半导体物理基本概念大全
半导体知识点总结大全
半导体知识点总结大全引言半导体是一种能够在一定条件下既能导电又能阻止电流的材料。
它是电子学领域中最重要的材料之一，广泛应用于集成电路、光电器件、太阳能电池等领域。
本文将对半导体的知识点进行总结，包括半导体基本概念、半导体的电子结构、PN结、MOS场效应管、半导体器件制造工艺等内容。
一、半导体的基本概念（一）电子结构1. 原子结构：半导体中的原子是由原子核和围绕原子核轨道上的电子组成。
原子核带正电荷，电子带负电荷，原子核中的质子数等于电子数。
2. 能带：在固体中，原子之间的电子形成了能带。
能带在能量上是连续的，但在实际情况下，会出现填满的能带和空的能带。
3. 半导体中的能带：半导体材料中，能带又分为价带和导带。
价带中的电子是成对出现的，导带中的电子可以自由运动。
（二）本征半导体和杂质半导体1. 本征半导体：在原子晶格中，半导体中的电子是在能带中的，且不受任何杂质的干扰。
典型的本征半导体有硅（Si）和锗（Ge）。
2. 杂质半导体：在本征半导体中加入少量杂质，形成掺杂，会产生额外的电子或空穴，使得半导体的导电性质发生变化。
常见的杂质有磷（P）、硼（B）等。
（三）半导体的导电性质1. P型半导体：当半导体中掺入三价元素（如硼），形成P型半导体。
P型半导体中导电的主要载流子是空穴。
2. N型半导体：当半导体中掺入五价元素（如磷），形成N型半导体。
N型半导体中导电的主要载流子是自由电子。
3. 载流子浓度：半导体中的载流子浓度与掺杂浓度有很大的关系，载流子浓度的大小决定了半导体的电导率。
4. 质量作用：半导体中载流子的浓度受温度的影响，其浓度与温度成指数关系。
二、半导体器件（一）PN结1. PN结的形成：PN结是由P型半导体和N型半导体通过扩散结合形成的。
2. PN结的电子结构：PN结中的电子从N区扩散到P区，而空穴从P区扩散到N区，当N区和P区中的载流子相遇时相互复合。
3. PN结的特性：PN结具有整流作用，即在正向偏置时具有低电阻，反向偏置时具有高电阻。
半导体物理学概念总结
半导体物理学概念总结
半导体物理学是研究半导体材料及其在电子学和光学中的性质和行为的学科。
以下是对半导体物理学概念的总结：
1. 半导体材料，半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料。
它的导电性介于导体和绝缘体之间，具有在一定条件下可控制的电导率。
2. 禁带宽度，半导体中的电子处于能带中，禁带宽度是指价带和导带之间的能量差。
当禁带宽度较小时，半导体易于导电。
3. 载流子，半导体中的载流子包括电子和空穴。
电子是带负电荷的载流子，而空穴是带正电荷的载流子。
4. 杂质，在半导体中加入少量的杂质可以改变其导电性能。
掺杂可以分为n型和p型，分别引入额外的自由电子或空穴。
5. PN结，PN结是半导体器件中常见的结构，由n型半导体和p型半导体组成。
在PN结中，会出现内建电场和整流特性。
6. 肖特基结，肖特基结是由金属和半导体组成的二极管。
它具有低反向漏电流和快速开关特性。
7. 光电子学，半导体在光照射下会产生光生载流子，这一特性被广泛应用于光电子学领域，如光电二极管和太阳能电池。
8. 晶体管，晶体管是半导体器件中的重要组成部分，可以放大和控制电流。
它的发明对电子技术产生了深远影响。
在半导体物理学中，以上概念都是非常重要的，它们构成了半导体器件和电子技术的基础。
研究半导体物理学不仅有助于深入理解现代电子器件的工作原理，也对半导体材料的开发和应用具有重要意义。
希望以上总结能够帮助你更好地理解半导体物理学的基本概念。
半导体物理归纳总结
半导体物理归纳总结半导体物理是研究半导体材料及其在电子器件中的应用特性的学科领域。
在过去几十年里，半导体技术的飞速发展对我们的生活产生了巨大的影响。
本文将对半导体物理的一些重要概念和原理进行归纳总结，帮助读者更好地理解半导体器件的工作原理及其应用。
1. 半导体的基本概念半导体是介于导体和绝缘体之间的一类物质，具有中等电导率。
它的导电性质可以通过控制掺杂和温度来进行调节。
常见的半导体材料有硅和锗，它们的物理性质决定了半导体器件的性能。
2. 半导体材料的能带结构半导体材料的能带结构直接影响其导电性质。
能带是描述电子能量和电子分布的概念。
在半导体中，价带是最高的填满电子的能带，而导带是电子可以自由移动的能带。
半导体的导电性取决于导带和价带之间的能隙大小。
3. 掺杂与载流子掺杂是将某种杂质引入到半导体材料中，以改变半导体的导电特性。
掺杂可以分为施主掺杂和受主掺杂两种。
施主掺杂会引入额外的自由电子，增加半导体的导电性，而受主掺杂引入额外的空穴，减少导电性。
掺杂后产生的自由电子和空穴被称为载流子，它们在半导体中的运动导致了电流的流动。
