晶圆切割站培训资料 PPT
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片及晶片上是否刮伤电路,或晶片上有任何异状,若有以上情况, 必须以黑色油性签字笔点在晶片中央。
➢ 检查后,须将以上黑点数量、刮伤数量、其它不良记录于晶圆 切割站目检状况记录表。
若黑点数量超过30颗,必须马上通知领班或设备工程师处理
目视检查
1、点黑点时,手不允许碰到晶圆
2、切割道崩坏超过保护边的就 必须当作不良点上黑点
3、目检步骤:
a、目检晶圆四周,检查切割痕,看有无 未切穿的现象,若有,则尽快通知工程 师修机
b、目检短边切割道,看有无崩 坏到保护边的现象,若有,则点 上黑点
目视检查
c、目检长边切割道,看 有无崩坏到保护边或晶 片表面刮伤的现象,若有, 则点上黑点
压
伤
d、关于大面积的刮伤, 不
可利用显微镜的斜光
C、日常操作:
➢ 开机;系统初始化(快捷键SYS INIT) ➢ 确认刀片型号及使用寿命未到极限(F5、6) ➢ 测高(F5、3、1or快捷键SET UP→F3) ➢ 刀片基准线校准(F5、5) ➢ 确认生产型号(F4) ➢ 贴片(使用晶圆贴片机) ➢ 单品种全自动切割(F1→快捷键NEW CST→START) ➢ 首件检查(使用工具显微镜) ➢ 目检(使用普通显微镜) ➢ 机器维护:换刀(在F5、1菜单下更换) ➢ 机器异常情况处理
(
机
器
电源控制开关
后ຫໍສະໝຸດ Baidu
部
)
CUTTING BLADE WATER SHOWER WASHING SPRAY WATER SPRAY
冷却刀具用水 喷在刀刃上,清洗刀刃 清洗晶圆用水 清洗晶元用水
位
纯 水 流 量 表
于 机 台 正 左 方
)
(
B、键盘讲解:
▪ SET UP:测高快捷键 ▪ DEVICE DATA:调出参数快捷键 ▪ AUX:不用 ▪ NEW CST:按下后使料盒从第一个第一格开始取料 ▪ S/T VAC:清洗盘真空压力开/关 ▪ SYS INIT:系统初始化 ▪ CUT WATER:切割水开/关 ▪ SPNDL:转轴开/关 ▪ C/T VAC:切割盘真空压力开/关 ▪ ZEM:转轴紧急抬起按钮 ▪ INDEX:索引 ▪ SCR INDEX:SCR索引 ▪ SHIFT:键盘切换
➢ 目检方法:
➢ 每片切割完毕之晶圆,必须全部检查。 ➢ 将切割完成之晶圆,放置在显微镜平台上。 ➢ 调整至最大倍率。 ➢ 调整焦距至眼睛可看清楚。 ➢ 移动晶圆至短边切割道,检查短边崩碎范围是否影响至晶片,若
崩碎至晶片,则以黑色油性签字笔在晶片中央点个黑点。 ➢ 再调整显微镜倍率为30倍。 ➢ 调整焦距到眼睛可看清楚。 ➢ 再移动晶圆至最左边,检查长边切割道崩碎范围是否影响至晶
贴片
13、将贴好的晶圆拿下, 用双手将其放进料盒
注意:料盒不能够重叠 放置
贴片的注意事项
▪ 1、贴片时除小手指外,其余四个手指均需要戴指 套、
▪ 2、贴片时要让晶圆的切线边与贴台切线边重合、 以保证不让晶元贴偏、
▪ 3、晶元承载台不能够用锐利的物品碰触,防止划 伤晶圆承载台、
▪ 4、贴片时不能够使滚筒滚动太快,且不可用力过 大导致压伤或压迫晶元、
底边 < 5μm
L型至刀痕距离 28≤A=B≤40 17≤A=B≤27 17≤A=B≤27 17≤A=B≤27 25≤A=B≤32 28≤A=B≤40 17≤A=B≤27 25≤A=B≤32
D≦100μm
特例:T3、4B4D的背崩 范围不可大于50μm
A+B+C+D ≤78μm ≤65μm ≤50μm ≤50μm ≤68μm ≤88μm ≤70μm ≤58μm
➢晶圆贴片步骤
1、准备工作
打开离子风扇 有效距离60cm 准备擦净的铁圈若干
贴片
2、用气枪吹净机器表面
3、用沾酒精的无尘布擦拭机器表面及滚筒
贴片
4、取一盒晶圆,先从外部观察 晶圆有无破损,若有,通知工 程师处理;然后打开,再确认 有无破片
贴片
5、双手小心取出一片晶圆
6、将其小心放置在工作盘上, 先将晶圆底部靠近工作盘的底 线,慢慢放下晶圆,左手不放 开,用右手打开真空开关
良
看出
图
片
