中科院微电子所复试真题

真题（本来是一百一十多道，不过很多有重复，我整理了一下，剩下这么多，括号里的提示有同学说的，也有我写的）
1．运算放大器原理，一个好的运算放大器考虑什么因素？
集成运放由四部分组成，分别为输入级，中间级，输出级和偏置电路，其中过部分功能如下：
输入级：一般是双输入的高性能差分放大器。

输入级好坏直接影响运放性能的好坏。

中间级：运放的主放大电路，多采用共射或共源放大电路，还经常采用复合管和电流源做负载，其电压放大倍数可达千倍以上。

输出级：输出电压线性宽，输出电阻小，多采用互补对称输出形式。

偏置电路：用于给各级提供合适的静态工作点。

好的集成运放应是高增值，低功耗，低噪音，宽的摆幅，宽的带宽等。

2。

镜像电流元的工作原理及其注意的因素。

通过控制晶体管的控制端口，使其的参数与另一个晶体管一致，这样，其他的晶体管可以跟踪另外一个晶体管，使其电流等于或按比例地复制参考电流源。

电流源工作时，应注意不要超过其允许的温度范围和晶体管工作的参数。

3。

正反馈与负反馈的区别和原理。

反馈：将输出量的一部分或全部通过一定的电路形式作用于输入回路，用来影响其输入量来改善系统性能的一种措施。

正反馈：根据反馈的效果，使放大电路的净输入量增大的反馈。

负反馈：使净输入量减小的反馈。

直流反馈：反馈量只含直流分量。

交流反馈：反馈量中只含交流成分。

4。

加法器有几种，半加和全加的区别。

半加器：不考虑进位，而将两个一位的二进制数相加，实现半加功能的电路称半加器。

全加器：考虑进位，实现2个二进制数相加的电路结构。

加法器分类：串行进位加法器（行波进位加法器）和超前进位加法器。

行波进位加法器：每一位相加的结果都要等到低一位的进位信号产生以后才能建立起来，这种加法器最大的缺点是速度慢。

超前进位加法器：采用特殊的逻辑电路事先得知每一位全加器的进位输入信号，而无需等待低位向高位的进位信号，显著提高了运算速度，采用这种形式的加法器称超前进位加法器。

5。

信号系统有多少种变换，区别于联系，各自的优缺点。

信号变换有：
（1）将两个信号相加，如调音台将语音信号与音乐信号混合在一起。

（2）将两个信号相乘，如调幅信号的调制。

（3）反折：
（4）平移：如雷达中发射信号与反射信号时移大小可以计算障碍物的距离。

（5）尺度变换：常见用于离散信号的压缩与解压缩。

6。

TTL与CMOS工艺的区别与各自的优缺点。

CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconductor（互补金属氧化物半导体）的缩写。

(PMOS管和NMOS管)共同构成的互补型MOS集成电路制造工艺，它的特点是低功耗。

由于CMOS中一对MOS组成的门
电路在瞬间切换，要么PMOS导通，要么NMOS导通，要么都截至，比线性的三极管(BJT)效率要高
得多，因此功耗很低，便于制作大规模和超大规模集成电路。

TTL：Transistor-Transistor Logic,即BJT-BJT逻辑门电路，是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路，应用较早，技术已比较成熟。

TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor 即双极结型晶体管，晶体三极管）
和电阻构成，具有速度快的特点。

最早的TTL门电路是74系列，但是由于TTL功耗大等缺点，正逐
渐被CMOS电路取代。

7。

晶体管VT影响因素
（就是通常说的阀值电压，分清Si管和Ge管的区别。

看看工艺方面的书，温度影响较大）
8。

集成设计需要注意什么
（这个问题比较大，你可以充分发挥想象力，最好了解一下所谓的设计“八角图”）
可参考拉扎维的《coms集成电路设计》第三章
9。

差分放大器的原理及其作用是什么
将两个完全对称的双极性晶体管发射极接入对称的电路中，其中输入由晶体管的基极或源极送入，输出由两个晶体管的集电极接出，这样，当共模信号变化时，两只晶体管的共模信号的漂移量相同，由于输出是两个输出信号做差的结果，这样一来，晶体管的共模信号得到了很大的抑制。

