(完整版)集成电路设计复习题及解答
《超大规模集成电路设计》考试习题(含答案)完整版
1.集成电路的发展过程经历了哪些发展阶段?划分集成电路的标准是什么?集成电路的发展过程:•小规模集成电路(Small Scale IC,SSI)•中规模集成电路(Medium Scale IC,MSI)•大规模集成电路(Large Scale IC,LSI)•超大规模集成电路(Very Large Scale IC,VLSI)•特大规模集成电路(Ultra Large Scale IC,ULSI)•巨大规模集成电路(Gigantic Scale IC,GSI)划分集成电路规模的标准2.超大规模集成电路有哪些优点?1. 降低生产成本VLSI减少了体积和重量等,可靠性成万倍提高,功耗成万倍减少.2.提高工作速度VLSI内部连线很短,缩短了延迟时间.加工的技术越来越精细.电路工作速度的提高,主要是依靠减少尺寸获得.3. 降低功耗芯片内部电路尺寸小,连线短,分布电容小,驱动电路所需的功率下降.4. 简化逻辑电路芯片内部电路受干扰小,电路可简化.5.优越的可靠性采用VLSI后,元件数目和外部的接触点都大为减少,可靠性得到很大提高。
6.体积小重量轻7.缩短电子产品的设计和组装周期一片VLSI组件可以代替大量的元器件,组装工作极大的节省,生产线被压缩,加快了生产速度.3.简述双阱CMOS工艺制作CMOS反相器的工艺流程过程。
1、形成N阱2、形成P阱3、推阱4、形成场隔离区5、形成多晶硅栅6、形成硅化物7、形成N管源漏区8、形成P管源漏区9、形成接触孔10、形成第一层金属11、形成第一层金属12、形成穿通接触孔13、形成第二层金属14、合金15、形成钝化层16、测试、封装,完成集成电路的制造工艺4.在VLSI设计中,对互连线的要求和可能的互连线材料是什么?互连线的要求低电阻值:产生的电压降最小;信号传输延时最小(RC时间常数最小化)与器件之间的接触电阻低长期可靠工作可能的互连线材料金属(低电阻率),多晶硅(中等电阻率),高掺杂区的硅(注入或扩散)(中等电阻率)5.在进行版图设计时为什么要制定版图设计规则?—片集成电路上有成千上万个晶体管和电阻等元件以及大量的连线。
《超大规模集成电路设计》考试习题(含答案)完整版分析
1.集成电路的发展过程经历了哪些发展阶段?划分集成电路的标准是什么?集成电路的发展过程:•小规模集成电路(Small Scale IC,SSI)•中规模集成电路(Medium Scale IC,MSI)•大规模集成电路(Large Scale IC,LSI)•超大规模集成电路(Very Large Scale IC,VLSI)•特大规模集成电路(Ultra Large Scale IC,ULSI)•巨大规模集成电路(Gigantic Scale IC,GSI)划分集成电路规模的标准2.超大规模集成电路有哪些优点?1. 降低生产成本VLSI减少了体积和重量等,可靠性成万倍提高,功耗成万倍减少.2.提高工作速度VLSI内部连线很短,缩短了延迟时间.加工的技术越来越精细.电路工作速度的提高,主要是依靠减少尺寸获得.3. 降低功耗芯片内部电路尺寸小,连线短,分布电容小,驱动电路所需的功率下降.4. 简化逻辑电路芯片内部电路受干扰小,电路可简化.5.优越的可靠性采用VLSI后,元件数目和外部的接触点都大为减少,可靠性得到很大提高。
6.体积小重量轻7.缩短电子产品的设计和组装周期一片VLSI组件可以代替大量的元器件,组装工作极大的节省,生产线被压缩,加快了生产速度.3.简述双阱CMOS工艺制作CMOS反相器的工艺流程过程。
1、形成N阱2、形成P阱3、推阱4、形成场隔离区5、形成多晶硅栅6、形成硅化物7、形成N管源漏区8、形成P管源漏区9、形成接触孔10、形成第一层金属11、形成第一层金属12、形成穿通接触孔13、形成第二层金属14、合金15、形成钝化层16、测试、封装,完成集成电路的制造工艺4.在VLSI设计中,对互连线的要求和可能的互连线材料是什么?互连线的要求低电阻值:产生的电压降最小;信号传输延时最小(RC时间常数最小化)与器件之间的接触电阻低长期可靠工作可能的互连线材料金属(低电阻率),多晶硅(中等电阻率),高掺杂区的硅(注入或扩散)(中等电阻率)5.在进行版图设计时为什么要制定版图设计规则?—片集成电路上有成千上万个晶体管和电阻等元件以及大量的连线。
集成电路设计基础期末考试题
集成电路设计基础 2010-11年第一学期试题⼀一.填空题(20分)1、目前,国内已引进了12英寸0.09um芯片生产线,由此工艺线生产出来的集成电路特征尺寸是0.009um (大小),指的是右图中的 W (字母)。
2、CMOS工艺可分为 p阱 、 n阱 、 双阱 三种。
在CMOS工艺中,N阱里形成的晶体管是 p (PMOS,NMOS)。
3、通常情况下,在IC中各晶体管之间是由 场氧 来隔离的;该区域的形成用到的制造工艺是 氧化 工艺。
4.集成电路制造过程中,把掩膜上的图形转换成晶圆上器件结构一道工序是指 光刻 ,包括 晶圆涂光刻胶 、 曝光 、 显影 、 烘干 四个步骤;其中曝光方式包括 ① 接触式 、②非接触式 两种。
5、阈值电压V T是指 将栅极下面的si表面从P型Si变成N型Si所必要的电压,根据阈值电压的不同,常把MOS区间分成 耗尽型 、 增强型 两种。
降低V T的措施包括: 降低杂质浓度 、 增大Cox 两种。
二、名词解释(每词4分,共20分)①多项目晶圆(MPW)②摩尔定律③掩膜④光刻⑤外延三、说明(每题5分共10分)① 说明版图与电路图的关系。
② 说明设计规则与工艺制造的关系。
四、简答与分析题(10分)1、数字集成电路设计划分为三个综合阶段,高级综合,逻辑综合,物理综合;解释这三个综合阶段的任务是什么?2、分析MOSFET尺寸能够缩小的原因。
五、综合题(共4小题,40分)1.在版图的几何设计规则中,主要包括各层的最小宽度、层与层之间的最小间距、各层之间的最小交叠。
把下图中描述的与多晶硅层描述的有关规则进行分类: (1)属于最小宽度是: (2)属于层与层之间的最小间距的是: (3)属于各层之间的最小交叠是:2.请提取出下图所代表的电路原理图。
画出用MOSFET构成的电路。
图2 图3 图 4 3、图4是一个标准的CMOS 反相器电路,V TN 和V TP 分别为NMOS 、PMOS晶体管的阈值电压,讨论PMOS 和NMOS 晶体管导通和截至的条件。
集成电路大题及答案
1.简述逐次比较型A/D转换器的工作原理,并绘出其原理框图。
