管式微滤膜产品参数及选型图表
常用三极管型号及参数
常用三极管型号及参数 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFU020 50V 15A 42W **NMO场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W ** NMO场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W ** NMO场效应 IRFP9240 200V 12A 150W ** PMOS场效应 IRFP9140 100V 19A 150W **PMOS场效应 IRFP460 500V 20A 250W ** NMO场效应 IRFP450 500V 14A 180W **NMO场效应IRFP440 500V 8A 150W **NMO场效应IRFP353 350V 14A 180W **NMO场效应IRFP350 400V 16A 180W **NMO场效应IRFP340 400V 10A 150W **NMO场效应IRFP250 200V 33A 180W **NMO场效应IRFP240 200V 19A 150W **NMO场效应IRFP150 100V 40A 180W **NMO场效应晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFP140 100V 30A 150W **NMO场效应IRFP054 60V 65A 180W **NMO场效应IRFI744 400V 4A 32W **NMO场效应IRFI730 400V 4A 32W **NMO场效应IRFD9120 100V 1A 1W **NMO场效应IRFD123 80V 1.1A 1W **NMO场效应IRFD120 100V 1.3A 1W **NMO场效应IRFD113 60V 0.8A 1W **NMO场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W **NMO场效应
超滤膜基础知识
超滤膜基础知识 黄明珠 水是生命之源，饮用水的卫生与安全是人体健康的重要保障。随着我国社会和经济的发展，人们对生活质量的要求不断提高，对饮用水水质的要求也越来越严格，提倡优质饮用水是适应时代发展的需要。但与此同时，水体污染却不断加剧，各种生产废水和生活污水未达排放标准就直接进入水体，给水环境造成了极大的污染。水源水质急剧下降，对目前城市自来水厂的传统常规处理工艺提出了严峻的挑战，微污染原水的净化处理己成为一项重要和迫切的课题。为获得安全、优质的饮用水，需要探寻各种先进、可行的饮用水处理技术，以提高饮用水质量，保障饮用水安全。 l饮用水水质标准与处理技术 1．1水质标准与优质饮用水 生活饮用水水质与人类健康直接相关，故世界各国对饮用水水质标准极为关注。由于水源污染日益严重，以及水质检测技术与医学科学的不断发展，饮用水水质标准总是不断地修改、补充。20世纪初，饮用水水质标准主要包括水的外观和预防传染病的项目，以后开始重视重盒属离子的危害，80年代则侧重于有机污染物的防治，90年代后开始高度关注微生物引致的风险。 随着社会经济的发展和人民生活水平的不断提高，人们对饮用水的水质要求也相应提高了。在这一背景下，建设部2005年6月1同颁布实施的《城市供水水质标准》(CJ 206-2005)对城镇居民生活饮用水的水质提出了更高的要求。《城市供水水质标准》共101项，分为常规监测42项，非常规监测59项，该《标准》在原建设部2000年水质目标88项的基础上，删除88项中的20项，增加了33项，修订22项的指标值并改为限值。因而该《城市供水水质标准》具有先进性及可操作性。 我国自1956年颁发《生活饮用水卫生标准(试行)》直至1986年实施《生活饮用水卫生标准》(GB5749-85)的30年间，共进行了4次修订。水质指标项目不断增加。我国新的《生活饮用水卫生标准》(GB5749-2006)于2007年7月1同实施，代替已使用了20多年的《生活饮用水卫生标准》(GB5749-1985)。 新国标加强了对有机物、微生物和消毒等方面的要求。新标准中的饮用水水质指标由原标准的35项增至106项，增加了71项，与人体健康有关的水质指标为86项，占80％。其中，微生物指标由2项增至6项；消毒剂指标由l项增至4项；有机化合物由5项增至53项等；新标准统一了城镇和农村饮用水卫生标准，并与国际标准接轨。 水质标准的不断提高，人们健康意识的不断增强，使优质饮用水的概念逐渐深入人心。优质饮用水主要是在满足人体基本生理功能和生命维持基本需要的基础上，长期饮用可以改善和促进人体的生理功能，增强人体健康，提高生命质量。世界卫生组织在《生活饮用水质准则》中指出了理想的优质水应具备的特征： ①不含任何对人体有毒、有害及有异昧的物质。 ②富含多种人体健康所需的矿物质微量元素。 ③PH值呈弱碱性。 ④水中溶解氧适度。 ⑤水分子团小。 ⑥水的媒体营养生理功能要强。 1．2常规处理工艺