而差分放大电路最重要的性能是有很高的共模抑制比。

运算放大器的输入级基本上都采用了差分对输入电路。

10。

同异步电路的区别
同步时序电路：所有触发器状态变化都在同一个时钟信号操作下发生。

异步时序电路：触发器状态的变化不是同时发生。

（数字电路上有，时钟信号的区别）
11。

Pn结的vt性质
（半导体物理上有）
12。

系统的可观测性和可预测性
（信号与系统，郑君里的那本上有讲，在状态分析部分，就是几个矩阵的运算）
13。

有几种功率放大器，工作原理
甲类功放是指在信号的整个周期内晶体管一直处于放大状态的一类放大器。

甲类放大器工作时会产生高热，效率很低，但固有的优点是不存在交越失真。

单端放大器都是甲类工作方式，推挽放大器可以是甲类，也可以是乙类或甲乙类。

乙类功放是指正弦信号的正负两个半周分别由互补晶体管轮流放大输出的一类放大器，每一个晶体管的导电时间为信号的半个周期。

乙类放大器的优点是效率高，缺点是会产生交越失真。

以下是几种乙类放大器：OTL（Qutput Transfomer Less）电路是一种输出级与扬声器之间采用电容耦合的无输出变压器器功放电路，其大容量耦合电容对频响也有一定影响，是高保真功率放大器的基本电路。

OCL电路（Output,Capacitor Less）OCL电路是一种输出级与扬声器之间无电容而直接耦合的功放电路，频响特性比OCL好，也是高保真功率放大器的基本电路。

BTL（Balanced Transformer Less）BTL电路是一种平衡无输出变压器功放电路，其输出级与扬声器之间以电桥方式直接耦合，因而又称为桥式推挽功放电路，也是高保真功率放大器的基本电路。

甲乙类功放界于甲类和乙类之间，推挽放大的每一个晶体管导通时间大于信号的半个周期而小于一个周期。

甲乙类放大有效解决了乙类放大器的交越失真问题，效率又比甲类放大器高，因此获得了极为广泛的应用。

丙类功放（C类），是指器件导通时间小于50％的工作类别。

这类放大器，一般用于射频放大，很难找到用于音频放大的实例。

丁类功放也称数字式放大器，利用极高频率的转换开关电路来放大音频信号，具有效率高，体积小的优点。

许多功率高达1000W的丁类放大器，体积只不过像VHS录像带那么大。

这类放大器不适宜于用作宽频带的放大器，但在有源超低音音箱中有较多的应用。

14。

SETUP_TIME，HOLD_TIME
设置时间，
（这个不是数字电路里讲的建立时间和保持时间，我们没有学过，在网上搜一下）
15。

如果你要查资料的话，如何利用图书馆？
（自由发挥）
16。

COMS的英文全称
Complementary Metal Oxide Semiconductor（互补金属氧化物半导体）
17。

FF是什么？
Flip-Flop，就是触发器
18。

什么是闩锁效应？
闩锁效应Latch up：是指cmos晶片中, 在电源power VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和GND之间产生大电流。

一旦被锁定，栅极就失去了对沟道电流的控制能力，其原理如下：
Q1为一垂直式PNP BJT, 基极(base)是nwell, 基极到集电极(collector)的增益可达数百倍；Q2是一侧面式的NPN BJT，基极为P substrate，到集电极的增益可达数十倍；Rwell是nwell的寄生电阻；Rsub是substrate电阻。

以上四元件构成可控硅（SCR）电路，当无外界干扰未引起触发时，两个BJT处于截止状态，集电极电流是C-B的反向漏电流构成，电流增益非常小，此时Latch up不会产生。

