2晶体三极管和场效应管小结

第二章晶体三极管和场效应晶体管

第二章晶体三极管和场效应晶体管一、是非题（1）为使晶体管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压。

（）（2）无论是哪种晶体三极管，当处于放大状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位。

（）（3）晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以e极和c极可以互换使用。

（）（4）晶体三极管的穿透电流I CEO的大小不随温度而变化。

（）（5）晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减少。

（）（6）对于NPN三极管，当V BE>0，V BE>V CE，则该管的工作状态是饱和状态。

（）（7）已知某三极管的射极电流I E=1.36mA，集电极电流I C=1.33mA，则基极电流I B=30微安。

（）（8）某晶体三极管的射极电流I B=10微安时，I C=0.44mA；当I B=20微安时，I C=0.89mA 则它的电流放大系数β=45。

（）（9）可以用两个二极管连接成一个三极管。

（）（10）晶体三极管具有电压放大作用。

（）二、填空题1、晶体三极管的三个电极分别称为、、。

三极管在放大电路中，PNP管电位最高的一极是，NPN管电位最高的一极是。

此时，三极管发射结为偏置，集电结为偏置。

晶体三极管工作在饱和区和截止区时，具有特性，可应用于脉冲数字电路中。

2、测得工作在放大电路中的晶体管的两个电极在无交流信号输入时的电流大小及方向如图2-1所示，则另一电极的电流大小为，该管属于管（PNP NPN）。

0.1mA4mA-++ 10K20K1V图2-13、工作在放大区的某三极管，基极电流从20μA增大到40μA，集电极电流从1mA变为2mA，则该三极管的电流放大倍数为。

4、当晶体三极管工作在饱和状态时，其特点是集电结处于偏置，发射结处于偏置。

当工作在放大状态时,其特点是集电结处于偏置，发射结于偏置。

当工作在截止状态时,其特点是集电结处于偏置，发射结于偏置。

晶体二极管晶体三极管场效应晶体管本章小结_图文

第一节晶体二极管
2．杂质半导体（1）P 型半导体：在本征半导体中，掺入微量 3 价元素杂质（硼、铜）主要靠空穴导电的半导体。即：空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
（2）N 型半导体：在本征硅或锗半导体中，掺入微量 5 价元素杂质（磷、砷）主要靠电子导电的半导体。
即：电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
在一块半导体基片上制作两个极近的 PN 结，即构成三极管的管芯。两个 PN 结把整个半导体分成三部分，按排列顺序，有 NPN 型和 PNP 型两种结构。
第二节晶体三极管
三区：发射区、基区、集电区。三极：发射极 e、基极 b、集电极 c。两结：发射结、集电结。
发射极箭头所指是发射结正偏导通时的电流方向。VT 是三极管的文字符号。
正向电流：PN 结正偏时，通过 PN 结的电流，主要由多子的扩散运动形成，称为正向电流。
第一节晶体二极管
（2）反向偏置 P 型区接电源负极，N 型区接电源正极。
负偏电压形成的外电场与内电场方向一致，增强了内电场，仅有少子作漂移运动，形成很小的反向电流，一般为纳安（nA）或微安（A）量级。如图所示。
第二节晶体三极管
（b）基极开路（IB = 0）
IC = IE。基极开路时的集电极—发射极电流称为穿透电流，记作 ICEO 。如图（b）所示。
ICEO >> ICBO ，它们都很小且随温度的升高而增大。ICEO 、 ICBO 越小，三极管的温度稳定性越好。硅管的ICEO 、ICBO 的均比锗管小得多，因此温度稳定性比锗管好。
第一节晶体二极管
第一节晶体二极管
3．PN 结 PN 结：在 P 型（或 N 型）半导体中，运用掺杂工艺，使其一部分转换为 N 型（或 P 型）。在 P 型区和N型区的交界面附近，就形成一个不易导电的薄层，称为 PN 结。

