薄膜材料概述.详解

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薄膜材料概述
培训测试部 陈维涛 2016年3月18日
目录
Leading Physical Property Analysis of Thin-Film Materials
薄膜材料定义 薄膜的制备 薄膜材料性质 薄膜物性检测
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薄膜材料历史
最古老的薄膜:薄膜制备可上 溯至三千多年前的中国商代, 那时我们的祖先就已经会给陶 瓷上“釉”了。汉代发明了用 铅作助溶剂的低温铅釉。到了 唐、宋时代,中国人的彩釉工 艺达到了顶峰。釉涂层不仅是 漂亮的装饰层,而且增加了陶 瓷器的机械强度,还使其不易 污染、便于清洗。
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薄膜制备方法
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薄膜制备分类 1、物理气相沉积(PVD)
采用物理方法使物质的原子或分子逸出,然后沉积 在基片上形成薄膜的工艺
根据使物质的逸出方法不同,可分为蒸镀、溅射和 离子镀 (1)真空蒸镀
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薄膜材料定义与分类
当固体或液体的一维线性尺度远远小于其他 二维时,我们将这样的固体或液体称为膜。
薄膜材料
涂层或厚膜 (>1um)
薄膜(<1um)
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玻璃
晶圆
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薄膜制备分类
(3)离子镀
离子镀是在真空蒸镀得基础上,在热蒸发源 与基片之间加一电场(基片为负极),在真空 中基片与蒸发源之间将产生辉光放电,使气体 和蒸发物质部分电离,并在电场中加速,从而 将蒸发的物质或与气体反应后生成的物质沉积 到基片上。
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薄膜材料历史
可能最早的纳米薄膜 :古代铜镜表面的防 锈层(纳米氧化锡薄 膜)
其年代可以追溯到商 代,甚至更早
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薄膜材料优点
✓ 薄膜很薄,是实现微型化的主要手段. ✓ 薄膜是制备新型功能器件的有效手段. ✓ 探索物质秘密的有力手段. ✓ 获得常规情况下难以获得的物质. ✓ 获得特殊界面结构的膜层. ✓ 自动化控制.
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薄膜制备分类
2、化学气相沉积(CVD)
化学气相沉积是使含有构成薄膜元素的一种或几种 化合物(或单质)气体在一定温度下通过化学反应生 成固态物质并沉积在基片上而生成所需薄膜的方法。
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薄膜的形成机理
薄膜的生长过程 (1) 核生长型(Volmer Veber型) 特点:到达衬底上的沉积原子首先凝聚成核 ,后续飞来的沉积原子不断聚集在核附近,使核 在三维方向上不断长大而最终形成薄膜。 这种类型的生长一般在衬底晶格和沉积膜晶 格不相匹配(非共格)时出现,大部分的薄膜的 形成过程属于这种类型。
离子束溅射工作原理 图
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薄膜制备分类 磁控溅射
磁控溅射SiO2装置图
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一般在衬底原子与沉积原子之间的键能接近于沉积 原子相互之间键能的情况下(共格)发生这种生长方 式的生长。
以这种方式形成的薄膜,一般是单晶膜,并且和衬 底有确定的取向关系。例如在Au衬底上生长Pb单晶膜 、在PbS衬底上生长PbSe单晶膜等。
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薄膜基底种类
基底又称:基片,衬底
陶瓷基底 金属基底 各种工具刀具件 玻璃基底 树脂基底 高分子基底 柔性基底
单晶硅
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薄膜的形成机理
核生长型薄膜形成的四个阶段 1.成核:在此期间形成许多小的晶核,按统计规律分 布在基片表面上; 2.晶核长大形成较大的岛:这些岛具有小晶体的形状; 3.岛与岛之间聚接形成含有空沟道的网络 4.沟道被填充:在薄膜的生长过程中,当晶核一旦形 成并达到一定尺寸之后,另外再撞击的离子不会形成 新的晶核,而是依附在已有的晶核上或已经形成的岛 上。分离的晶核或岛逐渐长大彼此结合便形成薄膜。
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薄膜
薄膜有很多异于块体材料的优势,但是薄膜 并不是由块体材料直接压制都成,只有专业制膜 设备生成的膜才能称为正真意义上的薄膜。
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它可分为离子束溅射 和磁控溅射
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薄膜制备分类
离子束溅射