当其中一个BJT的集电极电流受外部
干扰突然增加到一定值时，会反馈至另一个BJT ，从而使两个BJT 因触发而导通，VDD 至GND （VSS ）间形成低抗通路，Latch up 由此而产生。

产生Latch up 的具体原因 • 芯片一开始工作时VDD 变化导致nwell 和P substrate 间寄生电容中产生足够的电流，当VDD 变化率大到一定地步，将会引起Latch up 。

• 当I/O 的信号变化超出VDD-GND （VSS ）的范围时，有大电流在芯片中产生，也会导致SCR 的触发。

• ESD 静电加压，可能会从保护电路中引入少量带电载子到well 或substrate 中，也会引起SCR 的触发。

• 当很多的驱动器同时动作，负载过大使power 和gnd 突然变化，也有可能打开SCR 的一个BJT 。

• Well 侧面漏电流过大。

防止Latch up 的方法 • 在基体（substrate)上改变金属的掺杂，降低BJT 的增益 • 避免source 和drain 的正向偏压 • 增加一个轻掺杂的layer 在重掺杂的基体上，阻止侧面电流从垂直BJT 到低阻基体上的通路 • 使用Guard ring: P+ ring 环绕nmos 并接GND ；N+ ring 环绕pmos 并接VDD ，一方面可以降低Rwell 和Rsub 的阻值，另一方面可阻止栽子到达BJT 的基极。

如果可能，可再增加两圈ring 。

• Substrate contact 和well contact 应尽量靠近source,以降低Rwell 和Rsub 的阻值。

• 使nmos 尽量靠近GND ，pmos 尽量靠近VDD,保持足够的距离在pmos 和nmos 之间以降低引发SCR 的可能 • 除在I/O 处需采取防Latch up 的措施外，凡接I/O 的内部mos 也应圈guard ring 。

• I/O 处尽量不使用pmos(nwell) （比较重要，在半导体物理上，周玉梅每次都问） 19。

双极和MOS 的主要特点，各自的优缺点及应用范围 MOS ：一种压控电流源，与BJT 相比，最突出的特点是可以组成高输入电阻放大电路，此外，他还有噪声低，温度稳定性好，抗辐射能力强，便于集成等特点，但其放大能力没有BJT 强，且容易击穿。

BJT ：流控电流源，放大能力较强，但.. 20。

CMOS 功耗问题 分静态功耗与动态功耗。

静态功耗：规定电压作用下的静态漏电流，一般很小，可忽略不计。

动态功耗：CMOS 电路状态翻转时产生的附加功耗，主要有瞬时通导功耗T P 与负载电容充放电功耗c P ，其
中：
T DD TAV P V I =，其中24131()t t TAV T T t t I i dt i dt T =
+⎰⎰
2c L DD P C fV = 可见动态功耗与输入信号上升时间，下降时间和频率相关。

21。

PN 结击穿的形式和因素 （齐纳击穿，雪崩击穿以及是否可逆等等） 22。

三极管的四种工作形式 放大区：特征是发射结正偏，集电结反偏，主要用于信号的放大。

饱和区：集电结正偏，发射结正偏，主要用于逻辑电路和开关电源电路。

截止区：集电结正偏，发射结电压未达到开启电压，主要用于逻辑电路和开关电源电路 反向： 将集电结正偏，发射结反偏，此时晶体管β很小，接近于1，无放大功能，主要应用于逻辑门集成电路中。

23。

锁存和触发的区别 锁存器---对脉冲电平敏感，在时钟脉冲的电平作用下改变状态 触发器---对脉冲边沿敏感，其状态只在时钟脉冲的上升沿或下降沿的瞬间改变,可分可分单稳态与多稳态。

（看看数字电路部分） 24。

电流镜的基本结构和电路图，电流大小如何控制，由什么决定 （这个好像比较难，不知是线电上讲的内容，上网搜搜） 25。

霍尔效应的基本原理和应用 （好像是半导体器件物理上的） 26。

锁相环技术 锁相环PLL （phase locked loops ）是一种闭环跟踪系统，当输入信号频率与输出信号频率相等时，输入信号与输出信号保持固定的相位差，故称锁相环。