晶体管和场效应管

晶体管和场效应管晶体管和场效应管是现代电子技术中使用广泛的两种重要元件。

它们在电路中发挥着非常重要的作用，促进了电子设备的不断发展和进步。

本文将对晶体管和场效应管进行详细介绍，包括它们的结构、工作原理以及应用领域。

一、晶体管晶体管是一种半导体器件，由三个不同掺杂的层级组成，分别是基底、发射区和集电区。

晶体管的结构决定了它具有放大和开关两种基本功能。

1. 结构晶体管由两种材料构成，一种是N型半导体，另一种是P型半导体。

晶体管的三个层级——发射区、集电区和基底分别对应着NPN和PNP的结构。

发射区和集电区之间夹着一个非掺杂的绝缘材料，称为垫片。

2. 工作原理当在发射区施加一个正向电压时，由于PN结的压降，使得PN接触的区域形成开路。

而一旦发射区施加的电压大于某一阈值，PN接触区域就会呈现导电状态，电子可以从发射区跨过PN结，流入集电区。

这样一来，晶体管就可以实现电流放大的功能。

晶体管的工作过程可以分为三个阶段：放大阶段、切换阶段和截断阶段。

在放大阶段，晶体管的发射区电流和集电区电流的比值决定了信号的放大倍数；在切换阶段，发射区电流不足以跨过PN结的电压并形成导电状态，导致晶体管切换到关断状态；在截断阶段，晶体管实际上是一个开关，完全截断了电流的流动。

3. 应用领域晶体管的广泛应用领域包括电子通讯、计算机、音频和视频设备等。

晶体管的小体积、低功耗以及可靠性等优点使得它成为现代电子产品中的关键元件。

二、场效应管场效应管是另一种重要的半导体器件，通过电场控制电载流子的通道，从而实现对电流的控制。

与晶体管相比，场效应管具有更高的输入阻抗和更低的功耗。

1. 结构场效应管由多层不同掺杂的半导体材料构成。

通常包括掺杂浓度较高的汇集区、控制区和栅极。

2. 工作原理场效应管的工作原理是基于阻挡层控制电流的流动。

通过施加栅极电压，可以改变阻挡层的电场，从而调节通道中的载流子数量。

当栅极电压为0时，阻挡层完全堵塞了载流子的通道，电流无法通过；而当栅极电压发生变化时，阻挡层会减弱或消失，允许电流通过。

场效应管和三极管的比较总结

场效应管和三极管的比较总结场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。

三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。

场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。

场效应管和三极管的区别是电压和电流控制，但这都是相对的。

电压控制的也需要电流，电流控制的也需要电压，只是相对要小而已。

就其性能而言，场效应管要明显优于普通三极管，不管是频率还是散热要求，只要电路设计合理，采用场效应管会明显提升整体性能。

1、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。

场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子；2、三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流；场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流；3、三极管输入阻抗小，场效应管输入阻抗大；4、有些场效应管源极和漏极可以互换，三极管集电极和发射极不可以互换；5、场效应管的频率特性不如三极管；6、场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级；7、如果希望信号源电流小应该选用场效应管，反之则选用三极管更为合适。

场效应管是场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）的简称。

它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点，特别适用于高灵敏度和低噪声的电路，现已成为普通晶体管的强大竞争者。

普通晶体管（三极管）是一种电流控制元件，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型晶体管；而场效应管（FET）是一种电压控制器件（改变其栅源电压就可以改变其漏极电流），工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型晶体管。

