模拟电子技术基础-知识点总结(word文档物超所值)
模拟电子技术知识点总结
模拟电子技术知识点总结篇一：模拟电子技术基础知识汇总模拟电子技术第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*n型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7.Pn结*Pn结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
*Pn结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8.Pn结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2)等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳?微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在Pn结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章三极管及其基本放大电路一.三极管的结构、类型及特点1.类型---分为nPn和PnP两种。
模拟电子技术基础-知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
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完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。
2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流，从而控制集电极电流，实现信号放大。
3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大，共集电极放大倍数最小。
三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。
2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。
3.共基极放大电路---具有电压放大的作用，输入电阻较低。
4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置，使其工作在放大区，保证放大电路的稳定性。
四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。
2.开关---控制大电流的通断。
3.振荡器---产生高频信号。
4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性，实现稳定的输出电压。
模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，如硅Si、锗Ge。
2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子，是半导体中的两种主要载流体。
5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
根据掺杂元素的不同，可分为P型半导体和N型半导体。
6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。
7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结，具有单向导电性和接触电位差等特性。
8.PN结的伏安特性是指在不同电压下，PN结的电流和电压之间的关系。
二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。
1.半导体二极管具有单向导电性，即只有在正向电压作用下才能导通，反向电压下截止。
2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似，具有正向导通压降和死区电压等特性。
3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。
三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管，其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区，具有稳压的作用。
模拟电子技术基础 知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
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模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一. 半导体的基础知识1•半导体…导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、错Ge）。
2. 特性…光敏、热敏和掺杂特性。
3. 本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5. 杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性*P型半导体：在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）*N型半导体：在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）6•杂质半导体的特性*载流子的浓度…多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻…通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型…通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN 结* PN结的接触电位差…硅材料约为0.6〜0.8V，错材料约为0.2〜0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性……正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降……硅管0.6〜0.7V，错管0.2〜0.3V。
*死区电压——硅管0.5V，错管0.1V。
3. 分析方法——将二极管断开，分析二极管两端电位的高低若V阳＞V阴（正偏），二极管导通（短路）；若V阳＜V阴（反偏），二极管截止（开路）。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2）等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低若V阳＞V阴（正偏），二极管导通（短路）；若V阳＜V阴（反偏），二极管截止（开路）。
*三种模型& a三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性…正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
微变等效电路法<<»)模型第二章§ 2-1三极管及其基本放大电路三极管的结构、类型及特点1•类型…分为NPN和PNP两种。
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模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模电基础知识总结
模电基础知识总结导言模拟电子技术（Analog Electronics）是电子学的一个重要分支，包括分析和设计各种电子电路，以便于对在电子系统中表现为连续值的信号进行处理。
模拟电子技术是电子技术的核心内容之一，广泛应用于各种电子系统中。
本文将对模拟电子技术的基础知识进行总结。
电路基础电压、电流与电阻•电压：电荷的偏移量，单位为伏特（V）。
•电流：电荷单位时间通过导体的速度，单位为安培（A）。
•电阻：导体抵抗电流的能力，单位为欧姆（Ω）。
电路定律•欧姆定律: $ V = IR $•基尔霍夫定律:–基尔霍夫电压定律：节点电压之和为零。
–基尔霍夫电流定律：分支电流之和为零。
放大器放大器概述放大器是一种电子电路，用于增加信号的幅度。
放大器可以分为电压放大器、电流放大器和功率放大器等类型。
放大器特性•增益（Gain）：输出信号幅度与输入信号幅度的比值。
•带宽（Bandwidth）：放大器能够放大信号的频率范围。
•输入/输出阻抗：放大器的输入和输出接口的阻抗匹配对信号传输至关重要。
滤波器滤波器概述滤波器是一种能够选择特定频率信号的电路。
常见的滤波器类型包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器。
滤波器设计•利用电容和电感可以设计无源RC和RL滤波器。
•主动滤波器使用放大器来增强滤波效果。
•数字滤波器基于离散时间信号进行设计。
零件及器件二极管与晶体管•二极管：具有单向导电特性，用于整流和电压调节。
•晶体管：根据不同类型（NPN/PNP），可作为放大器、开关或振荡器使用。
集成电路•集成电路（IC）：将多个电子元器件集合在一起形成的整体，方便应用到复杂的电路中。
