
i.MX6Q和i.MX6D的默认值是528MHz,i.MX6DL、i.MX6S和i.MX6SL的默认值是400MHz。
这是BSP使用的DRAM频率。
按'y'来继续执行校正过程。
这里输入'n'会有一个选项来选择特定的频率。
它仅仅是用来调试。
DRAM频率选择结束后，这个工具会开始校正。
Write Leveling Calibration这是第一个校正，用来微调从i.MX6 processor输出的DRAM clock和write DQS 之间的delay，按'y'来继续执行校正过程。
如果board已经校正并且校正结果已经和融入脚本，按'n'跳过校正。
在按'y'开始校正以后，你需要输入DDR3 Mode Register MR1的值，MR1的值可以在初始化脚本的下列行中找到。
The value 是等号后的两个最高有效字节，i.e. 0x0004 on this example.setmem /32 0x021b001c = 0x00048031 // MMDC0_MDSCR, MR1 write, CS0 The value必须是和DDR初始化脚本中的是同一个。
ddr 时序参数
ddr 时序参数DDR（Double Data Rate）时序参数是指DDR存储器的时序特性，包括时钟速度、时钟周期、数据传输速率等。
DDR时序参数的优化是提高DDR存储器性能的关键。
本文将从时钟速度、时钟周期和数据传输速率三个方面介绍DDR时序参数的优化方法。
一、时钟速度时钟速度是DDR存储器工作频率的表征，通常以MHz为单位。
提高时钟速度可以加快DDR存储器的数据传输速率，从而提高系统的整体性能。
然而，时钟速度的提高也会带来一些问题，比如信号完整性的降低和功耗的增加。
为了克服这些问题，可以采取以下优化方法：1. 选择高质量的时钟发生器和时钟信号线，确保时钟信号的稳定性和准确性。
2. 使用低延迟的时钟布线技术，减小时钟信号的传输延迟。
3. 合理设计时钟分配网络，避免时钟偏移和时钟抖动。
二、时钟周期时钟周期是DDR存储器时序参数中的另一个重要指标，它表示数据在一个时钟周期内的传输时间。
时钟周期越短，数据传输速率越高。
为了优化时钟周期，可以采取以下方法：1. 减小时钟延迟：通过优化时钟信号的传输路径和布线方式，减小时钟信号的传输延迟。
2. 优化时钟分配：合理设计时钟分配网络，避免时钟偏移和时钟抖动，确保时钟信号的稳定传输。
3. 优化时钟缓冲：选择合适的时钟缓冲器，减小时钟信号的驱动能力，以提高时钟信号的传输速度。
三、数据传输速率数据传输速率是DDR存储器的重要性能指标，它表示DDR存储器单位时间内能传输的数据量。
提高数据传输速率可以提高系统的数据处理能力。
为了优化数据传输速率，可以采取以下方法：1. 提高总线带宽：通过增加数据总线的宽度，提高数据传输的并行性，从而提高数据传输速率。
2. 优化数据线布局：合理布置数据线，减小数据线的长度和电容负载，降低传输延迟和功耗。
3. 优化数据驱动电路：选择高速、低功耗的数据驱动电路，提高数据传输速率的同时降低功耗。
DDR时序参数的优化是提高DDR存储器性能的关键。
主板bioss内存设置方法
主板bioss内存设置方法你们知道怎么设置主板的BIOS内存吗?下面是店铺带来主板bioss 内存设置方法的内容，欢迎阅读!主板bioss内存设置的方法：只要你的主板能够支持通过BIOS调节内存的频率就可以这样使用，否则新买的内存就会被降频。
通常新买的内存规格参数都会比原来的老内存高一些，例如老内存规格为宇瞻DDR3 1333 2GB，延迟时序CL=9，而新买的内存为杂牌DDR3 1600 2GB，CL=7。
在目前的主流主板BIOS中都有针对内存的超频设置选项，我们可以利用它们来对内存参数进行设置，从而能让它们和平相处，协同工作(如图1)。
开机后按下DEL键进入主板BIOS的“OverDrive”界面，本例使用的是昂达A75T魔固主板，使用其他品牌型号主板的用户需要自己找到相应的界面。
