芯片互连 -热压键合

利用微电弧使φ25~φ50um的Au丝端头熔化成球状,通过送丝压头将球 状端头压焊在裸芯片电极面的引线端子,形成第1键合点。
然后送丝压头提升，并向基板位置移动，在基板对应的导体端子上形 成第2键合点，完成引线连接过程。
热压键合工艺原理
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键合所施加的压力使金球发生很大的塑性形变，其表面上的滑移线使洁净面呈 阶梯状，并在薄膜上也切除相应的凹凸槽，表面的氧化膜被氧化，洁净面之间相互 接触，发生扩散，产生了连接。
热压键合工艺流程
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EFO打火杆在磁嘴 前将金属线烧成球
Cap下降到芯片的 Pad上，加热和力形 成第一焊点
Cap牵引金线上升
Cap运动轨迹形成良 好的Wire Loop
Cap下降到基板焊盘上， 形成楔形焊接
Cap侧向划开金属线， 形成鱼尾状接点
Cap上提，完成一 次动作
热压键合注意事项
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1、利用加压加热，使金属丝与焊接区达到原子间的键合度； 2、基板和芯片温度能达到150℃； 3、这种键合一端是球形，一端是楔形； 4、金属线的材料则多为金丝。
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集成电路封装与测试
芯片互连
目录/Contents
01
芯片互连技术概述
02
引线键合技术概述
03
超声波键合技术
04
ห้องสมุดไป่ตู้
热压键合技术
05
热超声波键合技术
04 热压键合技术
热压键合（TCB）
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定义： 热压键合是引线在热压头的压力下,高温加热( > 250 ℃)焊丝发生形变,
通过对时间、温度和压力的调控进行的键合方法