_第1章 电子技术中常用半导体器件

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P型半导体
在硅（或锗）晶体中掺入微量的三价元素杂质硼（或其他），硼原 子在取代原晶体结构中的原子并构成共价键时，将因缺少一个价电子而 形成一个空穴。当相邻共价键上的电子受到热振动或在其他激发条件下 获得能量时，就有可能填补这个空穴，使硼原子得电子而成为不能移动 的负离子；而原来的硅原子共价键则因缺少一个电子，出现一个空穴。 于是半导体中的空穴数目大量增加。空穴成为多数载流子，而自由电子 则成为少数载流子。
掺入杂质的半导体称为杂质半导体。杂质半导体可以分为N型和P型两大类。
N型半导体
在纯净的硅（或锗）中掺入微量的磷或砷等五价元
素，杂质原子就替代了共价键中某些硅原子的位置，杂 质原子的四个价电子与周围的硅原子结成共价键，剩下 的一个价电子处在共价键之外，很容易挣脱杂质原子的 束缚被激发成自由电子。同时杂质原子由于失去一个电 子而变成带正电荷的离子，这个正离子固定在晶体结构 中，不能移动，所以它不参与导电。
定。
3. 空间电荷区的电阻率很高，是指它的内电场总是阻碍多数载流子（电 流）的扩散运动作用，由于这种阻碍作用，使得扩散电流难以通过，也就
是说，空间电荷区对扩散电流呈现高阻。
4. PN结的单向导电性是指：PN结的正向电阻很小，因此正向偏 置时电流极易通过；同时PN结的反向电阻很大，反向偏置时电流 基本为零。
空穴
自由 电子
显然在外电场的作用下，半导体中将出现两 部分电流：一是自由电子作定向运动形成的电子 电流，一是仍被原子核束缚的价电子（不是自由
电子）递补空穴形成的空穴电流。
在半导体中同时存在自由电子和空穴两种载流子
参与导电，这种导电机理和金属导体的导电机理具有 本质上的区别。
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（2）杂质半导体
相对金属导体而言，本征半导体中载流子数目极少，因此导电能力仍然很低。 在如果在其中掺入微量的杂质，将使半导体的导电性能发生显著变化，我们把这些
多子扩散电流等于总的少子漂移电流，且二者方向相反。
在无外电场或其他因素激发时，PN结处于平衡状态，没有电流通过， 空间电荷区的宽度一定。
由于空间电荷区内，多数载流子或已扩散到对方，或被对方扩散过来 的多数载流子复合掉了，即多数载流子被耗尽了，所以空间电荷区又称为
耗尽层，其电阻率很高，为高阻区。扩散作用越强，耗尽层越宽。
PN结具有电容效应。结电容是由耗尽层引起的。耗尽层中有不能 移动的正、负离子，各具有一定的电量，当外加电压使耗尽层变宽时， 电荷量增加，反之，外加电压使耗尽层变窄时，电荷量减小。这样耗尽 层中的电荷量随外加电压变化而改变时，就形成了电容效应。
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3. PN结的单向导电性
PN结具有单向导电的特性，也是由PN结构成的半 导体器件的主要工作机理。
主编 蔡彬 制作 蔡彬
2009年8月
第1章
1.1 半导体的基本知识 1.2 半导体二极管 1.3 特殊二极管 1.4 双极型二极管 1.5 单极型三极管
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6.1 半导体的基本知识
物质按导电能力的不同可分为导体、半导体和 绝缘体3类。日常生活中接触到的金、银、铜、铝 等金属都是良好的导体，它们的电导率在105S·cm-1 量级；而像塑料、云母、陶瓷等几乎不导电的物质 称为绝缘体，它们的电导率在10-22~10-14S·cm-1量级 ；导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导 体，它们的电导率在10-9~102S·cm-1量级。自然界中 属于半导体的物质有很多种类，目前用来制造半导 体器件的材料大多是提纯后的单晶型半导体，主要 有硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓（GaAs)等。
2. 半导体在热（或光照等 ）作用下产生电子、空穴对，这种现象称为 本征激发；电子、空穴对不断激发产生的同时，运动中的电子又会 “跳进 ”另一个空穴，重新被共价键束缚起来，这种现象称为复合，即复合中电 子空穴对被“吃掉”。在一定的温度下，电子、空穴对的产生和复合都在 不停地进行，最终处于一种平衡状态，平衡状态下半导体中载流子浓度一
