太阳能电池铝浆38页PPT

合集下载
相关主题
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
(1)提高短路电流和开路电压; (2)减小电池厚度; (3)提高填充因子; (4)提高光电转换效率。
三、铝浆技术现状及生产厂家
1、铝浆技术发展历史
对于阳极浆料以及电极制造方法的研究是和硅太
阳电池的发展密切相关的,这些研究因为历史的原因,
是间断性的。在八十年代发展的比较快,科学家研究
了适于作为电极的金属和制造电极的方法。适合的金
目录
一、太阳能电池简介 二、铝背场的作用 三、铝浆技术现状及生产厂家 四、铝浆技术开发难点及影响因素 五、光伏市场及铝浆需求
一、太阳能电池简介
1.太阳能电池结构及原理
太阳能电池如下图所示。一般多选用在p型硅衬底
上扩散n型硅形成太阳电池雏形。在硅片表面镀有减反
射膜用以减少对太阳光的反射。P型硅衬底的厚度约
24.7%,接近最高效率值。而多晶硅太阳电池由于存在
很多的晶界,这些晶界所形成的复合中心,导致了多
晶硅的光伏转换效率还远远低于单晶硅,光电转换效
率为19.8%。工业化生产时效率低于实验室效率,目前
太阳能工业化生产效率单晶硅≥17%、多晶硅≥16%。
太阳能电池主要技术参数
表征太阳电池的电性能参数的主要是:开路电
成可以概括为以下:
(1)将铝浆印刷在硅的表面。
(2)将沉积好的硅片放进峰值温度超过577℃(铝 硅合金共熔温度)的链式烧结炉里进行烧结。
当温度低于577℃时,铝硅不发生作用,当温
度升到共晶温度577℃时,在交界面处,铝原子和
硅原子相互扩散,随着时间的增加和温度的升高,
硅铝熔化速度加快,最后整个界面变成铝硅熔体,
(4)光伏转换效率η ,电池效率为电池输出的最大 功率与太阳光的入射功率之比。
(5)串联电阻Rs,它是构成太阳电池的半导体体电阻 和电极电阻等的和。
(6)并联电阻Rsh,也称漏电电阻,旁路电阻。
一、太阳能电池简介
3.太阳能电池对电极浆料的要求
为了输出硅太阳电池的电能,必须在电池上制作正、 负两个电极。电极就是与电池p-n结两端形成紧密欧姆 接触的导电材料。习惯上把制作在电池光照面的电极称 为上电极,把制作在电池背面的电极称为下电极或者背 电极。上电极为负极,选用银浆作为阴极浆料印刷烧结 而成。下电极为正极,由铝浆和银铝浆组成,其中铝浆 即为硅太阳电池用阳极浆料。
在交界面处形成组成为11.3%硅原子和88.7%铝原
子的熔液。
二、铝背场的作用
2、铝背场的吸杂原理
在太阳电池中杂质主要有Fe、Co、Ni、Cu、Au
等,碱金属杂质主要有Na、Li、K。
一般的太阳电池生产工艺,是通过制作铝背场来 形成吸杂中心,产生吸杂作用。原理是利用铝原子与
硅原子结构上的差异,将其扩散到硅片背面引起失配 位错,因而形成应力吸杂中心。
区,结果使p区电势升高,n区电势降低,p-n结两端
形成光生电动势,这就是p-n结的光生伏特效应。
太阳能电池原理示意图
一、太阳能电池简介
2.太阳能电池转换效率及主要参数
理论上单晶硅太阳电池的最高光电转换效率为30%,
多晶硅太阳电池的最高效率为24%。目前,单晶硅太阳
电池的最高转换效率在实验室里已有了很大提高,为
铝吸杂的过程可以解释如下:在烧结工艺
中,当温度高于577℃的时候,铝硅合金就会
溶解,许多金属如铁、铜、金等在很大温度范
围内,不论是在液态还是固态的铝中溶解度都
是1~10at.%,同时在硅中的溶解度很低。例
如,在750~950℃温度区间内,铁在铝、硅
中的分凝系数为105~106。
二、铝背场的作用
3、铝背场对太阳电池的主要影响
压(VOC)、短路电流(ISC)、填充因子(FF)、
和转换效率(η ) ,还有并联电阻(Rsh)和串
联电阻(Rs)。
(ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ)开路电压VOC
当电池的负载阻抗无限大时,光照产生的输出 电压。
(2)短路电流Isc,当电池的负载阻抗为零时,光
照产生的输出电流。
太阳能电池主要技术参数
(3)填充因子FF,在光照下的伏安特性曲线上,任何 一个工作点输出功率等于该点所对应的电压和电流的 乘积。其中一个点(Vm,Im)将对应最大的输出功率 Pm。定义,最大输出功率与Voc、Isc的乘积之比,叫 填充因子,用FF表示。
属主要有银、铝、金、钛,而当时主要的电极制作方
法有真空蒸镀、化学镀鎳、印刷烧结三种。
八十年代电极常用金属材料
金属 银(Ag)
20℃体电阻率 (10-6Ω˙cm)
1.6
与硅的粘附性 熔点℃

961
铝(Al) 2.7
很高
659
金(Au) 2.2

1063
铜(Cu) 1.7

1084
钛(Ti) 46.6
为200~300μm,通过扩散形成p-n结,结深约为
0.5μm。太阳能电池通过丝网印刷厚膜电子浆料,以
及链式炉烧结工艺制作上下电极。
太阳能电池原理
硅太阳电池是利用光生伏特效应(Photovoltaic
Effect)的半导体器件。其内部结构为p+-p-n-n
+结构,如下图所示,其中含有p-n,p+-p,n+
一、太阳能电池简介
4、对下电极材料铝浆的技术要求
形成铝背p-p+结,提高开路电压; 形成硅铝合金对硅片进行有效地吸杂,提高效率; 能与硅形成牢固的欧姆接触; 有优良的导电性; 化学稳定性好; 有适宜大规模生产的工艺性; 价格较低。
二、铝背场的作用
1、铝背场形成理论
铝背场的形成通常采用合金法来制作的,它的形
很高
1667
真空蒸镀和化学镀鎳的方法盛行与六七十年代,真空蒸镀是通过 掩膜遮挡或蒸镀后光刻腐蚀形成图形,适于的金属有银、铝、钛。 主要问题在于对真空度、环境湿度、温度要求较为严格,有时还 需要惰性气体的气氛保护,消耗能源过多,并且不利于大规模的 工业化生产。
化学镀鎳是指通过鎳盐和次磷酸盐的化学作用在硅表面形成鎳磷 合金的沉积镀层的方法。其主要问题是光滑的硅表面不易形成结 合牢固的镀层,并且方法过于繁琐,不易控制。
-n三个结,平衡状态下,多数载流子和少数载流子的
电流相互补偿,总电流等于零。当太阳光照射到由p型
和n型两种不同导电类型的同质半导体材料构成的p-
n结上时,在结的耗尽区,光能被半导体吸收,产生非
平衡载流子——电子和空穴。受内建电场作用将空穴
推向p区,电子推向n区,在势垒区的非平衡载流子亦
在内建电场的作用下,各向相反方向运动,离开势垒
相关文档
最新文档