全系列常用三极管型号参数资料(精)
全系列常用三极管型号参数资料 编者按：这些虽不能涵盖所有的三极管型号，例如3DD系列等，但是都是极其常用的型号，例如901系列，简直是无所不在。在网上查的电子元件手册都是卖书的广告，找到点参数型号确实不易。 名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管 D633 28 NPN 音频功放开关100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用60V 0.8A 0.5W 25／200NS 2N2369 4A NPN 开关40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用60V 0.6A 0.4W 26／70NS 2N3055 12 NPN 功率放大100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开关450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放开关160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用40V 0.2A 2N2222A 21铁NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁NPN 音频功放开关100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放开关60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开关180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功放开关650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013
MOS功率与选型
品牌： 美国的IR，型号前缀IRF；日本的TOSHIBA； NXP，ST（意法），NS（国半），UTC，仙童，Vishay。 MOS管选型指南. xls
关于MOS选型 第一步：选用N沟道还是P沟道 低压侧开关选N-MOS，高压侧开关选P-MOS 根据电路要求选择确定VDS，VDS要大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。 第二步：确定额定电流 额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。 MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS 管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RD S（ON）就会越高。 第三步：确定热要求 器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。第四步：决定开关性能
选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。 详细的MOS管的选型可以参考资料3
MOS管正确选择的步骤 正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS 管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 第二步：确定额定电流 第二步是选择MOS管的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2&TImes;RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易（较为普遍），而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS（ON）
常用高清行管和大功率三极管主要参数表
常用高清行管和大功率三极管主要参数表 2010-03-02 10:33:54 阅读78 评论0 字号：大中小 高清彩电行管损坏的原因及代换 现在，大屏幕彩色电视大都是数字高清，原来50Hz的场扫描频率接近人眼感知频闪的临界点，所以高清电视都是提高扫描频率来提高图像的清晰度，即将场扫描提高到100Hz或是60Hz逐行，这样就会使行扫描的频率提高一倍，自然行输出管的开关速度和功耗都会随之增加，普通的行输出管已经不能胜任，要采用性能更好的大功率三极管。目前采用的行管有：C5144、C5244、J6920、C5858、C5905等，这些行输出管的耐压都在1500V以上，电流多大于20A，但是由于其功耗比较大，损坏率还是比较高。归纳起来，其损坏的原因一般有以下六种。 