崩 巴 不 良 图 片
e、晶圆切割当班工程师须对已目检晶圆进行随机抽检,
刮 伤
抽检比率应大于5%,并做相应的记录,对出现问题超过2 不
次(包括2次)的员工提报给当班制造线长
晶圆切割站培训资料
CO2滤净机
A、DFD 651机台了解
指示灯 显示器
旋
转
直行操作架
操 作
架
料 盒
切割轴
升
降
台
切
直行操作架
割
轴
、
切
割 刀
旋 转
操
作
架
操
作
键
盘
切割工作盘
清洗工作盘
DFD651晶圓切割機的兩根切割軸以及切割刀
切割Z2軸
切割Z1軸
(
)
机 器 右 侧 面
总水阀
(机器左侧面) 总气阀
▪ 5、不使用贴片机时最好把盖子盖上、防止异物掉 落到晶圆的承载盘上、
UV照射
按住锁定按钮向后推开盖子 将须照射的工件表面朝上放入照射室
按START进行照射
➢首件检查:
将要检查之晶圆放置工具显微镜平台上。 使用物镜倍率50倍检视,并调整焦距至清楚为止。 将平台移到屏幕显示晶圆最左边的短边切割道。 依照首检规格依次检查,并记录数值于割片外观检查表 用黑色抗静电镊子,夹起1颗晶片,将晶片电路朝向自己,调整晶片水平, 量测晶片两侧垂直面,不可大于5μm,结果记录于割片外观检查表 垂直面量测完毕后,再检查晶片底部(背面),崩碎范围不可大于100μm, 结果记录于割片外观检查表。
贴片
7、放上铁圈,两个卡口 卡住工作盘上的两个突出 点
8、拉出胶布,先松开,让前 部贴住贴片机的前部;再拉紧 胶布,贴住贴片机后部
贴片
9、用滚筒压过胶布
10、看胶布与晶圆间有无气泡, 若有超过0、5mm的气泡,将其 UV照射后重新再贴
贴片
11、盖上滚筒,用滚刀刮断胶布
12、按住铁圈,小心撕开胶布
首件检查
切割第一片及每切割5片必须抽检1片,检验项目有垂直度、L型至 刀痕距离、及背崩检查,每片必须检查4个Chip以上
C/D、侧面图（垂直面）
E、侧面图（背崩）
型号 H3、H4、EP603、2R5P1 EAGLE2（4F4L-A1200dpi）、CA4B41-A CA4F3K 3R5B1、2R5S2、CFA03、A6T1 CF601、A6S1、1R5V1 CA4B4D EAGLE3（CA4F46）、CA4F58 A8
➢ 检查后,须将以上黑点数量、刮伤数量、其它不良记录于晶圆 切割站目检状况记录表。
若黑点数量超过30颗,必须马上通知领班或设备工程师处理
目视检查
1、点黑点时,手不允许碰到晶圆
2、切割道崩坏超过保护边的就 必须当作不良点上黑点
3、目检步骤:
a、目检晶圆四周,检查切割痕,看有无 未切穿的现象,若有,则尽快通知工程 师修机
b、目检短边切割道,看有无崩 坏到保护边的现象,若有,则点 上黑点
目视检查
c、目检长边切割道,看 有无崩坏到保护边或晶 片表面刮伤的现象,若有, 则点上黑点
压
伤
d、关于大面积的刮伤, 不
可利用显微镜的斜光
C、日常操作:
➢ 开机;系统初始化(快捷键SYS INIT) ➢ 确认刀片型号及使用寿命未到极限(F5、6) ➢ 测高(F5、3、1or快捷键SET UP→F3) ➢ 刀片基准线校准(F5、5) ➢ 确认生产型号(F4) ➢ 贴片(使用晶圆贴片机) ➢ 单品种全自动切割(F1→快捷键NEW CST→START) ➢ 首件检查(使用工具显微镜) ➢ 目检(使用普通显微镜) ➢ 机器维护:换刀(在F5、1菜单下更换) ➢ 机器异常情况处理
(
机
器
电源控制开关
后ຫໍສະໝຸດ Baidu
部
)
CUTTING BLADE WATER SHOWER WASHING SPRAY WATER SPRAY
冷却刀具用水 喷在刀刃上,清洗刀刃 清洗晶圆用水 清洗晶元用水
位
纯 水 流 量 表
于 机 台 正 左 方
)
(
B、键盘讲解:
▪ SET UP:测高快捷键 ▪ DEVICE DATA:调出参数快捷键 ▪ AUX:不用 ▪ NEW CST:按下后使料盒从第一个第一格开始取料 ▪ S/T VAC:清洗盘真空压力开/关 ▪ SYS INIT:系统初始化 ▪ CUT WATER:切割水开/关 ▪ SPNDL:转轴开/关 ▪ C/T VAC:切割盘真空压力开/关 ▪ ZEM:转轴紧急抬起按钮 ▪ INDEX:索引 ▪ SCR INDEX:SCR索引 ▪ SHIFT:键盘切换
