先进集成电路技术发展现状分析

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t e c hn ol o g y , 3 D NAND
1 先 进节 点 技 术 在逻 辑 芯 片 方 面 ,根 据 摩 尔定 律 ,集成 电路 上 可容 纳 的元器 件 的数量 每 隔 1 8 ~ 2 4个月 便会 增加 一 倍 ,性 能 也将 提升 一倍 【 ¨ 。 过去 的 5 0年 ,在 学术 界 和产 业 界 的共 同推 动
Ab s t r ac t :W I l h i n t egr a t e d C i r c ui t t e ch n ol og y d ev el op i n g t o 2 2 / 20 n m no d es ,t her e i S a
d i v er ge n c e b e t we en t h e wor l d。 S t e c hn O I Oq i c a l l V a d v an c e d m an u f a c t u r er s a n d t e c h n ol og y
De v e l op me n t St a t u s o f Ad va nc e d I n t e g r a t e d Ci r c ui t Te c hnol og y
ZHANG We i
( S c h o o l o f mi c r o e l e c t r o Βιβλιοθήκη Baidu i c s , F u d a n U n i v e r s i t y , S h a n g h a i 2 0 1 2 0 3 , Ch i n a . )
a d v an c e d i n t e gr a t e d c i r c u i t t e c h n o l o g y. 1 n v i e w o f t h e g o o d d e v el op me n t s i t u a t i o n o f el e c t r on i c
0 f I C a r e a n a l y z e d.
Key wor ds : i n t egr at e d c i r c ui t t ec hn ol og y,2 2/ 2 0nm ,Fi nFET,pl a nar si l i c on,m emor y
i n f or ma t i o n t e c h n ol o g y i n o u r c ou n t r y , t h e a d v a n c e d n o d e t e c hn ol o g y a n d me mo y r t ec h n ol o g y
r e s e ar c h i n s t i t u t e s .I n t el pi o n e e r e d F i n FE T t e c h n o l og y。 b u t TSMC c o n t i nu e d t o u s e f l a t s i l i c on
t e c h n ol og y .I n t h e f u t u r e。 f o l l o wi n g t he m ai n t h em e o f Mo or e ‘ S I a w 。t h e m ai n i n t e r n a t i on a I i n t eg r a t e d c i r c u i t e n t er p r i s e t e c h n ol o g y d e v el o p m en t p a t h i S n o t t h e s am e i n e a c h n o de .I n t h e f i e l d o f s e mi c o n d u c t o r me m or y pr o d u c t s , t h e i mp or t a n t pr o b l ems a n d c h a l l e n g e s f a c e d b y
研究与设计l R e s e a r c h a n d D e s i g n
先进集成 电路技术发展现状分析
张 卫 ( 复旦大 学微 电子 学院 ,上海 2 0 1 2 0 3)
摘 要 : 集成 电路技 术到 2 2 / 2 0 n m 节点 ,世 界技术 先进 厂商和 技术研 究机构 出现 了分 歧 ,如 I n t e l 率先采用 F i n F E T技术 。而 T S MC 继续 沿用平面体硅 技术 。未来 ,在摩 尔定律的主旋律 下 。国际主 要集成 电路企 业技术发展 路线在各个 节点不尽相 同 ,各显神通 。在半导体存 储器产 品领 域 。先 进集成 电路技 术面 临的重大 问题及挑 战。针对我 国 当前 电子信 息技术 良好 的发展形 势 ,进 一步分析集成 电路先进节点技术和存储 器技术。 关键 词 :集成 电路技术 ;2 2 / 2 0 a m;F i n F E T ;平面体硅 ;存储器 技术 ;3 D N A N D 中图分类号 :T N 4 0 文章编号 :1 6 7 4 - 2 5 8 3 ( 2 0 1 7 ) 0 9 - 0 0 2 2 - 0 6 D OI :1 0 . 1 9 3 3 9 / j . i s s n . 1 6 7 4 - 2 5 8 3 . 2 0 1 7 . 0 9 . 0 0 6 中文引用格式 :张卫. 先进集成 电路技术发展现状分析[ J 】 _ 集成 电路应用, 2 0 1 7 , 3 4 ( 9 ) : 2 2 - 2 7
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