1. 行激励不足 如果行激励不足，行管不能迅速截止与饱和，导致行管内阻变大，将造成行输出电路的功耗增加，引起行输出管发烫，一旦超过行管功耗的极限值，便会使行管烧坏。 在海信高清电视中，行振荡方波信号是由数字变频解码板输出，经过一对三极管2SC1815、2SA1015放大后，送到行激励管的基极。这两个三极管工作在大电流开关状态，故障率相对较高，损坏后就会造成行激励不足，损坏行输出管，对比可以用示波器测量行管基极的波形来确定。另外，行管基极的限流电阻阻值一般为Ω，与行管的发射极串联，再与行激励变压器并联，若是阻值增大有可能用普通万用表测不出来。我们曾经修过多例次电阻增值到2Ω以上而导致开机几分钟后行管损坏的故障，且损坏行管的比例较大。 2. 行逆程电压过高 在行逆程期间，偏转线圈会对逆程电容充电，逆程电容容量大小决定充电的时间。容量越小，充电时间越短，充电电压越高，因而会产生很高的反峰脉冲电压。所以，当行一旦超过行管的耐压值，就会出现屡烧行管的结果。我们在测量逆程电容时，一般是测量电容的直流参数，而一些ESR等交流参数无法测量，所以最好是代换较可靠。 3. 行偏转线圈或行输出变压器局部短路造成行负责过重 常见场输出集成电路击穿导致行偏转线圈或行输出变压器绝缘性能下降，产生局部短路、行输出逆程电容漏电等。如果保护电路性能不完善，则会引起行管过流损坏。海信高清电视由于电源保护措施比较完善，所以这种情况不多见，表现出来的现象是行一开机就停。 4. 电源电压升高 电源电压升高会导致行逆程电压升高。现在的高清电视电源一般都是模块化的，电源设计比较合理，保护功能全，不像以前的老式电源电路，电源电压升高造成击穿行管的故障相对比较少。 5. 行管的型号和参数不对 这种情况在专业的厂家售后一般不会出现，但是作为个体维修或是业余维修就可能遇到。高清电视行管的功率大、频率高，最好用同型号行管代换。有的行管发射结没有并联电阻，如果采用普通行管，发射结并联电阻的阻值比较小，会造成基极驱动电流小，激励不足，行电流过大（正常高清行电流在500mA~600mA）而再次损坏。更换行管后测量行电流，如果原行推动变压器次级并联有缓冲电阻的，可将电阻阻值增大，甚至拿掉；如果行管发射极串联有负反馈电阻或是基极有限流电阻的，可减小该电阻阻值，再次测量行电流，如果行电流减小就适当改变这两个电阻的阻值。 6. 其他 像阻尼二极管开路、高压打火、显像管内部跳火、行信号反馈电路有故障、更换后的行管
P3全彩LED产品规格参数
产品规格书 SPECIFICATION 产品型号：室内表贴P3三合一全彩(192*192) 产品编码： A4-0300-L1-RGB0-8200 文件编号版本V1 制作审核批准页数 生效日期 .
目录 目录 (1) 1.适用范围 (2) 2.产品说明 (2) 3.产品介绍 (4) 4.信号引脚定义 (5) 5.单元板孔位图 (6) 6.单元板配件 (6) 7.显示屏安装及使用注意事项 (7) 8．产品维修 (10)
1.适用范围 本技术手册仅适用于室内P3（64*64）三十二扫全彩表贴三合一单元板。 2.产品说明 2.1. 室内P3三十二扫表贴三合一单元板构成： PCB（电路板）、2121表 贴三合一灯管（由红色LED晶片、绿色LED晶片和蓝色LED晶片封 装为一个像素点）、驱动集成芯片、塑胶套件。 2.2 通过PWM信号驱动红色LED、绿色LED和蓝色LED的驱动芯片， 可形成16,777,216种颜色变换，可显示视频、图像和文字信息等 2.3. 单元板的特点; ●使用超高亮的LED和优质的塑胶件 ●高对比度可达到良好的显示效果 ●重量轻易于安装、拆卸 ●可进行单点、单灯维护，成本低 ●采用恒流方式驱动LED，发光均匀，功耗低 ●像素间距为3.0mm，共有64*64个像素点，每个像素点由1R1G1B 三灯组成 ●单元板具有掉电保护功能。
2.4 单元板图片 正 面 图 背 面 图
3.产品介绍 3.1 LED 参数 封装2121 颜色 品牌 型号 亮度 波长 数量 R 晶元 8*8mi l 130-169mcd 620-625nm 1颗 G 晶元 9*10m il 360-468mcd 515-520nm B 晶元 9*10m il 42-54.6mcd 465-470nm 3.2屏体技术参数： 屏体 技术参数 最大功耗 570 W/㎡ 使用环境 室内 最佳视距 ≥3.0m 盲点率 小于万分之三 亮度 ≥800 cd/㎡ 屏体平均功耗 300-350W/㎡ 屏幕水平视角 120±10度 屏幕垂直视角 120±10度 单元板 技术参数 像数点间距 3.0mm 每平方密度 111111Dots/㎡ 分辩率 64x64=4096 Dots 结构特点 灯驱合一 像素构成 1R1G1B 驱动方式 1/32扫恒流驱动 输入电压 4.8- 5.5V 套件材料 聚碳酸酯PC 料 重量 274 g 单元板功率 21W 尺寸（长 宽 厚) 192*192*12.2（mm ） 最大电流 4.2A 200W 开关电源带载数量 <8块P3全彩单元板 系统参数 换帧频率 >60帧/秒 刷新频率 ≧1200HZ] 控制方式 计算机控制，逐点一一对应，视频同步，实时显示 亮度调节 256级手动/自动 注：接收卡需配带有“E ”信号的卡；如：灵星雨908M ；卡莱特接收卡5A-75 配卡时需要注意！
