晶体硅太阳能电池

晶体硅太阳能电池

专业班级：机械设计制造及其自动化13秋姓名：正红

学号： 24

报告时间： 2015年12月

晶体硅太阳能电池

摘要：人类面临着有限常规能源和环境破坏严重的双重压力，能源己经成为越来越值得关注的社会与环境问题。人们开始急切地寻找其他的能源物质，而光能、风能、海洋能以及生物质能这些可再生能源无疑越来越受到人们的关注。光伏技术也便随之形成并快速地发展了起来，因此近年来，光伏市场也得到了快速发展并取得可喜的成就。本文主要就晶体硅太阳能电池发电原理及关键材料进行介绍，并对晶体硅太阳能电池及其关键材料的市场发展方向进行了展望。

关键词：太阳能电池；工作原理；晶体硅；特点；发展趋势

前言

“开发太阳能，造福全人类”人类这一美好的愿景随着硅材料技术、半导体工业装备制造技术以及光伏电池关键制造工艺技术的不断获得突破而离我们的现实生活越来越近！近20年来，光伏科学家与光伏电池制造工艺技术人员的研究成果已经使太阳能光伏发电成本从最初的几美元/KWh减少到低于20美分

/KWh。而这一趋势通过研发更新的工艺技术、开发更先进的配套装备、更廉价的光伏电子材料以及新型高效太阳能电池结构，太阳能光伏（PV）发电成本将会进一步降低，到本世纪中叶将降至4美分/KWh，优于传统的发电费用。

大面积、薄片化、高效率以及高自动化集约生产将是光伏硅电池工业的发展趋势。通过降低峰瓦电池的硅材料成本，通过提升光电转换效率与延长其使用寿命来降低单位电池的发电成本，通过集约化生产节约人力资源降低单位电池制造成本，通过合理的机制建立优秀的技术团队、避免人才的不合理流动、充分保证技术上的持续创新是未来光伏企业发展的核心竞争力所在！

一、晶体硅太阳能电池工作原理

太阳能电池是一种把光能转换

成电能的能量转换器，太阳能电池

工作原理的基础是半导体PN结的

光生伏特效应。

在纯净的硅晶体中，自由电子

和空穴的数目相等。如果在硅晶体

中掺入能够俘获电子的硼、铝、镓

或铟等杂质元素，就构成了P型半

导体，如果在硅晶体中掺入能够释

放电子的磷、砷或锑等杂质元素，

就构成了N型半导体。若把这两种半导体结合在一起，在交界面处便会形成PN 结，并在结的两边形成势垒电场。当太照射PN结时，在半导体的原子由于获得了光能而释放电子，产生电子-空穴对，在势垒电场的作用下，电子被驱向N型区，空穴被驱向P型区，从而在PN结的附近形成了与势垒电场方向相反的光生电场。光生电场的一部分抵销势垒电场，其余使得在N型区与P型区之间的薄层产生了电动势，即光生伏特电动势，当接通外电路时便有电能输出。这就是PN结接触型单晶硅太阳能电池发电的基本原理。若把几十个、数百个太阳能电池单体串联、并联起来，组成太阳能电池组件，在太的照射下，便可获得输出功率相当可观的电能。

二、晶硅太阳能电池特点

（一）晶硅电池包括单晶硅和多晶硅，在硅系列太阳能电池中，单晶硅太阳能电池的转换效率无疑是最高的，技术也最成熟，在大规模应用和工业生产中仍旧占据主导地位。虽然晶体硅太阳能电池被广泛应用，但晶体硅的禁带宽度

Eg=1.12eV，太阳能光电转换理论效率相对较低；硅材料是间接能带材料，在可见光围，硅的光吸收系数远远低于其它太阳能光电材料，如同样吸收95％以上的太，GaAS太阳电池只需要5～10μm，而硅太阳电池在150～200μm以上，才能有效地吸收太阳能；高性能单晶硅电池是建立在高质量单晶硅材料和相关成熟的加工工艺基础上。提高转换效率主要是靠单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺。由于受单晶硅材料价格及相应繁琐的电池工艺影响，致使单晶硅成本据高