(1)MSB高位输出为1,其余个位全为0,U X与D/A转换器输出U0比较,若U X ﹥U0比较器输出为低电平,使寄存器的输出不变。
若U X﹤U0,比较器输出为高电平,寄存器MSB的高位输出变为0(2)MSB次高位输出为1 U X与D/A转换器输出U0比较,若U X﹥U0比较器输出为低电平,使寄存器的输出不变。
若U X﹤U0,比较器输出为高电平,寄存器MSB的次高位输出变为0(3)其他位依次类推,完成N位的逐次比较、输出。
1.仪器放大器的特点仪器放大器是具有高增益、高增益精度、高共模抑制比、高输入电阻、低噪声、高线性度的集成放大器;主要应用于小信号放大。
2.简述开关电源的主要优点开关电源取消了工频变压器,主要优点:效率高、高密度、高可靠性、体积小、重量轻、用铜用铁大大减小。
3.试说明TTL电路和CMOS电路的一般特性。
对比说明TTL电路和CMOS电路1)电源电压范围2)频率特性3)电压输入输出特性4)输出驱动电流5)扇出能力6)输入阻抗7)功耗等5. TTL和COMS电路比较:1)TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。
2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。
COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。
3)COMS电路的锁定效应:COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。
这种效应就是锁定效应。
当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。
(完整版)集成电路设计复习题及解答
集成电路设计复习题绪论1.画出集成电路设计与制造的主要流程框架。
2.集成电路分类情况如何?集成电路设计1.层次化、结构化设计概念,集成电路设计域和设计层次2.什么是集成电路设计?集成电路设计流程。
(三个设计步骤:系统功能设计逻辑和电路设计版图设计)3.模拟电路和数字电路设计各自的特点和流程4.版图验证和检查包括哪些内容?如何实现?5.版图设计规则的概念,主要内容以及表示方法。
为什么需要指定版图设计规则?6.集成电路设计方法分类?(全定制、半定制、PLD)7.标准单元/门阵列的概念,优点/缺点,设计流程8.PLD设计方法的特点,FPGA/CPLD的概念9.试述门阵列和标准单元设计方法的概念和它们之间的异同点。
10.标准单元库中的单元的主要描述形式有哪些?分别在IC设计的什么阶段应用?11.集成电路的可测性设计是指什么?Soc设计复习题1.什么是SoC?2.SoC设计的发展趋势及面临的挑战?3.SoC设计的特点?4.SoC设计与传统的ASIC设计最大的不同是什么?5.什么是软硬件协同设计?6.常用的可测性设计方法有哪些?7. IP的基本概念和IP分类8.什么是可综合RTL代码?9.么是同步电路,什么是异步电路,各有什么特点?10.逻辑综合的概念。
11.什么是触发器的建立时间(Setup Time),试画图进行说明。
12.什么是触发器的保持时间(Hold Time),试画图进行说明。
13. 什么是验证,什么是测试,两者有何区别?14.试画图简要说明扫描测试原理。
绪论1、 画出集成电路设计与制造的主要流程框架。
2、集成电路分类情况如何?集成电路设计1. 层次化、结构化设计概念,集成电路设计域和设计层次分层分级设计和模块化设计.将一个复杂的集成电路系统的设计问题分解为复杂性较低的设计级别,⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎩⎪⎨⎧按应用领域分类数字模拟混合电路非线性电路线性电路模拟电路时序逻辑电路组合逻辑电路数字电路按功能分类GSI ULSI VLSI LSI MSI SSI 按规模分类薄膜混合集成电路厚膜混合集成电路混合集成电路B iCMOS B iMOS 型B iMOS CMOS NMOS PMOS 型MOS双极型单片集成电路按结构分类集成电路这个级别可以再分解到复杂性更低的设计级别;这样的分解一直继续到使最终的设计级别的复杂性足够低,也就是说,能相当容易地由这一级设计出的单元逐级组织起复杂的系统。
专升本《集成电路版图设计》_试卷_答案
专升本《集成电路版图设计》一、(共75题,共150分)1. 单词“LAYOUT”的含义是:()。
(2分)A.版图B.电路C.输出.标准答案:A2. 集成电阻通常由扩散或者淀积层形成,通常可以用厚度一定的薄膜作为模型,因此习惯上把电阻率和厚度合成一个单位,称为()。
(2分)A.方块电阻B.电阻C.半导体电阻.标准答案:A3. 由于其较小的方块电阻,发射区是唯一适合于制作较小电阻(0.5~100)的区域。
对于发射区电阻可以忽略()和电导调制效应。
(2分)A.电流调制B.电压调制C.电荷调制.标准答案:B4. 在模拟BiCMOS工艺中,发射区电阻可以直接置入()外延层内;(2分)A.P型B.N型C.P型或N型.标准答案:A5. 电容的标准单位是()。
(2分)A.法拉B.伏特C.安培.标准答案:A6. CMOS工艺中的多晶硅-多晶硅电容,()可以用作多晶硅-多晶硅电容的下电极。
(2分)A.电阻多晶硅B.电容多晶硅C.多晶硅栅.标准答案:C7. 单位面积电容与相对介电常数即电介质常数成()。
(2分)A.反比B.正比C.无关.标准答案:B8. 流过导体的电流会在导体周围产生()。
(2分)A.电场B.磁场C.电磁场.标准答案:B9. 发射结和集电结的击穿决定了一个双极型晶体管的()工作电压。
重要的三种击穿电压为VEBO,VCBO,VCEO等。
(2分)A.最大 B.最小 C.任意.标准答案:A10. 发射极开路时集电极的击穿电压表示为VCBO,绝大多数晶体管的集电区和基区都是()的,所以VCBO通常很大。
(2分)A.重掺杂B.不掺杂C.轻掺杂.标准答案:C11. 二极管连接形式的晶体管可以作为一个很方便的基准()源。
(2分)A.电压B.电流C.电压或电流.标准答案:A12. 使用P型外延层,必须加入深的轻掺杂()型扩散区用于制作PMOS晶体管。
(2分)A.NB.PC.N或P.标准答案:A13. MOS晶体管是一种()控制器件。
集成电路设计基础作业题解答~
第五次作业4.14、改正图题4.14所示TTL 电路的错误。