如何选用合适的三极管
当你制作一个小电路时如何选用合适的三极管呢?当你在修理中需要一只三极管，而又找不到同型号的管子时，如何用其它型号的管子代替呢?本文可以替你当一个参谋。 一、三极管的类型及材料 初学者首先必须清楚三极管的类型及材料。常用三极管的类型有NPN型与PNP型两种。由于这两类三极管工作时对电压的极性要求不同，所以它们是不能相互代换的。 三极管的材料有锗材料和硅材料。它们之间最大的差异就是起始电压不一样。锗管PN 结的导通电压为0.2V左右，而硅管PN结的导通电压为0.6～0.7V。在放大电路中如果用同类型的锗管代换同类型的硅管，或用同类型的硅管代换同类型的锗管一般是可以的，但都要在基极偏置电压上进行必要的调整，因为它们的起始电压不一样。但在脉冲电路和开关电路中不同材料的三极管是否能互换必须具体分析，不能盲目代换。 二、三极管的主要参数 选用三极管需要了解三极管的主要参数。若手中有一本晶体管特性手册最好。三极管的参数很多，根据实践经验，我认为主要了解三极管的四个极限参数：ICM、BVCEO、PCM及fT 即可满足95%以上的使用需要。 1. ICM是集电极最大允许电流。三极管工作时当它的集电极电流超过一定数值时，它的电流放大系数β将下降。为此规定三极管的电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为ICM。所以在使用中当集电极电流IC超过ICM时不至于损坏三极管，但会使β值减小，影响电路的工作性能。 2. BVCEO是三极管基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压。如果在使用中加在集电极与发射极之间的电压超过这个数值时，将可能使三极管产生很大的集电极电流，这种现象叫击穿。三极管击穿后会造成永久性损坏或性能下降。 3. PCM是集电极最大允许耗散功率。三极管在工作时，集电极电流在集电结上会产生热量而使三极管发热。若耗散功率过大，三极管将烧坏。在使用中如果三极管在大于PCM下长时间工作，将会损坏三极管。需要注意的是大功率三极管给出的最大允许耗散功率都是在加有一定规格散热器情况下的参数。使用中一定要注意这一点。 4. 特征频率fT。随着工作频率的升高，三极管的放大能力将会下降，对应于β=1时的频率fT叫作三极管的特征频率。 三、一般小功率三极管的选用 小功率三极管在电子电路中的应用最多。主要用作小信号的放大、控制或振荡器。选用三极管时首先要搞清楚电子电路的工作频率大概是多少。如中波收音机振荡器的最高频率是2MHz左右；而调频收音机的最高振荡频率为120MHz左右；电视机中VHF频段的最高振荡频率为250MHz左右；UHF频段的最高振荡频率接近1000MHz左右。工程设计中一般要求三极管的fT大于3倍的实际工作频率。所以可按照此要求来选择三极管的特征频率fT。由于硅材料高频三极管的fT一般不低于50MHz，所以在音频电子电路中使用这类管子可不考虑fT这个参数。 小功率三极管BVCEO的选择可以根据电路的电源电压来决定，一般情况下只要三极管的BVCEO大于电路中电源的最高电压即可。当三极管的负载是感性负载时，如变压器、线圈等时BVCEO数值的选择要慎重，感性负载上的感应电压可能达到电源电压的2～8倍(如节能灯中的升压三极管)。一般小功率三极管的BVCEO都不低于15V，所以在无电感元件的低电压电路中也不用考虑这个参数。 一般小功率三极管的ICM在30～50mA之间，对于小信号电路一般可以不予考虑。但对
三极管型号及参数
这些虽不能涵盖所有的三极管型号，例如3DD系列等，但是都是极其常用的型号，例如901系列，简直是无所不在。在网上查的电子元件手册都是卖书的广告，找到点参数型号确实不易。 S9013是NPN型三极管，放大倍数分为六级，在三极管上有标识： D级：64-91 E级：78-112 F级：96-135 G级：112-166 H级：144-220 I级：190-300 名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管 D63328NPN音频功放开关100V7A40W达林顿 9013 21 NPN 低频放大50V0. 5A0. 625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V0. 1A0. 4W 150HM Z9015 9015 21 PNP 低噪放大50V0. 1A0. 