不下；硅太阳电池尺寸相对较小，若组成光伏系统，要用数十个相同的硅太阳电池连接起来，造成系统成本较高。这些因素严重影响了其广泛应用。

为解决单晶硅太阳能电池的制造过程复杂、能耗大的缺点，用浇铸法或晶带法制造的多晶硅太阳能电池的开发取得了进展。但是多晶硅材料质量比单晶硅差，有许多晶界存在，电池效率比单晶硅低；晶向不一致，表面织构化困难。但多晶硅太阳能电池经过不断的努力，目前其能量转换效率与单晶硅太阳能电池已基本上在同一个数量级。特别是多晶硅电池可以制成方形，在制作太阳能电池组件时面积利用率高。今后，在如何开发新技术以得到低价格的多晶硅材料，如何得到高效率、大面积多晶硅太阳能电池等方面还有许多工作可做。

（二）晶硅太阳能的发展趋势

高效电池是光伏的突围之匙，近年来晶硅太阳能电池的转换效率取得重大进展，浆料及丝网印刷技术进步最快；但随之而来的是银的消耗日益突出，其成本已占到电池成本的17%左右，如图2－1为量产太阳能电池的转换效率。

图2－1量产太阳能电池的转换效率

晶体硅电池发展的趋势是低成本、高效率，这是光伏技术的发展方向。低成本的实现途径包括效率提高、成本下降及组件寿命提升三方面。效率的提高依赖工艺的改进、材料的改进及电池结构的改进。成本的下降依赖于现有材料成本的下降、工艺的简化及新材料的开发。组件寿命的提升依赖于组件封装材料及封装工艺的改善。因而，晶体硅电池发电的平价上网时间表除了与产业规模的扩大有关外，最重要的依赖于产业技术（包括设备和原材料）的改进。仅靠工艺水平的改进对电池效率的提升空间已经越来越有限，电池效率的进一步提升将依赖新结构、新工艺的建立。具有产业化前景的新结构电池包括选择性发射极电池、异质结电池、

背面主栅电池及N型电池等。这些电池结构采用不同的技术途径解决了电池的

栅线细化、选择性扩散、表面钝化等问题，可以将电池产业化效率提升2～3个

百分点。

为了进一步降低成本、提高效率，各国光伏研究机构和生产商不断改善现有技术，开发新技术。如新南威尔士大学研究了近20年的先进电池系列PESC、PERC、PERL电池，2001年，PERL电池效率达到24.7％，接近理论值，是迄今为止的最高记录。后来由此衍生了中电的SE电池与尚德的PLUTO电池，PLUTO电池的本质即是将实验室PERL电池进行量产，SE电池可以算是尚德PLUTO电池的一个简化版，它们都是从PE系列电池演变而来，因为无论是PESC、PERC，还是PERL 电池均含有SE电池最典型的选择性发射极技术，SE技术只选取PE系列收益最明显、同时产业化相对容易的前表面结构部分。相对于尚德PLUTO是对PERL技术的“高仿”电池，中电SE电池可视为“低仿”，如图2－2 PERL电池结构是PERL电池结构图。

图2－2 PERL电池结构

PERL电池具有高效率的原因在于：

(1)电池正面采用“倒金字塔”，这种结构受光效果优于绒面结构，具有很低的反射率，从而提高了电池的短路电流JSC.

(2)淡磷、浓磷的分区扩散。栅指电极下的浓磷扩散可以减少栅指电极接触电阻；而受光区域的淡磷扩散能满足横向电阻功耗小，且短波响应好的要求;

(3)背面进行定域、小面积的硼扩散P+区。这会减少背电极的接触电阻，又增加了硼背面场，蒸铝的背电极本身又是很好的背反射器，从而进一步提高了电池的转化效率;

(4)双面钝化。发射极的表面钝化降低表面态，同时减少了前表面的少子复合。而背面钝化使反向饱和电流密度下降，同时光谱响应也得到改善；但是这种电池的制造过程相当繁琐，其中涉及到好几道光刻工艺，所以不是一个低成本的生产