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光刻胶产品前途无量（半导体技术天地）1前言

光刻胶 (又名光致抗蚀剂 )是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X 射线、离子束等曝光源的照射或辐射，使溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，主

要用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工，近年来也逐步应用于光电

子领域平板显示器（ FPD）的制作。由于光刻胶具有光化学敏感性，可利用其进行光化学反应，经曝光、显影等过程，将所需要的微细图形从掩模版转移至待

加工的衬底上，然后进行刻蚀、扩散、离子注入等工艺加工，因此是电子信息

产业中微电子行业和光电子行业微细加工技术的关键性基础加工材料。作为经

曝光和显影而使溶解度增加的正型光刻胶多用于制作IC，经曝光或显影使溶解度减小的负型光刻胶多用于制作分立器件。

2国外情况

随着电子器件不断向高集成化和高速化方向发展，对微细图形加工技术的

要求越来越高，为了适应亚微米微细图形加工的要求，国外先后开发了g 线（436nm）、 i 线（ 365nm）、深紫外、准分子激光、化学增幅、电子束、X 射线、离子束抗蚀剂等一系列新型光刻胶。这些品种较有代表性的负性胶如美国柯

达（ Kodak）公司的 KPR、KMER、KLER、KMR、KMPR等；联合碳化学（UCC）公司的 KTI系列；日本东京应化（ Tok）公司的 TPR、SVR、OSR、OMR；合成橡胶（ JSR）公司的 CIR、CBR系列；瑞翁（ Zeon）公司的 ZPN

系列；德国依默克（

E.Merk）公司的 Solect 等。

正性胶如：

美国西帕来（ Shipely）公司的 AZ 系列、 DuPont 公司的 Waycot 系列、日本合成橡胶公司的 PFR等等。

2000~2001 年世界市场光刻胶生产商的收益及市场份额

公司 2001 年收益 2001 年市场份额（ %）2000 年收益 2000 年市场份额（%）

Tokyo Ohka Kogyo 150.1

22.6

216.5

25.2Shipley

139.2

21.0

174.6

20.3

JSR

117.6

17.7

138.4

16.1

Shin-Etsu Chemical 70.1

10.6

74.2

8.6Arch Chemicals 63.7

9.6

84.1

9.8

其他

122.2

18.5

171.6

20.0

总计

662.9

100.0

859.4

100.0

Source:

Gartner Dataquest

目前，国际上主流的光刻胶产品是分辨率在

0.25 μm～

0.18 μm的深紫外正型光刻胶，主要的厂商包括美国 Shipley、日本东京应化和瑞士的克莱恩等公司。中国专利 CNA2000年公开了国际商业机器公司发明的

193nm 光刻胶组合物，在无需相传递掩膜的情况下能够分辨尺寸小于150nm，更优选尺寸小于约115nm。 2003 年美国专利 US2003/又公开了 Christian

Eschbaumer等发明的 157nm 光刻胶。预计 2004 年全球光刻胶和助剂的市场规

模约 37 亿美元。

3国内现状

国内主要产品有聚乙烯醇肉桂酸酯（相当于美 KPR胶）、聚肉桂叉丙二酸乙

二醇酯聚酯胶、环化橡胶型购胶（相当于 OMR－83 胶）和重氮萘醌磺酰氯为感光剂主体的紫外正型光刻胶（相当于 AZ－1350）。其中紫外线负胶已国产化，紫外线正胶可满足 2μm工艺要求，深紫外正负胶（聚甲基异丙烯基酮、氯甲基聚苯乙烯，分辨率

0.5～

0.3 μm）、电子束正负胶（聚甲基丙烯酸甲酯一甲基丙烯酸缩水甘油酯一

丙烯酸乙酯共聚）（分辨率

0.25～

0.1 μm）、 X 射线正胶（聚丁烯砜聚 1，2 一二氯丙烯酸，分辨率

0.2 μm），可提供少量产品，用于IC制造的高档次正型胶仍全部依赖进

口。光刻胶目前国产能力约为 100 多吨。据国家有关部门预测，到 2005 年微电子用光刻胶将超过 200 吨。

国内光刻胶主要研制生产单位有北京化学试剂所、北京化工厂、上海试剂一厂、苏州瑞红电子化学品公司、黄岩有机化工厂、无锡化工研究设计院、北师

大、上海交大等。近年来，北京化学试剂所和苏州瑞红电子化学品公司等单位在

平板显示器（ FPD）用光刻胶方面进行了大量工作，已研制成功并规模生产

出液晶显示器（ LCD）专用正型光刻胶，如北京化学试剂所的 BP218系列正型光刻胶适用于 TN／STNLCD的光刻制作。北京化学试剂研究所一直是国家重点科技攻关课题——光刻胶研究的组长单位。“十五”期间，科技部为了尽快缩小光刻技术配套用材料与国际先进水平的差距，将新型高性能光刻胶列入了“863重”大专项计划之中，并且跨过

0.35 μm和

0.25 μm工艺用 i 线正型光刻胶和248nm 深紫外光刻胶两个台阶，直接开展

0.1 μm～

0.13 μm工艺用 193nm 光刻胶的研究。苏州瑞红则是微电子化学品行业中惟

一一家中外合资生产企业，曾经作为国家“八五”科研攻关“南方基地”的组长单位，其光刻胶产品以用于 LCD的正胶为主，负胶为辅。为加快发展光刻胶产业的步伐，北京化学试剂研究所的上级单位——北京化工集团有限责任公司正在做相关规划，争取在“十五”期间，在大兴区兴建的化工基地实现年产光刻胶 80 吨至100 吨的规模。在此规划中，化工基地前期以生产紫外负型光刻胶及

0.8 μm～

1.2 μm技术用紫外正胶为主，之后还要相继生产 i 线正胶、 248nm 深紫外光刻胶及

0.1 μm～

0.13 μm技术用的193nm 高性能光刻胶。而苏州瑞红也正积极地与国外著

名的光刻胶厂商合作，进行 248nm 深紫外光刻胶的产业化工作，争取使其产品打

入国内合资或独资的集成电路生产企业。

4前途无量

近年来，光刻胶在微电子行业中不断开发出新的用途，如采用光敏性介质材

料制作多芯片组件 (MCM)。MCM 技术可大幅度缩小电子系统体积，减轻其质

量，并提高其可靠性。近年来国外在高级军事电子和宇航电子装备中，已广泛地

应用 MCM 技术。可以预见，发展微电子信息产业及光电产业中不可缺少的基础

工艺材料——光刻胶产品在 21 世纪的应用将更广泛、更深入。

光刻胶的定义及主要作用

光刻胶是一种有机化合物，它受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发

生变化。

一般光刻胶以液态涂覆在硅片表面上，曝光后烘烤成固态。

光刻胶的作用：

a、将掩膜板上的图形转移到硅片表面的氧化层中；