电阻材料
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a.采用合金，多元合金，温度系数补偿杂质的合金 b.线材、薄膜、厚膜或箔状 C.加入绝缘填充料 d.有机无机粘结剂 e.采用金属氧化物等非金属材料组成
3.1
电阻材料概述
3.金属合金薄膜电阻材料 金属膜
（1）制备：真空蒸发、溅射、化学沉积 （2）结构：①无定形 ②无择优取向多晶膜 ③择优取 向多晶膜。 （3）厚度：>100nm 连续结构，与块状材料类似 电阻率 >块状材料 10nm～100nm 网状结构 厚度减少，电阻率 增大 1nm~几十nm 岛状结构 厚度减少，电阻率 急剧增大。
3.4
3）钌系
厚膜电阻材料
主要为钌及钌系化合物:二氧化钌、钌酸盐及钌酸盐衍生物等。 钌系浆料制备的电阻膜层稳定性、工艺性好，阻值范围宽、电 阻温度系数小阻值稳定性高，烧成时不与玻璃等发生不良化学反应， 抗还原气氛性强，与银系导电体相容性好。同时其烧成膜表面光滑， 接触噪声小，耐磨性强。
3.3
薄膜电阻材料
（一）碳基薄膜（RT） 碳膜电阻器是用含碳有机物（或含硅有机物）， 在高温真空条件热解，在绝缘基体上沉积而成。 碳膜电阻器阻值范围宽，较好的稳定性，温度系 数不大且是负值，是目前应用最广泛的电阻器。
由于它容易制成高阻值的膜，所以主要用作高阻 高压电阻器。
3.3
薄膜电阻材料
1.碳膜 类石墨结构
Rn 金属、合金电阻，电阻与温度有关 Rk接触电阻，0、P与温度有关
Rk 0.3
0 E
( )1/ 3 D P
Ra 间隙电阻 间隙厚度 导电颗粒功函数 温度有关 阻温系数为负 （4）主要应用：厚膜、合成碳膜、实芯电阻器
3.1 电阻材料概述
5.半导体电阻材料
（1）组成结构：金属氧化物、盐、其他化合物 缺陷化合物：杂质缺陷、化学计量缺陷、空位 （2）电阻行为：半导体特性 ，负的阻温系数
1.热噪声 2.电流噪声
3.2
线绕电阻材料
（一）特点和要求
1.结构： 用金属电阻丝绕制在陶瓷或其它绝缘材料的骨 架上，表面涂以保护漆或玻璃釉。 铜 银金铬 锰
2.特点 电阻率高，阻值精确 (5 56 k)、
阻温系数小，使用温度宽 耐热性高， 功率范围大、 稳定性好 噪声小 耐磨
主要用于精密和大功率场合
第三章 电阻材料
3.1 电阻材料概述
（一） 电阻、电阻器
1.电阻 R＝V/I 2.电阻器：电阻元件 ，调节分配电能
形状： 线绕、合金箔、薄膜、厚膜、实芯、片式 阻值变化：固定、可变、电位器
（二）电阻率和膜电阻
电阻率：R＝L/S 材料种类、结构、环境有关 膜电阻：Rs＝ /d 长宽相同的薄膜的电阻 方数：R= Rs N
0e
u T
u ; 2 T
3.1
电阻材料概述
（四）电阻材料的电压特性
1.线性电阻 欧姆定律 2.电阻非线性：材料内部结构不均匀 间隙 或 接触 存在 3.电阻电压系数VCR 负值 k＝（R2－R1）/（R1（V2－V1）） 4.电阻三次谐波 电阻材料非线性 电流三次谐波
（五）电阻材料噪声 不规则电压起伏
含硅量在一定值以上的Cr-Si系溅射薄膜经退火处理后，膜层构成主
要为非晶态基体及氧化物SiOx包围纳米级硅化物相， 制造工艺的 可控性和膜层结构的致密稳定性好。
3.3
薄膜电阻材料
3.3 薄膜电阻材料
（七）钽基电阻薄膜
1. 2Leabharlann Baidu 钽的化合物和合金膜 钽膜特点：钽与O、N形成化合物、与Si、AL形成 合金。性能稳定，用作电阻、电极和介质，广泛应 用于薄膜集成电路。 不同结构钽膜性能：