如下图所示:解答:(a)、B A B A Y ••=•=0,A,B与非输出接基极,Q 的发射极接地。
从逻辑上把Q 管看作单管严禁门便可得到B A Y •=。
逻辑没有错误!若按照题干中所示接法,当TTL 与非门输出高电平时,晶体管Q 的发射结要承受高压,必然产生巨大的电流。
为了不出现这种情况,可以在基极加一电阻或者在发射极加一二极管。
但发射极加二极管后会抬高输出的低电平电压。
所以只能在基极加一大电阻,实现分压作用。
此外一种方法是采用题4.15(a )图中的A 输入单元结构。
(b)、要实现由,我们可以使用线与+得到和B A B A 。
但题干中的线与功能不合理。
若其中一个为高电平且此外一个为低电平时,高电平输出降会往低电平输出灌电流,从而容易引起逻辑电平混乱。
为了消除这一效应,可以在各自的输出加一个二极管。
(c)、电阻不应当接地,应当接高电平 (d)、电阻不应当接VCC ,而应当接低电平4.15、试分析图题4.15(a ),(b)所示电路的逻辑功能。
解答:图(a )中,单元1实现了A 的电平输入,B 是A 的对称单元。
功能单元2实现了A 和B 输入的或逻辑功能单元4充当了Q8管的泄放网络,同时抬高了Q3,Q4管的输入逻辑电平,此外该单元还将或的结果传递给了Q8管 功能单元3中的Q8管实现了非逻辑,Q6和Q7复合管加强了输出级的驱动能力。
综上所述,4.15(a )电路实现功能为B A Y +=,即或非的功能图(b)中,Q1,Q2管仍然实现传递输入的功能,Q3,Q4管实现或非的功能 Q6管和Q5管以及R5,R7共同组成的泄放网络实现了电压的传递Q9管实现了非功能,Q7,Q8管仍然是用来驱动负载的。
Q9管和Q7,Q8轮流导通综上所述,4.15(b )实现的功能为B A B A Y +=+=第六次作业:5.1已知一ECL 电路如图题5.1所示,其Vcc=0V ,V EE =-4.5V ,V BEF =0.8V ,V BB =-1.2V ,逻辑摆幅V L =0.8V 且对称于参考电压,各管的I E,MAX =5mA ,并假设输入和输出的逻辑电平V i ,V o 互相匹配,且忽略基极电流的影响。
集成电路设计基础作业解答(8~12)
集成电路设计基础作业解答(8~12)1、求N +硅NMOS 晶体管的阈值电压和体因⼦K 。
设t OX =0.1um , N A =3×1018/cm 3。
多晶硅栅掺杂浓度N D =1020/cm 3。
氧化层和硅界⾯处单位⾯积的正离⼦电荷为1010cm -3 解答:(1)P 型衬底体因⼦OXA S C N q K ε2=,其中C q cm F cm N S A 1914318106.1/10854.89.11/103--?=??=?=,,εmT C OXOXOX µεε1.09.30==。
计算可得V K 13.29=(2)V T 有三部分组成:a 、平带电压V FB ;由两部分组成OXOXbulk poly FB C Q V -=-φ。
其中bulk poly -φ为栅多晶硅和体硅的功函数差;)ln(DA bulk poly N N q kT⽶势=多晶硅费⽶势-硅体费=-φ Q ox 为界⾯电荷;b 、降落在栅氧上的电压OXA OX n A OX C QC Q Q V ≈+=;其中F S A S S A F A qN qN Q φεφεφ42)2(≈=c 、半导体表⾯势)ln(2iA F F F n N q kT=是衬底费⽶势,其中φφφ。
所以得到F OXA OX OX bulk poly F OX FB thC QC Q V V V φφφ22+--=++=- 带⼊相应数值得到当没有衬底偏置效应时(V SB =0)阈值电压为V th =28.9V 阈值电压的通式为:)22(),(00F SB F th th SB th V K V V V V φφ-++=评注:这个的数字很不正常,⼀般电路中MOS 器件的阈值电压只有0.7~0.8V 左右。
体效应系数只有0.3左右。
产⽣这些偏差的原因是衬底浓度太⾼(3e1018)。
⼀般的衬底浓度只有1015~1016量级7.1 已知⼀⾃举反相器如图题7.1所⽰,其负载管的W/L =2,设其他参数委V T =0.7,V DD =5V ,k ’=1×10-5A/V 2, 忽略衬底偏置效应。
《集成电路设计原理》试卷及答案解读
电科《集成电路原理》期末考试试卷一、填空题1.(1分) 年,第一次观测到了具有放大作用的晶体管。
2.(2分)摩尔定律是指 。
3.集成电路按工作原理来分可分为 、 、 。
4.(4分)光刻的工艺过程有底膜处理、涂胶、前烘、 、 、 、 和去胶。
5.(4分)MOSFET 可以分为 、 、 、四种基本类型。
6.(3分)影响MOSFET 阈值电压的因素有: 、 以及 。
7.(2分)在CMOS 反相器中,V in ,V out 分别作为PMOS 和NMOS 的 和 ; 作为PMOS 的源极和体端, 作为NMOS 的源极和体端。
8.(2分)CMOS 逻辑电路的功耗可以分为 和 。
9.(3分)下图的传输门阵列中5DD V V =,各管的阈值电压1T V V =,电路中各节点的初始电压为0,如果不考虑衬偏效应,则各输出节点的输出电压Y 1= V ,Y 2= V ,Y 3= V 。
10.(6分)写出下列电路输出信号的逻辑表达式:Y 1= ;Y 2= ;Y 3= 。
二、画图题:(共12分)1.(6分)画出由静态CMOS 电路实现逻辑关系Y ABD CD =+的电路图,要求使用的MOS 管最少。
2.(6分)用动态电路级联实现逻辑功能Y ABC =,画出其相应的电路图。
三、简答题:(每小题5分,共20分) 1.简单说明n 阱CMOS 的制作工艺流程,n 阱的作用是什么?2.场区氧化的作用是什么,采用LOCOS 工艺有什么缺点,更好的隔离方法是什么?3.简述静态CMOS 电路的优点。
4.简述动态电路的优点和存在的问题。
四、分析设计题:(共38分1.(12分)考虑标准0.13m μ CMOS 工艺下NMOS 管,宽长比为W/L=0.26/0.13m m μμ,栅氧厚度为 2.6ox t nm =,室温下电子迁移率2220/n cm V s μ=,阈值电压T V =0.3V,计算 1.0GS V =V 、0.3DS V =V 和0.9V 时D I 的大小。
《集成电路设计原理》试卷及答案
电科《集成电路原理》期末考试试卷一、填空题1.(1分) 年,第一次观测到了具有放大作用的晶体管。
2.(2分)摩尔定律是指 。
3.集成电路按工作原理来分可分为 、 、 。