其只要由鉴相器PD （phase detector ），环路滤波器LF （loops filter ）和压空振荡器VCO （voltage control ossllator ）组成。

鉴相器可以比较输入信号与输出信号的相位，并将其转换成电压信号，经过LF滤去高频分量后，作用于压控振荡器，使压控振荡器的相位和频率与输入信号的相位保持固定的相位差。

锁相环主要有以下功能：
（1）锁定特性，能够锁定输入信号的频率与相位，不存在频率差，广泛用于自动频率控制，频率合成等。

（2）跟踪特性：一旦进入锁定状态，就能对输入信号在一定频率范围内具有良好的跟踪特性，因而广泛用于信号的跟踪，提取，提纯，调制与解调。

调制：用携带信息的输入信号来控制另一信号的某一个参数，使之按输入信号的变化规律而变化的过程。

输入信号为调制信号，别控制的信号称为载波。

解调：调制的逆过程，他将调制波还原成调制信号。

当锁相环环路滤波器通频带较窄且捕捉带也较窄时，可以实现对输入信号的窄带滤波，这是其他滤波器难以做到的。

27。

温度漂移
（半导体器件物理，要知道）
28。

大规模集成电路的设计规范
29。

GaAs pn结的反向击穿电压
（了解一下GaAs器件的特定：例如迁移率高等）
30。

栅栏效应与频谱效应
栅栏效应：
对采样信号的频谱,为提高计算效率,通常采用FFT算法进行计算,设数据点数为
N = T/dt = T.fs
则计算得到的离散频率点为
Xs(fi) , fi = i.fs/N , i = 0,1,2,…,N/2
这就相当于透过栅栏观赏风景,只能看到频谱的一部分,而其它频率点看不见,因此很可能使一部分有用的频率成分被漏掉,此种现象被称为栅栏效应.
不管是时域采样还是频域采样，都有相应的栅栏效应。

只是当时域采样满足采样定理时，栅栏效应不会有什么影响。

而频域采样的栅栏效应则影响很大，“挡住”或丢失的频率成分有可能是重要的或具有特征的成分，使信号处理失去意义。

减小栅栏效应可用提高采样间隔也就是频率分辨力的方法来解决。

间隔小，频率分辨力高，被“挡住”
或丢失的频率成分就会越少。

但会增加采样点数，使计算工作量增加。

解决此项矛盾可以采用如下方法：在满足采样定理的前提下，采用频率细化技术(ZOOM），亦可用把时域序列变换成频谱序列的方法。

‘频谱泄露：截断信号时域上相当于是乘以了rectangular window，于是造成了频谱泄漏的问题。

泄漏的原因来自两方面第一输入频率不是fs/n的整数倍，因为dft只能输出在fs/n的频率点上的功率，所以当输入频率不在fs/n的整数倍时，在dft的输出上就没有与输入频率相对应得点(dft输出是离散的)，那么输入频率就会泄漏到所有的输出点上，具体的泄漏分布取决于所采用的窗的连续域复利叶变换，对于没有使用窗的，相当于使用了矩形窗，矩形窗在进行连续傅立叶变换在一般的信号与系统书上都有。

而对于非矩形窗，窗本身就会产生一定的泄漏，是通过加大主瓣的宽度来降低旁瓣的幅度，通常主瓣的宽度变成了矩形窗的两倍，例如当我们输入一个fs/n的整数倍的输入频率时，经过非矩形窗，dft输出会在两个fs/n的频点上有功率
（DSP上，很重要）
31。