结论本文对模拟电子技术领域的基础知识进行了总结，涵盖了电路基础、放大器、滤波器和常见零部件等内容。
这些基础知识是深入理解模拟电子技术的关键，也是进行电路设计和分析的基石。
希望读者通过本文的学习，能够对模拟电子技术有更深入的了解。
以上是本文对模拟电子基础知识的总结，希望对您有所帮助。
（完整版）模拟电子技术基础总结
（完整版）模拟电子技术基础总结第一章晶体二极管及应用电路一、半导体知识1．本征半导体·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。
前者是制造半导体IC的材料（三五价化合物砷化镓GaAs 是微波毫米波半导体器件和IC 的重要材料）。
·纯净（纯度>7N）且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。
在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发或产生）（图1-3）。
本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。
温度越高，本征激发越强。
+载流子。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶·空穴是半导体中的一种等效q+电荷的空位宏观定向运动（图1-4）。
格中的空位，使局部显示q·在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。
复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡状态。
2．杂质半导体·在本征硅（或锗）中渗入微量5价（或3价）元素后形成N型（或P型）杂质半导体（N型：图1-5，P型：图1-6）。
·在很低的温度下，N型（P型）半导体中的杂质会全部电离，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和杂质负离子对）。
·由于杂质电离，使N型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴，而P型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。
·在常温下，多子>>少子（图1-7）。
多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；两少子浓度是温度的敏感函数。
·在相同掺杂和常温下，Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。
3．半导体中的两种电流在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流（这与金属导电一致）；还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
4．PN结·在具有完整晶格的P型和N型材料的物理界面附近，会形成一个特殊的薄层——PN结（图1-8）。
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一．半导体的基础知识1．半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性－--光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4．两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5．杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴,少子是电子)。
*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度--－多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻-－－通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型--－通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~０.8V,锗材料约为0.2～0.３V。
＊PＮ结的单向导电性-－-正偏导通,反偏截止。
8. PN结的伏安特性二．半导体二极管*单向导电性---－--正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性－-－-同PＮ结。
*正向导通压降-－-－--硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0．３V。
*死区电压-－--－－硅管０.5V，锗管０．1V。
3.分析方法－－-－--将二极管断开，分析二极管两端电位的高低：若V阳＞V阴（正偏）,二极管导通(短路）;若V阳＜V阴( 反偏)，二极管截止（开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Ｑ。
2) 等效电路法➢直流等效电路法＊总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路);若Ｖ阳＜Ｖ阴（反偏)，二极管截止(开路)。
＊三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路＊稳压二极管的特性-－-正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术基础 知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术基础知识点总结.
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一。
半导体的基础知识1.半导体——-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2。
特性—-—光敏、热敏和掺杂特性。
３.本征半导体————纯净的具有单晶体结构的半导体。
4。
两种载流子-—--带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体——-—在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
＊P型半导体：在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子)。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）.6.杂质半导体的特性*载流子的浓度—-—多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关.*体电阻——-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型—-—通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7.ＰN结*ＰN结的接触电位差——－硅材料约为0。
6~0。
8V，锗材料约为0。
2～０.３V．*PN结的单向导电性－--正偏导通，反偏截止.8。
PN结的伏安特性二。
半导体二极管＊单向导电性—－－-—－正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性－——-同ＰＮ结。
＊正向导通压降——--——硅管0．６~0.7V,锗管0.2~0.3V。
＊死区电压--—-—－硅管0。
5V,锗管0。
1V。
3.分析方法--—－—-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低：若V阳>V阴(正偏),二极管导通（短路);若V阳＜V阴（反偏)，二极管截止(开路)。
1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2）等效电路法➢直流等效电路法＊总的解题手段-———将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若Ｖ阳〉Ｖ阴( 正偏），二极管导通(短路);若Ｖ阳<V阴( 反偏），二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性—--正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术基础-知识点总结-(最新版-已修订)
模拟电子技术基础-知识点总结-（最新版-已修订）
模拟电子技术基础知识是指使用有限的模拟电信号表征的知识，用于建立模拟电子系
统的原理和基本技术。
基础理论是研究模拟电子系统的基础，有助于专业工作者更好地理解、设计和应用这类系统。
模拟电子技术基础以电子技术作为核心，具备以下特点：
1、以信号源、电路、仪器学等做出反应为基础，注重反应的物理特性，探讨信号可
以如何传播、处理和控制，以及电子元件的功能与作用；
2、侧重探究电子系统的工作原理，掌握其组成的基本元件及其工作原理，熟悉其参
数的确定及其表达方法与测量；
3、认识和掌握电子设备调节原理和方法，懂得如何修改电子设备以及采用综合技术
来改善其性能；
4、参数优化：根据电路设计要求，选择合适的电路结构，确定部件参数，优化系统
性能，提供充分的有关信息；
5、系统设计与模拟：根据客户要求，将电子系统的不同部件结构组合起来，通过模
