纳米抛光液

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纳米抛光液与纳米级抛光液及其应用

纳米级抛光液制备方法:本发明属于研磨料技术领域,由纳米级金刚石粉、非离子型分散稳定剂、抗静电剂、净洗剂、和C9以下轻质白油或石脑油组成,其制备方法为将纳米金刚石机械研磨成粉体,烘干;加入分散稳定剂,加热混合使粉体润湿;加入白油或石脑油,抗静电剂,净洗剂,以及适量pH值调节剂,并不断搅拌,将混合物分散成悬浮液。本发明将产品的表面抛光质量提高到亚纳米量级,以适应于计算机磁头、光学器件和陶瓷等高精度表面研磨和抛光之用。

集成电路铜互连一步化学机械抛光工艺及相应纳米抛光液:一种用于集成电路多层互连结构铜/钽化学机械抛光(CMP)的一步抛光工艺技术及相应纳米抛光液。对于互连结构的铜/钽多层膜体系的化学机械抛光,通过本发明的“一步抛光工艺”,单头抛光机能够代替昂贵的多头抛光机,实现多层膜的分步抛光。通过化学机械抛光过程中多层膜体系界面间在线检测信号(声学、力学、电学或光学信号)差异的反馈,对抛光液实施分段应用,有效改善了原有的单一抛光液或分步抛光中存在的低速率及选择性问题。该抛光工艺及相应纳米抛光液有效改善了单一抛光液的速率问题;以单头抛光机代替多头抛光机,降低了设备成本;同时抛光后表面损伤少、易清洗,抛光液不腐蚀设备、不污染环境。

高介电材料钛酸锶钡化学机械抛光用的纳米抛光液:一种用于半导体器件中高介电常数介电材料钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,BST)化学机械抛光(CMP)的纳米抛光液。该CMP纳米抛光液包含有纳米研磨料、螯合剂、pH调节剂、表面活性剂、消泡剂、杀菌剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境,主要用于新一代高密度存储器(DRAM)电容器介电材料及CMOS场效应管的栅介质——高介电常数介电材料钛酸锶钡的全局平坦化。利用上述纳米抛光液采用化学机械抛光方法平坦化高介电常数介电材料钛酸锶钡,抛光后表面的粗糙度降至0.8nm以下,抛光速率达200~300nm/min;抛光后表面全局平坦度高,损伤较少,是制备超高密度动态存储器(DRAM)及CMOS场效应管时高介电材料平坦化的一高效抛光液。

硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用:一种用于硫系化合物相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y)化学机械抛光(CMP)的纳米抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该CMP纳米抛光液包含有氧化剂、螯合剂、pH调节剂、纳米研磨料、抗蚀剂、表面活性剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境,主要用于制造相变存储器关键材料GexSbyTe(1-x-y)的CMP。利用上述抛光液采用化学机械抛光方法去除多余的相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y)制备纳电子器件相变存储器,方法简单易行。

纳米抛光液

本公司有多种纳米抛光液,有纳米氧化铝抛光液、纳米氧化铈抛光液,纳米氧化锆抛光液、纳米氧化镁抛光液、纳米氧化钛抛光液、纳米氧化硅抛光液等。

本系列纳米抛光液晶相稳定、硬度有高有低、适合客户各种软硬材料抛光,被广泛应用于催化剂,精密抛光,化工助剂,电子陶瓷,结构陶瓷,紫外线收剂,电池材料等领域。我公司采用先进的分散技术将纳米氧化物粉体超级分散, 形成高度分散化、均匀化和稳定化的纳米

氧化物浆料。具有更高的活性、易加入等特性,方便顾客使用。

主要用途:适合各种宝石研磨抛光、电子磁性材料的研磨抛光、普通玻璃抛光,工艺玻璃抛光,水晶玻璃抛光,单晶硅片抛光,油漆表面抛光,手机外壳抛光,汽车表面抛光,高级不锈钢外壳抛光,高级首饰品抛光以及做抛光蜡原料等。

其它应用范围:

1、透明陶瓷:高压钠灯灯管、EP-ROM窗口。

2、化妆品填料。

3、单晶、红宝石、蓝宝石、白宝石、钇铝石榴石。

4、高强度氧化铝陶瓷、C基板、封装材料、刀具、高纯坩埚、绕线轴、轰击靶、炉管。

5、精密抛光材料、玻璃制品、金属制品、半导体材料、塑料、磁带、打磨带。

6、涂料、橡胶、塑料耐磨增强材料、高级耐水材料。

7、气相沉积材料、荧光材料、特种玻璃、复合材料和树脂材料。

8、催化剂、催化载体、分析试剂。

9、汽车表面漆层、宇航飞机机翼前缘。

用量:推荐用量为1~5%,使用者应根据不同体系经过试验决定最佳添加量。

包装:10、20、25公斤/袋。

纳米抛光液配方技术专题,磨料抛光液,抛光装置,机械抛光类技术资料

[A30473-0020-0001] 高精度复合抛光液及其生产方法、用途

[摘要] 高精度复合抛光液及其生产方法、用途,涉及用于加工如玻璃的抛光液的生产技术领域。先将氧化铈制成氧化铈悬浮液,再加入表面带负电荷的纳米级其他氧化物摩擦材料,搅匀,将pH调至4~11,制成抛光液。用于如氧化硅,硅酸盐,单晶硅等含硅化合物以及其它各种氧化物或半导体或导体表面的抛光、玻璃制品表面抛光、芯片生产的绝缘氧化层的抛光、单晶硅的抛光,都具有平化抛光效率高、不损伤抛光机的特性。

[A30473-0002-0002] 用于化学机械抛光研磨液组合物的氧化剂

[摘要] 本发明公开了用于制备化学机械抛光(CMP)研磨液组合物的氧化剂及其制备方法。制备用于(CMP)研磨液组合物的氧化剂的方法包括下列步骤:通过将铁盐和5℃或更低的冷水混合来制备铁盐水溶液;以及通过将硅盐与所述铁盐水溶液混合并搅拌以进行硅盐的反应制备纳米合成颗粒,其中所述纳米合成颗粒为含铁的胶态硅。

[A30473-0024-0003] 一种纳米二氧化硅磨料抛光液的制备方法

一种纳米二氧化硅磨料抛光液的制备方法,涉及一种微晶玻璃加工用的纳米二氧化硅磨料抛光液的生产方法。先将磨料II均匀溶解于去离子水中,然后在千级净化室的环境内,在真空负压的动力下,通过质量流量计将溶解的磨料II液体输入容器罐中,与容器罐内的所需重量的磨料I进行混合并充分搅拌,混合均匀后将抛光液的其余组分加入容器罐内再继续充分搅拌,混合均匀即制备成成品抛光液。以粒径较小的水溶性二氧化硅溶胶和粒径较大的气相二氧化硅粉末混合作为磨料,既提高了磨料的分散性能,减少抛光后微晶玻璃表面划伤,而且使抛光后的微晶玻璃表面的粗糙度和波纹度降低;可以大大提高抛光速率,化学稳定性好,使用安全。

[A30473-0009-0004] 高介电材料钛酸锶钡化学机械抛光用的纳米抛光液

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