场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。

在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的，三极管与场效应管区别见下表。

三极管_与结型场效应管__概述及解释说明

三极管与结型场效应管概述及解释说明1. 引言1.1 概述三极管和结型场效应管是现代电子技术中最常用的两种电子元件。

它们在电子设备中扮演着重要的角色，起到放大、开关和调节电流等功能。

本文将对三极管和结型场效应管进行概述，并比较它们之间的区别和应用范围。

1.2 文章结构本文共分为五个部分：引言、三极管的概述、结型场效应管的概述、三极管与结型场效应管之间的比较以及结论和总结。

在接下来的内容中，我们将详细介绍这些内容以帮助读者更好地理解三极管和结型场效应管。

1.3 目的本文旨在全面介绍三极管和结型场效应管的原理、特点和应用，并通过比较它们之间的差异来帮助读者了解如何选择合适的元件来满足特定的需求。

此外，本文还会展望未来这两种元件在电子领域中可能存在的发展趋势和研究方向。

通过阅读本文，读者将能够对三极管和结型场效应管有更深入的认识，以在实际应用中做出明智的选择和决策。

2. 三极管的概述:2.1 原理及特点:三极管是一种电子器件，由PNP或NPN型晶体管构成。

它的基本原理是通过不同控制信号的变化来改变电流和电压的放大作用。

三极管具有增益高、工作稳定等特点，被广泛应用于放大、开关以及时钟电路等领域。

2.2 三极管的分类:根据结构和工作原理，三极管可分为常规PNP和NPN型三极管、功率三极管以及场效应晶体管。

常规PNP和NPN型三极管中，PNP型在基区加正电压时控制主流进入集电区，而NPN型则是通过负电压控制主流。

功率三极管通常用于高频放大器、发射机及功率放大器等需要处理较大功率信号的场合。

场效应晶体管是另一类重要的三极管类型, 它根据结构和工作原理分为增强型场效应晶体管（n-channel MOSFET）和耗尽型场效应晶体管（p-channel MOSFET）两种。

2.3 三极管的应用:由于其高度可控性和放大能力，在电子领域中广泛应用。

三极管可作为放大器使用，将弱信号放大到足够的大小以便驱动其他元件。

此外，它们还常用于开关电路中，通过控制输入信号来控制输出电流的通断。

晶体二极管晶体三极管场效应晶体管本章小结

正向电流：PN 结正偏时，通过 PN 结的电流，主要由多子的扩散运动形成，称为正向电流。
第一节
晶电源正极。
（2）反向偏置
负偏电压形成的外电场与内电场方向一致，增强了内电场，仅有少子作漂移运动，形成很小的反向电流，一般为纳安（ nA）或微安（ A）量级。如图所示。结论：“正偏导通，反偏截止”的导电特性，称为 PN 结的单向导电特性。
第一节
晶体二极管
2．交流参数（1）极间电容 Ci 二极管 PN 结的等效电容。这个参数愈小，二极管的高频特性愈好。（2）最高工作频率 fM 这个参数给出了二极管工作频率的上限值。
第一节
晶体二极管
五、二极管的应用
1．整流与稳压电路整流与稳压是直流电源设备的组成电路。
整流电路作用：整流电路将交流电压变换为直流脉动电压。
第一节
晶体二极管
四、二极管的主要参数
1．直流参数（1）最大整流电流 IFM 二极管长时间工作时允许通过的最大正向平均电流。其大小由 PN 结的结面积和散热条件决定。（2）最高反向工作电压 VRM 二极管正常使用时允许加的最高反向峰值电压。（3）反向电流 IR 二极管未击穿时的反向饱和电流，其值愈小，二极管的单向导电性愈好。
第一节
晶体二极管
3．二极管的图形符号
箭头所指即二极管正偏导通时的电流方向。字母 VD 为二极
管的文字符号。
第一节
晶体二极管
三、二极管的伏安特性
通过二极管的电流 I 与其两端外加电压 V 的关系，称为二极管的伏安特性。实验电路
第一节
晶体二极管
图示为测量二极管的正向特性电路。调节 RP 使二极管两端的正偏电压从零开始逐点增加，读出每一点电压表和毫安表指示的正向电压 VF、正向电流 IF 数据对，列出正向特性数据表。

