嵌入式存储器的发展历程与现状

嵌入式存储器的发展历程与现状
在科技的发展下，人们步入了超深亚微米时代，在先进技术的辅助下，人们可以将存储器、处理器、接口逻辑、模拟电路、射频电路集合至一块芯片上，形成片上系统，其中，嵌入式存储器就是系统的主要元件。

本文就嵌入式存储器的发展历程与现状进行分析。

标签：嵌入式存储器；发展历程；现状
一、嵌入式存储器发展历史回顾
对于嵌入式存储器的发展历史，本文将分成早中晚三个时期作详细的介绍：早期：IDM占据了半导体行业的主流，几乎每个企业都会发展自己独特的工艺来生产相关的芯片。

但是，早期嵌入式存储器的集成度并不是特别高，而且，对本身系统的速度和功耗性能的要求也相对较低。

但是，分立式存储器正好相反。

在存储器发展的前期阶段，分立式存储器足以应付各种挑战。

中期：嵌入式存储器不断的发展进步，到中期，其集成度已有了大幅度的提升。

并且，随着晶圆代工业务模式的兴起，工厂对存储器的集成度有了更高的要求。

于是，嵌入式存储器的需求量开始增大。

而分立式存储器也迎来了新的挑战：（1）集成度达不到要求（2）存储器的速度也远远比不上MPU的速度。

分立式存储器渐渐不能满足生产的要求，而嵌入式存储器性能越来越好。

于是，嵌入式存储器开始被重视起来。

晚期：在这个阶段，嵌入式存储器主要有SRAM和DRAM三种类型。

在九十年代中期的时候，Intel开始用嵌入式存储器来取代片外存储器。

Intel的这一举动，使得嵌入式存储器成为主流厂商的首选。

越来越多的厂商使用嵌入式存储器，这在一定程度上加快了嵌入式存储器的发展进度。

二、嵌入式存储器的发展现状
1、嵌入式eDRAM的开发。

为了满足市场的需求，很多企业都开始投入大量的人力物力和财力来进行嵌入式eDRAM的开发。

但是，它的开发工艺存在很多的难点。

相较于DRAM的开发，它的不同工艺的整合难度更大。

从开始研发，到现在为止，能坚持下来的企业寥寥无几。

随着技术的不断进步，人们开始重新正视eDRAM的研究工作，开始重新考虑此项研究工作的可行性。

2、Kilopass和击穿型OTP。

在2001年的时候，Kilopass利用氧化层击穿形成电阻的原理，成功研发出了OTP。

这种击穿型的OTP存储器，氧化层越薄越容易击穿，并且可扩展性非常强。

最重要的是，它的不同研发工艺的整合难度较低，更易于开发。

但是，这种存储器也存在一个致命的缺点，就是只能进行一次编程。

因此，至今还未见到此款存储器问世。

3、MoSys和IT-SRAM。

在1998年的时候，MoSys首次提出了IT-SRAM的概念。

这种设计的关键之处，就是将DRAM的接口SRAM化。

进行这种工艺处理之后，用户使用起来会非常的方便。

IT-SRAM在某款游戏机中获得了成功，到2002年的时候，MoSys又重新提出IT-Q的概念。

相较于IT-SRAM来说，IT-Q 的生产工艺更为复杂，不太容易被生产商所接受。

4、芯技佳易和dySRAM。

在2005年的时候，芯技佳易研发出了dySRAM。

这种技术，使用了两个晶体管作为镜像存储，不再需要额外的存储单元。

相较于其他嵌入式存储器而言，dySRAM具有更高的稳定性，并且功耗也相对较低。

这些优点使得它在国外被广泛的使用，来满足各个领域尤其是低能耗领域的各种需求。

5、eMemory和OTP。

EMemory是台湾一家专门供应存储器的公司，他们的存储器主要使用浮空栅极来进行存储。

而且，他们的存储器还具有价格便宜、灵活性强、容易扩展等优点。

这些特点都使得该公司的产品十分受欢迎。

该公司的目标就是让自家的存储器OTP取代ROM和EPROM。

OTP主要被应用到RFID、MCU，以及电源管理等领域。

三、嵌入式存储器未来发展的展望
嵌入式存储器的发展，经历了从无到有、从少到多、从“粗”到“精”的发展阶段，可以说，现在的嵌入式存储器已经发展的十分成熟了。

但是，社会是在不断进步的，要想不被时代的潮流遗弃，就只能继续进步。

所以，嵌入式存储器的研发工作不能停止，并且还需要有更多的技术人员投入到研究工作当中。

相信随着研究的不断深入，嵌入式存储器又将会迎来新的技术革命；相信随着嵌入式存储器的不断进步，与其相关的其他产业的发展也会被带动起来；相信嵌入式存储器的不断成功，会使得我们的生活更加的快捷方便。

相信未来的嵌入式存储器，所需的制作成本会更低、系统的运行速度也会更快。

总之，嵌入式存储器还具有很好的发展前景，值得各个企业投入精力进行研究。

参考文献
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