低频电子线路模拟试题及答案试卷

模拟综合试卷一

一．填充题

1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是 a ，

b 。

2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是

a ,

b 。

3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。

4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。

5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为

。

6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于

状态。

7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i1=u i2,则输出电压为V；若u i1=1500µV, u i2=500µV，则差模输入电压u id为µV，共模输入信号

u ic为µV。

8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。

9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。

10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；

组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受

最高反向电压。频带最宽的是组态。

二．选择题

1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，I CBO,u BE的变化情况为（）。

A．β增加，I CBO,和 u BE减小 B. β和I CBO增加，u BE减小

C．β和u BE减小，I CBO增加 D. β、I CBO和u BE都增加

2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）

A.输入电阻

B. 输出电阻

C. 击穿电压

D. 跨导

3．双端输出的茶分放大电路主要（）来抑制零点飘移。

A. 通过增加一级放大

B. 利用两个

C. 利用参数对称的对管子

D. 利用电路的对称性

4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。

A.变大

B. 变小

C. 不变

D. 无法判断

5．差分放大电路的共模抑制比K CMR越大，表明电路（）

A. 放大倍数越稳定

B. 交流放大倍数越大

C. 直流放大倍数越大

D. 抑制零漂的能力越强

6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。

A. 带宽

B. 稳定性

C. 增益

D. 输入电阻

7．为了使运放工作于线性状态，应（）

A. 提高输入电阻

B. 提高电源电压

C. 降低输入电压

D. 引入深度负反馈

8．在正弦振荡电路中，能产生等幅振荡的幅度条件是（）。

A. ÀF=1

B. ÀF>

C. ÀF<1

D. ÀF=1

9．振荡电路的振荡频率，通常是由（）决定

A. 放大倍数

B. 反馈系数

C. 稳定电路参数

D. 选频网络参数

10．在串联型线性稳定电路中，比较放大环节放大的电压是（）

A. 取样电压与基准电压之差

B. 基准电压

C. 输入电压

D. 取样电压

三．分析计算题

1，如图所示的放大电路中，已知R b1=16kΩ, R b2=11kΩ, R c1=0.5kΩ, R c2=2.2kΩ, R E1=0.2kΩ, R E2=2.2kΩ, R L=2.2kΩ，β=80, u BE=0.7V, V CC=24V。试求：

（1）静态工作点

（2）画出微变等效电路

（3）电压发达倍数

（4）输入电阻Ri、输出电阻Ro

2. 如图所示为N沟道结型结构的场效应管放大电路中，已知V P=-4v，I DSS=1mA， V DD=16v，

R G1=160kΩ,，R G2=40kΩ，R G=1MΩ，R D=10kΩ，R S=8kΩ，R L=1MΩ。试求：

（1）静态工作点Q

（2）画出微变等效电路

（3）电压放大倍数A u

（4）输入电阻Ri、输出电阻Ro

3．如下图所示的反馈电路，试求：

（1）用瞬时极性法在电路图上标出极性，并指出反馈的类型；

（2）说明反馈对输入电阻和输出电阻的影响；

（3）在深度负反馈条件下的闭环电压放大倍数。

4．如图所示的运算放大电路中，已知R1=R2=10k, R5=15k, R3=R4= R6 =30k, R F3=30k,

R Fi =R F2=10k, E1=3V, E2=4V, E3=3V。试求：

（1）指出A1 、 A2 、A3运算放大功能；

（2）计算输出电压u o1、u o2 和u o 。

5．如图所示的单相桥式电容滤波整流电路，交流电源频率f=50Hz, 负载电阻R L=120Ω,要求：直流电压u o=30v, 试选择整流元件及滤波电容C。

模拟电路试卷一答案

一．填充题

1．深度反馈同相输入点接地 2. 稳定直流工作点抑制零点漂移

3．小 4. 截止 5. 180 o 90 o 大于90 o 小于180 o

6. 效率低甲乙类

7. 0 500 100

8. 低 9. 晶体管结电容 10. 共集共集共射共集共基

二．选择题

1．B 2. D 3. C 4. 5. D 6. C 7. D 8. A 9. D 10. A