4W 150MHZ 9014 901821NPN高频放大30V0.05A0.4W1000MHZ 805021NPN高频放大40V1.5A1W100MHZ8550 855021PNP高频放大40V1.5A1W100MHZ8050 2N222221NPN通用60V0.8A0.5W25／200NS 2N23694ANPN开关40V0.5A0.3W800MHZ 2N29074ANPN通用60V0.6A0.4W26／70NS 2N305512NPN功率放大100V15A115WMJ2955 2N34406NPN视放开关450V1A1W15MHZ2N6609 2N377312NPN音频功放开关160V16A50W 2N390421ENPN通用60V0.2A 2N290621CPNP通用40V0.2A 2N2222A21铁NPN高频放大75V0.6A0.625W300MHZ 2N671821铁NPN音频功放开关100V2A2W 2N540121PNP视频放大160V0.8050三极管引脚图6A0.625W100MHZ2N5551 2N555121NPN视频放大160V0.6A0.625W100MHZ2N5401 2N568512NPN音频功放开关60V50A300W 2N627712NPN功放开关180V50A250W 901221PNP低频放大50V0.5A0.625W9013 2N667812NPN音频功放开关650V15A175W15MHZ 9012贴片PNP低频放大50V0.5A0.625W9013 3DA87A6NPN视频放大100V0.1A1W 3DG6B6NPN通用20V0.02A0.1W150MHZ 3DG6C6NPN通用25V0.02A0.1W250MHZ 3DG6D6NPN通用30V0.02A0.1W150MHZ MPSA4221ENPN电话视频放大300V0.5A0.625WMPSA92 MPSA9221EPNP电话视频放大300V0.5A0.625WMPSA42 MPS2222A21NPN高频放大75V0.6A0.625W300MHZ
常见mos管的型号参数
电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。注意，焊接ＭＯＳ止静电。 TO-220 TO-252 TO-3
附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。 上图中有小圆点的为１脚 注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补 封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ) SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304
SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330 SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330 SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230 SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558
mos管选型指导
MOS管选型指导 正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如
电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 第二步：确定额定电流 第二步是选择MOS管的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易(较为普遍)，而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片尺寸，从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开发成本。业界现有好几种试图控制晶片尺寸增加的技术，其中最主要的是沟道和电荷平衡技术。 在沟道技术中，晶片中嵌入了一个深沟，通常是为低电压预留的，用于降低导通电阻RDS(ON)。为了减少最大VDS对RDS(ON)的影响，开发过程中采用了外延生长柱/蚀刻柱工艺。例如，飞兆半导体开发了称为SupeRFET的技术，针对RDS(ON)的降低而增加了额外的制造步骤。这种对RDS(ON)的关注十分重要，因为当标准MOSFET的击穿电压升高时，RDS(ON)会随之呈指数级增加，并且导致晶片尺寸增大。SuperFET工艺将RDS(ON)与晶片尺寸间的指数关系变成了线性关系。这样，SuperFET器件便可在小晶片尺寸，甚至在击穿电压达到600V的情况下，实现理想的低RDS(ON)。结果是晶片尺寸可减小达35%。而对于最终用户来说，这意味着封装尺寸的大幅减小。 第三步：确定热要求 选择MOS管的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。
常用mos管(选型)