4. pn结及其特性pn结是由p型半导体和n型半导体相接触形成的结构。
在pn结中，p区富含空穴，n区富含自由电子。
当p区和n区相接触时，会发生空穴和自由电子的复合过程，形成耗尽区。
耗尽区内形成了电场，阻止了进一步的复合。
这种特殊的结构使得pn结具有整流特性，即在正向偏置下电流可以流动，而在反向偏置下电流几乎不流动。
5. 半导体器件的应用半导体器件包括二极管、场效应晶体管、晶体管等，它们在各种电子设备中起着重要作用。
二极管是一种具有单向导电性的器件，广泛应用在电源供电和信号处理中。
场效应晶体管是一种高度可控的电流放大器，常用于放大和开关电路。
晶体管则是一种功率放大器，被广泛应用在音频和无线通讯领域。
总结：半导体物理是一门涉及半导体材料特性和器件应用的重要学科。
通过对半导体的能带结构、掺杂与载流子、pn结特性以及器件应用的介绍，我们对半导体器件的工作原理有了更深入的理解。
半导体物理学中的基本概念
半导体物理学中的基本概念半导体是一种电子性能介于导体和绝缘体之间的物质。
在现代电子技术中，半导体被广泛应用于各种电子器件中。
要了解半导体，首先要掌握一些基本概念。
1. 能带结构能带结构是描述半导体电子状态的重要工具。
一个半导体晶体中的电子被排列在一系列能带中。
能带是一段能量范围，其中的电子具有相似的能量和动量。
在导带（conduction band）中，电子的能量很高，它们可以流动在半导体中，而在价带（valence band）中，电子的能量较低，它们被束缚在原子核和其他离子周围。
2. 禁带宽度禁带宽度（bandgap）是能带结构的一个重要参数。
它是导带和价带之间的能量间隙，通过这个间隙电子要么不能被激发到导带中，要么不能从导带回到价带中。
禁带宽度的大小是半导体的一个重要参数。
它的大小直接决定了半导体的电子和光学性质。
3. n型半导体和p型半导体n型半导体和p型半导体是两种不同类型的半导体。
n型半导体中存在较多的自由电子，它们带负电荷。
p型半导体中存在较多的空穴，它们带正电荷。
当n型半导体和p型半导体接触时，会出现pn结，这种结构在电子器件中得到了广泛应用。
4. pn结pn结是由n型半导体和p型半导体组成的结构。
在pn结中，n型半导体和p型半导体之间的禁带宽度是逐渐变小的。
这是因为在p型半导体中大量的电子会移动到n型半导体中，形成空穴。
这些空穴和n型半导体中的自由电子可以在pn结中重新组合，产生光子释放出能量。
5. 掺杂半导体需要通过掺杂来实现特定的电子性能。
掺杂是向半导体中引入特定的杂质元素，改变其电学性质的过程。
p型半导体中通常掺杂一些III族元素（例如硼），使得p型半导体中存在大量的空穴。
n型半导体中通常掺杂一些V族元素（例如砷），使得n型半导体中存在大量的自由电子。
总之，半导体物理学是现代电子技术的重要基础。
了解半导体物理学的基本概念对于理解电子器件原理、设计和制造都非常重要。
半导体物理主要概念
半导体物理主要概念在现代科技和电子领域中，半导体材料具有重要的地位。
半导体物理学涉及了许多核心概念，这些概念对我们理解半导体材料的性质和应用至关重要。
本文将重点介绍一些关键的半导体物理主要概念。
1. 能带理论（band theory）能带理论是解释固体材料电子结构的核心理论。
它描述了原子的电子如何在固体中形成能带（电子能量分布的区域）。
根据能带理论，固体材料中的电子可以填充到不同能量的能带中。
价带是离自由电子最近的能带，其中填满电子的能带称为价带；离自由电子最远的能带是导带，其中可以存在自由电子。
价带和导带之间的能量间隔称为能隙（band gap），是一个半导体的重要参数。
有无能隙区分了导电性质和绝缘性质的半导体。
2. 禁带宽度（band gap width）禁带宽度，也称能隙宽度，是半导体能带理论的一个重要概念。
禁带宽度是价带和导带之间的能量差异。
半导体材料根据禁带宽度的不同，可以分为直接带隙半导体和间接带隙半导体。
直接带隙半导体的价带和导带在动量空间中的最小距离很小，电子可以通过发射或吸收光子以较高的效率进行能带跃迁。
而间接带隙半导体的最小距离较大，电子的能带跃迁一般需要借助缺陷或其他粒子的参与。
3. 斯特克斯位移（Stark effect）斯特克斯位移描述了外加电场对半导体能带结构的影响。
当半导体材料中存在电场时，它会改变价带和导带的能量分布，导致能带发生位移。
斯特克斯位移是半导体器件如光电二极管等的基础理论。
4. 谐振频率（resonant frequency）谐振频率是指在某种特定的条件下，半导体材料会表现出共振特性。
半导体材料中的晶格结构和电子能级之间的相互作用会导致谐振频率的存在，这在电子器件的设计和性能优化中发挥重要作用。
5. 载流子（charge carrier）载流子是指在半导体材料中能够自由移动的电荷粒子。