调制与解调
（知道为什么要进行调制以及调制的方法等，最佳接收机等）
32。

理想滤波器，希尔伯特变换
（为什么理想滤波器不可以实现？因为是非因果系统，简单了解一下希尔伯特变换）
33。

储存器和锁存器有什么不同
锁存器：用来控制数据的传送，一般会有一个引脚来控制电平的输出。

存储器：其结构分三部分—存储矩阵，地址译码和输出缓冲，有ROM和RAM的。

对于计算机，又分内存和外存，它们用来存放大量数据可以是长期的也可以是现在要处理的数据如内存。

寄存器与锁存器都是用来暂存数据的器件，在本质上没有区别，不过寄存器的输出端平时不随输入端的变化而变化，只有在时钟有效时才将输入端的数据送输出端（打入寄存器），而锁存器的输出端平时总随输入端变化而变化，只有当锁存器信号到达时，才将输出端的状态锁存起来，使其不再随输入端的变化而变化。

34。

镀膜有哪几种技术？
化学气相淀积CVD：通过气体混合的化学反应在硅片表面淀积一层固体膜的工艺。

主要有常压APCVD，低压LPCVD，等离子增强PECVD和高密度等离子体HDPCVD。

物理气相淀积PVD：有溅射，电镀，蒸发，旋转涂胶等。

蒸发：蒸发器在高真空的环境加热，分子的平均自由程增加，并且在真空腔做做直线运动，直到他撞到表面凝结成膜。

去点是不能产生均匀的台阶覆盖，对淀积合金也有限制。

溅射：是一个物理过程，在此过程中，高能粒子撞击具有高纯度的耙材料固体面板，按物理过程撞击出原子，被撞击出的原子穿过真空，最后淀积在硅片上。

其具有以下优点：
（1）淀积具有保持复杂合金原成分的能力。

（2）能够淀积高温熔化和难溶金属。

（3）能够在直径200mm或更大的硅片上淀积均匀薄膜。

（4）具有多腔集成设备，能够在淀积金属前清除硅片本身的玷污和本身氧化层。

35。

为什么cmos电路要比晶体管电路使用的广泛？它有什么优点？
Complementary Metal Oxide Semiconductor（互补金属氧化物半导体）的缩写。

(PMOS管和NMOS管)共同构成的互补型MOS集成电路制造工艺，它的特点是低功耗。

比线性的三极管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低，制作工艺易于实现，便于制作大规模和超大规模集成电路。

因此CMOS电路正在取代TTL 电路。

36。

双极型电路的基本制造工艺有哪几种？隔离的方法
局部氧化隔离，STI浅槽隔离。

37。

什么是匹配？
(3) 配合;搭配，[无线电元器件等]配合
(4) 阻抗匹配：指在能量传输时,要求负载阻抗要和传输线的特征阻抗相等,此时的传输不会产生反射,
这表明所有能量都被负载吸收了.反之则在传输中有能量损失。

（很重要，黑勇每次都问）
38。

SRAM是什么的简称
SRAM：Static Random Access Memory
DRAM：Dynamic Random Access Memory
39。

什么时候线卷积和圆卷积相同
（学过信号的一定都知道）
40。

FFT的原理
41。

什么是费米能级，费米能级的意义
（标志了电子填充能级的水平）
42。

肖势垒二极管的原理
（一室的老师有在做这个）
43。

放大电路中设置静态工作点的必要性
对于放大电路的基本要求：一是不失真，二是能够放大。

如果输出波形严重失真，那么放大就毫无意义了，只有让晶体管在信号的整个周期内始终保持在放大状态，输出才不会严重失真，因此，必须引入合适的静态工作点，保持晶体管的放大状态。