场效应管和三极管的异同

场效应管和三极管的异同1.引言1.1 概述概述:场效应管和三极管是现代电子器件中常用的两种晶体管。

它们都是半导体器件，具有放大、开关、调节电流等功能。

虽然场效应管和三极管都属于晶体管的范畴，但它们在结构、工作原理和特性等方面存在一定的不同。

场效应管，又称为晶体管的一种，是一种基于电场调控电流的半导体器件。

场效应管的主要组成部分包括栅极、源极和漏极。

通过在栅极上施加电压来改变栅极和漏极之间的电场强度，从而控制漏极电流的大小。

场效应管具有高输入阻抗、低噪声、低功耗等优点，在许多应用中得到了广泛的应用。

而三极管是另一种常见的晶体管类型，也被称为双向晶体管。

它由三个掺杂不同的半导体材料层叠而成，主要包括基极、发射极和集电极。

通过控制基极电流来控制发射极和集电极之间的电流放大倍数。

三极管具有高电流放大倍数、可靠性高等特点，被广泛应用于放大、开关和稳压等电路。

在工作原理上，场效应管是通过改变栅极电压来调节漏极-源极之间的电流，而三极管则是通过调节基极电流来控制发射极-集电极之间的电流。

由于两者的工作原理不同，它们的特性表现也有所区别。

总结起来，场效应管和三极管在结构、工作原理和特性等方面存在明显的差异。

场效应管主要通过改变电场来调节电流，而三极管则是通过改变电流来实现电流放大。

尽管存在差异，但它们都是现代电子器件中不可或缺的重要组成部分，两者在电子领域中都有着广泛的应用。

在接下来的章节中，我们将更加深入地探讨场效应管和三极管的工作原理、特性以及它们在实际应用中的优劣势。

1.2 文章结构文章结构:本文主要围绕场效应管和三极管展开讨论，分为引言、正文和结论三个部分。

引言部分首先对场效应管和三极管进行了概述，介绍了它们的基本特点和在电子学中的应用。

接着，介绍了本文的结构以及各个部分的内容和目的。

正文部分分为两个小节，分别讨论了场效应管和三极管的特点和工作原理。

在场效应管部分，我们将重点探讨了它的两个要点。

第一个要点将介绍场效应管的基本结构和工作原理，包括栅极、漏极和源极的作用以及通过改变栅极电压控制漏电流。

半导体器件：二极管、三极管与场效应管

三极管的应用
音频放大数字逻辑门电路模拟电路射频放大
特殊三极管
复合管：将两个或多个晶体管并联，具有高速性能
达林顿管：将两个晶体管串联，具有高放大倍数
隧道三极管：利用隧道效应，具有高速开关特性
高频三极管：工作频率高，适用于高频电路
Part Five
场效应管
场效应管的原理与结构
原理：通过改变电场来控制半导体材料的导电性，从而实现对电流的控制。
局限性。
Part Six
半导体器件的发展趋势与展望
半导体器件的发展历程与现状
晶体管的发明和普及
集成电路的诞生和发展
半导体器件的起源和早期发展
现代半导体器件的种类和应用领域
半导体器件的发展趋势
集成化：多个器件集成在一个芯片上，实现更高的功能和性能。
微型化：随着工艺技术的进步，半导体器件的尺寸不断缩小，性能不断提高。
智能化：与人工智能技术结合，实现自适应、自学习等
功能，拓展应用领域。
高效化：追求更高的频率、更低的功耗和更小的热设计
功耗。
未来展望
新型半导体材料的应用先进制程技术不断提升人工智能与半导体器件的融合物联网与半导体器件的紧密结合
THANKS
汇报人：XXX
电源稳压：利用半导体器件实现电源的稳压，保证电子设备的稳定运行
光电转换：利用光电二极管等半导体器件实现光信号与电信号的转换，应用于光通信等领域
Part Three
二极管
二极管的原理与结构
原理：利用半导体材料的特殊性质，实现正向导通、反向截止的特性结构：由PN结、电极和封装结构组成，分为硅管和锗管等类型工作状态：正向导通、反向截止，具有单向导电性应用领域：广泛用于电子设备、通信、电力等领域

场效应管（MOS管）和晶体管（三极管）小知识

场效应管（MOS管）和晶体管（三极管）小知识场效应管(MOS 管)场效应管英文缩写：FET(Field-effect transistor)场效应管分类：结型场效应管和绝缘栅型场效应管 , 场效应管电路符号：场效应管的三个引脚分别表示为:G(栅极),D(漏极),S(源极)绝缘栅型场效应管场效应管属于电压控制型元件，又利用多电子导电故称单极型元件，且具有输入电阻高，噪声小，功耗低，无二次击穿现象等优点。

