§2.3 BaTiO3的晶型转变和烧结温度的控制概要
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§2.3 BaTiO 3的晶型转变和烧结温度的控制
最早的压电陶瓷是BaTiO 3,后来以它为基础衍生出一系列重要的压电材料。BaTiO 3在不同温度下的晶型转变如式(2–4)所示[7~9]
三方单斜278K 四方393K 立方 1 733K
六方。
(2–4) §2.4 SiO 2的晶型转变和应用
晶态SiO 2有多种变体,它们可分为3个系列,即石英、鳞石英和方石英系列。在同系列中从高温到低温的不同变体通常分别用α、β和γ表示。它们之间的转化关系如图2–6所示。习惯上,把该图中的横向转变,即石英、鳞石英与方石英间的转变,称为一级变体间的转变[5];把图中的纵向转变,即同系列的α、β和γ变体间的转变,称为二级变体间的转变[5],也叫做高低温型转变。进一步分析可知,SiO 2一级变体间的转变属重构式转变,而它的二级变体间的转变是位移式转变中的一种。
图2–6 SiO2的晶型转变(本书作者对此图作了编辑)[2] SiO2系统相图如图2–7所示。
图2–7 SiO 2系统相图(Fenner, 1913;本书作者修订了此图)[5]
从SiO 2相图可看出,当温度达到846 K 时,β–石英应转变为α–石英。若将α–石英继续加热,到1 143 K 时应转变为α–鳞石英,但是,这一转变速度较慢。当加热速度较快时,α–石英可能过热,直到1 873 K 时熔融。如果加热速度较慢,使其在平衡条件下转变,α–石英就可能转变为α–鳞石英,后者可稳定到 1 743 K 。同样,在平衡条件下,α–鳞石英在1 743 K 会转变为α–方石英,否则也将过热,在1 943 K 下熔融。不论是α–鳞石英还是α–方石英,当冷却速度不够慢时,都会在不平衡条件下转化为它们自身的低温形态。这些低温形态(β–鳞石英、γ–鳞石英和β–方石英)虽处于介稳状态,但由于它们转变为稳定状态的速度极慢,实际上可长期保持不变。例如在耐火材料硅砖中,就存在着β–鳞石英和γ–鳞石英[2]。
联系到图2–4,由于发生位移式转变[(a )→(b )或(c )],所形成的结构间隙变小;再根据图2–5,可以想像到,若发生石英由α型向β型[图2–5(c )]的转变,结构中多面体间的间隙越来越小,即结构越来越紧凑。所以,对于硅酸盐晶体来说,通常都具有如下的规律:高温稳定型的结构较开阔,体积较大,低温稳定型的情况正好与此相反。所以硅酸盐从低温稳定型向高温稳定型过渡时,通常都会发生体积膨胀。
相图上固相之间的界线斜率可由下述克劳修斯(Clausius)–克拉珀龙(Clapeyron)方程决定[2]。对于任意平衡的两相,其蒸气压p 与温度T 的关系为
'd d p H T T V
∆=∆ (2–5)
式中H ∆是物质的量熔化热、物质的量蒸发热或物质的量晶型转变热,V ∆是物质的量体积变化,T 是绝对温度。由于从低温变体向高温变体转变时,H ∆总是正的,并且对于SiO 2来说,V ∆也
总是正的,所以这些曲线的斜率通常是正值。
相图中的规律是从热力学角度来推导和思考的,它只考虑到转变过程的方向和限度,而不顾及过程动力学的速度问题;而且纯粹的平衡态相图也不会考虑过程的机理问题。
表2–1列出SiO2晶型转变时体积变化的理论值,“+”号表表2–1 SiO2晶型转变时的体积变化[5]
重构式转变计算采
取的温
度/K
在该温度下
转变时的体
积效应/%
位移式转变
计算采
取的温
度/K
在该温度
下转变时
的体积效
应/%
α–石英→α–鳞石英 1 273 +16.0 β–石英→α–石英846 +0.82
α–石英→α–方石英 1 273 +15.4 γ–鳞石英→β–鳞石英390 +0.2
α–石英→石英玻璃 1 273 +15.5 β–鳞石英→α–鳞石英436 +0.2
石英玻璃→α–方石英 1 273 +0.9 β–方石英→α–方石英423 +2.8
示膨胀,“–”号表示收缩。从表中可见,一级变体间转变时的体积变化比二级变体间转变时大得多。必须指出,重构式转变的体积变化虽较大,但由于转变速度较慢,体积效应表现得并不明显,因而对于硅砖的生产和使用影响不大;而位移式转变的体积变化虽较小,但由于转变速度较快,而且无法阻止[2],影响反而较大。从表中还可看出,在SiO2各变体的高低温型转变中,方石英变体之间的体积变化最为剧烈,石英变体次之,鳞石英最弱。
因此,为了获得稳定致密的硅砖制品,就希望硅砖中含有尽可能多的鳞石英[2]和尽可能少的方石英,这就是硅砖烧制过程的实质所在。通常是加入少量矿化剂,如铁的氧化物等,使之在1 273 K左右先产生一定量的液相,以促进α–石英转变为α–鳞石英。铁的氧化物之所以能促进这一转变,是因为方石英在易熔的铁硅酸盐中的溶解度比鳞石英大,所以在硅砖的烧制过程中,石英和方石英不断溶解,鳞石英不断从液相中析出[5]。这就是前述“溶
解–沉淀”完成重构式转变的机理。
从相图上看,显然硅砖在1 143~1 743 K(α–鳞石英稳定的温度范围)使用较为合适,所以硅砖常被用做传统的玻璃熔窑碹顶及胸墙的砌筑材料。硅砖若在1 743 K以上使用则会方石英化。此外,在制作过程中也会有少量的方石英残存于硅砖中,在窑炉大修时,由于温度降到室温左右,方石英的多晶转变,常会引起窑砌砖的炸裂[10]。因此,新窑在点火时,应根据SiO2相图来制订烤窑升温制度,实际上是在可能发生位移式相变的几个温度下长期保温,使此类相变充分进行,防止它们在其他温度下再发生。