(整理)4场效应晶体管及其电路.

第四章 场效应晶体管及其电路

【场效应管，7学时】

1. MOS 场效应管

EMOS 场效应管：DMOS 场效应管；四种MOS 场效应管比较；小信号模型分析方法

2. 结型场效应管

工作原理：伏安特性

3. 场效应管应用原理

§4.1 场效应管（FET ）

场效应管是一种利用电场效应来控制电流大小的半导体器件。其特点是控制端基本上不需要电流，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。它在工作过程中只有一种载流子参与导电——多子。（而在半导体三极管的工作过程中，管子内部的多子和少子都参与导电。因此，称场效应管为单极型晶体管，称半导体三极管为双极型晶体管）。

从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N 沟道器件和空穴作为载流子的P 沟道器件。从场效应三极管的结构来划分，它有结型场效应三极管JFET （Junction type Field Effect Transister ）和绝缘栅型场效应三极管IGFET （ Insulated Gate Field Effect Transister ） 之分。IGFET 也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semicon-ductor FET ）。从工作方式又分为增强型和耗尽型，由于结构和工作原理的特点，结型场效应管只有耗尽型。

一. 结型场效应管（JFET ）【1学时】

1. 结构、电路符号及其特点（以N 沟道为例）

结型场效应三极管的结构如图4.1所示，它是在N 型半

导体的两侧扩散高浓度的P 型区（用P ＋

表示），形成两个

PN 结夹着一个N 型沟道的结构。两个P 区用欧姆接触电极

连在一起即为栅极G ，N 型半导体的一端引出为漏极D ，另

一端为源极S 。箭头由P 指向N 。

实际的JFET 的结构如图4.1所示。

电极D(Drain)称为漏极，相当双极型三极管的集电极；

⎪⎪⎪⎪⎩

⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎩⎨⎧⎩⎨⎧沟道沟道耗尽型沟道沟道增强型绝缘栅型场效应管沟道沟道结型场效应管场效应管P N P N P

N 图4.1 结型场效应三极管的结构

G(Gate)称为栅极，相当于基极；S(Source)称为源极，相当于发射极。

2. JFET 的工作原理

（1）当V DS =0时，V GS 由零向负值增加：PN 结耗尽层变宽，导电沟道变窄，沟道电阻增大，导电能力减弱。V GS = V P ，两个耗尽层相遇，导电沟道消失，此时的栅源电压称为夹断电压（为负值）。

（2）当V GS =0时，V DS 由零向正值增加：教材P158

V GD =V GS -V DS

呈楔形分布。当V DS 增加到使V GD =V GS —V DS =V GS(off)时，在紧靠漏极处出现预夹断；当V DS 继续增加，漏极处的夹断继续向源极方向生长延长。（FET 开始进入放大区）

（3）G 、S 间加负电压，D 、S 间加正电压：G 、S 间的负电压使耗尽区变宽，导电沟道变窄；D 、S 间的正电压使耗尽区呵导电沟道进一步变淂不等宽。

3. JFET 的特性曲线

（1）输出特性

分为三个区：

①可变电阻区：受栅源电压控制的可变电

阻。栅源电压越负，输出特性曲线越倾斜，漏

源间的等效电阻就越大。

②饱和区（恒流区、线性放大区）：此时

流过漏源电流为饱和电流I DSS 。

③击穿区：漏源电压过高>V BRDS ，PN 结发

生雪崩击穿。

（2）转移特性教材P161 二. IGFET （MOS 管）【1学时】

1. 结构、电路符号及其工作原理

（1）增强型（E 型）NMOS 管结构

N 沟道增强型MOSFET 基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P 型半导体上生成一层SiO 2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N 型区，从N 型区引出电极，一个是漏极D ，一个是源极S 。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G 。P 型半导体称为衬底，用符号B 表示。 工作原理

①栅源电压V GS 的控制作用

当V GS =0 V 时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D 、S 之间加上电压不会在D 、S 间形成电流。

当栅极加有电压时，若0＜V GS ＜V GS(th)时，通过栅极和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方的P 型半导体中的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。耗尽层中的少子将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，将漏极和源极沟通，所以仍然不足以形成漏极电流I D 。

进一步增加V GS ，当V GS ＞V GS(th)时（ V GS(th) 称为开启电压），由于此时的栅极电压已经比较强，在靠近栅极下方的P

型半导体表层中聚集较多的电子，可以形成沟道，将漏极和源极沟通。如果此时（a ） 漏极输出特性曲线 （b ） 转移特性曲线 图4.2 N 沟道结型场效应管的特性曲线

加有漏源电压，就可以形成漏极电流I D 。在栅极下方形成的导电沟道中的电子，因与P 型半导体的载流子空穴极性相反，故称为反型层。随着V GS 的继续增加，I D 将不断增加。在V GS =0V 时I D =0，只有当V GS ＞V GS(th)后才会出现漏极电流，这种MOS 管称为增强型MOS 管。

V GS 对漏极电流的控制关系可用i D =f (v GS )∣V DS =const 这一曲线描述，称为转移特性曲线，见图4.3。

转移特性曲线的斜率g m 的大小反映了栅源电压对漏极电流

的控制作用。 g m 的量纲为mA/V ，所以g m 也称为跨导。

跨导的定义式如下：

g m =∆I D /∆V GS ∣ const DS =U (单位mS)

②漏源电压V DS 对漏极电流I D 的控制作用

当V GS ＞V GS(th)，且固定为某一值时，来分析漏源电压V DS 对

漏极电流I D 的影响。V DS 的不同变化对沟道的影响如图所示。根据此图可以有如下关系

V DS =V DG ＋V GS = —V GD ＋V GS

V GD =V GS —V DS

当V DS 为0或较小时，相当V GD ＞V GS(th)，沟道分布如图，此时V DS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。在紧靠漏极处，沟道达到开启的程度以上，漏源之间有电流通过。

当V DS 增加到使V GD =V GS(th)时，沟道如图所示。这相当于V DS 增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断，此时的漏极电流I D 基本

饱和。当V DS 增加到V GD

示。此时预夹断区域加长，伸向S 极。 V DS 增

加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上，

I D 基本趋于不变。

当V GS ＞V GS(th)，且固定为某一值时，V DS 对

I D 的影响，即i D =f (v DS )∣V GS =const 这一关系曲线如图4.4所示。这一曲线称为漏极输出特性曲线。

（2）耗尽型（D 型）NMOS 管

N 沟道耗尽型MOSFET 的结构和符号如图

4.5(a)所示，它是在栅极下方的S i O 2绝缘层中掺

入了大量的金属正离子。所以当V GS =0时，这些

正离子已经感应出反型层，形成了沟道。于是，

只要有漏源电压，就有漏极电流存在。当V GS ＞

0时，将使I D 进一步增加。V GS ＜0时，随着V GS

的减小漏极电流逐渐减小，直至I D =0。对应I D =0

的V GS 称为夹断电压，用符号V GS(off)表示，有时

也用V P 表示。N 沟道耗尽型MOSFET 的转移特

性曲线如图4.5(b)所示。

(a) 输出特性曲线 (b)转移特性曲线

图4.4 漏极输出特性曲线和转移特性曲线

(a) 结构示意图 (b) 转移特性曲线 图4.5 N 沟道耗尽型MOSFET 的结构和转移特性曲线

图4.3 转移特性曲线