半导体的导电机理与金属导 体的导电机理有本质的区别：金 属导体中只有一种载流子—自由 电子参与导电，半导体中有两种 载流子—自由电子和空穴参与导 电，而且这两种载流子的浓度可 以通过在纯净半导体中加入少量 的有用杂质加以控制。
N型半导体中的多数载 流子是电子，能否认为 这种半导体就是带负电 的？为什么？
正负空间电荷在交界面两侧形成一个由N区指向P区的电场，称为内电场，它对 多数载流子的扩散运动起阻挡作用，所以空间电荷区又称为阻挡层。同时，内电场对
少数载流子起推动作用，把少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为漂移运动。
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PN结中的扩散和漂移是相互联系，又是相互矛盾的。在一定条 件（例如温度一定）下，多数载流子的扩散运动逐渐减弱，而少数 载流子的漂移运动则逐渐增强，最后两者达到动态平衡，空间电荷
杂质离子产生的自由电子不是共价键中的价电子， 因此与本征激发Biblioteka Baidu同，它不会产生空穴。
由于多余的电子是杂质原子提供的，故将杂质原子 称为施主原子。
掺入五价元素的杂质半导体，其自由电子的浓度远远大于空穴的浓度，因此称 为电子型半导体，也叫做N型半导体。
在N型半导体中，自由电子为多数载流子（简称多子），空穴为少数载 流子（简称少子）；不能移动的离子带正电。
＋＋＋
P
＋＋＋ N
＋＋＋
内电场
外电场
IR
E
R
PN结的“正偏导通，反偏阻断”称为其单向 导电性质，这正是PN结构成半导体器件的基础。
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讨论题
半导体导电机理 和导体的导电机 理有什么区别？
杂质半导体中的多数载流 子和少数载流子是怎样产 生的？为什么P型半导体 中的空穴多于电子？
杂质半导体中的多子和少子 性质取决于杂质的外层价电子。 若掺杂的是五价元素，则由于多 电子形成N型半导体：多子是电 子，少子是空穴；如果掺入的是 三价元素，就会由于少电子而构 成P型半导体。 P型半导体的共 价键结构中空穴多于电子，且这 些空穴很容易让附近的价电子跳 过来填补，因此价电子填补空穴 的空穴运动是主要形式，所以多 子是空穴，少子是电子。
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3. PN结
P型和N型半导体并不能直接用来制造半导体器件。通常是在N型或 P型半导体的局部再掺入浓度较大的三价或五价杂质，使其变为P型或N
型半导体，在P型和N型半导体的交界面就会形成PN结。
PN结是构成各种半导体器件的基础。
左图所示的是一块晶片，两边分别形成P 型和N型半导体。为便于理解，图中P区仅 画出空穴（多数载流子）和得到一个电子的 三价杂质负离子，N区仅画出自由电子（多 数载流子）和失去一个电子的五价杂质正离 子。根据扩散原理，空穴要从浓度高的P区 向N区扩散，自由电子要从浓度高的N区向P 区扩散，并在交界面发生复合(耗尽），形 成载流子极少的正负空间电荷区如图中间区 域，这就是PN结，又叫耗尽层。
（3）光照不仅可改变半导体的电导率，还
可以产生电动势，这就是半导体的光电效应。
利用光电效应可制成光敏电阻、光电晶体管、
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光电耦合器和光电池等。光电池已在空间技
术中得到广泛的应用，为人类利用太阳能提
由此可以看出：半导体不仅仅是电导率与导 体有所不同，而且具备上述特有的性能，正 是利用这些特性，使今天的半导体器件取得 了举世瞩目的发展。
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6.2 半导体二极管
1. 二极管的结构和类型
一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来，就构成了 半导体二极管，简称二极管，接在P型半导体一侧的引出线称为阳 极；接在N型半导体一侧的引出线称为阴极。
半导体二极管按其结构不同可分为点接触型和面接触型两类。 点接触型二极管PN结面积很小，因而结电容小，适用于高频几 百兆赫兹下工作，但不能通过很大的电流。主要应用于小电流的整 流和高频时的检波、混频及脉冲数字电路中的开关元件等。 面接触型二极管PN结面积大，因而能通过较大的电流，但其 结电容也小，只适用于较低频率下的整流电路中。
R
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P端引出极接电源负极，N端引出极电源正极的接法称为反向 偏置；
