HIT高效太阳电池简介

p layer a-Si Deposition
Process
TCO Deposition (Surface)
TCO Deposition (Backside)
Apparatus of TCO deposition
Electrode
Testing & Assemble a Module (same with conventional c-Si PV)
HIT高效太阳电池简介
(Heterojunction with Intrinsic Thin -layer)
晶体硅太阳电池结构示意图
薄膜硅太阳电池的典型结构
HIT电池结构示意图
光照侧 p/I a-Si 5~10nm
N型晶体硅 156X156 200um厚
i/n a-Si 背光侧 5~10nm
Structure
Conventional PN PV Hetero Junctioห้องสมุดไป่ตู้ PV
Surface Ag / SiN / c-Si(n) / c-Si(p)
Surface Ag / TCO / a-Si(p) / a-Si(i) / c-Si(n) / a-Si(i) / a-Si(n) / TCO / Ag Backside
HIT电池的技术关键
• • • • • • • 高质量非晶硅膜的生成; 单晶硅表面织绒结构 TCO膜的光吸收 薄膜化(薄片化); 多结高效化 属于日本三洋公司的专利; 非标准制程设备;
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Apparatus of Electrode printing
为什么HIT电池具有高的转换效率?
1. 所有制作过程都低于200℃，不会因高温杂质扩 散而影响载流子寿命； 2. 双面制结,可充分利用背面光线; 3. 采用N型硅片,其载流子寿命远大于P型硅; 4. 硅片薄,有利于载流子穿过衬底被电极吸收; 5. 表面织构化,可降低对太阳光的反射; 6. 表面沉积非晶硅,吸收太阳光系数大; 7. PECVD沉积过程中产生原子氢可对晶界进行纯化. 8. 异质结,开路电压高.
Saw Damage Etching
Texture Etching
Apparatus of Wet treatment
Process
i layer a-Si Deposition
n layer a-Si Deposition
i layer a-Si Deposition
Apparatus of Plasma CVD Wafer Temperature ~200℃
HIT电池制作过程
1. 2. 3. 4. 5. N型硅片(200um,1Ωcm)表面织构化; 用PECVD在晶硅正面沉积i/P非晶硅; 用PECVD在晶硅背面沉积i/N非晶硅; 用溅射技术在电池两面沉积透明TCO; 用丝网印刷技术在TCO上制作银电极;
Process
Carrier life time WAFER IN 100μs～
/ Al / Ag
Backside
HIT高效太阳电池特点
1. (光照侧)P/I非晶硅薄膜和(背面侧)I/N非晶 硅薄膜夹住N型单晶硅片; 2. 两侧顶层形成透明的电极(TCO) 3. 电池对称结构,双面受光; 4. 非晶硅/单晶硅电池的结合,吸收太阳光谱 范围宽; 5. 非晶硅PN结,能在200℃以下低温下沉积;
HIT电池优点
集中了非晶硅薄膜电池和晶体硅高迁移率的优势. 制备工艺简单。 温度系数仅是晶硅太阳电池的一半 (-0.2%/℃). 双面结构在任何角度都可以增加光吸收,通常水 平安装时发电效率可高出10%;垂直安装时可高 出34%. 5. 三洋公司已在大面积上获得21%的高效率. 6. 具有实现高效率和低成本硅太阳电池的发展前景; 7. HIT电池商业化发展很快, 已占整个光伏市场的 5%. 1. 2. 3. 4.