具有较高输入电阻、输入电流低于零，几乎不要向信号源吸取电流，在G注入电流的大小，直接影响D电流的大小，利用输出电流控制输出电源的半导体。

场效应管与晶体管的比较（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。

在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。

被称之为双极型器件。

（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。

（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上.场效应管好坏与极性判别:将针式万用表的量程选择在 RX1K 档,用黑表笔接 D 极,红表笔接 S 极,用手同时触及一下 G,D 极,场效应管应呈瞬时导通状态,即表针摆向阻值较小的位置,再用手触及一下 G,S 极, 场效应管应无反应,即表针回零位置不动.此时应可判断出场效应管为好管.将万用表的量程选择在RX1K 档,分别测量场效应管三个管脚之间的电阻阻值,若某脚与其他两脚之间的电阻值均为无穷大时,并且再交换表笔后仍为无穷大时,则此脚为 G 极,其它两脚为 S 极和 D 极.然后再用万用表测量 S 极和 D 极之间的电阻值一次,交换表笔后再测量一次, 其中阻值较小的一次,黑表笔接的是 S 极,红表笔接的是 D 极.(有些场效应管D-S极带保护二极管测量应留意).半导体三极管半导体三极管在电路中常用'Q'加数字表示，如：Q17 表示编号为17 的三极管。

场效应晶体管与晶体三极管

场效应晶体管与晶体三极管
场效应晶体管与晶体三极管是现代电子元器件中最为常见的两
种晶体管。

场效应晶体管由于其具有高输入电阻、低噪声、低功耗等优点，被广泛应用于信号放大、开关和数字电路等领域。

晶体三极管则因其具有高电流放大倍数、大功率、高可靠性等特点，被广泛应用于功率放大、开关和稳压等领域。

场效应晶体管和晶体三极管都是半导体电子器件，其原理和结构有所不同。

场效应晶体管是一种基于场效应原理的晶体管，它由栅、源、漏三个电极组成，其中栅极用来控制源漏之间的电流，根据栅极电压的不同，可将其分为N型和P型场效应晶体管。

晶体三极管是一种基于PN结原理的晶体管，由发射极、基极、集电极三个电极组成。

其中，发射极和集电极之间的区域构成PN结，基极用来控制PN结区域的电流，根据基极控制PN结电流的方向和大小，可将其分为NPN型和PNP型晶体三极管。

总体来说，场效应晶体管和晶体三极管在电路设计中各有其应用的优势和限制，需要根据具体应用场景进行选择和优化设计。

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二三极管和场效应管相关知识简介

二三极管和场效应管相关知识简介在二三极管中间，三极管的饱和状态，是尤为需要我们去关注的。

饱和状态的良好与否，都是对我们的正常与否，都是有着非常大的关联的。

在放大区域中间，三极管所输出的伏安特曲线中间，那些趋近于水平的那些区域，就是所说的放大区域。

因为在这样的状态下面，其电流的放大系数，基本上都是比较的相近的。

因此，在实际的操作过程中，很多的时候，又被称之为是线性区。

不过，在实际的操作过程中，我们需要注意的一点就是，其发射结，是必须要处在那些正向偏转的位置中，而那些集电结，是需要处于那些反向偏转的位置中间的。

如果是弄混淆，亦或者是不能够正确的去对待的话，都是对我们的实际使用，有着非常大的影响的在导通的饱和区域中间，IB的变化，相对于那些IC来说，其影响是非常的小的。

而且，在那些放大区域中间的参素，也是不能够再在饱和区域中间，来进行相应的使用的。

而且，其发射结和集电结的位置，是需要严格的控制在那些正向偏转的位置中间来的。

三极管的导通原理，是非常的重要的。

当然，如果你有二三极管方面的需求，亦或者是有关于继电器/连接器，电压比较器，以及MOS管方面的需求的话，是可以直接和我们的工作人员进行联系的，我们将竭诚为你服务场效应管在实际的应用中间听到的比较多，但事实上，这只是场效应晶体管的一种缩写形式罢了。

