集成电路芯片制造工艺员(师)职业标准(试行)

集成电路芯片制造工艺员（师）职业标准（试行）

一、职业概况

1.1职业名称

IC芯片制造工艺员（师）

1.2职业定义

从事集成电路芯片制造中光刻、氧化扩散、离子注入、淀积刻蚀、镀膜及外围设备保障的操作及维护人员。

1.3职业等级

由低到高设置四个等级：

⑴工艺员（四级）：分为光刻工艺员、氧化扩散工艺员、离子注入工艺员、淀积刻蚀工艺员、镀膜工艺员、外围设备保障工艺员

⑵高级工艺员（三级）：分为光刻高级工艺员、氧化扩散高级工艺员、离子注入高级工艺员、淀积刻蚀高级工艺员、镀膜高级工艺员、外围设备保障高级工艺员

⑶工艺师（二级）：光刻工艺师、氧化掺杂工艺师、离子注入工艺师、刻蚀工艺师、薄膜形成工艺师、测试表证工艺师

⑷高级工艺师（一级）

1.4职业环境条件

净化室内、常温

1.5职业能力特征

手指手臂灵活，色觉、味觉、嗅觉灵敏，视力（包括矫正后）达到1.0以上。

1.6基本文化程度

中等职业学校或高级中学毕业

1.7培训要求

1．7．1培训期限

全日制职业学校教育根据其培训目标和教学计划确定。

晋级培训，工艺员不少于 160 标准学时；高级工艺员不少于 160 标准学时；工艺师不少于 160 标准学时；高级工艺师不少于 160 标准学时。

1．7．2培训教师

培训工艺员的教师，应具有本职业高级以上职业资格或具有相关专业中级以上专业技术职称；培训高级工艺员的教师应具有本职业技师以上职业资格或具有相关职业中级以上专业技术职称；培训工艺师的教师，应取得本职业高级工艺师职业资格4年以上，或具有相关专业高级专业技术职称，并具有丰富的生产组织和工艺实践经验；培训高级工艺师的教师，应取得本职业高级技师职业资格6年以上，或具有相关专业高级专业技术职称，并具有丰富的生产组织和工艺实践经验、有较深的专业造诣。

1．7．3培训场地设备

标准教室；

具备必要的模拟仿真器具及IC芯片制造所需的设备和工具的技能训练场所。

1.8鉴定要求

1.8.1适用对象

从事或准备从事本职业的技术人员

1.8.2申报条件

工艺员（具备以下条件之一者）：

⑴经本职业工艺员培训达规定学时数。

⑵连续从事本职业2年以上。

⑶中等职业学校本专业毕业。

高级工艺员：

⑴取得本职业工艺员职业资格证书后，连续从事本职业工作2年以上。

⑵高等院校本专业毕业，连续从事本职业工作1年以上。

工艺师：取得本职业一种相应的高级工艺员职业资格后，连续从事本职业工作2年以上；测试表证工艺师须取得本职业一种高级工艺员职业资格后，连续从事本职业工作2年以上。

高级工艺师：取得本职业工艺师职业资格后，连续从事本职业工作3年以上。

1.8.3鉴定方式

分为知识考试和技能操作考核。知识考试采用闭卷笔试，技能操作考核采用实际操作结合模拟仿真方式进行。两项考试（考核）均采用百分制，皆达60分以上者为合格。工艺师、高级工艺师还须进行综合评审。

工艺员、高级工艺员及工艺师的技能操作考核在提供的各工种模块中选考其一。

1.8.4考评人员与考生配比

理论知识考试原则上按每20名考生配1名考评人员（20∶1），技能操作考核原则上按每5名考生配1名考评人员（5∶1）。

1.8.5鉴定时间

各等级理论知识考试时间均为 90 分钟，技能操作考核时间为 180 分钟。

1.8.6鉴定场地设备

基知识考场所为标准教室。

技能鉴定场所应具备满足技能鉴定需要的模拟仿真器具及IC芯片制造工艺所需的工具和设备。

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二、基本要求

2.1职业道德

2.1.1职业道德基本知识

2.1.2职业守则

三、工作要求

3.1各等级“职业功能”的“工作内容”一览

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3.2工作要求表

3.2.1工艺员（四级）——光刻工艺员、氧化扩散工艺员、离子注入工艺员、淀积刻蚀工艺员、镀膜工艺员、外围设备保障工艺员

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3.2.2高级工艺员（三级）——光刻高级工艺员、氧化扩散高级工艺员、离子注入高级

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3.2.3工艺师（二级）——光刻工艺师、氧化掺杂工艺师、离子注入工艺师、薄膜形成

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四、比重表

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