在半导体中，载流子通常可以分为两类：电子和空穴（空穴可以看作是价带内缺少电子导致的正电荷）。
半导体物理学基本概念
半导体物理学基本概念1.离子晶体:由正负离子或正负离子集团按一定比例组成的晶体称作离子晶体。
离子晶体中,正负离子或离子集团在空间排列上具有交替相间的结构特征。
离子间的相互作用以库仑静电作用为主导。
2.共价晶体:主要由共价键结合而成的晶体。
共价晶体中共价键的方向性与饱与性规定了共价晶体中原子间结合的方向性与配位数。
由于共价键非常稳定,所以一般来说,共价晶体的结构很稳定,具有很高的硬度与熔点。
由于所有的价电子都参与成键,不能自由移动,因而共价晶体通常不导电。
3.晶胞:晶格中最小的空间单位。
一般为晶格中对称性最高、体积最小的某种平行六面体。
4.弗仑克耳缺陷(肖特基缺陷):在一定温度下,晶格原子不仅在平衡位置附近做振动运动,而且一部分原子会获得足够的能量,克服周围原子对它的束缚,挤入晶格原子间的间隙,形成间隙原子,原来的位置便成为空位。
这时间隙原子与空位就是成对出现的,称为弗仑克耳缺陷。
若只在晶体内形成空位而无间隙原子时,称为肖特基缺陷。
5.施主(受主)杂质及施主(受主)电离能:V族杂质在硅、锗中电离时,能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心,称它们为施主杂质或n型杂质。
使多余的价电子挣脱束缚成为导电电子所需的能量称为杂质电离能,用△表示。
Ⅲ族杂质在硅、锗中能够接受电子而产生导电空穴,并形成负电中心,称它们为受主杂质或p型杂质。
使空穴挣脱受主杂质束缚成为导电空穴所需的能量称为受主杂质电离能,用Δ、6.直接(间接)复合:电子在导带与价带之间的直接跃迁,引起电子与空穴的直接复合。
电子与空穴通过禁带的能级(复合中心)进行复合。
根据复合过程发生的位置,又可以把它区分为体内复合与表面复合。
7.复合率:n与p分别表示电子浓度与空穴浓度。
单位体积内,每一个电子在单位时间内都有一定概率与空穴复合,这个概率显然与空穴浓度成正比,可以用rp表示,那么复合率R就有如下的形式:R=rnp ,比例系数r 称为电子--空穴复合概率。
半导体物理学 基本概念汇总
半导体物理学基本概念有效质量-----载流子在晶体中的表观质量，它体现了周期场对电子运动的影响。
其物理意义：1）有效质量的大小仍然是惯性大小的量度；2）有效质量反映了电子在晶格与外场之间能量和动量的传递，因此可正可负。
空穴-----是一种准粒子，代表半导体近满带（价带）中的少量空态，相当于具有正的电子电荷和正的有效质量的粒子，描述了近满带中大量电子的运动行为。
回旋共振----半导体中的电子在恒定磁场中受洛仑兹力作用将作回旋运动，此时在半导体上再加垂直于磁场的交变磁场，当交变磁场的频率等于电子的回旋频率时，发生强烈的共振吸收现象，称为回旋共振。
施主-----在半导体中起施予电子作用的杂质。
受主-----在半导体中起接受电子作用的杂质。
杂质电离能-----使中性施主杂质束缚的电子电离或使中性受主杂质束缚的空穴电离所需要的能量。
n-型半导体------以电子为主要载流子的半导体。
p-型半导体------以空穴为主要载流子的半导体。
浅能级杂质------杂质能级位于半导体禁带中靠近导带底或价带顶，即杂质电离能很低的杂质。
浅能级杂质对半导体的导电性质有较大的影响。
深能级杂质-------杂质能级位于半导体禁带中远离导带底（施主）或价带顶（受主），即杂质电离能很大的杂质。
深能级杂质对半导体导电性质影响较小，但对半导体中非平衡载流子的复合过程有重要作用。
位于半导体禁带中央能级附近的深能级杂质是有效的复合中心。
杂质补偿-----在半导体中同时存在施主和受主杂质时，存在杂质补偿现象，即施主杂质束缚的电子优先填充受主能级，实际的有效杂质浓度为补偿后的杂质浓度，即两者之差。
直接带隙-----半导体的导带底和价带顶位于k 空间同一位置时称为直接带隙。
直接带隙材料中载流子跃迁几率较大。
间接带隙-----半导体的导带底和价带顶位于k 空间不同位置时称为间接带隙。
间接带隙材料中载流子跃迁时需有声子参与，跃迁几率较小。
平衡状态与非平衡状态-----半导体处于热平衡态时，载流子遵从平衡态分布，电子和空穴具有统一的费米能级。
半导体物理知识要点总结
第一章 半导体的能带理论1. 基本概念✧ 共有化运动：原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不在局限在某一个原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上去，因而电子可以在整个晶体中运动，这种运动称为电子的共有化运动。
