模电题库及标准答案
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1.放大器放大信号的能量来源于交流信号强与弱。
（）
2.电压放大倍数小于 1，输入电阻小，输出电阻大，为共射极输出电路。 （ ）
3.既能放大电压，又能放大电流，是共集电极放大电路。 （ ）
6.PNP 型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（
）。
A.V C>V B>V E
B. V C> V E > V B
Ｃ.V E >V B> V C
Ｄ .V E >V C>V B
7.PNP 型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是
V 1=6V ，V 2=2.7V ， V 3=2V ，则 1，2， 3 分别为（ ）。
5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。 （ ）
6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。
（）
7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。 （ ）
8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。
（）
9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。
7.如果二极管的反向电阻都很小或者为零，则该二极管（
）。
A. 正常
B. 短路
Ｃ .断路
Ｄ .被击穿
8.实现晶体三极管截止的条件是（
）。
A. 发射结正偏，集电结反偏
B. 发射结，集电结均正偏
C.发射极，集电结均反偏
D.发射结反偏 ，集电结正偏
9.满足△ IC=β △ IB 的关系时，三极管一定工作在（
A.0.03mA 流出三极管 e、 c、 b
B.0.03mA 流进三极管 e、 c、b
C.0.03mA 流出三极管 c、 e、 b
D.0.03mA 流进三极管 c、 e、b
5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（
）。
A. 饱和状态
B.放大状态 C.倒置状态
Ｄ .截止状态
）。
A. 截止区
B. 放大区
Ｃ.饱和区
Ｄ .以上都可以
10.测得三极管 i b=10 μA 时， i c=2.4mA ；而 i b=30 μ A 时， i c=3.4mA ，则该管的交流电流放大系数 β 为（ ）。
A.50
B.60 C. 80 Ｄ .100
11.PN 结未加外部电压时，扩散电流
漂流电流，加正向电压时，扩散电流
A. 阻当层不变，反向电流基本不变
B.阻当层变厚，反向电流基本不变
C.阻当层变窄，反向电流增大
D.阻当层变厚，反向电流减小
（）
1
阜阳师范学院－计算机与信息工程学院
作业 1-2
一、习题（满分 100 分）
1.N 型半导体（ ）。
A. 带正电
B.带负电
Ｃ .呈中性
Ｄ .不确定
2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（
Ｄ .空穴
3.将 PN 结 P 区接电源负极， N 区接电源正极，此时 PN 结处于（ ）偏置。
A. 正向
B. 双向
Ｃ .单向
Ｄ.反向
4.将 PN 结两端加反向电压时，在 PN 结内参与导电的是（ ）。
A. 空穴
B.自由电子
Ｃ .自由电荷 Ｄ.空穴和自由电子
5.由理想二极管组成的电路如图所示，其 A 、 B 两端的电压为（ ）。
A. 发射极、基极、集电极
B.集电极、基极、发射极
C.集电极、发射极、基极
D. 基极、集电极、发射极
8.测得三极管 ib=30 μＡ时 i c=2.4mA ，而 i b=40 μＡ时 ic=3mA ，则该管的交流电流放大系数 β为（ ）。
A.60 B.75 C.80 Ｄ .100
9.NPN 型硅管各极对地电位分别是 V 1=6V ， V2=2.7V ， V 3=2V ，则 1， 2， 3 分别为（ ）。
A. 基极、集电极、发射极
B.发射极、基极、集电极
C.集电极、发射极、基极
D. 集电极、基极、发射极
10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（
）。
A. 截止区 B.放大区 C.饱和区 Ｄ .击穿区
11. 在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（
）
A. 输入电阻小，输出电阻大
阜阳师范学院－计算机与信息工程学院
模拟电子线路随堂练习
第一章 半导体器件
作业 1-1
一、习题（满分 100 分）
1.N 型半导体带负电， P 型半导体带正电。 （ ）
2.以空穴为主要导电方式的半导体称为 P 型半导体。（ ）