4.(4分)光刻的工艺过程有底膜处理、涂胶、前烘、 、 、 、 和去胶。
5.(4分)MOSFET可以分为 、 、 、 四种基本类型。
6.(3分)影响MOSFET 阈值电压的因素有: 、 以及 。
7.(2分)在CMOS 反相器中,V in ,V out 分别作为PMOS 和NMOS 的 和 ; 作为PMOS 的源极和体端, 作为NMOS 的源极和体端。
8.(2分)CMOS 逻辑电路的功耗可以分为 和 。
9.(3分)下图的传输门阵列中5DD V V =,各管的阈值电压1T V V =,电路中各节点的初始电压为0,如果不考虑衬偏效应,则各输出节点的输出电压Y 1= V ,Y 2= V ,Y 3= V 。
DD 13210.(6分)写出下列电路输出信号的逻辑表达式:Y 1= ;Y 2= ;Y 3= 。
AB Y 1AB23二、画图题:(共12分)1.(6分)画出由静态CMOS电路实现逻辑关系Y ABD CD=+的电路图,要求使用的MOS管最少。
2.(6分)用动态电路级联实现逻辑功能Y ABC=,画出其相应的电路图。
三、简答题:(每小题5分,共20分)1.简单说明n阱CMOS的制作工艺流程,n阱的作用是什么?2.场区氧化的作用是什么,采用LOCOS工艺有什么缺点,更好的隔离方法是什么?3.简述静态CMOS 电路的优点。
4.简述动态电路的优点和存在的问题。
四、分析设计题:(共38分1.(12分)考虑标准0.13m μ CMOS 工艺下NMOS 管,宽长比为W/L=0.26/0.13m m μμ,栅氧厚度为2.6ox t nm =,室温下电子迁移率2220/n cm V s μ=,阈值电压T V =0.3V,计算 1.0GS V =V 、0.3DS V =V 和0.9V 时D I 的大小。
(整理)集成电路设计习题答案1-5章
CH11.按规模划分,集成电路的发展已经经历了哪几代?它的发展遵循了一条业界著名的定律,请说出是什么定律?晶体管-分立元件-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。
MOORE定律2.什么是无生产线集成电路设计?列出无生产线集成电路设计的特点和环境。
拥有设计人才和技术,但不拥有生产线。
特点:电路设计,工艺制造,封装分立运行。
环境:IC产业生产能力剩余,人们需要更多的功能芯片设计3.多项目晶圆(MPW)技术的特点是什么?对发展集成电路设计有什么意义?MPW:把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上,然后以步行的方式排列到一到多个晶圆上。
意义:降低成本。
4.集成电路设计需要哪四个方面的知识?系统,电路,工具,工艺方面的知识CH21.为什么硅材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用 ?原材料来源丰富,技术成熟,硅基产品价格低廉2.GaAs和InP材料各有哪些特点? P10,11 3.怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触?怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触?接触区半导体重掺杂可实现欧姆接触,金属与掺杂半导体接触形成肖特基接触4.说出多晶硅在CMOS工艺中的作用。
P13 5.列出你知道的异质半导体材料系统。
GaAs/AlGaAs, InP/ InGaAs, Si/SiGe, 6.SOI材料是怎样形成的,有什么特点?SOI绝缘体上硅,可以通过氧隔离或者晶片粘结技术完成。
特点:电极与衬底之间寄生电容大大减少,器件速度更快,功率更低7. 肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点?肖特基接触:阻挡层具有类似PN结的伏安特性。
欧姆型接触:载流子可以容易地利用量子遂穿效应相应自由传输。
8. 简述双极型晶体管和MOS晶体管的工作原理。
P19,21CH31.写出晶体外延的意义,列出三种外延生长方法,并比较各自的优缺点。
意义:用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。
外延方法:液态生长,气相外延生长,金属有机物气相外延生长2.写出掩膜在IC制造过程中的作用,比较整版掩膜和单片掩膜的区别,列举三种掩膜的制造方法。
集成电路期末试题及答案
集成电路期末试题及答案Michael Chen2022年1月10日第一部分:选择题1. 集成电路是指()A. 多个电路板连接在一起B. 多个电子元件连接在一起C. 多个电气设备连接在一起D. 多个电子器件集成在一起答案:D2. 集成电路的分类依据是()A. 外部尺寸B. 工作原理C. 制造工艺D. 功耗大小答案:C3. 集成电路的封装形式包括()A. DIPB. SIPC. QFPD. 以上都是E. 以上都不是答案:D4. CMOS是指()A. 生物科学中的一种病毒B. 一种通信协议C. 一种数字电路设计技术D. 一种模拟电路设计技术答案:C5. 集成电路的发展趋势是()A. 更小封装B. 更低功耗C. 更高速度D. 以上都是答案:D第二部分:填空题1. 集成电路的最早应用是在(电子计算机)中。
2. 集成电路制造工艺的重要步骤包括薄膜沉积、光刻和(蚀刻)。
3. 集成电路的数字功耗由(开关功耗)和(短路功耗)组成。
4. 集成电路的封装形式除了DIP、SIP、QFP外,还有(BGA)。
5. 集成电路的发展史上的一个重要里程碑是第一个微处理器(Intel 4004)的发布。
第三部分:简答题1. 请简要解释集成电路的概念,并举例说明。
答:集成电路是将多个电子器件(如晶体管、电容器等)集成在一个芯片上的电路。
通过微影工艺在芯片上形成电路连接,实现各种电路功能。
例如,常见的操作放大器、时钟芯片、存储器等都是利用集成电路技术制造的。
2. 请介绍集成电路制造工艺中的薄膜沉积步骤。
答:薄膜沉积是集成电路制造工艺中的重要步骤之一。
它通过在芯片表面上沉积一层薄膜,为后续工艺提供基础。
常用的薄膜沉积工艺包括物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)。
PVD是通过物理方法将金属或其它物质蒸发或溅射到芯片表面形成薄膜;CVD则是通过化学反应使气相中的化合物在芯片表面沉积。
薄膜沉积可以实现金属导线、绝缘层等结构的形成,为后续的光刻、蚀刻工艺提供基础。