场效应管主要是一种半导体电子元件，它在一定的条件，也是能够被称之为是一种单极型晶体管。

不过，在实际的应用中间，一定不要将其和那些电子管之类的物件弄混淆了。

要知道，这完全是两个不同的概念。

如果是不能够很好的进行区分的话，对我们的实际使用，是有着非常大的影响的。

场效应管的主要特点有：1、利用多数载流子导电，温度稳定性能极好2、极有极好的抗辐射能力3、场效应管在实际的应用中间，所组成的放大电路的电压放大系数，要远远小于其他一些电子元件放大电路的电压放大系数4、有效避免杂乱运动的少子扩散情况，减少噪音污染5、因输入断电流极大，能够有效延长设备使用寿命。

场效应管与三极管

场效应管与三极管场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。

三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。

场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。

场效应管和三极管的区别是电压和电流控制，但这都是相对的。

电压控制的也需要电流，电流控制的也需要电压，只是相对要小而已。

就其性能而言，场效应管要明显优于普通三极管，不管是频率还是散热要求，只要电路设计合理，采用场效应管会明显提升整体性能。

1、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。

场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子；2、三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流；场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流；3、三极管输入阻抗小，场效应管输入阻抗大；4、有些场效应管源极和漏极可以互换，三极管集电极和发射极不可以互换；5、场效应管的频率特性不如三极管；6、场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级；7、如果希望信号源电流小应该选用场效应管，反之则选用三极管更为合适。

场效应管是场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）的简称。

它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点，特别适用于高灵敏度和低噪声的电路，现已成为普通晶体管的强大竞争者。

普通晶体管（三极管）是一种电流控制元件，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型晶体管；而场效应管（FET）是一种电压控制器件（改变其栅源电压就可以改变其漏极电流），工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型晶体管。

场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。

在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的，三极管与场效应管区别见下表。

晶体三极管与场效应管

B
JC JE
集电结反偏：
由VBB、VCC保证；
RB
N
VCC
VBB
E
UCB=VCC − UBE > 0，反偏；集电结电场很强。
共射极PNP放大电路
三极管在工作时必须加上适当的直流偏臵电压。结论：对于正常工作的PNP管，必然
若在放大工作状态：发射结正偏：有UC <UB <UE
由VBB保证；必须使：UBE< 0 硅管：UBE=UB-UE=-0.7（V）锗管：UBE=UB-UE=-0.3（V）
符号
集电极 C 集电区
P
基极 B
集电结基区
N P
发射结
发射区
BJT的组态
ie 输入
CB
三极管在使用时，根据实际需要，可接成三种不同的组态。不管接成哪种组态，都有一对输入端和一对输出端；
ib 输入
CE
ic 输出
ic ib 输出输入
CC
ie 输出
共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；
共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示 ;
共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。
BJT的电流放大条件
输入三极管的放大作用是满足自身的内部结构特点的前提 • 发射区的掺浓度最高 ( N+ )；回路下，在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现 • 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，输入出来的。 • 且掺杂浓度最低。 IC 回路 R C 内部结构 BJT的结构特点外部条件发射结正偏，集电结反偏。
CBO B
共射极NPN放大电路
C CN CBO
I =I +I 发射结正偏，结论：I =I +I 集电结反偏发射区多数载流子电子 I －扩散运动形成的电流 C 不断向基区 IB－复合运动形成的电流扩散，形成 I I J 扩散电流I I IC－漂移运动形成的电流