2.特点：由于其本身即是氧化物，所以高 温下稳定，耐热冲击，负载能力强。但 其在直流下容易发生电解使氧化物还原， 性能不太稳定。
3.3 薄膜电阻材料
3.导电机理
水解反应形成缺氧SnO2－x，N型半导体 Sb 取代 Sn 增加导电电子数，>1.5%降低迁移率
Sb不仅影响电导率，也影响阻温系数。 小于1.5％，正阻温系数 大于1.5％ 出现负的阻温系数
各种膜式电阻实物照片
3.3 薄膜电阻材料
从外观上，金属膜的为五个环（1％），碳膜的为四 环（5％）。金属膜的为蓝色，碳膜的为土黄色或是其他 的颜色。（微型电阻过去的国标是按颜色区别，金属膜 电阻用红色，碳膜电阻用绿色。）但由于工艺的提高和 假金膜的出现，这两种方法并不是很好，很多时候区分 不开这两种电阻。 比较好的方法是下面两种： 1.用刀片刮开保护漆，露出的膜的颜色为黑色为碳膜 电阻；膜的颜色为亮白的则为金属膜电阻。 2.由于金属膜电阻的温度系数比碳膜电阻小得多，所 以可以用万用表测电阻的阻值，然后用烧热的电铬铁靠 近电阻，如果阻值变化很大，则为碳膜电阻，反之则为 金属膜电阻
3.1 电阻材料概述
（4）杂质
连续金属膜情况： =声 + 杂 + 缺 + 界 + 表 第一项与温度有关，最后一项与厚度有关。
3.1
电阻材料概述
4.合成型电阻材料
（1）颗粒性导电材料+绝缘填充料+粘结剂 导电颗粒种类、数量、粒度、分散性 （2）导电机理
3.1 电阻材料概述
R n ( Rn Rk rRa )
• 结构：无定形或微晶 热处理改善结构
3.3
薄膜电阻材料
2.化学沉积金属膜
• 材料：由镀液中的金属离子获得电子，还原成 金属沉积在陶瓷表面形成金属薄膜，利用化学 反应进行镀膜。目前一般沉积的是镍膜。 • 特点：由于化学沉积膜的电阻可以很低，可弥 补精密金属膜电阻的低阻部分，由于化学膜反 应时产生大量氢气使镀膜多孔，使其防潮性较 差。
3.4
厚膜电阻材料
3.优点 • 通过丝网印刷等工艺可直接形成电路图形，适于大量 生产片式电阻器； • 膜层较厚，经烧结收缩表面变得光滑、致密、耐磨， 具有很高的稳定性，电阻体 • 与基体的附着力强，可靠性高; • 电阻率范围较宽，容易实现很低的电路电阻和很高的 电路电阻，高频性能好，耐脉冲负荷，寿命长; • 导体层、电阻层、绝缘层、介电层及其他功能层都可 以印刷成膜，容易实现多层化，与陶瓷生片共烧可以 制取多层共烧基片; • 设备简单，投资少。
3.3
薄膜电阻材料
（四）镍铬薄膜电阻
• 材料：是用镍铬或类似的合金真空电镀技术，着膜于基 体表面，经过切割调试阻值，以达到最终要求的精密阻 值。多种方法制备
• 特点：阻温系数小，稳定性高，噪声电平小，可制作的 阻值范围宽，使用温度宽，应用于片式精密电阻器和混 合集成电路薄膜电阻器。
3.3 薄膜电阻材料
3.4
厚膜电阻材料
厚膜电阻材料中的功能相多为具有良好导电性和热 稳定性的金属或无机非金属材料。 粘结相主要是各种绝缘性和工艺性优良的玻璃或树 脂，它将导电颗粒粘结在基片上，使厚膜电阻具有所需 的机械性能和电性能。 复合度对复合材料的性能有很大影响，通过改变复 合度来调整复合材料性能是最为有效的手段之一。因此 各相成分的选择以及相界面的匹配状况对电阻的性能影 响很大，可以使膜层的电阻值范围宽并且电阻温度系数 等参数的可调性好。
3.1 电阻材料概述
(三）电阻和温度关系
阻温系数描述
平均阻温系数
αR= dR/RdT
