【CN110047782A】一种红外探测芯片的真空封装装置及方法【专利】
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910227556.7
(22)申请日 2019.03.25
(71)申请人 江苏鼎茂半导体有限公司
地址 215000 江苏省苏州市工业园区东富
路8号东景工业坊13栋北门
(72)发明人 林明芳 陈俊宇 郭信良
(74)专利代理机构 苏州市中南伟业知识产权代
理事务所(普通合伙) 32257
代理人 查杰
(51)Int.Cl.
H01L 21/67(2006.01)
H01L 27/146(2006.01)
(54)发明名称
一种红外探测芯片的真空封装装置及方法
(57)摘要
本发明公开了一种红外探测芯片的真空封
装装置及方法,包括第一烘烤除气腔体、第二烘
烤除气腔体、第一激活除气腔体、第二激活除气
腔体和封焊主腔体;第一烘烤除气腔体与封焊主
腔体间通过第一输送道连接,第一输送道与第一
烘烤除气腔体的连接处设置有第三腔门,第一输
送道与封焊主腔体的连接处设置有第四腔门;第
一激活除气腔体与封焊主腔体通过第二输送管
道连接,第二输送道与封焊主腔体的连接处设置
有第五腔门,第二输送管道与第一激活除气腔体
的连接处设置有第六腔门;第二烘烤除气腔体与
第一输送管道间设置有第三输送管道,第三输送
管道与第二烘烤除气腔体的连接处设置有第八
腔门,第三输送管道与第一输送管道的连接处设
置有第九腔门;第二激活除气腔体与第二输送管
道间设置有第四输送管道,第四输送管道与第二
激活除气腔体间设置有第十二腔门,第四输送管
道与第二输送管道间设置有第十二腔门。其能够缩短抽真空时间,提高产能,
工作效率高。权利要求书3页 说明书7页 附图2页CN 110047782 A 2019.07.23
C N 110047782
A
权 利 要 求 书1/3页CN 110047782 A
1.一种红外探测芯片的真空封装装置,其特征在于,包括第一烘烤除气腔体、封焊主腔体和第一激活除气腔体;所述第一烘烤除气腔体上设置有第一腔门,所述第一激活除气腔体上设置有第二腔门;所述第一烘烤除气腔体与封焊主腔体间通过第一输送道连接,所述第一输送道与第一烘烤除气腔体的连接处设置有第三腔门,所述第一输送道与封焊主腔体的连接处设置有第四腔门;所述第一激活除气腔体与封焊主腔体通过第二输送管道连接,所述第二输送道与封焊主腔体的连接处设置有第五腔门,所述第二输送管道与第一激活除气腔体的连接处设置有第六腔门;所述真空封装装置还包括第二烘烤除气腔体和第二激活除气腔体;所述第二烘烤除气腔体上设置有第七腔门;所述第二烘烤除气腔体与第一输送管道间设置有第三输送管道,所述第三输送管道与第二烘烤除气腔体的连接处设置有第八腔门,所述第三输送管道与第一输送管道的连接处设置有第九腔门;所述第二激活除气腔体上设置有第十腔门;所述第二激活除气腔体与第二输送管道间设置有第四输送管道,所述第四输送管道与第二激活除气腔体间设置有第十二腔门,所述第四输送管道与第二输送管道间设置有第十二腔门。
2.如权利要求1所述的红外探测芯片的真空封装装置,其特征在于,还包括第三烘烤除气腔体和第三激活除气腔体;所述第三烘烤除气腔体上设置有第十三腔门,所述第三烘烤除气腔体与所述第一输送管道间设置有第五输送管道,所述第五输送管道与所述第三烘烤除气腔体的连接处设置有第十四腔门,所述第五输送管道与第一输送管道的连接处设置有第十五腔门;所述第三激活除气腔体上设置有第十六腔门,所述第三激活除气腔体与所述第二输送管道间设置有第六输送管道,所述第六输送管道与所述第三激活除气腔体的连接处设置有第十七腔门,所述第六输送管道与第二输送管道的连接处设置有第十八腔门。
3.一种红外探测芯片的真空封装方法,基于权利要求2所述的红外探测芯片的真空封装装置,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、所述封焊主腔体加热至恒温并抽真空;
步骤二、向所述第一烘烤除气腔体、第二烘烤除气腔体和第三烘烤除气腔体内皆放入第一材料,之后第一烘烤除气腔体、第二烘烤除气腔体和第三烘烤除气腔体皆加热至恒温并抽真空,对第一材料做烘烤除气处理;
步骤三、向所述第一激活除气腔体、第二激活除气腔体和第三激活除气腔体内皆放入第二材料,之后第一激活除气腔体、第二激活除气腔体和第三激活除气腔体皆加热至恒温并抽真空,对第二材料做除气激活处理;
步骤四、打开第八腔门,将所述第二烘烤腔体中的第一材料移动至第三输送道,关闭第八腔门,之后打开第九腔门和第四腔门,再将第二烘烤腔体中的第一材料经第一输送道推入封焊主腔体,之后关闭第九腔门和第四腔门;
步骤五、打开第十一腔门,将所述第二激活除气腔体中的第二材料移送至第四输送道,关闭第十一腔门,之后打开第十二腔门和第五腔门,再将所述第二激活除气腔体中的第二材料经第二输送道推入封焊主腔体,之后关闭第十二腔门和第五腔门;
步骤六、所述封焊主体腔的炉温升高至熔点温度,保温并抽真空,此过程中第一焊料和第二焊料融合使得第一材料与第二材料结合,获得成品,之后所述封焊主体腔的温度在真空下自然降温至常温状态;所述第一材料和/或第二材料包括焊料片,所述熔点温度为焊料片的熔点;
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