✧ 单电子近似：假设每个电子是在大量周期性排列且固定不动的原子核势场及其他电子的平均势场中运动。
该势场也是周期性变化的。
✧ 能带的形成：原子相互接近，形成壳层交替→电子共有化运动→能级分裂（分成允带、禁带）→形成能带✧ 能带：晶体中，电子的能量是不连续的，在某些能量区间能级分布是准连续的，在某些区间没有能及分布。
这些区间在能级图中表现为带状，称之为能带。
✧ 价带：P6✧ 导带：P6✧ 禁带：P5✧ 导体✧ 半导体✧ 绝缘体的能带✧ 本征激发：价带上的电子激发成为准自由电子，即价带电子激发成为导带电子的过程，称为本征激发。
✧ 空穴：具有正电荷q 和正有效质量的粒子✧ 电子空穴对✧ 有效质量：有效质量是在描述晶体中载流子运动时引进的物理量。
它概括了周期性势场对载流子运动的影响，从而使外场力与加速度的关系具有牛顿定律的形式。
其大小由晶体自身的E-k 关系决定。
✧ 载流子及载流子浓度2. 基本理论✧ 晶体中的电子共有化运动✧ 载流子有效质量的物理意义 ：当电子在外力作用下运动时，它一方面受到外电场力f的作用，同时还和半导体内部原子、电子相互作用着，电子的加速度应该是半导体内部势场和外电场作用的综合效果。
但是，要找出内部势场的具体形式并且求得加速度遇到一定的困难，引进有效质量后可使问题变得简单，直接把外力f 和电子的加速度联系起来，而内部势场的作用则由有效质量加以概括，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及半导体内部势场的作用。
第二章 半导体中的杂质与缺陷能级1. 基本概念✧ 杂质存在的两种形式：间隙式杂质：杂质原子位于晶格原子间的间隙位置。
替位式杂质：杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处。
半导体物理学的基本概念和应用
半导体物理学的基本概念和应用半导体物理学是研究半导体材料及其性质、特性和应用的学科。
本文将介绍半导体物理学的基本概念以及其在实际应用中的重要性。
一、半导体的基本概念半导体是一种导电性介于导体和绝缘体之间的材料。
与导体相比，半导体的导电性较差；与绝缘体相比，半导体的导电性又较强。
半导体晶体的原子结构和能带结构决定了其导电性质。
1. 原子结构半导体材料通常由硅（Si）和锗（Ge）等元素组成。
这些元素在晶体中形成原子网格结构，每个原子通过共享电子与相邻原子相连接，形成晶体的稳定结构。
2. 能带结构能带是描述电子在晶体中能量分布的概念。
在半导体中，能带又被分为价带和导带。
价带是指电子在静止状态下的能量最高的带，其中填满了电子；导带是指离子在晶体振动下电子能量较高的带，其中存在着能够移动的自由电子。
3. 禁带宽度禁带是指价带和导带之间的能量空隙，也称为禁带宽度。
在绝缘体中，禁带宽度较大，几乎不存在电子的跃迁。
而在半导体中，禁带宽度较小，电子可以通过吸收或释放能量从价带跃迁到导带，从而产生导电性。
二、半导体物理学的应用1. 半导体器件在现代科技领域，半导体器件被广泛应用于电子、光电子、通信等领域。
常见的半导体器件包括二极管、晶体管、太阳能电池等。
这些器件通过控制电子的流动，实现电流、电压以及光信号的调节和转换。
2. 光电子学半导体物理学在光电子学中发挥着重要作用。
半导体材料的光电特性使其成为制造光电二极管、激光器和光电传感器等设备的理想选择。
光电二极管利用光的能量将光信号转化为电信号，激光器则利用载流子的复合过程产生高亮度、单色、相干的光束，广泛应用于通信、医疗和激光加工等领域。
3. 太阳能电池半导体物理学对太阳能电池的研究和应用具有重要意义。
太阳能电池利用半导体材料的光电特性，将太阳光直接转换为电能。
该技术在可再生能源领域具有巨大潜力，可解决传统能源短缺和环境污染等问题。
4. 半导体材料的研究半导体物理学对新材料的研究和开发也具有重要意义。
半导体物理知识点汇总总结
半导体物理知识点汇总总结一、半导体物理基本概念半导体是介于导体和绝缘体之间的材料，它具有一些导体和绝缘体的特性。
半导体是由单一、多层、回交或互相稀释的混合晶形的二元、三元或多元化合物所组成。
它的特点是它的电导率介于导体和绝缘体之间，是导体的电导率∗101~1015倍，是绝缘体的电导率÷102~103倍。
半导体材料具有晶体结构，对它取决于结晶度的大小，织排效应特别大。
由于它的电导率数值在半导体晶体内并不等同，所以它是隔离的，具有相当大的飞行束度，并且不容易受到外界的干扰。
二、半导体晶体结构半导体是晶体材料中最均匀最典型的材料之一，半导体的基本结构是一个由原子排成的一种规则有序的晶体结构。
半导体原子是立方体的晶体，具有600个原子的立方体晶体结构，又称之为立方的晶体结构。
半导体晶体结构的代表性六面体晶体结构，是一种由两个或两个以上的六面全部说构成的立方晶体。