集成电路复习题(整理)
集成电路应用学习思考题一、 填空题:1、如图1是双列直插封装集成电路实物图,请标出通常情况下的引脚序号排列规律;对于其顺序拿不准时应 查阅有关的技术资料或产品说明书 。
2、集成电路虽然是功能完整的电路,但在应用过程中还常常需要附加外接元件及外电路,才能达到满意的工作状态,常见的几种外围电路有:电源电路、为辅助集成电路块完成特定功能的外接元件、频率补偿电路、接口电路等。
3、金属圆壳封装,面向引脚正视,在图中 标出引线排列的顺序:4、扁平封装,在图中标出引线排列的顺序:二、电路分析:1、 如右图是电源端保护电路,试分析其工作原理。
答:图中VD 1、VD 2是为防止电源电压接反时的保护电路, 当电源接反,二极管处于反向偏置,无电流流过集成电路。
2、 运算放大器的共模和差模输入电压过高时,轻者可使输入管β值下降,使放大器特性变坏,重者将使输人管损坏。
因此通常都需要加一定的输入保护。
下图是常见的3种输入保护措施,试分析其工作原理。
答:其原理大致相同,可根据不同的应用条件来选择。
当输入电压较大时,二极管VD 导通,从而使运放输入电压幅度限制在二极管正向电压之下,保护运算放大器不致损坏。
3、试分析基于运算放大器的信号运算电路的功能。
答:(1)该反相比例放大器在理想条件下输出与输入关系表达式为011=-FR V V R ,当1F R R =时,01=-V V 则构成反相器。
(2)该同相比例放大器的理想表达式为 011=(1+)FR V V R 。
12124(3)反向输入构成的加法器,理想条件下输出输入关系为12012=-()I I In F nV V VV R R R R ++⋅⋅⋅+,平衡电阻1//s R R =2////n R R ⋅⋅⋅,式中,0V 为输出电压,1I V 、2I V ⋅⋅⋅ In V 为输入加法信号。
(4)减法器,其理想表达式为21110211221()=()F I F F I I I I F I R R R RV V V R R R R +-+,若12I I I R R R ==,12F F F R R R ==,则有10211=()F I I I RV V V R -,即输出电压正比于输入电压2I V 和1I V 的差。
集成电路设计岗位招聘笔试题及解答(某大型国企)2024年
2024年招聘集成电路设计岗位笔试题及解答(某大型国企)(答案在后面)一、单项选择题(本大题有10小题,每小题2分,共20分)1、集成电路设计的主要目的是实现以下哪种功能?A、数据存储B、数据传输C、信号放大D、逻辑运算2、在CMOS工艺中,以下哪一项不是晶体管的工作状态?A、线性放大区B、饱和区C、截止区D、存储区3、在CMOS逻辑电路中,当输入信号从低电平变为高电平时,NMOS晶体管的工作状态会如何变化?A. 从导通变为截止B. 保持导通C. 从截止变为导通D. 保持截止4、在数字集成电路中,同步复位与异步复位的主要区别在于:A. 同步复位只在时钟边沿有效,而异步复位则与时钟无关。
B. 异步复位比同步复位更节省电力。
C. 同步复位需要额外的外部信号来触发。
D. 异步复位可以实现更快的数据处理速度。
5、集成电路设计中,以下哪种类型的逻辑门在数字电路中应用最为广泛?A. OR门B. AND门C. NOT门D. XOR门6、在集成电路设计中,以下哪个术语用于描述在模拟电路中,由于温度、电源电压等因素变化而导致的电路性能变化?A. 时钟抖动B. 静态功耗C. 温度系数D. 信号完整性7、在CMOS工艺中,哪种场效应管使用最为广泛?A、NMOS管B、PMOS管C、NMOS2管D、CMOS管8、在高速运算电路中,如何减小延迟时间?A、增加晶体管尺寸B、降低电源电压C、优化布局布线D、提高环境温度9、题目:下面哪个选项描述的是集成电路设计中常见的半导体材料?A. 硅和锗B. 钨和钼C. 氮气和氢气D. 金和银 10、题目:在集成电路设计中,下面哪个术语描述的是电路中模拟信号转换为数字信号的过程?A. 编译器B. 读取操作C. 模数转换(A/D转换)D. 命令二、多项选择题(本大题有10小题,每小题4分,共40分)1、关于CMOS逻辑门电路的描述,哪些是正确的?(多选)A. CMOS逻辑门在静态情况下几乎不消耗电流。
1+X集成电路理论复习题与答案
1+X集成电路理论复习题与答案一、单选题(共40题,每题1分,共40分)1、平移式分选机设备测试环节的流程是:( )。
A、吸取、搬运芯片→入料梭转移芯片→压测→记录测试结果→搬运、吹放芯片B、入料梭转移芯片→吸取、搬运芯片→压测→记录测试结果→搬运、吹放芯片C、入料梭转移芯片→搬运、吹放芯片→压测→记录测试结果→吸取、搬运芯片D、搬运、吹放芯片→入料梭转移芯片→吸取、搬运芯片→压测→记录测试结果正确答案:B答案解析:平移式分选机设备测试环节的流程是:入料梭转移芯片→吸取、搬运芯片→压测→记录测试结果→搬运、吹放芯片。
2、金属钨在集成电路中通常用于()。
A、填充塞B、金属连线C、阻挡层D、焊接层正确答案:A答案解析:金属钨在集成电路中通常用于钨填充塞。
3、双极型与单极型集成电路在性能上的主要差别是()。
A、双极型器件工作频率高、功耗大、温度特性好、输入电阻大,而单极型器件正好相反B、双极型器件工作频率高、功耗低、温度特性好、输入电阻小,而单极型器件正好相反C、双极型器件工作频率高、功耗大、温度特性差、输入电阻小,而单极型器件正好相反D、双极型器件工作频率低、功耗大、温度特性好、输入电阻小,而单极型器件正好相反正确答案:C4、芯片检测工艺过程中一般有拼零操作,下面对拼零描述正确的是()。
A、一个内盒中最多有三个印章号B、每次拼零时可以对多个产品进行操作C、零头电路不需要进行检查D、拼零时遵循“先入先出”的原则正确答案:D5、晶圆切割的作用是()。
A、对晶圆边缘进行修正B、将完整的晶圆分割成单独的晶粒C、在完整的晶圆上划出切割道的痕迹,方便后续晶粒的分离D、切除电气性能不良的晶粒正确答案:B答案解析:晶圆切割将整片晶圆切割成一颗颗独立的晶粒,用于后续集成电路的制造。
6、打开安装好的keil软件,点击工具栏“魔术棒”按钮,点击()选项,选择目标芯片。
A、TargetB、C/C++C、DebugD、Device正确答案:D7、()是指按照一定的方式将杂质掺入到半导体等材料中,改变材料电学性质,达到形成半导体器件的目的。
集成电路(全部复习题)
②晶体管的输出曲线
9.集成双极晶体管的寄生效应有哪些?如何改善?