反向偏置时内、外电场方向相同，因此内电场增强，致使多 子的扩散难以进行，即PN结对反向电压呈高阻特性；反偏时 少子的漂移运动虽然被加强，但由于数量极小，反向电流 IR 一般情况下可忽略不计，此时称PN结处于截止状态。
空间电荷区 变宽
掺入三价元素的杂质半导体，其空穴的浓 度远远大于自由电子的浓度，因此称为空穴型 半导体，也叫做P型半导体。
在P型半导体中，由于杂质原子可以接收 一个价电子而成为不能移动的负离子，故称为 受主原子。
应注意：
不论是N型半导体还是P型半导体，虽然 都有一种载流子占多数，但晶体中带电粒子的 正、负电荷数相等，仍然呈电中性而不带电。
扩散运动和漂移运动相互联系又相互矛盾，扩散使空间
电荷区加宽，促使内电场增强，同时对多数载流子的继续扩 散阻力增大，但使少数载流子漂移增强；漂移使空间电荷区 变窄，电场减弱，又促使多子的扩散容易进行。
当漂移运动达到和扩散运动相等时，PN结便处于动态平衡状态。可 以想象，在平衡状态下，电子从N区到P区扩散电流必然等于从P区到N 区的漂移电流，同样，空穴的扩散电流和漂移电流也必然相等。即总的
N型半导体中具有多数载流子电子，同时 还有与电子数量相同的正离子及由本征激 发的电子—空穴对，因此整块半导体中正 负电荷数量相等，呈电中性而不带电。
空间电荷区的电阻 率为什么很高？
何谓PN结的单向导 电性？
问题探讨
1. 半导体中的少子虽然浓度很低 ，但少子对温度非 常敏感，即温度对半导体器件的性能影响很大。而多子 因浓度基本上等于杂质原子的浓度，所以基本上不受温 度影响。
区的宽度基本稳定下来，PN结就处于相对稳定的状态。
PN结的形成演示
空空间间电电荷荷区区
－－－ －－
+
+
+
++
P区 － － － － －
－－－ －－
+ +
+ +
N区 + + +
+ ++
－－－ －－
+
+
+
++
根据扩散原理，空穴要从浓度高的P区向N区扩散，自由电子要从浓度 高的N区向P区扩散，并在交界面发生复合(耗尽），形成载流子极少的正
2. 本征半导体与杂质半导体 （1）天然的硅和锗提纯后形成单晶体，称为本征半导体
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硅和锗 的简化 原子模 型。
一般情况下，本征半导体中的载流子浓度 很小，其导电能力较弱，且受温度影响很 大，不稳定，因此其用途还是很有限的。
这是硅和锗构成的 共价键结构示意图
晶体结构中的
共价键具有很强的 结合力，在热力学 零度和没有外界能 量激发时，价电子 没有能力挣脱共价 键束缚，这时晶体 中几乎没有自由电 子，因此不能导电
负空间电荷区（如上图所示），也就是PN结，又叫耗尽层。
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扩散与漂移达到动态平衡 形成一定宽度的PN结
多子 扩散
阻止
形成空间电荷区 产生内电场
促使 少子
漂移
P区
N区
＋ ＋＋
＋ ＋＋
＋ ＋＋
载流子的扩散运动
P 区 空间电荷区
N区
＋＋ ＋
＋＋ ＋ ＋＋ ＋
内电场方向 PN 结及其内电场
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继续讨论
当半导体的温度升高或受到光照等外界因素的影响时，某些共价键 中的价电子因热激发而获得足够的能量，因而能脱离共价键的束缚成为自 由电子，同时在原来的共价键中留下一个空位，称为“空穴” 。
本征半导体中产生电子—空穴对的现象称为本征激发。
共价键中失去电子出现空穴时，相邻原子的价 电子比较容易离开它所在的共价键填补到这个空 穴中来，使该价电子原来所在的共价键中又出现 一个空穴，这个空穴又可被相邻原子的价电子填 补，再出现空穴，如右图所示。
PN结外加正向电压（也叫正向偏置）时，如左下图所示： 正向偏置时外加电场与内电场方向相反，内电场被削弱，多子
的扩散运动大大超过少子的漂移运动，N区的电子不断扩散到P 区，P区的空穴也不断扩散到N区，形成较大的正向电流，这时 称PN结处于导通状态。
空间电荷区变窄
I 正向
P
外电场
US
＋
－
N
内电场
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1. 半导体的独特性能
半导体之所以得到广泛的应用，是因 为它具有以下特性。
（1）通过掺入杂质可明显地改变半导体的 电导率。例如，室温30°C时，在纯净锗中 掺入一亿分之一的杂质（称掺杂），其电导
率会增加几百倍。
（2）温度可明显地改变半导体的电导率。 利用这种热敏效应可制成热敏器件，但另一 方面，热敏效应使半导体的热稳定性下降。 因此，在半导体构成的电路中常采用温度补 偿及稳定参数等措施。