半导体晶体的界面都是由两个或两个以上的六面全部说构成的晶体包围构成，是由两个或两个以上的六面全部说构成的立方晶体。
半导体晶体的界面都是由两个或两个以上的六面全部说构成的晶点构成，是由两个或两个以上的六面全部说构成的晶点构成。
三、半导体的能带结构半导体的能带“带”是指其电子是在“带”中运动的，是光电子带，又称作价带，当其中的自由电子都填满时另一种平面，又称导电带，当其中的自由电子并不填满时其另一种平面在有一些能够使电子轻易穿越的东西。
半导体的能带是由两个非常临近的能带组成的，其中价带的最上一层电子不足，而导电带的下一层电子却相当到往动能，这一些动能可能直到加到电子摆脱它自己体原子，变成自由电子，并且在整体晶体里自由活动。
四、半导体的导电机理半导体的导电机理是在外加电压加大时一部分自由电子均可以在各自能带中加速骚扰，从而增加在给导电子处所需要的电压增大并最终触碰到另一种平面上产生电流就可以。
五、半导体的掺杂掺杂是指在纯净半导体中加入某些以外杂质元素的行为。
(完整word版)半导体基础知识
1.1 半导体基础知识概念归纳本征半导体定义：纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。
电流形成过程：自由电子在外电场的作用下产生定向移动形成电流。
绝缘体原子结构:最外层电子受原子核束缚力很强，很难成为自由电子。
绝缘体导电性:极差。
如惰性气体和橡胶.半导体原子结构：半导体材料为四价元素，它们的最外层电子既不像导体那么容易挣脱原子核的束缚，也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧.半导体导电性能：介于半导体与绝缘体之间.半导体的特点：★在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。
★在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化.晶格：晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵,称为晶格。
共价键结构:相邻的两个原子的一对最外层电子（即价电子)不但各自围绕自身所属的原子核运动，而且出现在相邻原子所属的轨道上，成为共用电子，构成共价键。
自由电子的形成：在常温下，少数的价电子由于热运动获得足够的能量，挣脱共价键的束缚变成为自由电子.空穴：价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。
电子电流：在外加电场的作用下，自由电子产生定向移动,形成电子电流。
空穴电流:价电子按一定的方向依次填补空穴(即空穴也产生定向移动），形成空穴电流。
本征半导体的电流：电子电流+空穴电流.自由电子和空穴所带电荷极性不同，它们运动方向相反。
载流子：运载电荷的粒子称为载流子。
导体电的特点：导体导电只有一种载流子，即自由电子导电。
本征半导体电的特点:本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电。
本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发.复合：自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，使两者同时消失，这种现象称为复合。
动态平衡：在一定的温度下,本征激发所产生的自由电子与空穴对,与复合的自由电子与空穴对数目相等,达到动态平衡。
载流子的浓度与温度的关系：温度一定，本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。
半导体物理知识点
半导体物理知识点半导体是现代电子技术的核心材料，从我们日常使用的手机、电脑到各种高科技设备，都离不开半导体器件的应用。
了解半导体物理的基本知识点对于理解和掌握现代电子技术至关重要。
一、半导体的基本概念半导体是一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。
常见的半导体材料有硅（Si）、锗（Ge）等。
在纯净的半导体中，导电能力较弱，但通过掺入杂质可以显著改变其导电性能。
半导体中的载流子包括电子和空穴。
电子带负电，空穴带正电。
在半导体中，电子和空穴都能参与导电。
二、晶体结构半导体材料通常具有晶体结构。
以硅为例，其晶体结构是金刚石结构。
在晶体中，原子按照一定的规律排列，形成晶格。
晶格常数是描述晶体结构的重要参数。
对于硅，晶格常数约为 0543 纳米。
三、能带结构在量子力学的框架下，半导体的电子能量状态形成能带。
包括导带和价带。