答:①无缘寄生:寄生电阻和电容与PN结和电流通过的路径相关联
②有缘寄生:由基极、集电极、隔离墙、衬底组成的PNP晶体管
改善:①在工艺加工中掺金,增加复合中心数量
②在集电区下设置n+埋层,加大寄生PNP管基区宽度
根据 其中 要求tr=0.5ns,则τp=0.28ns
又根据τp=CL/KPVDD得KP=7.14×10-4A/V2
因则要求PMOS管宽长比满足:
同理要求NMOS管宽长比满足:
取LN=LP=0.6um则WN=6.9um,WP=14.28um
在画版图时,MOS管的沟道宽度要根据实际情况取整
3.CMOS与NMOS反相器的比较
②CMOS施密特触发器,是一种阈值转换电路,有两个逻辑阈值电平,带来的回滞电压可改善其噪声效果
作用:①作为电平转换的接口电路
②改善输入信号的驱动能力
输出特征:在CMOS集成电路中,用多级反相器构成反相器链
作用:①提高所需要的驱动电流
②使缓冲器的总延迟时间最小
2.ESD保护电路如何产生,怎样保护?
答:ESD指静电释放
③在NPN管收集结上并连一个SBD
10.EM2模型怎么来的?
答:在本征EM模型基础上增加反映寄生效应的元件。
11.晶体管特征频率fT:晶体管交流输出短路共发射极电流增益β(f)=1时的工作频率。
12.无源元件分为:电阻器,电容器,电感器,(互连线)
第四章
反相器的直流噪声容限,开、关门电平分别针对什么?
产生:在VLSI芯片四周环绕有很长的电源线和地线,它们有较大的寄生电阻和电容,使ESD放电时间延迟,造成远离ESD的器件容易受到ESD损伤。
集成电路设计基础期末考试复习题
集成电路设计基础期末考试复习题全部复习题均可在教材上找到参考答案1.摩尔定律的容:单位⾯积芯⽚上所能容纳的器件数量,每12-18个⽉翻⼀番。
2.摩尔定律得以保持的途径:特征尺⼨不断缩⼩、增⼤芯⽚⾯积及单元结构的改进。
3.图形的加⼯是通过光刻和刻蚀⼯艺完成的。
4.在场区中,防⽌出现寄⽣沟道的措施:⾜够厚的场氧化层、场区注硼、合理的版图。
5.形成SOI材料的三种主要技术:注氧隔离技术、键合减薄技术、智能剥离技术。
6.实际的多路器和逆多路器中输⼊和输出⼀般是多位信息,如果对m个n位数据进⾏选择,则需要n位m选⼀多路器。
7.在氧化层上形成所需要的图形的步骤:甩胶、曝光、显影、刻蚀、去胶。
8.版图设计规则可以⽤两种形式给出:微⽶规则和λ规则。
9.常规CMOS结构的闩锁效应严重地影响电路的可靠性,解决闩锁效应最有效的办法是开发多晶硅技术。
10.要实现四选⼀多路器,应该⽤2位⼆进制变量组成4个控制信号,控制4个数据的选择。
11.摩尔分析了集成电路迅速发展的原因,他指出集成度的提⾼主要是三⽅⾯的贡献:特征尺⼨不断缩⼩、芯⽚⾯积不断增⼤、器件和电路结构的不断改进。
12.缩⼩特征尺⼨的⽬的:使集成电路继续遵循摩尔定律提⾼集成密度;提⾼集成度可以使电⼦设备体积更⼩、速度更⾼、功耗更低;降低单位功能电路的成本,提⾼产品的性能/价格⽐,使产品更具竞争⼒。
13.N阱CMOS主要⼯艺步骤:衬底硅⽚的选择→制作n阱→场区氧化→制作硅栅→形成源、漏区→形成⾦属互连线。
14.解决双极型晶体管纵向按⽐例缩⼩问题的最佳⽅案之⼀,就是采⽤多晶硅发射极结构,避免发射区离⼦注⼊对硅表⾯的损伤。
15.n输⼊与⾮门设计考虑,根据直流特性设计:Kr=KN/KP=n3/2;根据瞬态特性设计:Kr=KN/KP=n。
n输⼊或⾮门设计考虑,根据直流特性设计:Kr=KN/KP=n-3/2;根据瞬态特性设计:Kr= Kr=KN/KP=1/n. 16.CE等⽐例缩⼩定律要求器件的所有⼏何尺⼨,包括横向和纵向尺⼨,都缩⼩k倍;衬底掺杂浓度增⼤K倍;电源电压下降K倍。
集成电路设计习题
集成电路设计习题第一章1、按规模划分,集成电路的发展已经经历了哪几代?它的发展遵循了一条业界著名的定律,请说出是什么定律?答:集成电路发展历程:小规模集成(SSI)→中规模集成(MSI)→大规模集成(LSI)→超大规模集成电路(VLSI)→特大规模集成电路(ULSI)→GSI →SoC 。
Intel公司前董事长Gordon Moore首次于1965提出摩尔定律。
2、什么是无生产线集成电路设计?列出无生产线集成电路设计的特点和环境。
答:无生产线集成电路设计:集成电路的设计、工艺制造和封装分立运行,集成电路设计单位根据代工单位的设计包进行电路的设计。
特点:只进行集成电路设计,与工艺制造,封装分立运行。
环境:IC产业生产能力剩余,客户需要更多的功能芯片设计。
3、多项目晶圆(MPW)技术的特点是什么?对发展集成电路设计有什么意义?答:MPW的特点:把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上,然后按规则排列到一个晶圆上。
意义:可以有效地降低成本,加速产品的市场化。
4、集成电路设计需要哪4个方面的知识?答:系统知识:计算机、通信、信息、控制学科;电路知识:更多的知识、技术和经验;工具知识:任务和内容→相应的软件工具;工艺知识:元器件的特性和模型、工艺原理和过程。
第二章1、GaAs和InP材料各有哪些特点?答:砷化镓 (GaAs)特点:能工作在超高速超高频,载流子迁移率更高,近乎半绝缘的电阻率,f T可达150GHz,可制作发光器件,工作在更高的温度,更好的抗辐射性能。
磷化铟 (InP):能够工作在超高速超高频;广泛应用于光纤通信系统中,覆盖了玻璃光纤的最小色散(1.3μm)和最小衰减(1.55μm)的两个窗口。
