第三讲 电光调制器
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第三章电光调制器
内容
•电光调制的基本原理
•铌酸锂(LiNbO3)电光调制器•半导体电吸收调制器(EAM)
电光调制
电光调制:将电信息加载到光载波上,使光参量随着电参
量的改变而改变。光波作为信息的载波。
强度调制的方式
作为信息载体的光载波是一种电磁场:()()
0cos E t eA t ωφ=+r r 对光场的幅度、频率、相位等参数,均可进行调制。在模拟信号的调制中称为AM 、FM 和PM ;在数字信号的调制中称为ASK 、FSK 和PSK 。调制器:将连续的光波转换为光信号,使光信号随电信号的变化而变化。性能优良的调制器必须具备:高消光比、大带宽、低啁啾、低的偏置电
压。
电光调制的主要方式
直接调制:电信号直接改变半导体激光器的偏置电流,使输出激光强度随电信号而改变。
优点:采用单一器件
成本低廉
附件损耗小
缺点:调制频率受限,与激光器弛豫振荡有关
产生强的频率啁啾,限制传输距离
光波长随驱动电流而改变
光脉冲前沿、后沿产生大的波长漂移
适用于短距离、低速率的传输系统
电光调制的主要方式
外调制:调制信号作用于激光器外的调制器上,产生电光、热光或声光等物理效应,从而使通过调制器的激光束的光参量随信号
而改变。
优点:不干扰激光器工作,波长稳定
可对信号实现多种编码格式
高速率、大的消光比
低啁啾、低的调制信号劣化
缺点:额外增加了光学器件、成本增加
增加了光纤线路的损耗
目前主要的外调制器种类有:电光调制器、电吸收调制器
调制器调制器连续光源
光传输
NRZ 调制格式
其他调制格式: •相位调制
•偏振调制
•相位与强度调制想结合光传输RZ 调制格式
脉冲光源电光调制
折射率的改变通过
电介质晶体Pockels 效应和半导体材料
中的电光效应
光吸收的改变通过半导体材料中的Franz-Keldysh效应量子阱半导体材料中的量子限制的Stark 效应光与物质相互作用
相位调制
偏振调制
(双折射材料)
强度调制强度调制通过-干涉仪结构-定向耦合
光在晶体中的传播-电光效应
在光与物质相互作用中,电场强度(E)与电极化矢量(P)的关系。
在各向同性的介质中,P与E同向:
在各向异性的介质中,P与E一般不同向:光在晶体中的传播-电光效应
光在晶体中的传播-电光效应
光在晶体中的传播-电光效应
光在晶体中的传播-电光效应
光在晶体中的传播-电光效应
光在晶体中的传播-电光效应
泡克耳斯效应(Pockels effect):
某些各向同性的透明物质在电场作用下显示出光学各向异性,物质的折射率因外加电场而发生变化的现象为电光效应。折射率与所加电场强度的一次方成正比改变的为Pockels效应或线性电光效应,1893年由德国物理学家泡克耳斯发现。
光在晶体中的传播-电光效应
光在晶体中的传播-电光效应
光在晶体中的传播-电光效应
光在晶体中的传播-电光效应
光在晶体中的传播-电光效应
电光系数
•当外加直流电场时,晶体折射率的改变可表示为:
•18个矩阵元描述了晶体的电光特性
•仅有少数的矩阵元不为零,取决于晶体点群的对称性•对于GaAs和InP,属于43m点群,仅需要参数r41就可描述电光特性
•对于LiNbO3晶体,需用3个参量来进行描述。
LiNbO 3晶体特性
•主要参数
–高的电光参数
–在光通信窗口,高的透
明特性
–高T C
–机械与化学的稳定性
–加工的兼容性
•
LiNbO 3和GaAs的矩阵元:•
非零矩阵元的数值与光波长密切相关•
对GaAs波长为900nm 时,r41=1.1pm/V,波长接近1300nm ,增加至1.43pm/V。•
对InP波长为1060nm 时,r41=1.45pm/V,波长接近1300nm ,降低至1. 3pm/V。电光系数
•
LiNbO3光波导通常用来制作调制器•
LiNbO3的电光响应受四个参数所支配•
在1500nm处,•
电场的作用沿着晶轴Z向,应选择r 33•
折射率沿着Z轴的变化为:•
当•
当调制器的长度为L时,光相位变化为:•
采用Mach-Zehnder结构,将相位调制转化为幅度调制。电光波导调制器
•
相位调制器:合适长度的单一光波导•
幅度调制器:双波导的MZ 结构•
重要的设计参数V π:产生π相移的作用电压•
由折射率变化决定电极间隔•
Г为光场与电场的重叠因子,一般取0.5LiNbO 3调制器
•对于3dB 耦合器,
传输的光功率可表示为:•
是由直流偏置,产生的相移•常数K 表示调制效率
•当时,可实现接近的线性响应:•调制器的插入损耗与消光比定义为:
•目前LiNbO3调制器的消光比可达20dB ,插入损耗小于
5dB 。幅度调制器的时域响应
•AM 调制器会产生频率啁啾
•对于平衡型MZ 干涉仪,光场的传输可表示为:
•
和是两臂上电压引起的相移。•当
时,•当
时,调制器的输出是啁啾的。•当时,调制是无啁啾的。
•同时,π相移发生在半波电压处。
•这种调制器可称之为推挽式调制器。
调制器导致的频率啁啾