导带中的电子能够自由移动，从而导电；价带中的电子被束缚，不能自由导电。
导带和价带之间存在禁带宽度，也称为能隙。
能隙的大小决定了半导体的导电性能。
能隙较小的半导体，如锗，在常温下就有一定的导电能力；而能隙较大的半导体，如硅，在常温下导电性能较差。
四、施主杂质和受主杂质为了改变半导体的导电性能，常常掺入杂质。
施主杂质能够提供电子，使半导体成为n 型半导体。
例如，在硅中掺入磷（P）等五价元素，就形成了 n 型半导体。
受主杂质能够接受电子，形成空穴，使半导体成为 p 型半导体。
例如，在硅中掺入硼（B）等三价元素，就形成了 p 型半导体。
五、pn 结pn 结是半导体器件的基本结构之一。
当 p 型半导体和 n 型半导体接触时，会形成一个特殊的区域，即 pn 结。
在 pn 结处，存在内建电场，阻止多数载流子的扩散，但促进少数载流子的漂移。
pn 结具有单向导电性，这是二极管的工作基础。
六、半导体的导电性半导体的电导率与温度、杂质浓度等因素密切相关。
随着温度的升高，本征半导体的电导率会增加，因为更多的电子会从价带跃迁至导带。
半导体物理知识点总结
半导体物理知识点总结
1. 能带和价带：半导体中电子带有能量，能量随轨道高低而不同，能带包含在价带和导带中。
2. 能隙：能量带的差值，该值越小，材料越容易被激发。
3. 电子结构：材料中的电子布局，包括离子能、波函数、能态等。
4. 掺杂：向半导体中添加不同类型的掺杂，可改变材料的电学性质，如导电性能和半导体的唯一性。
5. pn结：半导体材料中，p型和n型结合，形成一个有峰值的pn结，可以用于制作二极管、场效应管或光电转换器等电子器件。
6. 入射光：当入射光击中半导体上，产生光伏效应，电子被激发并向两侧移动，形成电流。
7. 电子迁移率：电子在半导体中移动速度的度量，影响材料的导电性质。
8. 本征载流子：半导体中由温度效应造成的材料中存在的自由电子和空穴，这些载流子决定着材料的导电性质。
9. 孪晶：半导体材料结构中的孪晶对材料电学性质造成影响，不同方向的孪晶对应不同的导电性和多晶性。
10. 激发态：半导体中的电子在受到激发后，进入能带中的激发态，相应的能级决定着电子能量的状态。
物理学中的半导体物理知识点
物理学中的半导体物理知识点半导体物理学是物理学领域中的一个重要分支，研究半导体材料及其性质与行为。
本文将介绍几个半导体物理学中的知识点，包括半导体的基本概念、载流子行为、PN结及其应用。
一、半导体的基本概念半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料。
它的导电能力介于导体和绝缘体之间，可以通过控制外加电场或温度来改变其电导率。
根据能带理论，半导体材料中存在一个禁带，将价带和导带分开，如果半导体材料的价带被填满，而导带是空的，那么半导体就没有导电能力；当半导体材料的温度升高或者施加电场时，一些电子会跃迁到导带中，形成可以导电的载流子。
二、载流子行为在半导体中，载流子是指能够输送电流的带电粒子，可以分为自由电子和空穴两种类型。
1. 自由电子：自由电子是指在半导体晶格中脱离原子束缚的电子，它具有负电荷。
在纯净的半导体中，自由电子的数量较少。
2. 空穴：空穴是指由于半导体中某个原子缺少一个电子而形成的一个正电荷，可以看作是受激发的价带上的空位。
载流子的行为受到材料的类型和掺杂等因素的影响。
三、PN结及其应用PN结是半导体中最基本的器件之一，由P型半导体和N型半导体的结合构成。
P型半导体中的空穴浓度较高，N型半导体中的自由电子浓度较高，当这两种类型的半导体材料接触时，自由电子和空穴会发生复合，形成一个耗尽区域。
PN结的特性使得它在半导体器件中有着广泛的应用，例如：1. 整流器：利用PN结的单向导电性质，将交流电信号转换为直流电信号。
2. 发光二极管（LED）：在PN结中注入电流可以激发电子跃迁，从而产生光线，实现发光效果。
3. 晶体管：晶体管是一种基于PN结的三端口器件，通过调控PN结的导电状态，实现信号放大和开关控制。
PN结的应用广泛且多样化，是现代电子技术中不可或缺的一个元件。
总结：半导体物理学作为物理学中的重要分支，研究的是半导体材料及其性质与行为。
本文介绍了半导体的基本概念，包括能带理论和禁带，以及载流子行为，其中自由电子和空穴是半导体中的两种重要载流子。
半导体物理概念
离子晶体：正负离子交替排列在晶格格点上，靠离子键结合成的晶体。
共价晶体：由共价键结合形成的晶体。
晶胞：布拉菲点阵中能反映其对称性前提下的体积最小的重复单元。
肖脱基缺陷：晶体内部格点上的原子跑到晶体表面的正常格点位置，在晶体内部形成一个空位，这种缺陷称为肖脱基缺陷。
费仑克尔缺陷：晶体内部格点上的原子进入原子间隙位置，同时形成一个空位和一个间隙原子，这样的空位和间隙原子对称为费仑克尔缺陷。