2、在怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触?在怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触?答:欧姆接触:如果半导体掺杂浓度足够高,隧道效应抵消势垒的影响,形成了双向低欧姆电阻值。
肖特基型接触:金属和掺杂浓度较低半导体结合面形成。
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集成电路设计复习题绪论1.画出集成电路设计与制造的主要流程框架。
2.集成电路分类情况如何?集成电路设计1.层次化、结构化设计概念,集成电路设计域和设计层次2.什么是集成电路设计?集成电路设计流程。
(三个设计步骤:系统功能设计逻辑和电路设计版图设计)3.模拟电路和数字电路设计各自的特点和流程4.版图验证和检查包括哪些内容?如何实现?5.版图设计规则的概念,主要内容以及表示方法。
为什么需要指定版图设计规则?6.集成电路设计方法分类? (全定制、半定制、PLD)7.标准单元/ 门阵列的概念,优点/缺点,设计流程8.PLD设计方法的特点,FPGA/CPLD的概念9.试述门阵列和标准单元设计方法的概念和它们之间的异同点。
10.标准单元库中的单元的主要描述形式有哪些?分别在IC设计的什么阶段应用?11.集成电路的可测性设计是指什么?Soc设计复习题1. 什么是SoC?2. SoC设计的发展趋势及面临的挑战?3. SoC设计的特点?4. SoC设计与传统的ASIC设计最大的不同是什么?5. 什么是软硬件协同设计?6. 常用的可测性设计方法有哪些?7. IP 的基本概念和IP分类8. 什么是可综合RTL代码?9. 么是同步电路,什么是异步电路,各有什么特点?10. 逻辑综合的概念。
11. 什么是触发器的建立时间( Setup Time ),试画图进行说明。
12. 什么是触发器的保持时间( Hold Time ),试画图进行说明。
13. 什么是验证,什么是测试,两者有何区别?14. 试画图简要说明扫描测试原理。
绪论1、画出集成电路设计与制造的主要流程框架。
2、集成电路分类情况如何?双极型数字模拟混合电路按应用领域分类集成电路设计1.层次化、结构化设计概念,集成电路设计域和设计层次分层分级设计和模块化设计.将一个复杂的集成电路系统的设计问题分解为复杂性较低的设计级别,集成电路MSI按规模分LSI 类VLSIULSIGSI数字电按功能分类模拟电路组合逻辑电路路时序逻辑电路路线性电路路非线性电路单片集成按结构分类混合集成SSIPMOS电M路OS 型NMOSCMOSB iMOSB iMOS 型B iCMOS电厚路膜混合集成电路薄路膜混合集成电路这个级别可以再分解到复杂性更低的设计级别;这样的分解一直继续到使最终的设计级别的复杂性足够低,也就是说,能相当容易地由这一级设计出的单元逐级组织起复杂的系统。
从层次和域表示分层分级设计思想域:行为域:集成电路的功能结构域:集成电路的逻辑和电路组成物理域:集成电路掩膜版的几何特性和物理特性的具体实现层次:系统级、算法级、寄存器传输级(也称RTL级)、逻辑级与电路级2.什么是集成电路设计?集成电路设计流程,根据电路功能和性能的要求,在正确选择系统配置、电路形式、器件结构、工艺方案和设计规则的情况下,尽量减小芯片面积,降低设计成本,缩短设计周期,以保证全局优化,设计出满足要求的集成电路。
三个设计步骤:系统功能设计,逻辑和电路设计,版图设计3.模拟电路和数字电路设计各自的特点和流程A.数字电路:RTL级描述逻辑综合(Synopsys,Ambit)逻辑网表电路实现(包括满足电路性能要求调用单元库完成;没有单元库支持:对各单元进行电路设计,通过电路模拟与分析,预测电路的直流、交流、瞬态等特性,之后再根据模拟结果反复修改器件参数,直到获得满意的结果。
由此可形成用户自己的单元库;单元库:一组单元电路的集合;经过优化设计、并通过设计规则检查和反复工艺验证,能正确反映所需的逻辑和电路功能以及性能,适合于工艺制备,可达到最大的成品率。
逻辑模拟与验证,时序分析和优化难以综合的:人工设计后进行原理图输入,再进行逻辑模拟电路结构和元件参数):单元库由厂家(Foundary)提供,也可由用户自行建立B. 模拟电路:尚无良好的综合软件RTL级仿真通过后,根据设计经验进行电路设计原理图输入电路模拟与验证模拟单元库逻辑和电路设计的输出:网表(元件及其连接关系)或逻辑图、电路图。
软件支持:原理图软件、逻辑综合、逻辑模拟、电路模拟、时序分析等软件(EDA 软件系统中已集成)。
4.集成电路设计方法分类全定制、半定制、PLD5.标准单元/门阵列的概念,优点/ 缺点,设计流程门阵列:(设计流程)概念:形状和尺寸完全相同的单元排列成阵列,每个单元内部含有若干器件,单元之间留有布线通道,通道宽度和位置固定,并预先完成接触孔和连线以外的芯片加工步骤,形成母片根据不同的应用,设计出不同的接触孔版和金属连线版,单元内部连线及单元间连线实现所需电路功能采用母片半定制技术门阵列方法的设计特点:设计周期短,设计成本低,适合设计适当规模、中等性能、要求设计时间短、数量相对较少的电路不足:设计灵活性较低;门利用率低;芯片面积浪费;速度较低;功耗较大。
标准单元:(设计流程)一种库单元设计方法,属基于单元的布图方法需要全套掩膜版:定制方法概念:从标准单元库中调用事先经过精心设计的逻辑单元,并排列成行,行间留有可调整的布线通道,再按功能要求将各内部单元以及输入/输出单元连接起来,形成所需的专用电路芯片布局:芯片中心是单元区,输入/ 输出单元和压焊块在芯片四周,基本单元具有等高不等宽的结构,布线通道区没有宽度的限制, 利于实现优化布线。