波形的失真有：
线性失真：摆幅失真和相位失真，特点是输出不产生新的频率。

非线性失真：（1）截止失真：Q点过低，因晶体管截止而引起的失真。

（2）饱和失真：Q点过高，因晶体管饱和而引起的失真。

特点是输出出现新的频率。

44。

IIR数字滤波器的结构实现有哪几种形式？
45。

什么是倒相级
（push－pull ，totem－pole）
46。

简单可编程逻辑器件的分类以及各种的特点。

（四种，别忘了rom）
47。

什么是二维电子气
48。

说一下复合的机制有哪些？
49。

施密特触发器有哪些用处？
施密特触发器的特点：
（1）输入信号从低电平上升过程中，电路状态转换时对应的输入电平于输入信号从高电平下降过程中对应的转换电平不同。

（2）电路转换时，通过电路本身的正反馈可以使输出电平的边沿变得很陡峭。

其用途有：
（1）波形变换（2）脉冲的整形（3）脉冲鉴幅
50。

电路的反馈的四种组态是什么？各个的功能是什么？
电压串联负反馈：取样输出电压，得到反馈电压后于输入电压做差的净输入电压进行放大。

特点是输入电压控制输出电压。

电压并联负反馈：取样输出电压，得反馈电流与输入电流做差得净输入电流后进行放大，特点是输入电流控
制输出电压。

电流串联负反馈：取样输出电流，得到反馈电压后于输入电压做差的净输入电压进行放大，特点是输入电压控制输出电流。

电流并联负反馈：取样输出电流，得反馈电流与输入电流做差得净输入电流后进行放大，特点输入电流控制输出电流。

51。

晶体管放大电路三种接法的比较
共射：既能放大电流，又能放大电压，输入电阻在三种电流种居中，输出电阻较大，频带较窄。

常做低频电压放大电路的单元电路。

共集：只能放大电流而不能放大电压，是三种接法种输入电阻最大，输出电阻最小的电路，并具有电压根随的特点。

常用于放大电路的输入级和输出级，在攻防电路中叶常用作射级输出形式。

共基：只能放大电压而不能放大电流，输入电阻小，电压放大倍数和输出电阻与共射级放大电路相当，频率特性是三种最好的电路。

常用于宽带放大。

52。

多级放大电路中四种耦合方式的优却点
直接耦合：低频特性好，因电路没有大电容，便于集成，但各级Q点互相影响，有零点漂移现象。

阻容耦合：低频特性差，不便于集成化，优点是各级Q点独立，现今，只有在特殊需要的条件下，又分立元件构成的放大电路才采用阻容耦合方式。

变压器耦合：各级Q点独立，便于分析，设计和调试。

还可以实现阻抗变换。

但其低频特性差，且非常笨重。

在分立元件功率放大电路应用广泛。

光电耦合：完全的电气隔离，抗干扰能强，还具有较强的放大能力。

53。

零漂现象的成因及抑止方法
在直接耦合放大器中，即使输入端短路，用灵敏直流表测量输出端，也会有缓慢变化的电压输出，这种现象叫零点漂移，亦称温度漂移。

零点漂移的成因有电源电压的波动，元件的老化，半导体元件差数随温度的变化而变化等，其中温度是零点漂移的主要原因。

其抑制方法有：
（1）电路中引入直流负反馈。

（2）采用温度补偿办法，利用热敏元件来抵消放大管的的温度变化。

（3）采用差分放大电路。

54。

温度对电阻率的影响
(那条曲线)
55。

As掺入si中属于什么类型杂质？形成什么类型半导体？
56。

钠离子对mos结构的c-v效应的影响
（半导体物理）
57。

什么是沟道长度调制
（器件物理上的）
58。

分析mos管的vt特性
59。

Mos管内部的电容有哪几部分构成
（器件物理，比较难）
60。

简述抽样定理，说说你的理解
（主要说那个2倍是怎么来的）
61。

解释吉布斯现象的成因。

（为什么是9％）
62。

差分放大电路具有哪四种接法？各有什么特点？
主要有（1）双端输入，双端输出。

（2）双端输入，单端输出
（3）单端输入，单端输出（4）单算输入，双端输出
四种接法的特点是：电路的输入电阻均为单管的两倍。

双端输出时，差模增益与单管放大电路增益相当，若电路完全对称，共模增益为0。

单端输出时，差模增益减半，输出电阻减半，共模增益不为零。

单端输入时，在输入差模信号的同时，还伴随着共模信号的输入。

63。

超前进位加法器的原理和优缺点
我们知道第i位输入进位信号时两个相加数低i位的函数，因此可以通过逻辑电路事先得知每一位全加器的进位输入信号，而不必等待每一位全加器的进位信号逐级由低位向高位传送，因此提高了运算速度。