3.PN 结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。
（）
4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。
漂流电流，其耗尽
层
；加反向电压时，扩散电流
漂流电流，其耗尽层
。
12. 三极管工作在饱和区时，发射结为
，集电结为
，工作在放大区时，发射结为
，
集电结为
，此时，流过发射结的电流主要是
，流过集电结的电流主要是
。
3
阜阳师范学院－计算机与信息工程学院
第二章 放大电路的基本原理和分析方法
作业 2-1
一、习题（满分 100 分）
（）
10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。
（）
11.温度升高后，在纯净的半导体中（
）。
A. 自由电子和空穴数目都增多，且增量相同
B.空穴增多，自由电子数目不变
C.自由电子增多，空穴不变
D.自由电子和空穴数目都不变
12.如果 PN 结反向电压的数值增大（小于击穿电压） ，则（ ）。
）。
A. 正常
B.断路 Ｃ .被击穿
Ｄ .短路
3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（
）。
A. 正向偏置时导通，反向偏置时截止
B. 反向偏置时无电流流过二极管
C.反向击穿后立即烧毁
D. 导通时可等效为一线性电阻
4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别 为（ ）。
B.
输入电阻小，输出电阻小
C. 输入电阻大，输出电阻小
D.
输入电阻大，输出电阻大
2
阜阳师范学院－计算机与信息工程学院
作业 1-3
一、习题（满分 100 分）
1.以下属于半导体的是（ ）。
A. 锗
B. 塑料
Ｃ .铜
Ｄ .云母
2.P 型半导体中的多数载流子是（
）。源自文库
A. 负电荷
B. 自由电子
Ｃ .正电荷
A.+6V
B.-6V
Ｃ . -18V
Ｄ .+18V
6.在半导体材料中，其说法正确的是（
）。
A.P 型半导体和 N 型半导体材料本身不带电
B.P 型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带正电
C.N 型半导体中，由于多数载流子为自由电子，所以它带负电
D.N 型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带负电
（）
2.电压放大倍数小于 1，输入电阻小，输出电阻大，为共射极输出电路。 （ ）
3.既能放大电压，又能放大电流，是共集电极放大电路。 （ ）
6.PNP 型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（
）。
A.V C>V B>V E
B. V C> V E > V B
Ｃ.V E >V B> V C
Ｄ .V E >V C>V B
7.PNP 型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是
V 1=6V ，V 2=2.7V ， V 3=2V ，则 1，2， 3 分别为（ ）。
5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。 （ ）
6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。
（）
7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。 （ ）
8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。
（）
9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。
7.如果二极管的反向电阻都很小或者为零，则该二极管（
）。
A. 正常
B. 短路
Ｃ .断路
Ｄ .被击穿
8.实现晶体三极管截止的条件是（
）。
A. 发射结正偏，集电结反偏
B. 发射结，集电结均正偏
C.发射极，集电结均反偏
D.发射结反偏 ，集电结正偏
9.满足△ IC=β △ IB 的关系时，三极管一定工作在（
A.0.03mA 流出三极管 e、 c、 b
B.0.03mA 流进三极管 e、 c、b
C.0.03mA 流出三极管 c、 e、 b
D.0.03mA 流进三极管 c、 e、b
5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（
）。
A. 饱和状态
B.放大状态 C.倒置状态
Ｄ .截止状态
）。
A. 截止区
B. 放大区
Ｃ.饱和区
Ｄ .以上都可以
10.测得三极管 i b=10 μA 时， i c=2.4mA ；而 i b=30 μ A 时， i c=3.4mA ，则该管的交流电流放大系数 β 为（ ）。
