雷清泉院士_电介质中的空间电荷效应

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)
1 2
(高温区) (1)
(中场区)
3 e E ( ) 2) 场助热电子发射 J E JT exp( s ) s 4 0 kT
(2)
3)Fowler-Nordheim发射 J E A' E 2 exp( B )
E
(高场区) (3)
(中温区 ) (4)
4)热助场电子发射 3.体内SC
kT
)
PF 2s
电介质中的空间电荷效应
4.环境辐射效应 吸潮,物理及化学吸附,空间电磁环境,真空等。 1)低能(非电离)电磁辐射,光(红外、可见、紫外)0-40eV。 2)高能(电离)辐射、原子或原子核过程产生的辐射,包括X射线、γ射线、快 电子、重带电粒子(α粒子、质子)、重离子、中子、电子束、离子束等。 3)辐射的作用:电子、离子→电导,俘获,受激分子、激子、激子电离→电 导,发光→老化,自由基→化学反应、老化。 (1) 光电子效应, h 激子生成,
阻挡接触:m i ,电子从 i m ,电子耗尽层,能带向上弯,阻 挡势垒。
2)化学与物理吸附,双(偶)电层,依据两相的电负性交换电荷。
3)摩擦,流动带电、机加、挤出、压制等。
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电介质中的空间电荷效应
2.电极发射 1) 热电子发射
J T AT 2 exp( m
kT
n ( x , t )
t
(T )n( x, t ) E ( x, t )
r (T ) p( x, t )n( x, t ) x x 2 (11) 1 1 (T )nt ( x, t ) n( x, t ) nt ( x, t )
Dn (T ) 2 n( x, t )
f
t
E( x, t )
x
en( x, t )
0
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(1)迁移项、(2)扩散项、(3)复合项、(4)杂质电离项、(5)再俘获项、 (6)退陷项。
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4.能量:深陷阱(>1.5eV)、浅陷阱(<0.5eV)、复合中心、划界能级。
1)单一陷阱能级分布, ( E Et )
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4、液体:电极附近的双电层 5、气体:雪崩,正离子 。
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二、SC的形成
1 接触 1) 电接触(M-I,M-S体系) 中性接触: m i 欧姆接触: m i ,无界面电荷; ,注入接触(电子)、电子积累层;
m i ,注入接触(空穴)、空穴积累层;
电介质中的空间电荷效应
一、概述
1、定义:空间电荷(Space charge-SC)通常是指局部空间内存在的一种正或负 的净电荷。可呈点、线、面及体分布。在与半导体与绝缘体有关的许多情况 下都会出现空间电荷。 2、SC的类型:电子型、空穴型、离子型、偶极子型、极化子型和等离子体型。 3、固体:定域态、陷阱、局域能级,代表干扰晶体周期性势场的物理及化学 结构缺陷(前者阱深0.5-1.5eV,后者可达3-8eV)、杂质在禁带内构成的 能级、表面态、表面偶极子态、体内偶极子态、体内分子离子态、杂质、 端链、支链、叠链、晶区-非晶区边界、断键、极化子态、局域密度涨落等。 杂质、添加剂、反应附产物,既可接受注入电荷,又可通过化学作用,增 加电荷注入。
图2 正弦与PWM电压作用的极化模型
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三、 SC的极性和分布
1.按邻电极的符号,分为同极性与异极性电荷。
图3 真空二极管中SC、电位及电场分布
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2.空间(位置):体、表、箱、薄层、δ 分布。
3. 时间:动力学过程、电极接触、电荷产生释放、扩散、受陷、退陷、复合等。
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7、 非线性光析变材料(-OEO材料) 通过光生载流子,在偏压电场或SC自身电场作用下,形成 ( x) 空间调制的 周期分布。 条件:光生载流子,光电导;电荷在外场或自建场中分离运动,形成周期 性SC分布;周期场调制材料的光折射率(EO效应),形成位相光栅。 应用:全息实时存储、光象放大器、振荡器、相位共轭器、空间调制器、 光学信息处理及光学计算技术等。 问题:探索陷阱中心的化学本质,陷阱深度及密度同光析变效应的关系, 以及如何稳定陷阱结构等。
J 0 A' (T ) E 2 exp(
B ) E
1)杂质离子移动形成异极性SC 2)电子碰撞电离 3)从陷阱中释放 4)隧道效应
n ~ exp(d ) ~ exp[ 0 d exp(
n ~ nt exp( PF E
n ~ AE 2 exp( B ) E
Ui )]wenku.baidu.comeEi
(5) (6) (7) 哈尔滨理工大学
x
;电性能 r (T )
, (T ); 电荷 x 、 电场 x x
E
x
(8) (9)

电流密度方程式 电位移方程式
· J · E E·
· D 0 E 0 E·
0 ) · E
( 0 局部电荷密度方程式
m
h E g
(2) 辐射感应电导,光驻极体
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5.电场效应:直流,同极,异极电荷,工频交流,载流子注入与抽出,产生应力应变。
图1 SC对电场分布的影响
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6.非均匀(复合)电介质 1) MW界面极化(体内或M-I界面) 2)不均匀性 温度 T
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8. PWM作用 (dV dt 1 20 kV S ) 下SC形成 如图所示 , 低频正弦电压极化, 正、负半周,电极电荷极性反转。 PWM电压,由于电压突然反转, 导致特定符号的自由电荷再吸收,但 电荷符号与束缚电荷的相反,此时两 种类型电荷共存。松弛时间快的偶极 子对SC 无贡献,慢的对 SC 有贡献, 形成“宏观”偶极子 . 极性反转时, 重复上述现象,最终造成表面电荷积 累,因此在表面存在三种电荷:自由 电荷、束缚电荷(极化)、阻挡电荷 ,源于PWM极性反转太快。
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