施主杂质：能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心的杂质。
受主杂质：能够接受电子而产生导电空穴，并形成负电中心的杂质。
施主电离能：多余的一个价电子脱离施主杂质而成为自由电子所需要的能量。
受主电离能：使空穴挣脱受主杂质束缚成为导电空穴所需要的能量。
直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。
间接复合：导带中的电子通过禁带的复合中心能级与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为间接复合。
复合率：单位时间单位体积内复合掉的电子-空穴对数。
状态密度：就是在能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子态数。
量子态密度：k空间单位体积内具有的量子态数目。
有效状态密度：所有有可能被电子占据的量子态数。
绝缘体能带特点：价带全部被电子填满，禁带上面的导带是空带，且禁带宽度较大。
半导体能带特点：价带全部被电子填满，禁带上面的导带是空带，但禁带宽度相对较小。
导体能带特点：导体的禁带宽度较小，价带顶的电子容易跃迁到导带底成为自由电子，同时在价带顶形成空穴，故电导率较高。
深杂质能级：能在半导体中形成深能级的杂质元素。
将其引入半导体中，形成一个或多个能级。
该能级距离导带底、价带顶较远，且多位于禁带的中央区域。
浅杂质能级：能在半导体中形成浅能级的杂质元素。
在半导体禁带中靠近导带边缘的杂质。
费米能级：电子占据几率为1/2的量子态所对应的能级。
准费米能级：导带费米能级和价带费米能级都是局部的费米能级，成为准费米能级平衡态：指的是系统内部一定的相互作用所引起的微观过程之间的平衡。
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2. 两种金属A 和B 通过金属C 相接触，若温度相等，证明其两端a ，b 的电势差同A，B 直接接触的电势差一样。
如果 A 是Au，B 是Ag，C 是Cu或Al ，则Va b 为多少？
4. 受主浓度NA=1017CM-3的P 型锗，室温下的功函数是多少？若不考虑表面态的影响，它分别同Al ，Au，Pt 接触时，形成阻挡层还是反阻挡层？锗的电子亲和能取 4.13eV 。
5. 某功函数为2.5eV 的金属表面受到光照射。
①这个面吸收红光或紫光时，能发出光电子吗？②用波长为185nm 的紫外线照射时，从表面放出的光电子的能量是多少eV？
6. 电阻率为10 cm Ω⋅的n 型锗和金属接触形成的肖特基势垒二极管。
若已知势垒高度为0.3eV，求加上5V反向电压时候的空间电荷层厚度。
半导体物理学基本概念
有效质量-----载流子在晶体中的表观质量，它体现了周期场对电子运动的影响。
其物理意义：1）有效质量的大小仍然是惯性大小的量度；2）有效质量反映了电子在晶格与外场之间能量和动量的传递，因此可正可负。
空穴-----是一种准粒子，代表半导体近满带（价带）中的少量空态，相当于具有正的电子电荷和正的有效质量的粒子，描述了近满带量电子的运动行为。
回旋共振----半导体中的电子在恒定磁场中受洛仑兹力作用将作回旋运动，此时在半导体上再加垂直于磁场的交变磁场，当交变磁场的频率等于电子的回旋频率时，发生强烈的共振吸收现象，称为回旋共振。
施主-----在半导体中起施予电子作用的杂质。
受主-----在半导体中起接受电子作用的杂质。
杂质电离能-----使中性施主杂质束缚的电子电离或使中性受主杂质束缚的空穴电离所需要的能量。
n-型半导体------以电子为主要载流子的半导体。
p-型半导体------以空穴为主要载流子的半导体。
浅能级杂质------杂质能级位于半导体禁带中靠近导带底或价带顶，即杂质电离能很低的杂质。
浅能级杂质对半导体的导电性质有较大的影响。
深能级杂质-------杂质能级位于半导体禁带中远离导带底（施主）或价带顶（受主），即杂质电离能很大的杂质。
深能级杂质对半导体导电性质影响较小，但对半导体中非平衡载流子的复合过程有重要作用。
位于半导体禁带中央能级附近的深能级杂质是有效的复合中心。
杂质补偿-----在半导体中同时存在施主和受主杂质时，存在杂质补偿现象，即施主杂质束缚的电子优先填充受主能级，实际的有效杂质浓度为补偿后的杂质浓度，即两者之差。
直接带隙-----半导体的导带底和价带顶位于k空间同一位置时称为直接带隙。
直接带隙材料中载流子跃迁几率较大。
间接带隙-----半导体的导带底和价带顶位于k空间不同位置时称为间接带隙。
间接带隙材料中载流子跃迁时需有声子参与，跃迁几率较小。