拟设计、调节和优化，使其性能达到最优；
6、工具硬件和软件调试：根据电子原理图和程序，熟悉工具硬件和软件的调试技术，熟练掌握编程技术和系统调试技术。
模拟电子技术可以很好地提高系统的性能，并为用户带来更多便利。
然而，要达到理
想的效果，必须熟悉模拟电子技术基础知识，才能根据具体实践需要和环境，通过相关技
术合理应用，使模拟电子技术发挥出最大威力。
模拟电子技术基础-知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Ｓｉ、锗Ge)。
２．特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3．本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
４. 两种载流子 -－-－带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
５.杂质半导体---－在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
＊P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴,少子是电子)。
＊N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子，少子是空穴)。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型-－-通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结＊ PＮ结的接触电位差---硅材料约为０．６~0.8V，锗材料约为0．2~0．3V。
* PＮ结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
８. PＮ结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性--－--－正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性-－--同PＮ结。
*正向导通压降-－--－－硅管0．6~0.7V,锗管0.2~０.３V。
＊死区电压-－--－-硅管0.5V，锗管0.1V。
３.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若Ｖ阳＞Ｖ阴（正偏 )，二极管导通（短路）;若 V阳 <V阴( 反偏）,二极管截止(开路)。
1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2）等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段-－--将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路）。
＊三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在ＰN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术基础知识总结
模拟电子技术基础知识总结1.半导体---导电技能介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴，少子是电子)。
*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子，少子是空穴)。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决断于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
7. PN结* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
* PN结的导通电压---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:假设 V阳 V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 假设 V阳该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 假设 V阳 V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 假设 V阳微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点 1.类型---分为NPN和PNP两种。
2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小;集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。
模拟电子技术基础-知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一。
半导体的基础知识1。
半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、锗Ge）。
2。
特性-——光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体——--纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子—-——带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体--—-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体：在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子）.*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度—-—多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关.＊体电阻———通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
＊转型—-—通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差———硅材料约为0。
6～0。
8V,锗材料约为0。
2～0.3V。
* PN结的单向导电性-—-正偏导通，反偏截止.8. PN结的伏安特性二。
半导体二极管＊单向导电性—-—-—-正向导通，反向截止。
＊二极管伏安特性——--同ＰＮ结.＊正向导通压降———-—-硅管0。
6～0。
7V，锗管0。
2~0.3V。
*死区电压—-——-—硅管0.5V，锗管0。
1V。
3。
分析方法———--—将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳〉V阴( 正偏），二极管导通(短路)；若 V阳 <V阴( 反偏），二极管截止（开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q.2）等效电路法➢直流等效电路法＊总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低：若 V阳 >V阴（正偏）,二极管导通(短路);若 V阳 <V阴（反偏 )，二极管截止(开路).*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性-—-正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
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结的伏安（曲线）方程：
该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点直流等效电路法（低频大信号模型）
微变等效电路法（低频小信号模型）
交流动态电阻：
二极管反偏电压增大到一定值时，反向电流突然增大的现象称为反向击穿。
晶体三极管及基本放大电路
温度对晶体管特性及参数的影响：
温度升高，输入特性曲线向左移动。
I CBO、I CEO、I C以及β均增加。
晶体管的主要参数
◆电流放大倍数：交流和直流
◆极限参数：最大集电极耗散功率、最大集电极电流、极间反向击穿电压放大电路的组成原则
晶体管放大电路的原则
放大电路的基本分析方法
理解个元件的作用；
直流通路与静态分析：
直流通路：电容视为开路；
图解法与解析法
，，
电路参数对静态工作点的影响；
直流负载线：由V CC=I C R C+U CE确定的直线。
改变R b：Q点将沿直流负载线上下移动。
截止失真
产生原因---Q点设置过低
放大倍数
输入电阻
输出电阻
分压式稳定工作点共射电路
；
负反馈技术
放大器的输出电压（或电流）经反馈网络在放大器输入端产生反馈信号，该反馈信号与放大器原来输入信号共同控制放大器的输入，即构成反馈放大器。
集成运放的电压传输特性
之间，运放工作在线性区域：
理想集成运放的参数
→∞；
R2 =R1//R f
同相比例运算电路
R2=R1//R f
反相求和运算电路
同相求和运算电路
//R2//R3//R4=R f//R5
1
加减运算电路
12f345积分运算
微分运算。