可以看到BIOS自动识别了内存，将“Memory boot Mode”选为“Easy Memory”，“Memory Frequency”内存频率选项和“Memory Performance Mode”内存高级模式选项都被设为“Auto”自动。
一般来说，如果和原有的1333MHz内存一起使用的时候，1600MHz的内存将被默认降频到1333MHz的主频来运行，不会对硬件造成任何影响，但是在高级参数中，一些杂牌内存在混用时时序规格会出现问题，因此需要将它们设置为和老内存相同的数值。
取消“Memory Frequency”和“Memory Performance Mode”选项的“Auto”的设置，将前者设为“1333MHz” (如图2)，而这时在“Memory Performance Mode”下的“CAS Latency”、“RAS/CAS Delay”、“Row Precharge Time”、“Min Active RAS”变为可调，将它们设为9-9-9-30。
然后保存重新开机，即可正常进入系统了。
虽然并没有发挥出新内存的原有性能，但至少可以和老内存的参数匹配了，混用变得更为稳定。
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教你如何调整DDR内存参数日期：2006-07-08 上传者：赵磊来源：同样的CPU，同样的频率设置，为什么别人的运行效率就比我的高呢？为什么高手能以较低CPU频率跑出更好的测试成绩呢？问题的关键就是内存参数的调校。
在一般的超频中，只会调整一些基本参数，比如某超频报告中会说到内存运行状态为“520MHz、3-4-4-8 1T”，那么除频率外后5个数字就是基本参数。
还有一系列参数被称之为“小参”，能起到辅助调节作用，当调节基参后仍无法提高频率，或者性能提升不明显后，调整“小参”往往会得到令人意外的惊喜。
以下我们根据基本参数与小参分别介绍调校方法。
基本参数介绍目前的内存还是使用类电容原理来存储数据，需要有充放电的过程，这个过程所带来的延迟是不可避免的。
在BIOS中，所有关于内存调节的参数其实都是在调整这个充放电的时序。
受颗粒品质影响，每种内存的参数几乎都不完全一样。
面对这些参数，我们必须先了解其原理才能在以后的调节中做到信手拈来。
以下我们讲解一些重点参数的含义。
CLCL全称CAS Latency，是数据从存储设备中输出内存颗粒的接口之间所使用的时间。
一般而言是越短越好，但受于制造技术和内存控制器所限，目前的最佳值是2。
从图中，我们能够直观的看到CL值变化，对数据处理的影响。
虽说在单周期内的等待的时间并不长；但在实际使用时，内存每秒要400M次以上的周期循环，此时的性能影响就相当明显了。
RAS与CAS内存内部的存储单元是按照行（RAS）和列（CAS）排成矩阵模式，一个地址访问指令会被解码成行和列两个信号，先是行地址信号，然后是列地址信号，只有行和列地址都准备好之后才可以确定要访问的内存单元。
因此内存读写第一个延迟是RAS到CAS的延迟，从行地址访问允许到读、写数据还有一个准备时间，被称为RAS转换准备时间。
这也就是为什么RAS to CAS参数对性能影响要大于RAS Precharge的原因。
Tras内存预充电和有效指令之间的时间差。
对于DDR内存而言，一般是预充电命令至少要在行有效命令50000ns（BIOS中显示为5）之后发出，标准是在70000ns～80000ns，此数值不可过大或过小，否则就会影响到内存运行的稳定性。
总结一下就是：CAS Latency 决定了接收寻址命令到数据进行真正被读取所花费的时间。
RAS to CAS决定了行寻址至列寻址之间的延迟。
RAS Precharge则决定了相同行寻址中不同工作的转换间隔。
Tras控制了内存预充电和有效指令之间的时间差。
而真正关系到内存性能的也就是CAS Latency、RAS toCAS和RAS Precharge三个延迟参数。