它由离子源、离子引出 极和沉积室3大部分组成, 在高真空或超高真空中溅射 镀膜法。利用直流或高频电 场使惰性气体(通常为氩) 发生电离,产生辉光放电等 离子体,电离产生的正离子 和电子高速轰击靶材,使靶 材上的原子或分子溅射出来, 然后沉积到基板上形成薄膜。
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薄膜的形成机理
(2) 层生长型(Frank-Vanber Merwe型)
特点:沉积原子在衬底的表面以单原子层的形式均 匀地覆盖一层,然后再在三维方向上生长第二层、第 三层……。
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薄膜的形成机理
在薄膜的三种生长方式种,核生长型最为普遍, 在理论上也较为成熟,我们主要讨论这种类型的形 成机理。
小岛成核 核长大 结合
沟道
孔洞 连续膜
①小岛阶段—②结合阶段—③沟道阶段—④连续薄膜
薄膜材料定义 薄膜的制备 薄膜材料性质 薄膜物性检测
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薄膜制备方法
湿式成膜 薄膜材料的制备技术
干式成膜
电镀
化学镀 阳极氧化 涂覆法(喷涂、甩胶、浸涂) 溶胶-凝胶膜
物理气相沉积技术 (真空蒸镀、溅射镀膜……)
化学气相沉积技术 (热CVD、光CVD……)
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特点:设备可以比较简单,沉积速率高,沉积薄膜 范围广,覆盖性好,适于形状比较复杂的基片,膜较 致密,无离子轰击等优点。特别是在半导体集成电路 上得到广泛应用
常用的气态物质有各种卤化物、氢化物及金属有机 化合物等,化学反应种类很多,如热解、还原、与水 反应、与氨反应等
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材料保护涂层
材料装饰涂层 光电子学薄膜 微电子学薄膜 其它功能薄膜 (力、热、磁、生物等)
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日常生活中的薄膜材料
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日常生活中的薄膜材料
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薄膜制备分类
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薄膜制备分类
(2)溅射(Sputtering)
当具有一定能量的粒 子轰击固体表面时,固 体表面的原子就会得到 粒子的一部分能量,当 获得能量足以克服周围 原子得束缚时,就会从 表面逸出,这种现象成 为“溅射”
把待镀的基片置于真空室内,通过加热使蒸发材 料气化(或升华)而沉积到某一温度基片的表面上, 从而形成一层薄膜,这一工艺称为真空蒸镀法
蒸发源可分为:电阻加热、电子束加热和激光加热等
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薄膜学
薄膜的历史,要追溯到三千多年以前。 近30年来,真正作为一门新型的薄膜科学与技
术。 目前,薄膜材料已是材料学领域中的一个重要
分支,它涉及物理、化学、电子学、冶金学等 学科,在国防、通讯、航空、航天、电子工业 、光学工业等方面有着特殊的应用,逐步形成 了一门独特的学科“薄膜学”。
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化学气相沉积CVD
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薄膜制备分类
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
原料主要是金属(非金属)烷基化合物。 优点是可以精确控制很薄的薄膜生长,适于制 备多层膜,并可进行外延生长。
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薄膜的形成机理
(3) 层核生长型(Straski Krastanov型) 特点:生长机制介于核生长型和层生长
型的中间状态。当衬底原子与沉积原子之间的 键能大于沉积原子相互之间键能的情况下(准 共格)多发生这种生长方式的生长。
在半导体表面形成金属膜时常呈现这种方式 的生长。例如在Ge表面上沉积Cd,在Si表面上 沉积Bi、Ag等都属于这种类型。
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磁控溅射
在被溅射的靶极(阳极)与阴极之间加一个正交磁场和 电场,电场和磁场方向相互垂直。当镀膜室真空抽到设定值 时,充入适量的氩气,在阴极(柱状靶或平面靶)和阳极(镀膜 室壁)之间施加几百伏电压,便在镀膜室内产生磁控型异常辉 光放电,氩气被电离。在正交的电磁场的作用下,电子以摆 线的方式沿着靶表面前进,电子的运动被限制在一定空间内, 增加了同工作气体分子的碰撞几率,提高了电子的电离效率。 电子经过多次碰撞后,丧失了能量成为 “最终电子”进入弱 电场区,最后到达阳极时已经是低能电子,不再会使基片过 热。同时高密度等离子体被束缚在靶面附近,又不与基片接 触,将靶材表面原子溅射出来沉积在工件表面上形成薄膜。 而基片又可免受等离子体的轰击,因而基片温度又可降低。 更换不同材质的靶和控制不同的溅射时间,便可以获得不同 材质和不同厚度的薄膜。
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薄膜的形成机理
三种不同的薄膜生长方式
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