常用MOS管选型参考如下表所示: IRFU020 50V 15A 42W * * NmOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NmOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NmOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PmOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PmOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NmOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NmOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NmOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NmOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NmOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NmOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NmOS场效应IRFP140 100V 30A 150W * * NmOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NmOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NmOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NmOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NmOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NmOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NmOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NmOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NmOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NmOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9610 200V 1A 20W * * PmOS场效应IRF9541 60V 19A 125W * * PmOS场效应IRF9531 60V 12A 75W * * PmOS场效应IRF9530 100V 12A 75W * * PmOS场效应IRF840 500V 8A 125W * * NmOS场效应IRF830 500V 4.5A 75W * * NmOS场效应IRF740 400V 10A 125W * * NmOS场效应IRF730 400V 5.5A 75W * * NmOS场效应IRF720 400V 3.3A 50W * * NmOS场效应IRF640 200V 18A 125W * * NmOS场效应
净水器超滤膜过滤技术参数(精)
家用净水器超滤膜过滤技术参数及工作原理 家用净水器超滤膜过滤技术参数 1. 流量范围:40~2400 m3/h 2. 过滤精度: 100~2000 μm 3. 工作压力:0.1~1.6 MPa 4. 压力损失:≤ 0.016 MPa 5. 排污阀口径: DN 50 mm 6. 排污时间:10~60 s 7. 排污耗水量:<1% 8. 适用温度:≤ 85 ℃ 9. 电源:交流三相380V/50Hz 10.控制界面:数显、旋钮、开关 11.滤网类型: 316不锈钢 家用净水器超滤膜过滤原理 超滤是一种利用膜分离技术的筛分过程,以膜两侧的压力差为驱动力,以超滤膜为过滤介质,在一定的压力下,当原液流过膜表面时,超滤膜表面密布的许多细小的微孔只允许水及小分子物质通过而成为透过液,而原液中体积大于膜表面微孔径的物质则被截留在膜的进液侧,成为浓缩液,实现对原液的净化、分离和浓缩的目的。 每米长的超滤膜丝管壁上约有60亿个0.01微米的微孔,其孔径只允