➢ 目检方法:
➢ 每片切割完毕之晶圆,必须全部检查。 ➢ 将切割完成之晶圆,放置在显微镜平台上。 ➢ 调整至最大倍率。 ➢ 调整焦距至眼睛可看清楚。 ➢ 移动晶圆至短边切割道,检查短边崩碎范围是否影响至晶片,若
崩碎至晶片,则以黑色油性签字笔在晶片中央点个黑点。 ➢ 再调整显微镜倍率为30倍。 ➢ 调整焦距到眼睛可看清楚。 ➢ 再移动晶圆至最左边,检查长边切割道崩碎范围是否影响至晶
贴片
13、将贴好的晶圆拿下, 用双手将其放进料盒
注意:料盒不能够重叠 放置
贴片的注意事项
▪ 1、贴片时除小手指外,其余四个手指均需要戴指 套、
▪ 2、贴片时要让晶圆的切线边与贴台切线边重合、 以保证不让晶元贴偏、
▪ 3、晶元承载台不能够用锐利的物品碰触,防止划 伤晶圆承载台、
▪ 4、贴片时不能够使滚筒滚动太快,且不可用力过 大导致压伤或压迫晶元、
底边 < 5μm
L型至刀痕距离 28≤A=B≤40 17≤A=B≤27 17≤A=B≤27 17≤A=B≤27 25≤A=B≤32 28≤A=B≤40 17≤A=B≤27 25≤A=B≤32
D≦100μm
特例:T3、4B4D的背崩 范围不可大于50μm
A+B+C+D ≤78μm ≤65μm ≤50μm ≤50μm ≤68μm ≤88μm ≤70μm ≤58μm
➢晶圆贴片步骤
1、准备工作
打开离子风扇 有效距离60cm 准备擦净的铁圈若干
贴片
2、用气枪吹净机器表面
3、用沾酒精的无尘布擦拭机器表面及滚筒
贴片
4、取一盒晶圆,先从外部观察 晶圆有无破损,若有,通知工 程师处理;然后打开,再确认 有无破片
贴片
5、双手小心取出一片晶圆
6、将其小心放置在工作盘上, 先将晶圆底部靠近工作盘的底 线,慢慢放下晶圆,左手不放 开,用右手打开真空开关
良
看出
图
片
崩 巴 不 良 图 片
e、晶圆切割当班工程师须对已目检晶圆进行随机抽检,
刮 伤
抽检比率应大于5%,并做相应的记录,对出现问题超过2 不
次(包括2次)的员工提报给当班制造线长
晶圆切割站培训资料
CO2滤净机
A、DFD 651机台了解
指示灯 显示器
旋
转
直行操作架
操 作
架
料 盒
切割轴
升
降
台
切
直行操作架
割
轴
、
切
割 刀
旋 转
操
作
架
操
作
键
盘
切割工作盘
清洗工作盘
DFD651晶圓切割機的兩根切割軸以及切割刀
切割Z2軸
切割Z1軸
(
)
机 器 右 侧 面
总水阀
(机器左侧面) 总气阀
▪ 5、不使用贴片机时最好把盖子盖上、防止异物掉 落到晶圆的承载盘上、
UV照射
按住锁定按钮向后推开盖子 将须照射的工件表面朝上放入照射室
按START进行照射
➢首件检查:
将要检查之晶圆放置工具显微镜平台上。 使用物镜倍率50倍检视,并调整焦距至清楚为止。 将平台移到屏幕显示晶圆最左边的短边切割道。 依照首检规格依次检查,并记录数值于割片外观检查表 用黑色抗静电镊子,夹起1颗晶片,将晶片电路朝向自己,调整晶片水平, 量测晶片两侧垂直面,不可大于5μm,结果记录于割片外观检查表 垂直面量测完毕后,再检查晶片底部(背面),崩碎范围不可大于100μm, 结果记录于割片外观检查表。
贴片
7、放上铁圈,两个卡口 卡住工作盘上的两个突出 点
8、拉出胶布,先松开,让前 部贴住贴片机的前部;再拉紧 胶布,贴住贴片机后部
贴片
9、用滚筒压过胶布
10、看胶布与晶圆间有无气泡, 若有超过0、5mm的气泡,将其 UV照射后重新再贴
贴片
11、盖上滚筒,用滚刀刮断胶布
12、按住铁圈,小心撕开胶布
首件检查
切割第一片及每切割5片必须抽检1片,检验项目有垂直度、L型至 刀痕距离、及背崩检查,每片必须检查4个Chip以上
C/D、侧面图（垂直面）
E、侧面图（背崩）
型号 H3、H4、EP603、2R5P1 EAGLE2（4F4L-A1200dpi）、CA4B41-A CA4F3K 3R5B1、2R5S2、CFA03、A6T1 CF601、A6S1、1R5V1 CA4B4D EAGLE3（CA4F46）、CA4F58 A8