SC 方法特点:需要全套掩膜版,属于定制设计方法 门阵列方法:合适的母片,固定的单元数、压焊块数和通道间距 标准单元方法:可变的单元数、压焊块数、通道间距,布局布线的自由度增大较高的芯片利用率和连线布通率依赖于标准单元库, SC 库建立需较长的周期和较高的成本,尤 其工艺更新时 适用于中批量或者小批量但是性能要求较高的芯片设计6. PLD 设计方法的特点, FPGA/CPLD 的概念 概念:用户通过生产商提供的通用器件自行进行现场编程和制造, 或者通 过对与或矩阵进行掩膜编程,得到所需的专用集成电路编程方式:现场编程:采用熔断丝、电写入等方法对已制备好的 PLD 器件实现编程, 不需要微电子工艺,利用相应的开发工具就可完成设计,有些 PLD 可多次擦 除,易于系统和电路设计。
掩膜编程:通过设计掩膜版图来实现所需的电路功能, 但由于可编程逻辑 器件的规则结构,设计及验证比较容易实现。
PLD 和 FPGA 设计方法的特点现场编程:功能、逻辑设计 网表 编程文件PLD 器件 硬件编程器 编程软件掩膜编程: PLA 版图自动生成系统,可以从网表直接得到掩膜版图 设计周期短,设计效率高,有些可多次擦除,适合新产品开发 FPGA 与 CPLD 的区别: 1、 CPLD 内部结构 Product -term 程序存储 内部 EEPROM SRAM , 资源类型 组合电路资源丰富 集成度 低 使用场合 完成控制逻辑 速度 慢 其他资源 - 保密性 可加密2、 FPGA 采用 SRAM 进行功能配置,可重复编程,但系统掉电后, SRAM 中的数据丢失。
因此,需在 FPGA 外加 EPROM ,将配置数据写入其中,系统 每次上电自动将数据引入 SRAM 中。
CPLD 器件一般采用 EEPROM 存储技术,可重复编程,并且系统掉电后, EEPROM 中的数据不会丢失,适于数据的保密。
3、FPGA 器件含有丰富的触发器资源, 易于实现时序逻辑, 如果要求实现 较复杂的组合电路则需要几个 CLB 结合起来实现。
CPLD 的与或阵列结构,使其适于实现大规模的组合功能,但触发器资源 相对较少。
FPGA Look -up Table 外挂 EEPROM 触发器资源丰富 高 能完成比较复杂的算法 快 EAB ,锁相环 一般不能保密4、FPGA为细粒度结构,CPLD为粗粒度结构。
FPGA内部有丰富连线资源,CLB分块较小,芯片的利用率较高。
CPLD的宏单元的与或阵列较大,通常不能完全被应用,且宏单元之间主要通过高速数据通道连接,其容量有限,限制了器件的灵活布线,因此CPLD 利用率较FPGA器件低。
5、FPGA为非连续式布线,CPLD为连续式布线。
FPGA器件在每次编程时实现的逻辑功能一样,但走的路线不同,因此延时不易控制,要求开发软件允许工程师对关键的路线给予限制。
CPLD每次布线路径一样,CPLD的连续式互连结构利用具有同样长度的一些金属线实现逻辑单元之间的互连。
连续式互连结构消除了分段式互连结构在定时上的差异,并在逻辑单元之间提供快速且具有固定延时的通路。
CPLD的延时较小。
7.试述门阵列和标准单元设计方法的概念和它们之间的异同点。
门阵列设计方法:半定制标准单元设计方法:定制8.标准单元库中的单元的主要描述形式有哪些?分别在IC 设计的什么阶段应用?标准单元库:标准单元库中的单元是用人工优化设计的,力求达到最小的面积和最好的性能,完成设计规则检查和电学验证描述电路单元在不同层级的属性的一组数据逻辑符号(L):单元名称与符号、I/O 端:用于逻功能描述电路结构、电学指标拓扑版图(O):拓扑单元名、单元宽度高度、I/O 掩膜版图(A)不同设计阶段调用不同描述9.集成电路的可测性设计是指什么?可测性设计是在尽可能少地增加附加引线脚和附加电路,并使芯片性能损失最小的情况下,满足电路可控制性和可观察性的要求可控制:从输入端将芯片内部逻辑电路置于指定状态可观察:直接或间接地从外部观察内部电路的状态SOC设计复习题1. 什么是SoC?包括一个或多个计算“引擎” (微处理器/微控制器/数字信号处理器)、至少十万门的逻辑和相当数量的存储器。
2.SoC设计的发展趋势及面临的挑战?3.SoC 设计的特点?一个完整的SoC设计包括系统结构设计(也称为架构设计),软件结构设计和ASIC设计(硬件设计)。
(不太确定)4.SoC 设计与传统的ASIC设计最大的不同是什么?A.SoC设计更需要了解整个系统的应用,定义出合理的芯片架构,使得软硬件配合达到系统最佳工作状态。
因而,软硬件协同设计被越来越多地采用。
B.SoC设计是以IP 复用或更大的平台复用为基础的。
因而,基于IP 复用的设计是硬件实现的特点。
5. 什么是软硬件协同设计?软硬件协同设计指的是软硬件的设计同步进行,在系统的初始阶段,两者就紧密相连。
(下面这种描述方法是从百度上来的)软硬件协同设计是指对系统中的软硬件部分使用统的描述和工具进行集成开发,可完成全系统的设计验证并跨越软硬件界面进行系统优化。
6. 常用的可测性设计方法有哪些?内部扫描测试设计,自动测试矢量生成,存储器内建自测试,边界扫描测试7.IP 的基本概念和IP 分类IP是知识产权的意思,指一种事先定义,经验证可以重复使用的,能完成某些功能的组块,在集成电路行业里,IP通常是指硅知识产权(Silicon Intellectual Property ),即IP 核。