许水分子、水中的有益矿物质和微量元素通过,而最小细菌的体积都在0.02微米以上,因此细菌以及比细菌体积大得多的胶体、铁锈、悬浮物、泥沙、大分子有机物等都能被超滤膜截留下来,从而实现了净化过程。 1、超滤膜的制水流程 自来水先进入超滤膜管内,在水压差的作用下,膜表面上密布的许多0.01微米的微孔只允许水分子、有益矿物质和微量元素透过,成为净化水。而细菌、铁锈、胶体、泥沙、悬浮物、大分子有机物等有害物质则被截留在超滤膜管内,在超滤膜进行冲洗时排出。 2、超滤膜冲洗流程 超滤膜使用一段时间后,被截留下来的细菌、铁锈、胶体、悬浮物、大分子有机物等有害物质会依附在超滤膜的内表面,使超滤膜的产水量逐渐下降,尤其是自来水质污染严重时,更易引起超滤膜的堵塞,定期对超滤膜进行冲洗可有效恢复膜的产水量。 3、超滤膜滤芯 将成束的超滤膜丝经过浇铸工艺后制成如下图所示的超滤芯,滤芯由ABS外壳、外壳两端的环氧封头和成束的超滤膜丝三部分组成。环氧封头填充了膜丝与膜丝之间的空隙,形成原液与透过液之间的隔离,原液首先进入超滤膜孔内,经超滤膜过滤后成为透过液,防止了原液 不经过滤直接进入到透过液中。 4、超滤膜滤芯膜丝总面积的计算: 在单位膜丝面积产水量不变的情况下,滤芯装填的膜面积越大,则滤芯的总产水量越多, 其计算公式为:
P3全彩LED产品规格参数
产品规格书SPECIFICATION 产品型号：室内表贴P3三合一全彩(192*192) 产品编码： A4-0300-L1-RGB0-8200 文件编号版本V1 制作审核批准页数 生效日期
目录 目录 (1) 1.适用范围 (2) 2.产品说明 (2) 3.产品介绍 (4) 4.信号引脚定义 (5) 5.单元板孔位图 (6) 6.单元板配件 (6) 7.显示屏安装及使用注意事项 (7) 8．产品维修 (10)
1.适用范围 本技术手册仅适用于室内P3（64*64）三十二扫全彩表贴三合一单元板。 2.产品说明 2.1. 室内P3三十二扫表贴三合一单元板构成： PCB（电路板）、2121表 贴三合一灯管（由红色LED晶片、绿色LED晶片和蓝色LED晶片封 装为一个像素点）、驱动集成芯片、塑胶套件。 2.2 通过PWM信号驱动红色LED、绿色LED和蓝色LED的驱动芯片， 可形成16,777,216种颜色变换，可显示视频、图像和文字信息等 2.3. 单元板的特点; ●使用超高亮的LED和优质的塑胶件 ●高对比度可达到良好的显示效果 ●重量轻易于安装、拆卸 ●可进行单点、单灯维护，成本低 ●采用恒流方式驱动LED，发光均匀，功耗低 ●像素间距为3.0mm，共有64*64个像素点，每个像素点由1R1G1B 三灯组成 ●单元板具有掉电保护功能。
2.4 单元板图片 正 面 图 背 面 图
3.产品介绍 3.1 LED 参数 封装2121 颜色 品牌 型号 亮度 波长 数量 R 晶元 8*8mi l 130-169mcd 620-625nm 1颗 G 晶元 9*10m il 360-468mcd 515-520nm B 晶元 9*10m il 42-54.6mcd 465-470nm 3.2屏体技术参数： 屏体 技术参数 最大功耗 570 W/㎡ 使用环境 室内 最佳视距 ≥3.0m 盲点率 小于万分之三 亮度 ≥800 cd/㎡ 屏体平均功耗 300-350W/㎡ 屏幕水平视角 120±10度 屏幕垂直视角 120±10度 单元板 技术参数 像数点间距 3.0mm 每平方密度 111111Dots/㎡ 分辩率 64x64=4096 Dots 结构特点 灯驱合一 像素构成 1R1G1B 驱动方式 1/32扫恒流驱动 输入电压 4.8- 5.5V 套件材料 聚碳酸酯PC 料 重量 274 g 单元板功率 21W 尺寸（长 宽 厚) 192*192*12.2（mm ） 最大电流 4.2A 200W 开关电源带载数量 <8块P3全彩单元板 系统参数 换帧频率 >60帧/秒 刷新频率 ≧1200HZ] 控制方式 计算机控制，逐点一一对应，视频同步，实时显示 亮度调节 256级手动/自动 注：接收卡需配带有“E ”信号的卡；如：灵星雨908M ；卡莱特接收卡5A-75 配卡时需要注意！
常用MOS管选型参考
常用MOS管选型参考 IRFU02050V15A42W NmOS场效应IRFPG421000V4A150W NmOS场效应IRFPF40900V 4.7A150W NmOS场效应IRFP460500V20A250W NmOS场效应IRFP450500V14A180W NmOS场效应IRFP440500V8A150W NmOS场效应IRFP353350V14A180W NmOS场效应IRFP350400V16A180W NmOS场效应IRFP340400V10A150W NmOS场效应IRFP250200V33A180W NmOS场效应IRFP240200V19A150W NmOS场效应IRFP150100V40A180W NmOS场效应IRFP140100V30A150W NmOS场效应IRFP05460V65A180W NmOS场效应IRFI744400V4A32W NmOS场效应IRFI730400V4A32W NmOS场效应IRFD9120100V1A1W NmOS场效应IRFD12380V 1.1A1W NmOS场效应IRFD120100V 