第4讲晶体三极管及场效应管

2. 绝缘栅型场效应管
增强型管
大到一定值才开启
高掺杂耗尽层空穴
衬底 SiO2绝缘层
反型层
uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。
动画演示
增强型MOS管uDS对iD的影响
刚出现夹断
iD随uDS的增大而增大，可
uGD＝UGS（th）, 预夹断
变电阻区
夹断电压
在恒流区iD时 ID， O(UuGGSS(th)1)2 式中 IDO为uGS2UGS(t时 h) 的 iD
3. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性
结型PN沟沟道道((uuGGS＞ S＜00，，uuDDS＜ S＞00)) 场效应管绝缘栅型耗增尽强型型 PPN N沟沟沟沟道道道道((((uuuuG GG GSS＜极 SS＞极00，性，性uu任 D任 DS＜ S＞意意 00)u)u，， DDS＜ S＞00))
区
区
低频跨导：
夹断区（截止区）
iD几乎仅决定于uGS
击穿区
夹断电压
gm
iD uGS
UDS常量
不同型号的管子UGS（off）、IDSS 将不同。
动画演示Байду номын сангаас
（1）可变电阻区
i
是uDS较小，管子尚未预夹断时
的工作区域。虚线为不同uGS是预夹
断点的轨迹，故虚线上各点
uGD=UGS(off)，则虚线上各点对应的 uDS=uGS-UGS(off)。
uDS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻
iD几乎仅仅受控于uGS，恒流区
用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N 沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？

晶体三极管工作总结

晶体三极管工作总结
晶体三极管是一种重要的半导体器件，它在电子设备中起着至关重要的作用。

它的工作原理和特性对于电子工程师来说是非常重要的。

在本文中，我们将对晶体三极管的工作原理和特性进行总结。

晶体三极管是一种三端口的半导体器件，通常包括一个发射极、一个基极和一
个集电极。

它的工作原理是基于PN结的导电特性。

当一个正向偏置电压施加在发
射极和基极之间时，PN结会被击穿，电子会从发射极注入到基极，形成一个电流。

这个电流会被放大并从集电极中输出。

晶体三极管有很多重要的特性。

首先，它具有放大作用。

当一个小的输入信号
施加在基极上时，晶体三极管可以放大这个信号并输出一个更大的信号。

这使得它在放大电路中得到了广泛的应用。

其次，晶体三极管还具有开关作用。

当一个正向偏置电压施加在发射极和基极
之间时，晶体三极管处于导通状态，允许电流通过。

而当一个逆向偏置电压施加在发射极和基极之间时，晶体三极管处于截止状态，电流无法通过。

这使得它在数字电路中得到了广泛的应用。

此外，晶体三极管还具有频率响应特性。

它可以在很高的频率下工作，这使得
它在射频电路中得到了广泛的应用。

总之，晶体三极管是一种非常重要的半导体器件，它在电子设备中起着至关重
要的作用。

它的工作原理和特性对于电子工程师来说是非常重要的。

希望本文对晶体三极管的工作原理和特性有所帮助。

二极管、三极管和MOS管讲解

少子越过PN结形成很小的反向电流
P区
空间电荷区变宽
N区
IR 内电场外电场
E
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第1章由上述分析可知：
切记
PN结具有单向导电性
即在PN结上加正向电压时，PN结
电阻很低，正向电流较大。（PN结处
于导通状态）
加反向电压时，PN结电阻很高，反
向电流很小。（PN结处于截止状态）
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B
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第1章
由上述讨论可知:
UGS愈大，导电沟道愈厚,在UDS电压作用下,电流ID愈大。即通过改变电压UGS的大小可以改变漏极电流ID的
大小。
随着栅极电压UGS的增加，导电沟道不断增加的场效
管称为增强型场效应管。
场效应管只有一种载流子参与导电,故称为单极型晶体管。普通晶体管中空穴和电子两种载流子参与导电称之为双极型晶体管。
U
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第1章
2.二极管特性的折线近似及模型
I
二极管的电路模型
Q
P
O
U0N U
U = UON + rD I
I
－
+
r Di UON
D
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第1章
1.1.4 稳压二极管
稳压管是一种特殊的面接触型半导体二极管。
I/mA
＋I
U
-
符号:
阴极
DZ
阳极
UZ
特点:
0
U/V
(1)反向特性曲线比较陡
发射区向基区扩散电子
电源负极向发射区补充电子形成
发射极电流IE
RC UCC
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第1章