在很多超频报告中，一般会说明内存参数为X-X-X-X，例如3-4-4-8，就是表明这个系统的内存参数设置为CL=3，RAS to CAS=4，RAS Precharge=4，Tras=8。
Command RateK8处理器的出现使得内存控制器第一次被整合进了CPU，其控制能力也得到了最大化加强。
这就使得一些以前鲜为人知的延迟选项得以公开，最引人注目的就是“首命令延迟” Command Rate。
DDR内存在寻址时，先要接收CPU的指令，然后才是行激活与列地址的选择。
这个参数的含义就是指内存在接收CPU的指令之前的等待时间（此时间过后就是CL 延迟），单位是时钟周期T。
很显然，这个等待时间是越短越好。
但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。
至于Comma nd Rate对系统性能能产生多大的影响，我们会在后面进行详细的对比测试。
教你如何调整DDR内存参数日期：2006-07-08 上传者：赵磊来源：CPC Enable这个参数就是大家所说的Command Rate 1T。
Tcl 2对于其他颗粒来说，放宽会达到更好的稳定性以求更高的频率，而BH5/UTT颗粒设为3会导致无法开机；Trcd 2、Tras 5、Trp 2、Tref Auto，上述为BH5/UTT的标准设置。
如果这样可以稳定的话，我们还可以把Trfc进一步调低，BH5/UTT最低为12，设置为15会更加稳定，这个参数对Su perPI的影响很大。
此外，没有提到的参数请不要擅自改动。
教你如何调整DDR内存参数日期：2006-07-08 上传者：赵磊来源：为了帮助初涉超频的玩家尽快熟悉超频内存要用到的参数，我们以G.SKILL 1GB GH 内存参数设置为例进行讲解，希望能给大家在超频过程中带来些许帮助。
测试选用了NF4平台，主板为DFI Lanparty NF4-D。
LanParty系列是DFI专为超频玩家打造的主板，可谓K8平台超频最强板。
而Opteron146 采用90nm的工艺制程，大多在风冷状态下达到2.8G堪比AMD单核王者FX57。
性能自不用说，DFI主板的品质也是十分有保证的，这种组合可以保证测试的稳定性。
下面我们来看下这次测试的主角――G.SKILL 1GB GH 512MB×2双通道包装采用华邦UTT颗粒，在默认2.7V～2.9V的超低电压下有着默认DDR400 2-2-2-5的低延迟的时续。
启动进BIOS后，首先要调节HyperTransport（下文简称HT）频率，HT频率与CPU 频率类似，分为倍频和外频两部分。
HT总被很多人误解成系统总线FSB，所以不少人总是希望能够尽可能的把HT超至一个比较高的状态。
HT超频对于性能的影响微不足道，而且HT频率的提高会影响整个超频的成败。
事实上许多超频失败的情况，都是由于在超频时没有降低HT倍频造成的。
为了超频的稳定，我们首先将HT倍频降为x3，C&Q关闭，CPU电压请根据体质设定为1.450v，内存电压加至3.3v，“DRAM+03V If it’s not 3.2V”设为Enabled。
高压是BH5/ UTT颗粒独有的特性，你不用担心3.3v会太高，这才是刚刚起步。
电压对内存超频至关重要，很多时候并不是越高越好，有时候甚至是违反常理的。
比如早期的BH5在2-2-2-5 4V 可以稳定运行所有测试软件，而近期的UTT加到3.9v反而不能进系统，这些只有自己多试验才会发现。
BH5/UTT推荐3.3v～3.6v电压，BH5上限可到4v，UTT略低为3.8v。
超频过程中请做好内存散热，以烧毁硬件设备,而且不建议在高电压下长期超频运行。
教你如何调整DDR内存参数日期：2006-07-08 上传者：赵磊来源：CPC Enable这个参数就是大家所说的Command Rate 1T。