超前进位加法器的缺点是电路结构比较复杂。

64。

为什么要引入有效质量的概念？为什么要引入空穴的概念？
65。

非三五族杂质在硅，褚中产生的能级有什么特点
66。

什么是线性时不变系统？
（注意这个概念）
67。

傅立叶变换和傅立叶级数的关系 68。

什么是交越失真？ 在互补对称输出级中，当输入信号小雨晶体管开启电压时，晶体管将处于截止状态。

因此输出电压在输入电压在零点附近时将产生失真，这种失真称交越失真。

， 70。

5 什么是稳定裕度？什么是相位裕度？ 波特图：研究放大电路频率响应时，输入信号的频率通常在几赫兹到上百赫兹，甚至更宽，放大电路的放大倍数从几倍到上百万倍。

为了在同一坐标中表示如此宽的变化范围，在画频率特性曲线时常常采用对数坐标，叫波特图。

相位裕度：定义放大电路单位增益带宽时超前180-的相位为相位裕度m ϕ，一般要求其不小于45。

稳定裕度：定义放大器输出附加相移为180时的放大倍数分贝值为稳定裕度，一般要求稳定裕度不大于-10dB 。

（重点，去年有老师两次问到过） 71。

多谐振荡器有哪几种？ 有对称式多谐振荡器，非对称式多谐振荡器，环形振荡器，石英振荡器，施密特多谐振荡器等固定频率振荡器。

另一种为压控振荡器。

72。

什么是全定制设计？什么是半定制设计？ （半导体集成电路） 73。

什么是可测性设计？ （DFT ，设计中包含测试电路） 74。

列举一下你知道的eda 工具 电路仿真的有matlab ，EWB ，cadence-orcad ，cadence-specter ，spice ，modelsim 等 PCB 绘制有 protel 99，alltume designer ，power PCB ，cadence-allgero 等 程序开发的有visual stdio 系列，keil ，MDK ，java JDK 等。

（百度一下，也考你的知识面，今年刚成立了7室是eda 中心，还可能问到） 75。

什么是集成电路的top －down 设计 76。

什么是共有化运动？ 77。

光刻在ic 工艺中起到什么作用？ 光刻的本质是办临时的电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。

在IC 工艺中，光刻是集成电路制造工艺的驱动力，其设计IC 制造的每一个步骤，直到现在光刻对芯片的性能都有着革命性的贡献。

78。

说一下ad 转换中误差产生的主要原因 环境温度，电源电压，晶体管以及无源器件的精度等… 79。

存储器的容量扩展有哪几种方式？ 有按位扩展方式和按字扩展方式。

80。

为什么电子的迁移率要大于空穴的迁移率？ （这个概念在半导体物理里面很重要） 81。

波尔兹曼统计和费米统计的区别 （这个是固体物理的，有点超纲） 82。

RF 是什么的缩写？ Ratio freqence （射频电路，所里很多牛人在做这个,特别火） 83。

什么是pn 结的势垒电容？什么是扩散电容？ （有关pn 结这一章要好好看） 84。

说一下集成电路设计的步骤 划分 为了将处理问题的规模缩小，通常把整个电路划分成若干个模块。

版图 规划和布局是为了每个模块和整个芯片选择一个好的布图方案。

布线 完成模块间的互连，并进一步优化布线结果。

压缩 是布线完成后的优化处理过程，他试图进一步减小芯片的面积 85。

什么是欧姆接触？ 86。

多级放大电路的f l 和f h 怎么变化？ 随着级数增多，放大电路的上限频率减小，下限频率增大，因此总的带宽减小了，其具体的计算公式如下所示： 当多级放大电路的上限频率接近时，有：
211.1n
L lk k f f ==∑。