A.50
B.60 C. 80 Ｄ .100
11.PN 结未加外部电压时，扩散电流
漂流电流，加正向电压时，扩散电流
A. 阻当层不变，反向电流基本不变
B.阻当层变厚，反向电流基本不变
C.阻当层变窄，反向电流增大
D.阻当层变厚，反向电流减小
（）
1
阜阳师范学院－计算机与信息工程学院
作业 1-2
一、习题（满分 100 分）
1.N 型半导体（ ）。
A. 带正电
B.带负电
Ｃ .呈中性
Ｄ .不确定
2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（
Ｄ .空穴
3.将 PN 结 P 区接电源负极， N 区接电源正极，此时 PN 结处于（ ）偏置。
A. 正向
B. 双向
Ｃ .单向
Ｄ.反向
4.将 PN 结两端加反向电压时，在 PN 结内参与导电的是（ ）。
A. 空穴
B.自由电子
Ｃ .自由电荷 Ｄ.空穴和自由电子
5.由理想二极管组成的电路如图所示，其 A 、 B 两端的电压为（ ）。
A. 发射极、基极、集电极
B.集电极、基极、发射极
C.集电极、发射极、基极
D. 基极、集电极、发射极
8.测得三极管 ib=30 μＡ时 i c=2.4mA ，而 i b=40 μＡ时 ic=3mA ，则该管的交流电流放大系数 β为（ ）。
A.60 B.75 C.80 Ｄ .100
9.NPN 型硅管各极对地电位分别是 V 1=6V ， V2=2.7V ， V 3=2V ，则 1， 2， 3 分别为（ ）。
A. 基极、集电极、发射极
B.发射极、基极、集电极
C.集电极、发射极、基极
D. 集电极、基极、发射极
10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（
）。
A. 截止区 B.放大区 C.饱和区 Ｄ .击穿区
11. 在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（
）
A. 输入电阻小，输出电阻大
阜阳师范学院－计算机与信息工程学院
模拟电子线路随堂练习
第一章 半导体器件
作业 1-1
一、习题（满分 100 分）
1.N 型半导体带负电， P 型半导体带正电。 （ ）
2.以空穴为主要导电方式的半导体称为 P 型半导体。（ ）
3.PN 结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。
（）
4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。
漂流电流，其耗尽
层
；加反向电压时，扩散电流
漂流电流，其耗尽层
。
12. 三极管工作在饱和区时，发射结为
，集电结为
，工作在放大区时，发射结为
，
集电结为
，此时，流过发射结的电流主要是
，流过集电结的电流主要是
。
3
阜阳师范学院－计算机与信息工程学院
第二章 放大电路的基本原理和分析方法
作业 2-1
一、习题（满分 100 分）
（）
10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。
（）
11.温度升高后，在纯净的半导体中（
）。
A. 自由电子和空穴数目都增多，且增量相同
B.空穴增多，自由电子数目不变
C.自由电子增多，空穴不变
D.自由电子和空穴数目都不变
12.如果 PN 结反向电压的数值增大（小于击穿电压） ，则（ ）。
）。
A. 正常
B.断路 Ｃ .被击穿
Ｄ .短路
3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（
）。
A. 正向偏置时导通，反向偏置时截止
B. 反向偏置时无电流流过二极管
C.反向击穿后立即烧毁
D. 导通时可等效为一线性电阻
4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别 为（ ）。
B.
输入电阻小，输出电阻小
C. 输入电阻大，输出电阻小
D.
输入电阻大，输出电阻大
2
阜阳师范学院－计算机与信息工程学院
作业 1-3
一、习题（满分 100 分）
1.以下属于半导体的是（ ）。
A. 锗
B. 塑料
Ｃ .铜
Ｄ .云母
2.P 型半导体中的多数载流子是（
）。源自文库
A. 负电荷
B. 自由电子
Ｃ .正电荷
A.+6V
B.-6V
Ｃ . -18V
Ｄ .+18V
6.在半导体材料中，其说法正确的是（
）。
A.P 型半导体和 N 型半导体材料本身不带电
B.P 型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带正电
C.N 型半导体中，由于多数载流子为自由电子，所以它带负电
D.N 型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带负电