缺陷的类型

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第三章 晶体结构缺陷——3.1 缺陷的类型
热缺陷的产生和复合始终处于一种动态平衡。
第三章 晶体结构缺陷——3.1 缺陷的类型
资源加工与生物工程学院
(1)热缺陷类型 1)弗仑克尔缺陷(Frenkel defect)
1926年由Frenkel发现并提出。
形成机制:正常晶格质点跃入间隙位,在原晶
格结点则出现空位。见图(a)。
特点:空位和间隙质点成对出现; 晶体体积不发生改变。
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晶体结构缺陷的含义:
晶体点阵结构中周期性势场的畸变。 Ideal crystal:质点严格按照空间点阵排列。
Actual crystal :存在各种各样的结构不完整性。
缺陷对材料性能的影响: 导电性、颜色、发光、材料高温动力学过程
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伸,在第三维方向上很小。
如:表面、晶界、堆积层错、镶嵌结构等。 面缺陷的取向及分布与材料的断裂韧性有关。
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面缺陷-晶界(grain boundary)
(a)倾斜晶界(tilt boundary ); (b)扭转晶界(twist boundary )
4. 电荷缺陷(electron defect)
5. 辐照缺陷(irradiation defect)
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1. 热缺陷
指由于热起伏所产生的空位或间隙质点(原子
或离子),亦称为本征缺陷。 热起伏:指能量的不均衡,质点中总有一部分高能
质点能够克服周围质点对它的束缚而跃迁;
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(a)弗仑克尔缺陷的形成 (空位与间隙质点成对出现)
(b)单质中的肖特 基缺陷的形成
热缺陷产生示意图
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2)肖特基缺陷(Schottky defect)
1934年由Schotteky发现并提出。
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面缺陷-堆积层错
面心立方晶体中的抽出型层错(a)和插入型层错(b)
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面缺陷-共格晶面
面心立方晶体中{111}面反映孪晶 第三章 晶体结构缺陷——3.1 缺陷的类型
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1. 点缺陷(零维缺陷)
缺陷尺寸处于原子大小的数量级上,即三维方向上缺陷 的尺寸都很小。包括: 空位(vacancy) 间隙质点(interstitial particle),亦称为填隙质点 杂质质点(foreign particle)→ 固溶体 点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力 学过程等有关。
关。
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(a)
(b) (a) 刃位错(edge dislocation); (b) 螺位错(screw dislocation)
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3. 面缺陷(二维缺陷)
指在二维方向上偏离理想晶体周期性、规则性 排列而产生的缺陷,即缺陷尺寸在二维方向上延
离子晶体中:CaF2型结构。
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2. 杂质缺陷 (固溶体)
是由外加杂质的引入所产生的缺陷,亦称为组成缺陷或非
本征缺陷。
特征:若杂质含量在固溶体溶解度范围内,则杂质缺陷浓
度与温度无关,只与杂质含量有关。
杂质缺陷对材料性能的影响:微量杂质缺陷会极大改变基 质晶体的物理性质,如:导电性、发光、颜色等,研究 和利用这种缺陷的作用原理,对固溶体形成、材料改性、 制备性能优越的固体器件等具有十分重要的意义。
形成机制:质点跃迁至表面形成新的结点,而
在晶体内部留下空位。见图3-1-6(b)。
特点:晶体中只有空位;
正离子空位与负离子空位成对出现; 晶体体积增大,晶格常数变化。
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(2)热缺陷浓度与温度的关系
对于某种特定材料: 温度一定,热缺陷浓度一定; 随温度升高,热缺陷浓度呈指数增加。
3.1 缺陷的类型
分类方式:
几何形态:点缺陷、线缺陷、面缺陷等 形成原因:热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺陷等
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一、按缺陷的几何形态分类
1. 点缺陷(point defect) 2. 线缺陷(line defect) 3. 面缺陷(face defect) 4. 体缺陷(body defect)
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(a) 空位
(b) 杂质质点
(c) 间隙质点
晶体中的点缺陷
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2. 线缺陷(一维缺陷)
指在一维方向上偏离理想晶体周期性、规则性排列
所产生的缺陷,即缺陷尺寸在一维方向较长,另外二 维方向上很短。 如:各种位错(dislocation)。 线缺陷的产生及运动与材料的韧性、脆性密切相
4. 体缺陷(三维缺陷)
指在局部的三维空间偏离理想晶体的周期
性、规则性排列而产生的缺陷。 如第二相粒子团、空位团等。 体缺陷与物系的分相、偏聚等过程有关。
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二、按缺陷产生的原因分类
1. 热缺陷(thermal defect) 2. 杂质缺陷( foreign defect) 3. 非化学计量缺陷 ( nonstoichiometric defect)
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(3)缺陷形成和晶体结构的关系
晶体结构中空隙较小,且正、负离子半径相差
较小 → 肖氏缺陷
如,NaCl型:NaCl、MgO、CaO等。
晶体结构中空隙较大,且正、负离子半径相差
较大 → 弗氏缺陷
如,金属晶体中:简单立方、体心立方;
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