三极管场效应管

三极管场效应管在当代的电子工业中，三极管和场效应管是常常被使用的两种电子元器件。

它们的使用范围广泛，可以在各种电路中担任不同的角色。

本文将围绕这两种元器件进行详细的阐述。

一、三极管三极管是一种半导体器件。

它由三个掺有不同材料的区域组成，其中两个区域被称为“外结区”，另一个区域则被称为“内结区”。

当外结区加正/负电压时，电子就可以跨越内结区流到另一个外结区中。

这种流动形式被称为“扩散”，且流动的方向从高浓度处向低浓度处。

而当内结区加电压时，电子会被强制转向，以便在另一个外结区中流动，这个过程称为“漂移”。

三极管的工作原理可以概括为：当基极电压为低电平（0V）时，隔板区被反偏，此时电子无法从集电区流向发射区，因此输出为高电平。

当基极电压为高电平（正电压）时，隔板区将被正偏，电子可以顺利流向发射区，从而使输出为低电平。

二、场效应管场效应管（FET）由三个区域组成，其中有一个称为“沟道区”，处于“沟道区”下方的是“源极”，而处于“沟道区”上方的是“漏极”。

FET在正常工作状态下，其沟道区内的电子和空穴通过扩散而互相中和。

当施加负电压于栅极时，栅式场会封锁漏极与源极之间的电流，因此，FET在负栅电压下具有很高的阻值，即非常高的输入电阻。

FET的特点是输入电阻大，除了噪声系数外，其他参数都很好。

其工作原理是利用栅电势来控制电源沟道中的电子。

三、三极管和场效应管的比较1. 不同的控制方式：三极管的控制基于基极电流，而场效应管的控制基于栅极电压。

2. 不同的电路结构：三极管有三个引脚，而场效应管具有五个引脚。

3. 不同的输入输出特性：三极管输入电阻小，输出电流大，而场效应管则恰好相反。

4. 工作电压不同：三极管需要一个足够大的开启电压，而场效应管则可以以较小的电压（几伏）开启。

两者都有各自的优势和不足，具体选择哪一种器件，需要根据具体的应用环境和性能要求进行评估。

总之，三极管和场效应管都是极为重要的电子元器件，在电子技术中扮演着重要的角色。

晶体管、二极管、场效应（MOS）管知识点大合集（收藏版）

晶体管、二极管、场效应（MOS）管知识点大合集（收藏版）看到题目一定有小伙伴想，说到晶体管，为什么没有讲三极管了？那是因为小编在几周前已经整理了关于三极管的内容《三极管原理、经验、总结大合集》，好吧，还是那么简单想看哪篇点哪篇。

这些不是目录是文章链接哦！晶体管芯片里面的几千万的晶体管是怎么装进去的？晶体管参数在实际使用中的意义内含十亿晶体管的大芯片价值为什么不如一杯咖啡？晶闸管工作原理晶体管的饱和状态和饱和压降功率场效应晶体管(MOSFET)原理DRAM(DDR3/DDR2)的晶体管级结构与原理谈晶体管的饱和状态和饱和压降晶体三极管放大电路和MOS管工作原理场效应（MOS）管MOS管驱动电路详解MOS管驱动电阻怎么选择？增强型、耗尽型MOS场效应管详解，N沟道MOS管和P沟道MOS管MOS管寄生参数的影响和其驱动电路要点开关功率MOS扫盲帖MOS管驱动基础和时间功耗计算三极管和MOS管有啥区别？MOSFET管驱动电路基础总结看完就懂！！MOS管及简单CMOS逻辑门电路MOS管正确选择的步骤场效应管及其工作原理MOS管驱动变压器隔离电路分析和应用功率场效应晶体管(MOSFET)原理场效应管检测方法与经验结型场效应管(JFET)的结构及工作原理二极管&TVS管用DNA分子打造全球最小二极管二极管其他7种应用电路详解二极管基础知识-分类,应用，特性，原理，参数TVS管的应用原理,参数,命名法则以及选型电子元器件基础知识—二极管肖特基二极管与TVS管二极管和三极管的命名原则二极管正负极如何判断TVS二极管特性及应用二极管与、或门，三极管非门电路原理TVS瞬态电压抑制二极管原理参数二极管检波电路你不可不知的15个功率二极管知识点TVS管原理和特性瞬态电压抑制二极管应用指南TVS管相关基础知识详解。