平衡状态与非平衡状态-----半导体处于热平衡态时，载流子遵从平衡态分布，电子和空穴具有统一的费米能级。
半导体处于外场中时为非平衡态，载流子分布函数偏离平衡态分布，电子和空穴不具有统一的费米能级，载流子浓度也比平衡时多出一部分，但可认为它们各自达到平衡，可引入准费米能级表示。
电中性条件-----半导体在任何情况下都维持体电中性，即单位体积正电荷数与负电荷数相等。
非简并半导体----半导体中载流子分布可由经典的玻尔兹曼分布代替费米分布描述时，称之为非简并半导体。
简并半导体-----半导体重掺杂时，其费米能级有可能进入到导带或价带中，此时载流子分布必须用费米分布描述，称之为简并半导体。
简并半导体有如下性质：1）杂质不能充分电离；2）杂质能级扩展为杂质能带。
如果杂质能带与导带或价带相连，则禁带宽度将减小。
本征半导体-----本征半导体即纯净半导体，其载流子浓度随温度增加呈指数规律增加。
杂质半导体----在半导体中人为地，有控制地掺入少量的浅能级杂质的半导体，可在较大温度围保持半导体载流子浓度不随温度改变。
即掺杂的主要作用是在较大温度围维持半导体中载流浓度不变。
多数载流子与少数载流子------多数载流子是在半导体输运过程中起主要作用的载流子，如n-型半导体中的电子。
而少数载流子在是在半导体输运过程中起次要作用的载流子，如n-型半导体中的空穴。
费米分布------费米分布是费米子（电子）在平衡态时的分布，其物理意义是在温度T时，电子占
据能量为E的状态的几率，或能量为E的状态上的平均电子数。
费米能级-----费米能级是T=0 K时电子系统中电子占据态和未占据态的分界线，是T=0 K时系统中电子所能具有的最高能量。
漂移速度----载流子在外场作用下定向运动的平均速度，弱场下漂移速度大小正比于外场强度。
迁移率----描述半导体中载流子在外场中运动难易程度的物理量，若外场不太强，载流子运动遵从欧姆定律时，迁移率与电场强度无关，为一常数。
强场时，迁移率与外场有关。
电导率-----描述材料导电性质的物理量。
半导体中载流子遵从欧姆定律时，电流密度正比于电场强度，其比例系数即为电导率。
电导率大小与载流子浓度，载流子的迁移率有关。
从微观机制看，电导率与载流子的散射过程有关。
电阻率-----电导率的倒数。
本征半导体电阻率随温度上升而单调下降。
同样，电阻率与载流子的散射过程有关。
金属电阻率-----随温度上升而上升。
（晶格振动散射）
散射几率-----载流子在单位时间被散射的次数。
平均自由时间-----载流子在两次散射之间自由运动的平均时间。
强场效应-----电场强度较高时载流子的平均漂移速度与电场强度间的关系偏离线性关系的现象，此时迁移率不再是常数。
电场强度继续增加时，漂移速度不再随外场增加而变化，达到饱和。
热载流子-----半导体处于强场中时，电子的平均能量高于晶格平均能量，以温度度量，则电子平均温度高于晶格平均温度，因此称强场中电子为热载流子。
多能谷散射-----半导体中有多个能量值接近的导带底时，电子被散射到不同能谷的现象。
负微分电导（电阻）------定义dJ/dE为微分电导，当半导体中电流密度随电场增加而减小时，微分电导小于零，称为负微分电导。
耿氏振荡-----存在负微分电导的半导体在强场中电流出现振荡的现象。
由于载流子分布不均匀，在高阻区形成偶极畴，偶极畴不断产生、长大、漂移和吸收的过程便产生微波振荡。
非平衡载流子-半导体处于非平衡态时，比平衡态时多出来的那一部分载流子称为非平衡载流子。
Δp=Δn
非平衡载流子的注入与复合-----非平衡载流子的产生过程称为注入，非平衡载流子湮灭的过程称为复合。
准费米能级-----半导体处于非平衡态时，导带电子和价带空穴不再有统一的费米能级，但可以认为它们各自达到平衡，相应的费米能级称为电子和空穴的准费米能级。
少子寿命----非平衡少数载流子在半导体中存在的平均时间。
即产生非平衡载流子的因素去除后，非平衡载流子浓度衰减至初始时浓度的1/e倍所需的时间。
直接复合-----电子从导带直接跃迁至价带与空穴相遇而复合。
间接复合-----电子通过禁带中的能级而跃迁至价带与空穴相遇而复合。
表面复合----发生在半导体表面处的复合。
体复合----发生在半导体部的复合。
辐射复合----电子从高能级跃迁至低能级与空穴复合时，多余的能量以辐射光子的形式释放。
无辐射复合-----电子从高能级跃迁至低能级与空穴复合时，多余的能量以辐射声子的形式释放。
俄歇复合----电子从高能级跃迁至低能级与空穴复合时，释放的能量用于其它载流子由较低能态跃迁至较高能态。
复合中心-----对间接复合起促进作用的深能级杂质。
相应的杂质能级称为复合中心能级，通常位于半导体禁带中央能级附近。
载流子陷阱------对间接复合起阻碍作用的深能级杂质。
相应的杂质能级称为陷阱能级。