《电子技术基础》二极管的基础知识
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知识目
标:
1、 掌握晶体二极管的构成、符号
2、 掌握晶体二极管的导电特性
3、 分析使用二极管时的 主要参数及伏安特性
能力目标: 1、 培养学生分析、探究问题的能力
2、 培养学生灵活运用知 识的能力
3、培养学生的动手和头践冃匕力
情感目标:使学生在学习过程中,获得知识的 冋时进一步激发学生学习的动机和兴趣 教学重点: 晶体二极管的构成、符号、导电特 性及伏安特性的分析 教学难点: 1、 伏安特性分析。
2、 几个参数的记忆及区分。
教学方法: 启发、引导、观察、讨论、讲解、
实验结合
课时安排: (教学用具: 2课时
多媒体课件,实验用器材)
教学过程:
新课导入:提出学习目标,复习提 问导入新课 1什么是半导体?常见 的的半导体材料有哪几种?
2、半导体根据内部载流 子的不同分为哪几种?
新课讲授: 一、二极管的结构和符号
(一) 结构
在本征半导体上利用 特殊工艺分别渗入硼元素和磷元素加工出 P 型半导体和N 型半导体,在 P 型和N 型半导 体的结合部位形成一个特殊的结构,即PN 结,PN 结是构成各种半导体器件的基础。
在P 区和N 区两侧各 接上电极引线,并将其封装在密封的壳体
中,即构成半导体二极管,如图。接在
P 区的
引线称为阳极(正极)用a 表示,接在N 区的引线称为阴极或负极,用 k 表示。
二极管的核心即是一个PN 结。 (二)符号
电子技术中的元件在电路图中都是用符号来表示的, 如电阻用什么符号表示?
二极管的符号如下图:
阳极a
图中三角箭头代表二 极管正向导电时电流的方向。
教学目标:
课题:晶体二极管
(三)分类
1、二极管根据所用半导体材料不同分为锗管和硅管。
2、根据内部结构不同可分为点接触型和面接触型。点接触型主要用于高频小电流场合如:检波、混频、小电流整流。面接触型主要用于低频大电流场合如:大电流整流
知识拓展
认识常见的几种二极管:小功率二极管、大功率二极管、贴片要求:学生课后利用网络查找更多形式的二极管。
二、二极管的导电特性
通过实验来探究学习二极管的导电特性,在做实验之前首先了
(一)认识元件
认识实验中使用的元件:电池、电阻、开关、二极管、指示灯
(二)实验一
请实验小组说明指示灯情况,说明了什么?
结论:灯泡不亮,说明二极管不导通,称为截止状态二极管、发光二极管等。解一下实验所用的元件
请实验小组说明指示灯情况,说明了什么?
结论:指示灯亮,说明二极管导通,称为导通状态。
二极管导通时,其阳极电位高于阴极电位,此时的外加电压称
“正偏”。
(三)实验二
为正向电压,二极管处于正向偏置状态,简称
实验电路如下图:讲解电路构成。
二极管截止时,其阳极电位低于阴极电位,此时的外加电压称为反向电压,二极管处于反向偏置状态,简称
“反偏”。
二极管的导电特性:晶体二极管加正向电压时导通,加反向电压时截止,这一导电特性称为晶体二极管的单向
导电性。
三、二极管的伏一安特性
常利用伏一安特性曲线来形象地描述二极管的单向导电性。所谓伏安特性,是指二极管两端电压和流过二极管电流的关系,可用电路图来测量。若以电压为横坐标,电流为纵坐标,用作图法把电压、电流的对应值用平滑
曲线连接起来,就构成二极管的伏一安特性曲线。
1、正向特性
当二极管两端加正向电压时,就产生正向电流,正向电压较小时,正向电流极小(几乎为零),这一部分称为死区,相应的A(A')点的电压命名为死区电压。
J/mA
二极管正向导通时,要特别注意它的正向电流不能超过最大值,否则将烧坏PN结。
2、反向特性
当二极管两端加上反向电压时,在开始很大范围内,二极管相当于非常大的电阻,反向电流很小,且不随反
向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流,如图 1.2.3中0C(或O C )段所示。
3、反向击穿特性
二极管反向电压加到定数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿。此时的电压称为反向击穿电压
用表示,如图1.2.3中CD(或C'D')段所示。
4、死区电压:锗——0.2V 硅——0.5V
5、导通电压降:锗——0.3V 硅——0.7V
四、半导体二极管的主要参数和分类
1.最大整流电流
最大整流电流是指二极管长期工作时,允许通过的最大平均电会击
流使用正向平均电流能超过此值,否则二极管
穿。
2.最大反向工作电压
最大反向工作电压是指二极管正常工作时,所承受的最高反向压是
电压(峰值)。通常手册上给出的最大反向工作电击穿电压的一半左右。
3.二极管的直流电阻
二极管的直流电阻指加在二极管两端的直流电压与流过二极管约为
的直流电流的比值。二极管的正向电阻较小
几欧到几千欧;反向电阻很大,一般可达零点几兆欧以上
4.最高工作频率
最高工作频率是指二极管正常工作时上、下限频率,它的大小与PN结的结电容有超过此值,二极管单向导电
特性变差。
课后总结:
1、二极管结构及其单向导电性
这次课的重点:
2、死区电压:锗——0.2V 硅——0.5V
2、导通电压降:锗——0.3V 硅——0.7V
4、二极管反向电压加到定数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿。
作业:练习册
板书设计:一、半导体二极管的结构和符号
二、二极管的导电特性
三、二极管的伏—安特性
四、半导体二极管的主要参数和分类