Tcl 2对于其他颗粒来说，放宽会达到更好的稳定性以求更高的频率，而BH5/UTT颗粒设为3会导致无法开机；Trcd 2、Tras 5、Trp 2、Tref Auto，上述为BH5/UTT的标准设置。
如果这样可以稳定的话，我们还可以把Trfc进一步调低，BH5/UTT最低为12，设置为15会更加稳定，这个参数对Su perPI的影响很大。
此外，没有提到的参数请不要擅自改动。
教你如何调整DDR内存参数日期：2006-07-08 上传者：赵磊来源：DRAM Drive Strength跟DRAM Data Drive Strength这两个参数对稳定性至关重要，BH5/UTT的话用5或3是稳定的。
接下来是Max Async Latency，这又是一个重要的参数，对稳定性跟性能影响比较大，放宽这个参数会比较稳定，但影响性能，一般保守用8，不稳定的话用9，最紧是7。
Read Preamble Time也是个非常重要的参数，保守设5.5，最小是4（比较难跑），放宽这个参数会得到立杆见影的效果，不过性能下降也是相当可怕的。
另外，不要盲目的把read premable和max async time调得太紧，反而会影响效能。
IdleCy cle Limit用256，稳定的话用16，以8和16为最佳。
Dynamic Counter用Enable。
两个B ypass使用16x 7x，最紧8x 4x。
32 Byte Granulation这个参数对频率和性能的影响很明显，有时甚至会超过Command Rate，有些卖家在销售“保超”条的时候会将此值设为Enabl e，以牺牲性能换取频率的提升。
教你如何调整DDR内存参数日期：2006-07-08 上传者：赵磊来源：经过一番调校，内存性能可以提高多少呢？下面就是运行SuperPi超频后的性能表现。
Opteron 146 OC 2.7G，如果内存异步运行DDR400默认设置，运行1M SuperPi用时为34s。
如果优化内存参数到DDR540 2-2-2-2 Trc=7 Idle Cycle Limit=16，运行Super PI 1M位会30s。
测试均未对系统做任何改动，对操作系统精通的老手经过进一步的系统优化会跑出更高的效能。
上述参数为笔者多次调校总结，希望会给有BH5/UTT的玩家在超频带来帮助。
可能有朋友会问了，这提升的4s能起到多大作用？对日常应用会有明显改善么？呵呵，刚才可能有一点忘了说，就是小参的调节主要用于极限超频，是玩家挑战记录时才会用的手法。
如果时日常的超频，以追求稳定性、性价比为主的超频，那么小参可以根本不用理会，只要调节基参就好了。
教你如何调整DDR内存参数日期：2006-07-08 上传者：赵磊来源：关于每个小参的选项意义，下面用表格来系统整理一下：教你如何调整DDR内存参数日期：2006-07-08 上传者：赵磊来源：看到这里有些玩家会抱怨：我没有DFI主板，那该怎么调内存参数呀！没关系，由于A64的内存控制器是集成进CPU内部的，所以就可以使用通用软件对其进行调节。
A64 Tweaker就是这样的一款软件，由世界最强超频网站XTREMESYSTEMS.O RG开发，能对内存延迟、时序及功能选项加以全面调节，有些功能甚至超过了DFI的BIO S。
此款软件的选项命名与DFI主板BIOS十分相似，对于稍有经验的超频玩家来说。
上手并不困难。
此外，它还支持实时参数调试，这就省去了频繁重启保存BIOS的麻烦。
但A64 Tweaker有时会出现假死的现象，为了弥补这个bug，近期又推出了a64info软件。
A64info在内存调试原理上与A64TWEAKER一样，但其加入的CPU信息检测和频率计算功能却是前代软件所不具备的。
在项目上，TREF与DFI BIOS中的设定值相同，而且还能在系统中调整DATA DRIVE STRENGTH。
针对Intel平台，也有专门的内存参数调节软件MemSet。
MemSet软件可用在Intel支持双通道内存的主板上，从865到975X均能使用。