R2 R1 R R1 (T2 T1 )
3.1 电阻材料概述
1.纯金属 M＝AT R＝1/T 2.合金材料 ＝0+i ＝A（B+T) R＝1/(B+T)
3.1 电阻材料概述
提高金属电阻材料电阻率和降低阻温系数措施
3.3
薄膜电阻材料
（五）金属陶瓷电阻薄膜
材料：金属和硅等氧化物绝缘体组成的薄膜。 特点：电阻率高，耐高温。 类型：Cr－SiO2;Ti－SiO2
3.3
薄膜电阻材料
（六） Cr-Si电阻薄膜
Cr-Si系薄膜是一类常用的电阻薄膜,根据其含硅量的不同可满足很
宽的阻值范围需要。它具有较小的电阻温度系数、较低的应用失效 率以及高的化学稳定性和热稳定性，在微电子领域应用也越来越广。
缺点：体积较大、自身电感大，使高频性能差、时间常数大。 只适用于频率在50 kHz以下的电路。
3.2
线绕电阻材料
3.2
线绕电阻材料
（二）贱金属电阻合金线
1.锰铜 电阻稳定性好，阻温系数小。室温下的中低阻值 精密电阻器 2.康铜 耐热性好，使用温度宽，阻温系数大，大功率电 阻 3.镍铬 较高电阻率，宽使用温度，阻温系数大，中高阻 值普通电阻（位）器 4.镍铬多元合金 电阻率高，阻温系数小，耐磨性好，适 合高阻值的精密线绕电阻器或电位器。
1.纯镍铬薄膜 • 原料：高纯镍粉、铬粉 或镍铬丝 • 方法：蒸镀、溅射 • 蒸发速率影响：
3.3
薄膜电阻材料
• 不同方法： 溅射基本保持原有成分。
3.3
薄膜电阻材料
• Cr的影响：Cr以氧化物形式 存在，随含量增大，薄膜方 阻增大。 • 热处理： 真空，晶粒界面减少 大气，Cr2O3生成
3.3 薄膜电阻材料
3.3 薄膜电阻材料
4.其他元素
Sn-Sb 低中电阻 B2O3 提高电阻值，降低阻温系数 Al2O3 同上，性能稳定 TiO2 电阻增大20～200倍，阻温系数变化不大 Bi 性能稳定，老化系数减少 Sn-In 阻值提高15～30倍 Sn-Fe 阻值提高10倍
3.3
薄膜电阻材料
（三）金属膜电阻（RJ） 1.蒸发金属膜 • 材料：通过真空蒸发或阴极溅射，沉积在陶瓷 肌体表面上一层很薄的金属或合金膜。 • 特点：金属膜电阻比碳膜电阻的精度高，稳定 性好，噪声， 温度系数小，金属膜电阻由于 结构不均匀，因此使他的脉冲负载能力差。
3.2 线绕电阻材料
（三）贵金属电阻合金线
接触电阻小，低噪，耐磨性好 1.铂基 2.钯基 易生成“褐粉”，有机聚合物膜 3.金基 抗腐蚀性强 4.银基 易受腐蚀，耐磨性差。
银锰锡电阻合金线 ，阻温系数小，对铜热电势 小，具有抗腐蚀性，标准电阻。
3.3
薄膜电阻材料
电子技术中广泛应用 薄膜电阻材料来制造分立电阻 元件及集成电路中的电 阻元件。 在绝缘基体上（或基片）用真空蒸发、溅射、化学 沉积、热分解等方法制得的膜状电阻材料。膜厚1m以 下。 主要分为碳膜和金属膜两大类。具体分类见表。 要求：电阻率范围宽，阻温、阻压系数小、噪声电 平低、使用温度范围宽，高频性能好，稳定性可靠性高， 工艺性能好。
2.镍铬铝薄膜 精密电阻材料
• Al作用：降低阻温系数，提高稳定性 Al氧化物嵌在NiCr合金氧化膜内，形成致密结构
3.3 薄膜电阻材料
3.其他改性类型
NICr-O 提高电阻值，降低阻温系数，提高稳定性。 多层膜法，反复蒸镀＋多次表面氧化 NiCrAlFe NiCrAlCu 低电阻系数 NiCrBe 提高稳定性
3.3
2.硅碳膜
薄膜电阻材料