1.3A1W NmOS场效应IRFD11360V0.8A1W NmOS场效应IRFBE30800V 2.8A75W NmOS场效应IRFBC40600V 6.2A125W NmOS场效应IRFBC30600V 3.6A74W NmOS场效应IRFBC20600V 2.5A50W NmOS场效应IRFS9630200V 6.5A75W PmOS场效应IRF9630200V 6.5A75W PmOS场效应IRF9610200V1A20W PmOS场效应IRF954160V19A125W PmOS场效应IRF953160V12A75W PmOS场效应IRF9530100V12A75W PmOS场效应IRF840500V8A125W NmOS场效应IRF830500V 4.5A75W NmOS场效应IRF740400V10A125W NmOS场效应IRF730400V 5.5A75W NmOS场效应IRF720400V 3.3A50W NmOS场效应IRF640200V18A125W NmOS场效应IRF630200V9A75W NmOS场效应IRF610200V 3.3A43W NmOS场效应IRF54180V28A150W NmOS场效应IRF540100V28A150W NmOS场效应IRF530100V14A79W NmOS场效应IRF440500V8A125W NmOS场效应IRF230200V9A79W NmOS场效应IRF130100V14A79W NmOS场效应BUZ20100V12A75W NmOS场效应BUZ11A50V25A75W NmOS场效应BS17060V0.3A0.63W NmOS场效应
产品管理各种产品规格参数
（产品管理）各种产品规格 参数
转载机 我公司生产的转载机输送能力从120吨/小时到4500吨/小时，装机功率从40千瓦到700千瓦，槽宽从630毫米到1350毫米，运输长度可达到80米，整体性能及可靠性可满足普采、高档普采及综合机械化开 破碎机 我公司可提供和转载机配套的系列破碎机产品,对通过转载机的大块原煤进行破碎。最大破碎能力4500吨/小时，最大输送块度1300x1300毫米。按破碎方式分为锤式和颚式俩种。锤式破碎机的传动型式分为三角带式传动及齿轮传动俩种。 产品多次荣获国家质量金、银质奖。 上图为我公司独立研制的新壹代大功率、大运输量、长运距、高可靠性输送成套设备 锤式破碎机主要技术参数 系列型号 破碎能力 t/h 装机功率 kw 进/出口块度(长度不限)mm PEM1000×650 600 55 1000×650/40～370 PEM1000×650Ⅲ 450 55 1000×650/40～370 PEM1000×1000 700 55 1000×1000/40～370 PCM110 1000 110 700×700/150～300 PCM132 1200 132 800×800/150～300 PCM160 2000 160 800×800/150～300 PCM200 2200 200 1000×800/150～300 PCM250 3500 250 1200×1180/200～400 PCM400 4500 400 1200×900/200～400
采工作面的顺槽运输要求。 整体组焊接结构转载机寿命（过煤量）达到400-1000万吨，和我公司研制的皮带机机尾自移装置及转载机整体迈步自移装置配套，可实现转载机、皮带机尾的顺槽设备的整体推移，为工作面的生产创造了必要的条件。 产品多次荣获国家质量金、银质奖。 上图为我公司独立研制的新壹代大功率、大运输量、长运距、高可靠性输送成套设备 桥式转载机主要技术参数 系列型号输送量 t/h 设计长度 m 中部槽内宽 mm 装机功率 kw 刮板链型式 SZB730/40 400 25 40 680 边双链SZB730/75 630 25 75 680 边双链SZD730/90 750 30 90 680 单链SZZ730/132 800 40 132 680 中双链SZZ764/160 1000 50 160 724 中双链SZZ764/200 1000 50 200 724 中双链SZZ830/200 1500 50 200 780 中双链SZZ800/200 1800 50 200 800 中双链SZZ800/220 1800 50 2×110800 中双链SZZ800/315 2000 50 315 800 中双链SZZ900/315 2000 50 315 900 中双链SZZ1000/375 2200 60 375 1000 中双链SZZ1000/400 2200 60 400 1000 中双链SZZ1200/315 3000 60 315 1200 中双链SZZ1200/525 3500 50 525 1200 中双链SZZ1200/700 3500 80 700 1200 中双链SZZ1350/525 3500 50 525 1350 中双链SZZ1350/700 4500 80 700 1350 中双链