原料：正硅酸乙酯、庚烷（或苯）、六甲基二硅醚 条件：850～1100C 结构：底层 硅碳层 玻璃相SiO2+C 增加对玻璃基体的 附着 中间层 导电层 接近纯碳膜，渗入少量SIO2 外层 保护层 SIO2及少量B-SiC
3.3
薄膜电阻材料
(二）金属氧化膜 1.材料：利用金属氯化物（氯化锑，氯化 锌，氯化锡）高温下在绝缘体水解形成 金属氧化物电阻膜。
3.4
厚膜电阻材料
（二）常用导电相 1.要求： 1)电导率高，且与温度的相关性小; 2)不与无机粘结相发生不良反应; 3)与电阻体的相容性好; 4)不发生迁移现象; 5)可以焊接及与引线键合; 6)不发生焊接侵蚀; 7)耐热循环; 8)随温度变化不产生局部电池，不发生电蚀现象; 9)资源丰富，价格便宜
3.4
厚膜电阻材料
2.常用功能相
1）碳粉 在酚醛树脂中固化制备。由于碳粉导电性不高， 且耐热性不好，所以该种电阻浆料应用范围窄，未能得 到充分的发展。 2）银/钯电阻 它的导电相主要是钯、银及氧化钯三种， 其中银和钯形成合金，使导电颗粒“链合”或“搭桥”， 促进导电网络的形成，氧化钯为p型半导体，其导电性是 银/钯系厚膜电阻电阻率的主要决定因素。 方阻覆盖范围小，工艺再现性差，高阻时噪声大， 抗银离子迁移性和耐焊料的侵蚀性差；还原气氛中，氧 化钯的还原会导致电阻器性能的不稳定，阻值大幅度降 低。
3.3
薄膜电阻材料
3.3
薄膜电阻材料
（八）复合电阻薄膜
由不同薄膜叠合而成 优点：通过组合克服单层膜阻温系数大、稳定性 差缺点。
NiCr-Ta2N 阻温系数低，高温稳定性好，中低阻 CrSi-NiCr 低阻温系数， 耐潮性好，高稳定，高阻
3.4
（一）组成
厚膜电阻材料
1.概念：厚膜电阻材料是由厚膜电阻浆料通过丝网印刷、 烧结在基片上形成具有电阻特性的膜。 2.组成：导电相 金属粉或其氧化物非金属及其化合物和 有机高分子 粘结相 无机粘结剂（玻璃类）有机（树脂） 有机载体 及 改性剂
3.1
电阻材料概述
3.金属合金薄膜电阻材料 金属膜
（1）制备：真空蒸发、溅射、化学沉积 （2）结构：①无定形 ②无择优取向多晶膜 ③择优取 向多晶膜。 （3）厚度：>100nm 连续结构，与块状材料类似 电阻率 >块状材料 10nm～100nm 网状结构 厚度减少，电阻率 增大 1nm~几十nm 岛状结构 厚度减少，电阻率 急剧增大。
3.4
3）钌系
厚膜电阻材料
主要为钌及钌系化合物:二氧化钌、钌酸盐及钌酸盐衍生物等。 钌系浆料制备的电阻膜层稳定性、工艺性好，阻值范围宽、电 阻温度系数小阻值稳定性高，烧成时不与玻璃等发生不良化学反应， 抗还原气氛性强，与银系导电体相容性好。同时其烧成膜表面光滑， 接触噪声小，耐磨性强。
3.3
薄膜电阻材料
（一）碳基薄膜（RT） 碳膜电阻器是用含碳有机物（或含硅有机物）， 在高温真空条件热解，在绝缘基体上沉积而成。 碳膜电阻器阻值范围宽，较好的稳定性，温度系 数不大且是负值，是目前应用最广泛的电阻器。
由于它容易制成高阻值的膜，所以主要用作高阻 高压电阻器。
3.3
薄膜电阻材料
1.碳膜 类石墨结构
Rn 金属、合金电阻，电阻与温度有关 Rk接触电阻，0、P与温度有关
Rk 0.3
0 E
( )1/ 3 D P
Ra 间隙电阻 间隙厚度 导电颗粒功函数 温度有关 阻温系数为负 （4）主要应用：厚膜、合成碳膜、实芯电阻器
3.1 电阻材料概述
5.半导体电阻材料
（1）组成结构：金属氧化物、盐、其他化合物 缺陷化合物：杂质缺陷、化学计量缺陷、空位 （2）电阻行为：半导体特性 ，负的阻温系数
1.热噪声 2.电流噪声
3.2
线绕电阻材料
（一）特点和要求
1.结构： 用金属电阻丝绕制在陶瓷或其它绝缘材料的骨 架上，表面涂以保护漆或玻璃釉。 铜 银金铬 锰
2.特点 电阻率高，阻值精确 (5 56 k)、
阻温系数小，使用温度宽 耐热性高， 功率范围大、 稳定性好 噪声小 耐磨
主要用于精密和大功率场合
第三章 电阻材料
3.1 电阻材料概述
（一） 电阻、电阻器
1.电阻 R＝V/I 2.电阻器：电阻元件 ，调节分配电能
形状： 线绕、合金箔、薄膜、厚膜、实芯、片式 阻值变化：固定、可变、电位器
（二）电阻率和膜电阻
电阻率：R＝L/S 材料种类、结构、环境有关 膜电阻：Rs＝ /d 长宽相同的薄膜的电阻 方数：R= Rs N
0e
u T
u ; 2 T
3.1
电阻材料概述
（四）电阻材料的电压特性
1.线性电阻 欧姆定律 2.电阻非线性：材料内部结构不均匀 间隙 或 接触 存在 3.电阻电压系数VCR 负值 k＝（R2－R1）/（R1（V2－V1）） 4.电阻三次谐波 电阻材料非线性 电流三次谐波
（五）电阻材料噪声 不规则电压起伏
含硅量在一定值以上的Cr-Si系溅射薄膜经退火处理后，膜层构成主
要为非晶态基体及氧化物SiOx包围纳米级硅化物相， 制造工艺的 可控性和膜层结构的致密稳定性好。
3.3
薄膜电阻材料
3.3 薄膜电阻材料
（七）钽基电阻薄膜
1. 2Leabharlann Baidu 钽的化合物和合金膜 钽膜特点：钽与O、N形成化合物、与Si、AL形成 合金。性能稳定，用作电阻、电极和介质，广泛应 用于薄膜集成电路。 不同结构钽膜性能：
2.特点：由于其本身即是氧化物，所以高 温下稳定，耐热冲击，负载能力强。但 其在直流下容易发生电解使氧化物还原， 性能不太稳定。
3.3 薄膜电阻材料
3.导电机理
水解反应形成缺氧SnO2－x，N型半导体 Sb 取代 Sn 增加导电电子数，>1.5%降低迁移率
Sb不仅影响电导率，也影响阻温系数。 小于1.5％，正阻温系数 大于1.5％ 出现负的阻温系数
各种膜式电阻实物照片
3.3 薄膜电阻材料
从外观上，金属膜的为五个环（1％），碳膜的为四 环（5％）。金属膜的为蓝色，碳膜的为土黄色或是其他 的颜色。（微型电阻过去的国标是按颜色区别，金属膜 电阻用红色，碳膜电阻用绿色。）但由于工艺的提高和 假金膜的出现，这两种方法并不是很好，很多时候区分 不开这两种电阻。 比较好的方法是下面两种： 1.用刀片刮开保护漆，露出的膜的颜色为黑色为碳膜 电阻；膜的颜色为亮白的则为金属膜电阻。 2.由于金属膜电阻的温度系数比碳膜电阻小得多，所 以可以用万用表测电阻的阻值，然后用烧热的电铬铁靠 近电阻，如果阻值变化很大，则为碳膜电阻，反之则为 金属膜电阻
3.1 电阻材料概述
（4）杂质
连续金属膜情况： =声 + 杂 + 缺 + 界 + 表 第一项与温度有关，最后一项与厚度有关。
3.1
电阻材料概述
4.合成型电阻材料
（1）颗粒性导电材料+绝缘填充料+粘结剂 导电颗粒种类、数量、粒度、分散性 （2）导电机理
3.1 电阻材料概述
R n ( Rn Rk rRa )
• 结构：无定形或微晶 热处理改善结构
3.3
薄膜电阻材料
2.化学沉积金属膜
• 材料：由镀液中的金属离子获得电子，还原成 金属沉积在陶瓷表面形成金属薄膜，利用化学 反应进行镀膜。目前一般沉积的是镍膜。 • 特点：由于化学沉积膜的电阻可以很低，可弥 补精密金属膜电阻的低阻部分，由于化学膜反 应时产生大量氢气使镀膜多孔，使其防潮性较 差。
3.4
厚膜电阻材料
3.优点 • 通过丝网印刷等工艺可直接形成电路图形，适于大量 生产片式电阻器； • 膜层较厚，经烧结收缩表面变得光滑、致密、耐磨， 具有很高的稳定性，电阻体 • 与基体的附着力强，可靠性高; • 电阻率范围较宽，容易实现很低的电路电阻和很高的 电路电阻，高频性能好，耐脉冲负荷，寿命长; • 导体层、电阻层、绝缘层、介电层及其他功能层都可 以印刷成膜，容易实现多层化，与陶瓷生片共烧可以 制取多层共烧基片; • 设备简单，投资少。
3.3
薄膜电阻材料
（四）镍铬薄膜电阻
• 材料：是用镍铬或类似的合金真空电镀技术，着膜于基 体表面，经过切割调试阻值，以达到最终要求的精密阻 值。多种方法制备
• 特点：阻温系数小，稳定性高，噪声电平小，可制作的 阻值范围宽，使用温度宽，应用于片式精密电阻器和混 合集成电路薄膜电阻器。
3.3 薄膜电阻材料
3.4
厚膜电阻材料
厚膜电阻材料中的功能相多为具有良好导电性和热 稳定性的金属或无机非金属材料。 粘结相主要是各种绝缘性和工艺性优良的玻璃或树 脂，它将导电颗粒粘结在基片上，使厚膜电阻具有所需 的机械性能和电性能。 复合度对复合材料的性能有很大影响，通过改变复 合度来调整复合材料性能是最为有效的手段之一。因此 各相成分的选择以及相界面的匹配状况对电阻的性能影 响很大，可以使膜层的电阻值范围宽并且电阻温度系数 等参数的可调性好。
3.1 电阻材料概述
(三）电阻和温度关系
阻温系数描述
平均阻温系数
αR= dR/RdT
R2 R1 R R1 (T2 T1 )
3.1 电阻材料概述
1.纯金属 M＝AT R＝1/T 2.合金材料 ＝0+i ＝A（B+T) R＝1/(B+T)
3.1 电阻材料概述
提高金属电阻材料电阻率和降低阻温系数措施
3.3
薄膜电阻材料
（五）金属陶瓷电阻薄膜
材料：金属和硅等氧化物绝缘体组成的薄膜。 特点：电阻率高，耐高温。 类型：Cr－SiO2;Ti－SiO2
3.3
薄膜电阻材料
（六） Cr-Si电阻薄膜
Cr-Si系薄膜是一类常用的电阻薄膜,根据其含硅量的不同可满足很
宽的阻值范围需要。它具有较小的电阻温度系数、较低的应用失效 率以及高的化学稳定性和热稳定性，在微电子领域应用也越来越广。
缺点：体积较大、自身电感大，使高频性能差、时间常数大。 只适用于频率在50 kHz以下的电路。
3.2
线绕电阻材料
3.2
线绕电阻材料
（二）贱金属电阻合金线
1.锰铜 电阻稳定性好，阻温系数小。室温下的中低阻值 精密电阻器 2.康铜 耐热性好，使用温度宽，阻温系数大，大功率电 阻 3.镍铬 较高电阻率，宽使用温度，阻温系数大，中高阻 值普通电阻（位）器 4.镍铬多元合金 电阻率高，阻温系数小，耐磨性好，适 合高阻值的精密线绕电阻器或电位器。
1.纯镍铬薄膜 • 原料：高纯镍粉、铬粉 或镍铬丝 • 方法：蒸镀、溅射 • 蒸发速率影响：
3.3
薄膜电阻材料
• 不同方法： 溅射基本保持原有成分。
3.3
薄膜电阻材料
• Cr的影响：Cr以氧化物形式 存在，随含量增大，薄膜方 阻增大。 • 热处理： 真空，晶粒界面减少 大气，Cr2O3生成
3.3 薄膜电阻材料
3.3 薄膜电阻材料
4.其他元素
Sn-Sb 低中电阻 B2O3 提高电阻值，降低阻温系数 Al2O3 同上，性能稳定 TiO2 电阻增大20～200倍，阻温系数变化不大 Bi 性能稳定，老化系数减少 Sn-In 阻值提高15～30倍 Sn-Fe 阻值提高10倍
3.3
薄膜电阻材料
（三）金属膜电阻（RJ） 1.蒸发金属膜 • 材料：通过真空蒸发或阴极溅射，沉积在陶瓷 肌体表面上一层很薄的金属或合金膜。 • 特点：金属膜电阻比碳膜电阻的精度高，稳定 性好，噪声， 温度系数小，金属膜电阻由于 结构不均匀，因此使他的脉冲负载能力差。
3.2 线绕电阻材料
（三）贵金属电阻合金线
接触电阻小，低噪，耐磨性好 1.铂基 2.钯基 易生成“褐粉”，有机聚合物膜 3.金基 抗腐蚀性强 4.银基 易受腐蚀，耐磨性差。
银锰锡电阻合金线 ，阻温系数小，对铜热电势 小，具有抗腐蚀性，标准电阻。
3.3
薄膜电阻材料
电子技术中广泛应用 薄膜电阻材料来制造分立电阻 元件及集成电路中的电 阻元件。 在绝缘基体上（或基片）用真空蒸发、溅射、化学 沉积、热分解等方法制得的膜状电阻材料。膜厚1m以 下。 主要分为碳膜和金属膜两大类。具体分类见表。 要求：电阻率范围宽，阻温、阻压系数小、噪声电 平低、使用温度范围宽，高频性能好，稳定性可靠性高， 工艺性能好。
2.镍铬铝薄膜 精密电阻材料
• Al作用：降低阻温系数，提高稳定性 Al氧化物嵌在NiCr合金氧化膜内，形成致密结构
3.3 薄膜电阻材料
3.其他改性类型
NICr-O 提高电阻值，降低阻温系数，提高稳定性。 多层膜法，反复蒸镀＋多次表面氧化 NiCrAlFe NiCrAlCu 低电阻系数 NiCrBe 提高稳定性
3.3
2.硅碳膜
薄膜电阻材料
原料：正硅酸乙酯、庚烷（或苯）、六甲基二硅醚 条件：850～1100C 结构：底层 硅碳层 玻璃相SiO2+C 增加对玻璃基体的 附着 中间层 导电层 接近纯碳膜，渗入少量SIO2 外层 保护层 SIO2及少量B-SiC
3.3
薄膜电阻材料
(二）金属氧化膜 1.材料：利用金属氯化物（氯化锑，氯化 锌，氯化锡）高温下在绝缘体水解形成 金属氧化物电阻膜。
3.4
厚膜电阻材料
（二）常用导电相 1.要求： 1)电导率高，且与温度的相关性小; 2)不与无机粘结相发生不良反应; 3)与电阻体的相容性好; 4)不发生迁移现象; 5)可以焊接及与引线键合; 6)不发生焊接侵蚀; 7)耐热循环; 8)随温度变化不产生局部电池，不发生电蚀现象; 9)资源丰富，价格便宜
3.4
厚膜电阻材料
2.常用功能相
1）碳粉 在酚醛树脂中固化制备。由于碳粉导电性不高， 且耐热性不好，所以该种电阻浆料应用范围窄，未能得 到充分的发展。 2）银/钯电阻 它的导电相主要是钯、银及氧化钯三种， 其中银和钯形成合金，使导电颗粒“链合”或“搭桥”， 促进导电网络的形成，氧化钯为p型半导体，其导电性是 银/钯系厚膜电阻电阻率的主要决定因素。 方阻覆盖范围小，工艺再现性差，高阻时噪声大， 抗银离子迁移性和耐焊料的侵蚀性差；还原气氛中，氧 化钯的还原会导致电阻器性能的不稳定，阻值大幅度降 低。
3.3
薄膜电阻材料
3.3
薄膜电阻材料
（八）复合电阻薄膜
由不同薄膜叠合而成 优点：通过组合克服单层膜阻温系数大、稳定性 差缺点。
NiCr-Ta2N 阻温系数低，高温稳定性好，中低阻 CrSi-NiCr 低阻温系数， 耐潮性好，高稳定，高阻
3.4
（一）组成
厚膜电阻材料
1.概念：厚膜电阻材料是由厚膜电阻浆料通过丝网印刷、 烧结在基片上形成具有电阻特性的膜。 2.组成：导电相 金属粉或其氧化物非金属及其化合物和 有机高分子 粘结相 无机粘结剂（玻璃类）有机（树脂） 有机载体 及 改性剂